JPH0546708B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0546708B2 JPH0546708B2 JP59186831A JP18683184A JPH0546708B2 JP H0546708 B2 JPH0546708 B2 JP H0546708B2 JP 59186831 A JP59186831 A JP 59186831A JP 18683184 A JP18683184 A JP 18683184A JP H0546708 B2 JPH0546708 B2 JP H0546708B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- hgcdte
- crystal
- electrode
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
- H10F71/1253—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe comprising at least three elements, e.g. HgCdTe
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はHgCdTeを用いた赤外線検出素子の製
造方法に関する。
造方法に関する。
（従来の技術）
HgCdTeは高感度赤外線素子に最適の材料とし
て知られており、これを用いた赤外線検出素子は
基本的には厚さ10μｍ程度のHgCdTe結晶に電極
端子を形成し、その間の抵抗変化を検出するよう
構成されたものである。こうした赤外線検出素子
の従来の製造方法を示すと、その主要工程は以下
のようなものである。すなわち、第３図ａに示す
ように絶縁基板１上にHgCdTe結晶２を接着して
これを研磨し、続いてこのHgCdTe結晶を所定の
厚さ、通常は10μｍ程度にエツチングすると共
に、その端部３をなだらかにする。次に、第３図
ｂに示すようにHgCdTe結晶２の感光部とする領
域４以外の部分、すなわち電極接続部及び電極端
子を形成する部分５及び６にいわゆるリフトオフ
法によつて導電体７を形成する。更に、第３図ｃ
及びｄに示すようにHgCdTe結晶２と導電体７と
を一括して感光部８及び電極接続部９及び電極端
子１０の形状にエツチング加工することにより製
造されていた。ここで導電体７をリフトオフ法に
よつて形成するのは導電体７の材料とHgCdTe結
晶とが直接触れないようにして感光部８の特性劣
化を防ぐためである。
て知られており、これを用いた赤外線検出素子は
基本的には厚さ10μｍ程度のHgCdTe結晶に電極
端子を形成し、その間の抵抗変化を検出するよう
構成されたものである。こうした赤外線検出素子
の従来の製造方法を示すと、その主要工程は以下
のようなものである。すなわち、第３図ａに示す
ように絶縁基板１上にHgCdTe結晶２を接着して
これを研磨し、続いてこのHgCdTe結晶を所定の
厚さ、通常は10μｍ程度にエツチングすると共
に、その端部３をなだらかにする。次に、第３図
ｂに示すようにHgCdTe結晶２の感光部とする領
域４以外の部分、すなわち電極接続部及び電極端
子を形成する部分５及び６にいわゆるリフトオフ
法によつて導電体７を形成する。更に、第３図ｃ
及びｄに示すようにHgCdTe結晶２と導電体７と
を一括して感光部８及び電極接続部９及び電極端
子１０の形状にエツチング加工することにより製
造されていた。ここで導電体７をリフトオフ法に
よつて形成するのは導電体７の材料とHgCdTe結
晶とが直接触れないようにして感光部８の特性劣
化を防ぐためである。
図中１４はレジストパターンを示している。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、この導電体７の形成の際、接着剤層
１１の端の段差部１２をまたいで導電体が形成さ
れ、かつ電気的接続が保たれねばならない。しか
し、接着剤層１１は一般に数μｍの厚さであり、
段差部１２は高さ数μｍの殆んど垂直な段差とな
つているため、いわゆる段差切れが生じ易く、電
気的接続はどうしても不十分とならざるを得な
い。こうした段差切れは通常はバイアススパツタ
リングや斜め蒸着等の成膜法により改善が可能で
あるが、逆にリフトオフを困難にしてしまう。こ
うして従来の製造方法では段差切れの改善とリフ
トオフとの両立は非常に困難となつており、製造
歩留りの低下のみならず、素子動作中に導通不良
を生じる等により信頼性の低下を招いていた。
１１の端の段差部１２をまたいで導電体が形成さ
れ、かつ電気的接続が保たれねばならない。しか
し、接着剤層１１は一般に数μｍの厚さであり、
段差部１２は高さ数μｍの殆んど垂直な段差とな
つているため、いわゆる段差切れが生じ易く、電
気的接続はどうしても不十分とならざるを得な
い。こうした段差切れは通常はバイアススパツタ
リングや斜め蒸着等の成膜法により改善が可能で
あるが、逆にリフトオフを困難にしてしまう。こ
うして従来の製造方法では段差切れの改善とリフ
トオフとの両立は非常に困難となつており、製造
歩留りの低下のみならず、素子動作中に導通不良
を生じる等により信頼性の低下を招いていた。
本発明の目的は上記の欠点をなくし、製造歩留
りが良く、また信頼性の高い赤外線検出素子の製
造方法を提供することにある。
りが良く、また信頼性の高い赤外線検出素子の製
造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は絶縁基板上にHgCdTe結晶を接着して
これを研磨する工程と、該HgCdTeを感光部と電
極接続部を形成する領域の寸法に整形すると共
に、接着剤層を一部露出させる工程と、前記
HgCdTe結晶を所定の厚さまでエツチング除去す
ると共にその端部をなだらかにする工程と、前記
露出した接着剤層及び電極端子を形成する領域に
第１の導電体を形成する工程と、前記HgCdTe結
晶の電極接続部とする領域から前記第１の導電体
にかけて第２の導電体をリフトオフ法によつて形
成する工程と、前記HgCdTe結晶及び前記第１と
第２の導電体とを一括して感光部及び電極接続部
及び電極端子の形状にエツチング加工する工程と
を行うことを特徴とする赤外線検出素子の製造方
法である。
これを研磨する工程と、該HgCdTeを感光部と電
極接続部を形成する領域の寸法に整形すると共
に、接着剤層を一部露出させる工程と、前記
HgCdTe結晶を所定の厚さまでエツチング除去す
ると共にその端部をなだらかにする工程と、前記
露出した接着剤層及び電極端子を形成する領域に
第１の導電体を形成する工程と、前記HgCdTe結
晶の電極接続部とする領域から前記第１の導電体
にかけて第２の導電体をリフトオフ法によつて形
成する工程と、前記HgCdTe結晶及び前記第１と
第２の導電体とを一括して感光部及び電極接続部
及び電極端子の形状にエツチング加工する工程と
を行うことを特徴とする赤外線検出素子の製造方
法である。
（実施例）
以下、図面を用いて本発明の赤外線検出素子の
製造方法を説明する。
製造方法を説明する。
第１図は本発明の製造方法の実施例を工程順に
示した断面図及び平面図である。まず第１図ａの
断面図に示すように絶縁基板２１上に接着剤２３
を用いてHgCdTe結晶２２を接着し、これを30〜
60μｍの厚さまで研磨する。この絶縁基板２１と
しては熱伝導率のよいサフアイア等が適しており
また接着剤２３として低温用エポキシ等を用いる
ことができる。次に第１図ｂに示すように第１の
レジストパターン２４を用いて、感光部と電極接
続部を形成する領域２５及び２６の寸法に
HgCdTe結晶１２をエツチングにより整形する。
この際に接着剤２３の一部は露出される。続いて
第１図ｃに示すようにHgCdTe結晶１２の全体を
エツチングし所定の厚さ、通常は10μｍ程度に薄
くすると同時に、端部２７をなだらかにする。こ
のエツチング液としては鏡面エツチング液として
周知の臭素メタノール液等が適している。次に、
第１の導電体を形成する工程として、第１図ｄに
示すようにHgCdTe結晶２２の全体を第２のレジ
ストパターン２８でおおつた後、導電体材料２９
を積層する。この導電体材料２９としてはCrな
いしはTiとAuとを積層したものやAl、In等が適
しており、例えばバイアススパツタリングや斜め
蒸着等のステツプカバレツジの良い成膜法により
積層する。次に第１図ｅに示すように第３のレジ
ストパターン３０をマスクとしてエツチングを行
ない、露出した接着剤層２３及びその周囲の電極
端子の形成領域３１に第１の導電体３２を形成さ
せる。この時、HgCdTe結晶２２は第２のレジス
トパターン２８によつて保護されており、この工
程でHgCdTe結晶２２の特性を損なうことはな
い。続いて第２の導電体を形成する工程として、
第１図ｆに示すようにHgCdTe結晶２２の感光部
とする領域２５に形成した第４のレジストパター
ン３３をマスクとして導電体材料３４を積層し、
いわゆるリフトオフ法によつて第４のレジストパ
ターン３３上の不要の電極材料を除去する。これ
によりHgCdTe結晶２２の電極接続部とする領域
２６から第１の導電体３２にかけて第２の導電体
３５が形成される。ここで第２の導電体材料とし
ては第１の導電体材料と同じものを用いることが
でき、またリフトオフし易いように成膜すればよ
い。次に第１図ｇの断面図及び第１図ｈの平面図
に示すように、感光部及び電極接続部及び電極端
子の形状の第５のレジストパターン３６をマスク
として、不要部分のHgCdTe結晶及び第１と第２
の導電体を一括してエツチング除去することによ
り、第１図ｉに示すように感光部３７、電極接続
部３８及び電極端子３９を形成して赤外線検出素
子の製造を完了する。尚、以上の説明では主要な
製造工程のみを示しており、これらの工程の他
に、例えばHgCdTe結晶のパシベーシヨンのため
に酸化処理する場合には第１の導電体の形成後
に、またZnS等の誘電体膜を形成する場合には最
後に行なうことができる。
示した断面図及び平面図である。まず第１図ａの
断面図に示すように絶縁基板２１上に接着剤２３
を用いてHgCdTe結晶２２を接着し、これを30〜
60μｍの厚さまで研磨する。この絶縁基板２１と
しては熱伝導率のよいサフアイア等が適しており
また接着剤２３として低温用エポキシ等を用いる
ことができる。次に第１図ｂに示すように第１の
レジストパターン２４を用いて、感光部と電極接
続部を形成する領域２５及び２６の寸法に
HgCdTe結晶１２をエツチングにより整形する。
この際に接着剤２３の一部は露出される。続いて
第１図ｃに示すようにHgCdTe結晶１２の全体を
エツチングし所定の厚さ、通常は10μｍ程度に薄
くすると同時に、端部２７をなだらかにする。こ
のエツチング液としては鏡面エツチング液として
周知の臭素メタノール液等が適している。次に、
第１の導電体を形成する工程として、第１図ｄに
示すようにHgCdTe結晶２２の全体を第２のレジ
ストパターン２８でおおつた後、導電体材料２９
を積層する。この導電体材料２９としてはCrな
いしはTiとAuとを積層したものやAl、In等が適
しており、例えばバイアススパツタリングや斜め
蒸着等のステツプカバレツジの良い成膜法により
積層する。次に第１図ｅに示すように第３のレジ
ストパターン３０をマスクとしてエツチングを行
ない、露出した接着剤層２３及びその周囲の電極
端子の形成領域３１に第１の導電体３２を形成さ
せる。この時、HgCdTe結晶２２は第２のレジス
トパターン２８によつて保護されており、この工
程でHgCdTe結晶２２の特性を損なうことはな
い。続いて第２の導電体を形成する工程として、
第１図ｆに示すようにHgCdTe結晶２２の感光部
とする領域２５に形成した第４のレジストパター
ン３３をマスクとして導電体材料３４を積層し、
いわゆるリフトオフ法によつて第４のレジストパ
ターン３３上の不要の電極材料を除去する。これ
によりHgCdTe結晶２２の電極接続部とする領域
２６から第１の導電体３２にかけて第２の導電体
３５が形成される。ここで第２の導電体材料とし
ては第１の導電体材料と同じものを用いることが
でき、またリフトオフし易いように成膜すればよ
い。次に第１図ｇの断面図及び第１図ｈの平面図
に示すように、感光部及び電極接続部及び電極端
子の形状の第５のレジストパターン３６をマスク
として、不要部分のHgCdTe結晶及び第１と第２
の導電体を一括してエツチング除去することによ
り、第１図ｉに示すように感光部３７、電極接続
部３８及び電極端子３９を形成して赤外線検出素
子の製造を完了する。尚、以上の説明では主要な
製造工程のみを示しており、これらの工程の他
に、例えばHgCdTe結晶のパシベーシヨンのため
に酸化処理する場合には第１の導電体の形成後
に、またZnS等の誘電体膜を形成する場合には最
後に行なうことができる。
こうして製造した赤外膜検出素子では第２図ａ
に示すように接着剤層２３の段差部２３′が高さ
数μｍの殆んど垂直な段差であるにもかかわら
ず、形成した導電体３２のステツプカバレツジは
良好で、いわゆる段差切れは生じていない。これ
に対し第３図に示した従来の製造方法によるもの
ではリフトオフを行なうためにステツプカバレツ
ジを十分にすることができず、第２図ｂに示すよ
うに段差切れを生じたり、また段差切れには至ら
ないまでも極度に薄くなつてしまい、素子の動作
中に発熱して切断する故障が多く発生した。こう
して、本発明の製造方法によるものは従来の製造
方法によるものに比較して良品率が大幅に向上す
るのみでなく、更に動作中に故障するものは殆ん
どなくなり、信頼性が大幅に向上していることが
確認された。
に示すように接着剤層２３の段差部２３′が高さ
数μｍの殆んど垂直な段差であるにもかかわら
ず、形成した導電体３２のステツプカバレツジは
良好で、いわゆる段差切れは生じていない。これ
に対し第３図に示した従来の製造方法によるもの
ではリフトオフを行なうためにステツプカバレツ
ジを十分にすることができず、第２図ｂに示すよ
うに段差切れを生じたり、また段差切れには至ら
ないまでも極度に薄くなつてしまい、素子の動作
中に発熱して切断する故障が多く発生した。こう
して、本発明の製造方法によるものは従来の製造
方法によるものに比較して良品率が大幅に向上す
るのみでなく、更に動作中に故障するものは殆ん
どなくなり、信頼性が大幅に向上していることが
確認された。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば接着剤層
の段差部でのステツプカバレツジを改善すること
ができ、製造歩留りが良く、また信頼性の高い赤
外線検出素子の製造方法を提供できる効果を有す
るものである。
の段差部でのステツプカバレツジを改善すること
ができ、製造歩留りが良く、また信頼性の高い赤
外線検出素子の製造方法を提供できる効果を有す
るものである。
第１図ａ〜ｉは本発明の実施例の主要工程の説
明図、第２図ａ及びｂはそれぞれ本発明の製造方
法と従来の製造方法による段差部形状を示す断面
図、第３図ａ〜ｄは従来の製造方法を説明する主
要工程図である。 図において、２１は絶縁基板、２２はHgCdTe
結晶、２７はHgCdTe結晶の端部、２５は感光部
とする領域、２６は電極接続部とする領域、３１
は電極端子を形成する領域、３７は感光部、３８
は電極接続部、３９は電極端子、２３は接着剤
層、２４，２８，３０，３３及び３６はそれぞれ
第１、第２、第３、第４及び第５のレジストパタ
ーン、２９及び３４は成膜した導電体材料、３２
は第１の導電体であり、３５は第２の導電体であ
る。
明図、第２図ａ及びｂはそれぞれ本発明の製造方
法と従来の製造方法による段差部形状を示す断面
図、第３図ａ〜ｄは従来の製造方法を説明する主
要工程図である。 図において、２１は絶縁基板、２２はHgCdTe
結晶、２７はHgCdTe結晶の端部、２５は感光部
とする領域、２６は電極接続部とする領域、３１
は電極端子を形成する領域、３７は感光部、３８
は電極接続部、３９は電極端子、２３は接着剤
層、２４，２８，３０，３３及び３６はそれぞれ
第１、第２、第３、第４及び第５のレジストパタ
ーン、２９及び３４は成膜した導電体材料、３２
は第１の導電体であり、３５は第２の導電体であ
る。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上にHgCdTe結晶を接着してこれを
研磨する工程と、該HgCdTe結晶を感光部と電極
接続部を形成する領域の寸法に整形すると共に、
接着剤層を一部露出させる工程と、前記HgCdTe
結晶を所定の厚さまでエツチング除去すると共に
その端部をなだらかにする工程と、前記露出した
接着剤層及び電極端子を形成する領域に第１の導
電体を形成する工程と、前記HgCdTe結晶の電極
接続部とする領域から前記第１の導電体にかけて
第２の導電体をリフトオフ法によつて形成する工
程と、前記HgCdTe結晶及び前記第１と第２の導
電体とを一括して感光部及び電極接続部及び電極
端子の形状にエツチング加工する工程とを行うこ
とを特徴とする赤外線検出素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186831A JPS6164173A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 赤外線検出素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186831A JPS6164173A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 赤外線検出素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164173A JPS6164173A (ja) | 1986-04-02 |
| JPH0546708B2 true JPH0546708B2 (ja) | 1993-07-14 |
Family
ID=16195376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186831A Granted JPS6164173A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 赤外線検出素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6164173A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08117089A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-14 | Sugamo Heiwa Reien:Kk | パネル祭壇 |
-
1984
- 1984-09-06 JP JP59186831A patent/JPS6164173A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08117089A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-14 | Sugamo Heiwa Reien:Kk | パネル祭壇 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6164173A (ja) | 1986-04-02 |
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