JPH0547653A - 樹脂硬化装置および方法 - Google Patents
樹脂硬化装置および方法Info
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- JPH0547653A JPH0547653A JP3230763A JP23076391A JPH0547653A JP H0547653 A JPH0547653 A JP H0547653A JP 3230763 A JP3230763 A JP 3230763A JP 23076391 A JP23076391 A JP 23076391A JP H0547653 A JPH0547653 A JP H0547653A
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- Japan
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- refractive index
- curing
- resist
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- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 硬化感度が経時変化などにより大きく変動す
るような樹脂に対しても、常に一定の目的硬化度が得ら
れる。 【構成】 レジストが塗布された試料８をパタン露光し
た後、加熱プレート３に乗せ、１０５℃で加熱し硬化を
進める。一方、処理開始とともにレーザ光源部４より偏
光されたレーザ光７を試料８面のモニタ用露光領域に斜
入射させ、その反射光を検出部５で検出し、屈折率を算
出し、屈折率変化を硬化処理とリアルタイムでモニタ
し、所定の硬度になるようにすることを特徴としてい
る。
るような樹脂に対しても、常に一定の目的硬化度が得ら
れる。 【構成】 レジストが塗布された試料８をパタン露光し
た後、加熱プレート３に乗せ、１０５℃で加熱し硬化を
進める。一方、処理開始とともにレーザ光源部４より偏
光されたレーザ光７を試料８面のモニタ用露光領域に斜
入射させ、その反射光を検出部５で検出し、屈折率を算
出し、屈折率変化を硬化処理とリアルタイムでモニタ
し、所定の硬度になるようにすることを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、硬化性樹脂を用いた製
造・加工プロセス、特に半導体集積回路などの微細パタ
ン形成プロセスにおいて、レジスト薄膜の硬化度を高精
度に制御し、高精度なパタン寸法制御を可能とする樹脂
硬化装置および方法に関するものである。
造・加工プロセス、特に半導体集積回路などの微細パタ
ン形成プロセスにおいて、レジスト薄膜の硬化度を高精
度に制御し、高精度なパタン寸法制御を可能とする樹脂
硬化装置および方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路等の製造プロセスにおい
て、微細パタン形成のためにレジストと呼ばれる感光性
樹脂が使用されている。近年の半導体集積回路の高集積
化に伴い、レジストに対してはより一層の高解像・高感
度化が要求されている。この要求に応えるものとして、
最近、化学増幅系レジストが開発され、一部はすでに商
品化されている。このレジストは従来のフォトレジスト
と同様非膨潤のアルカリ現像が可能であることから高解
像性を保持していると同時に、露光により発生した酸を
触媒とする連鎖反応を利用することにより、従来のレジ
ストでは得られない高感度化を可能とする特性も合わせ
もっている。化学増幅系レジストは、材料の不安定性や
酸の失活などに起因するレジスト感度の経時変化に問題
は残っているが、次世代大規模集積回路製造用遠紫外線
レジストとして最有力視されている。化学増幅系レジス
トのうちネガ形のものは、露光後樹脂硬化装置において
加熱され、露光時に発生した酸の触媒作用により露光部
が架橋されパタンの潜像が形成される。したがって、露
光後の樹脂硬化装置による硬化処理が形成パタンの寸法
に大きく影響を与える。従来の樹脂硬化装置はオーブン
式またはホットプレート式で、処理温度，処理時間の高
精度化に重点がおかれ、処理中、温度，時間とも一定値
に固定されるようになっていた。
て、微細パタン形成のためにレジストと呼ばれる感光性
樹脂が使用されている。近年の半導体集積回路の高集積
化に伴い、レジストに対してはより一層の高解像・高感
度化が要求されている。この要求に応えるものとして、
最近、化学増幅系レジストが開発され、一部はすでに商
品化されている。このレジストは従来のフォトレジスト
と同様非膨潤のアルカリ現像が可能であることから高解
像性を保持していると同時に、露光により発生した酸を
触媒とする連鎖反応を利用することにより、従来のレジ
ストでは得られない高感度化を可能とする特性も合わせ
もっている。化学増幅系レジストは、材料の不安定性や
酸の失活などに起因するレジスト感度の経時変化に問題
は残っているが、次世代大規模集積回路製造用遠紫外線
レジストとして最有力視されている。化学増幅系レジス
トのうちネガ形のものは、露光後樹脂硬化装置において
加熱され、露光時に発生した酸の触媒作用により露光部
が架橋されパタンの潜像が形成される。したがって、露
光後の樹脂硬化装置による硬化処理が形成パタンの寸法
に大きく影響を与える。従来の樹脂硬化装置はオーブン
式またはホットプレート式で、処理温度，処理時間の高
精度化に重点がおかれ、処理中、温度，時間とも一定値
に固定されるようになっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
樹脂硬化装置では、到達硬化度は処理前に設定した温度
と時間とによって一義的に決まってしまうので、材料の
不安定性や経時変化により硬化感度が数時間で大きく変
動するような樹脂を硬化処理する場合、常に一定の目的
硬化度を得ることは困難であった。したがって、前述し
たような化学増幅系ネガ形レジストを従来の樹脂硬化装
置で硬化処理し潜像パタンを形成する場合、触媒である
酸の失活という現象からレジスト感度、すなわち硬化感
度の経時変化は化学増幅の原理上避けられないので、被
硬化試料毎に高精度なパタン寸法制御を実現することは
困難であった。
樹脂硬化装置では、到達硬化度は処理前に設定した温度
と時間とによって一義的に決まってしまうので、材料の
不安定性や経時変化により硬化感度が数時間で大きく変
動するような樹脂を硬化処理する場合、常に一定の目的
硬化度を得ることは困難であった。したがって、前述し
たような化学増幅系ネガ形レジストを従来の樹脂硬化装
置で硬化処理し潜像パタンを形成する場合、触媒である
酸の失活という現象からレジスト感度、すなわち硬化感
度の経時変化は化学増幅の原理上避けられないので、被
硬化試料毎に高精度なパタン寸法制御を実現することは
困難であった。
【０００４】本発明の目的は、硬化感度が経時変化など
により大きく変動するような樹脂に対しても、常に一定
の目的硬化度が得られるような高精度な硬化処理を可能
とする樹脂硬化装置および方法を提供することにある。
により大きく変動するような樹脂に対しても、常に一定
の目的硬化度が得られるような高精度な硬化処理を可能
とする樹脂硬化装置および方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による樹脂硬化装置は、被硬化樹脂試料の硬
化度を屈折率により検出する検出手段を備えており、硬
化度の測定がリアルタイム、かつ非接触・非破壊的に可
能であることを特徴としている。
に、本発明による樹脂硬化装置は、被硬化樹脂試料の硬
化度を屈折率により検出する検出手段を備えており、硬
化度の測定がリアルタイム、かつ非接触・非破壊的に可
能であることを特徴としている。
【０００６】また、本発明による樹脂硬化方法は、パタ
ンが露光された樹脂を加熱により所定の屈折率とし、さ
らに樹脂に紫外線を照射して樹脂が他の所定の屈折率に
なるようにするものである。
ンが露光された樹脂を加熱により所定の屈折率とし、さ
らに樹脂に紫外線を照射して樹脂が他の所定の屈折率に
なるようにするものである。
【０００７】
【作用】図２は半導体集積回路の製造に使用されている
化学増幅系ネガ形レジストを電子ビームで露光した後、
熱硬化させた場合において、熱処理時間に対して樹脂硬
化度を表す単位時間当たりの現像液による溶解量と、な
らびにそのときの屈折率とをプロットしたものである。
この図から熱処理時間の増加とともに樹脂の硬化度と屈
折率が単調増加することがわかり、屈折率により樹脂の
硬化度を定量的に表すことが可能となる。屈折率は偏光
解析装置（エリプソメータ）により測定したものである
が、この装置を用いた測定法によれば、薄膜化された樹
脂の屈折率を高精度、かつ高速に測定することが可能で
ある。なお、図２は露光量約１０μＣ／ｃｍ2 、加熱温
度１０５℃についての例を示したものである。上述した
硬化度の指標となる屈折率の検出手段を樹脂硬化装置に
備えることにより、レジスト膜など樹脂薄膜の硬化度の
測定がリアルタイム、かつ被接触・非破壊的に可能とな
り、処理時に硬化度をモニタしそれをフィードバックし
て処理温度、時間に補正を加えることが可能となるた
め、常に一定の硬化度が得られるようになる。
化学増幅系ネガ形レジストを電子ビームで露光した後、
熱硬化させた場合において、熱処理時間に対して樹脂硬
化度を表す単位時間当たりの現像液による溶解量と、な
らびにそのときの屈折率とをプロットしたものである。
この図から熱処理時間の増加とともに樹脂の硬化度と屈
折率が単調増加することがわかり、屈折率により樹脂の
硬化度を定量的に表すことが可能となる。屈折率は偏光
解析装置（エリプソメータ）により測定したものである
が、この装置を用いた測定法によれば、薄膜化された樹
脂の屈折率を高精度、かつ高速に測定することが可能で
ある。なお、図２は露光量約１０μＣ／ｃｍ2 、加熱温
度１０５℃についての例を示したものである。上述した
硬化度の指標となる屈折率の検出手段を樹脂硬化装置に
備えることにより、レジスト膜など樹脂薄膜の硬化度の
測定がリアルタイム、かつ被接触・非破壊的に可能とな
り、処理時に硬化度をモニタしそれをフィードバックし
て処理温度、時間に補正を加えることが可能となるた
め、常に一定の硬化度が得られるようになる。
【０００８】
（実施例１）図１は本発明の一実施例で、半導体集積回
路製造用の化学増幅系ネガ形レジストの露光後の潜像形
成プロセスを屈折率によりモニタしながら処理する樹脂
硬化装置の一実施例を示したものである。以下に樹脂硬
化装置ならびに樹脂硬化方法の実施例を説明する。本発
明にかかる樹脂硬化装置は、従来の半導体集積回路製造
用プロセスに使用されている樹脂硬化装置に樹脂の屈折
率を非接触，非破壊で測定する手段として自動偏光解析
装置（エリプソメータ）が組み込まれた構成となってい
る。
路製造用の化学増幅系ネガ形レジストの露光後の潜像形
成プロセスを屈折率によりモニタしながら処理する樹脂
硬化装置の一実施例を示したものである。以下に樹脂硬
化装置ならびに樹脂硬化方法の実施例を説明する。本発
明にかかる樹脂硬化装置は、従来の半導体集積回路製造
用プロセスに使用されている樹脂硬化装置に樹脂の屈折
率を非接触，非破壊で測定する手段として自動偏光解析
装置（エリプソメータ）が組み込まれた構成となってい
る。
【０００９】図１において、１は樹脂硬化装置全体を示
し、２は紫外線ランプ、３は加熱プレート、４はレーザ
光源部、５は検出部、６は計算機、７はレーザ光、８は
試料を示す。本願発明の樹脂硬化装置による硬化処理
は、まず、基板にレジストが塗布された試料８をあらか
じめ電子ビームで所定パタンにしたがって露光し（露光
量約１０μＣ／ｃｍ2 ）、次に前記試料８を加熱プレー
ト３に乗せ、１０５℃で加熱し架橋反応を促進させて硬
化を進める。処理開始とともに、計算機６にあらかじめ
入力したプログラムにより、レーザ光源部４より偏光さ
れたレーザ光７を前記試料８面のモニタ用露光領域に斜
入射させ、その反射光を検出部５で検光し、前記計算機
６で入射光と反射光との偏光状態の変化量を解析するこ
とにより屈折率を算出し、屈折率変化を硬化処理とリア
ルタイムでモニタする。本実施例で使用したレジスト
は、シプレイ社製ＳＡＬ６０１−ＥＲ−７で、上記試料
８に約１．５μｍの厚さで回転塗布した。このレジスト
の露光後加熱処理前の屈折率は１．６１８で、露光後の
加熱処理により解像性が最大となる屈折率は約１．６３
５である。解像性は電子顕微鏡を用い０．５μｍのライ
ンアンドスペースパタンで評価した。屈折率が１．６３
５に到達した時間は約１２０秒であった。
し、２は紫外線ランプ、３は加熱プレート、４はレーザ
光源部、５は検出部、６は計算機、７はレーザ光、８は
試料を示す。本願発明の樹脂硬化装置による硬化処理
は、まず、基板にレジストが塗布された試料８をあらか
じめ電子ビームで所定パタンにしたがって露光し（露光
量約１０μＣ／ｃｍ2 ）、次に前記試料８を加熱プレー
ト３に乗せ、１０５℃で加熱し架橋反応を促進させて硬
化を進める。処理開始とともに、計算機６にあらかじめ
入力したプログラムにより、レーザ光源部４より偏光さ
れたレーザ光７を前記試料８面のモニタ用露光領域に斜
入射させ、その反射光を検出部５で検光し、前記計算機
６で入射光と反射光との偏光状態の変化量を解析するこ
とにより屈折率を算出し、屈折率変化を硬化処理とリア
ルタイムでモニタする。本実施例で使用したレジスト
は、シプレイ社製ＳＡＬ６０１−ＥＲ−７で、上記試料
８に約１．５μｍの厚さで回転塗布した。このレジスト
の露光後加熱処理前の屈折率は１．６１８で、露光後の
加熱処理により解像性が最大となる屈折率は約１．６３
５である。解像性は電子顕微鏡を用い０．５μｍのライ
ンアンドスペースパタンで評価した。屈折率が１．６３
５に到達した時間は約１２０秒であった。
【００１０】上記実施例は露光直後に硬化処理をした場
合について述べたものである。前記レジストつき試料８
を電子ビームによる露光後大気中に４０時間放置してお
いた場合には約１０％レジスト感度が低下し、加熱処理
時間１２０秒では高解像度に対応する屈折率値１．６３
５に到達しなかったので、熱処理時間を約６０秒のばし
屈折率のモニタ値が１．６３５になるようにした。現像
後のパタンの電子顕微鏡観察の結果、露光直後硬化処理
した場合とほぼ同様な０．５μｍのラインアンドスペー
スパタンが得られた。
合について述べたものである。前記レジストつき試料８
を電子ビームによる露光後大気中に４０時間放置してお
いた場合には約１０％レジスト感度が低下し、加熱処理
時間１２０秒では高解像度に対応する屈折率値１．６３
５に到達しなかったので、熱処理時間を約６０秒のばし
屈折率のモニタ値が１．６３５になるようにした。現像
後のパタンの電子顕微鏡観察の結果、露光直後硬化処理
した場合とほぼ同様な０．５μｍのラインアンドスペー
スパタンが得られた。
【００１１】なお、本実施例で使用した屈折率モニタ用
のレーザ光７には従来の偏光解析装置に広く使用されて
いるヘリウム−ネオンレーザ（波長６３３ｎｍ）を用い
たが、樹脂試料に損傷を与えないのであれば他の波長域
のレーザ光を用いることも可能である。 （実施例２）さらに、このパタンのコントラストを向上
させるために、実施例１で使用したレジストを試料８上
に実施例１と同一の膜厚で塗布し、電子ビームによりモ
ニタパタンも含め実施例１と同一露光量で露光した後、
実施例１と同様な加熱処理を行いモニタ領域の屈折率を
１．６３５とした後、前記試料８を引き続き紫外線ラン
プ２により紫外線を照射しレジスト上層のみを難溶化す
る処理を行った。この場合、最も高コントラストのパタ
ンが得られたのはモニタ領域の屈折率で約１．６５であ
った。この屈折率に到達する紫外線照射時間は約１８０
秒であった。本実施例では熱硬化処理の後に紫外線硬化
処理を行ったが、紫外線強度を最適化することにより上
記両処理を同時に進行させることも可能である。また、
本実施例では屈折率のモニタのみを自動化したが、紫外
線ランプ２、加熱プレート３も計算機６に接続すること
により、上記処理の自動化が可能である。
のレーザ光７には従来の偏光解析装置に広く使用されて
いるヘリウム−ネオンレーザ（波長６３３ｎｍ）を用い
たが、樹脂試料に損傷を与えないのであれば他の波長域
のレーザ光を用いることも可能である。 （実施例２）さらに、このパタンのコントラストを向上
させるために、実施例１で使用したレジストを試料８上
に実施例１と同一の膜厚で塗布し、電子ビームによりモ
ニタパタンも含め実施例１と同一露光量で露光した後、
実施例１と同様な加熱処理を行いモニタ領域の屈折率を
１．６３５とした後、前記試料８を引き続き紫外線ラン
プ２により紫外線を照射しレジスト上層のみを難溶化す
る処理を行った。この場合、最も高コントラストのパタ
ンが得られたのはモニタ領域の屈折率で約１．６５であ
った。この屈折率に到達する紫外線照射時間は約１８０
秒であった。本実施例では熱硬化処理の後に紫外線硬化
処理を行ったが、紫外線強度を最適化することにより上
記両処理を同時に進行させることも可能である。また、
本実施例では屈折率のモニタのみを自動化したが、紫外
線ランプ２、加熱プレート３も計算機６に接続すること
により、上記処理の自動化が可能である。
【００１２】なお、屈折率の測定において、硬化に伴う
樹脂の屈折率変化の範囲があらかじめ分かっている場合
には（例えば図２のように１．６０〜１．６５）、範囲
を限定することによりエリプソメータにおける計算時間
を短くできる。また、硬化における膜厚の変化が無視で
きる場合には、他の簡易な方法で屈折率を測定すること
ができる。図２の場合のように、屈折率の変化の幅が小
さいとき、高精度に屈折率を測定することが容易にでき
る。
樹脂の屈折率変化の範囲があらかじめ分かっている場合
には（例えば図２のように１．６０〜１．６５）、範囲
を限定することによりエリプソメータにおける計算時間
を短くできる。また、硬化における膜厚の変化が無視で
きる場合には、他の簡易な方法で屈折率を測定すること
ができる。図２の場合のように、屈折率の変化の幅が小
さいとき、高精度に屈折率を測定することが容易にでき
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる樹
脂硬化装置は、樹脂の屈折率を非接触，非破壊で測定す
る手段を備えたので、樹脂の硬化度をリアルタイム、か
つ非接触・非破壊的に検出でき、樹脂硬化度を高精度に
制御する硬化処理が可能となる。特に、半導体集積回路
の微細パタン形成プロセスなどのような高信頼性が要求
される分野において、感度すなわち硬化度の経時変化の
大きいレジスト材料を使用する場合でも、硬化度をロッ
ト内、ロット間で高精度に制御し、高精度なパタン寸法
制御を実現することができる。
脂硬化装置は、樹脂の屈折率を非接触，非破壊で測定す
る手段を備えたので、樹脂の硬化度をリアルタイム、か
つ非接触・非破壊的に検出でき、樹脂硬化度を高精度に
制御する硬化処理が可能となる。特に、半導体集積回路
の微細パタン形成プロセスなどのような高信頼性が要求
される分野において、感度すなわち硬化度の経時変化の
大きいレジスト材料を使用する場合でも、硬化度をロッ
ト内、ロット間で高精度に制御し、高精度なパタン寸法
制御を実現することができる。
【００１４】また、本発明にかかる樹脂硬化方法は、熱
処理を樹脂に加える他、紫外線を照射して上層を下層よ
りも大きい硬化度にしたので、コントラストを向上させ
ることができる。
処理を樹脂に加える他、紫外線を照射して上層を下層よ
りも大きい硬化度にしたので、コントラストを向上させ
ることができる。
【図１】本発明の樹脂硬化装置の一実施例の構成を示す
図である。
図である。
【図２】化学増幅系ネガ形レジストの熱処理時間と屈折
率との関係を示す図である。
率との関係を示す図である。
１ 樹脂硬化装置 ２ 紫外線ランプ ３ 加熱プレート ４ レーザ光源部 ５ 検出部 ６ 計算機 ７ レーザ光 ８ 試料
Claims (2)
- 【請求項１】 有機あるいは無機高分子から構成されて
いる樹脂を加熱により硬化させる装置において、前記樹
脂の屈折率を非接触，非破壊で測定する手段を備えたこ
とを特徴とする樹脂硬化装置。 - 【請求項２】 パタンが露光された樹脂を、この樹脂が
所定の屈折率になるまで熱処理する工程と、この工程
後、またはこの工程と同時に前記樹脂の上層のみを難溶
化するために前記樹脂の上層が他の所定の屈折率になる
まで前記樹脂に紫外線を照射する工程とを含むことを特
徴とする樹脂硬化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3230763A JPH0547653A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 樹脂硬化装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3230763A JPH0547653A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 樹脂硬化装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547653A true JPH0547653A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16912884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3230763A Pending JPH0547653A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 樹脂硬化装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547653A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121469A (en) * | 1993-12-23 | 2000-09-19 | The Regents Of The University Of California | Therapeutically effective 1α,25-dihydroxyvitamin D3 analogs |
| JP2012040513A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Nippon Shokubai Co Ltd | マイクロカプセルおよびその製造方法 |
| US9346074B2 (en) | 2010-09-13 | 2016-05-24 | Nordson Corporation | Conformal coating applicator and method |
| JP2018200930A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム |
| US10441460B2 (en) | 2013-04-26 | 2019-10-15 | Med-Logics, Inc. | Tissue removal devices, systems and methods |
| CN116297332A (zh) * | 2023-04-23 | 2023-06-23 | 广东电网有限责任公司 | 一种基于折射率的纯环氧固化度检测方法、装置及系统 |
-
1991
- 1991-08-19 JP JP3230763A patent/JPH0547653A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121469A (en) * | 1993-12-23 | 2000-09-19 | The Regents Of The University Of California | Therapeutically effective 1α,25-dihydroxyvitamin D3 analogs |
| JP2012040513A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Nippon Shokubai Co Ltd | マイクロカプセルおよびその製造方法 |
| US9346074B2 (en) | 2010-09-13 | 2016-05-24 | Nordson Corporation | Conformal coating applicator and method |
| US10441460B2 (en) | 2013-04-26 | 2019-10-15 | Med-Logics, Inc. | Tissue removal devices, systems and methods |
| US11896524B2 (en) | 2013-04-26 | 2024-02-13 | Med-Logics, Inc. | Tissue removal devices, systems and methods |
| JP2018200930A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム |
| CN116297332A (zh) * | 2023-04-23 | 2023-06-23 | 广东电网有限责任公司 | 一种基于折射率的纯环氧固化度检测方法、装置及系统 |
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