JPH11233434A5

JPH11233434A5 -

Info

Publication number: JPH11233434A5
Application number: JP1998051564A
Authority: JP
Filing date: 1998-02-17
Publication date: 2005-08-25

Description

これによれば、請求項１１の露光方法を用いるので、請求項１〜１０のいずれかの露光条件決定方法で精度良く求められた最良露光条件にて、高精度の露光が行われ、高集積度のデバイスを製造することが可能となる。また、請求項１４に記載の発明は、感応基板（Ｗ）上に露光用照明光によってパターンを形成する際の露光条件を決定する方法であって、感応基板上に、互いに異なる露光条件で複数のパターンを形成する第１工程と；感応基板に形成されたパターンを検出する第２工程と；第２工程で検出されたパターンと予め用意されたテンプレートパターンとを比較する第３工程と；第３工程で比較された比較結果に基づき、最良露光条件を求める第４工程とを含む。これによれば、感応基板上に形成されたパターンをテンプレートパターンという客観的かつ定量的な基準と比較することにより、安定的に最良露光条件を求めることができる。この場合において、請求項１５に記載の発明のように、露光条件は、露光用照明光の露光エネルギ量と、露光用照明光の光軸方向における感応基板の位置情報とを含むことができる。また、請求項１６に記載の発明のように、第２工程は、パターンを撮像することにより検出する工程とすることができる。この場合、請求項１７に記載の発明のように、第３工程は、撮像されたパターンの形状とテンプレートパターンの形状との相関係数を算出する工程としても良い。

請求項１３に記載のデバイスの製造方法によれば、露光工程において、請求項１１に係る露光方法を用いるので、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを製造することができる。また、請求項１４〜１７に係る露光条件決定方法によれば、客観的基準により最良露光条件を決定しているので、安定して、かつ精度良く最良露光条件を求めることができる。

Claims

露光用照明光によりマスクを照射し、前記マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して感応基板に転写するための露光条件決定方法であって、
測定用感応基板の被露光面上における、互いに直交する行方向と列方向とを有するマトリクス状の仮想的な区画領域に関し、同一行については前記測定用感応基板を前記投影光学系の光軸方向の同一位置とし、前記行方向については露光エネルギ量を単調に変化させるとともに、同一列については同一露光エネルギ量とし、前記列方向については前記測定用感応基板の前記光軸方向の位置を単調に変化させて、前記区画領域それぞれに測定用マスクに形成された測定用パターンを転写する第１工程と；
前記第１工程においてパターンが転写された前記感応基板を現像し、現像された該感応基板上に形成された転写パターンを検出する第２工程と；
前記第２工程において検出された前記区画領域それぞれの転写パターンと予め用意されたテンプレートパターンとをパターンマッチングする第３工程と；
前記第３工程におけるパターンマッチングの結果に基づき、最良露光条件を求める第４工程とを含む露光条件決定方法。
前記区画領域それぞれは同一形状であり、前記行方向で隣接する前記区画領域間での露光エネルギ量の差は同一であることを特徴とする請求項１に記載の露光条件決定方法。
前記区画領域それぞれは同一形状であり、前記列方向で隣接する前記区画領域間での前記光軸方向の位置の差は同一であることを特徴とする請求項１に記載の露光条件決定方法。
前記測定用パターンは、前記測定用マスクの前記露光用照明光の照射領域の全域にわたって形成された周期的なパターンであることを特徴とする請求項１に記載の露光条件決定方法。
前記測定用パターンは、前記測定用マスクの前記露光用照明光の照射領域の一部に形成された周期的なパターンであることを特徴とする請求項１に記載の露光条件決定方法。
前記測定用マスクの前記測定用パターンが形成された前記露光用照明光の照射領域の一部は、該照射領域の中心点からの距離が異なる２以上の微小領域であることを特徴とする請求項５に記載の露光条件決定方法。
前記テンプレートパターンは、前記区画領域の中から選択された一つの区画領域に転写されたパターンであることを特徴とする請求項１に記載の露光条件決定方法。
前記テンプレートパターンは、前記測定用パターンと前記投影光学系の投影倍率とに基づいて算出されたパターンであることを特徴とする請求項１に記載の露光条件決定方法。
前記テンプレートパターンは、最大明度及び最小明度のいずれか一方からのみなるパターンであることを特徴とする請求項１に記載の露光条件決定方法。
前記最良露光条件は、前記光軸方向に関する最良フォーカス位置に関する条件及び最良露光エネルギ量に関する条件の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１に記載の露光条件決定方法。
露光用照明光によりマスクを照射し、前記マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して感応基板に転写する露光方法であって、
前記請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光条件決定方法によって決定された最良露光条件を設定する工程と；
その設定された露光条件にて前記マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して感応基板に転写する工程とを含む露光方法。
露光用照明光によりマスクを照射し、前記マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して感応基板に転写する露光装置であって、
前記感応基板を前記投影光学系の光軸方向及びこれに直交する２次元平面内で駆動する駆動機構と；
前記感応基板の前記光軸方向の位置を検出する検出系を有し、該検出系の検出結果をモニタしつつ前記駆動機構を介して前記感応基板の前記光軸方向位置を所定の目標位置に調整するフォーカス調整系と；
前記露光用照明光の強度密度を変化させる光強度可変機構と；
前記駆動機構及び前記光強度可変機構を用いて行われた前記請求項１に記載の露光条件決定方法によって決定された最良露光条件を記憶する記憶装置と；
前記記憶装置に記憶された最良露光条件となるように、前記フォーカス調整系の目標位置及び前記光強度可変機構の少なくとも一方を調整する調整装置とを備える露光装置。
請求項１１の露光方法を用いる露光工程を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
感応基板上に露光用照明光によってパターンを形成する際の露光条件を決定する方法であって、
前記感応基板上に、互いに異なる露光条件で複数のパターンを形成する第１工程と；
前記感応基板に形成されたパターンを検出する第２工程と；
前記第２工程で検出されたパターンと予め用意されたテンプレートパターンとを比較する第３工程と；
前記第３工程で比較された比較結果に基づき、最良露光条件を求める第４工程とを含む露光条件決定方法。
前記露光条件は、前記露光用照明光の露光エネルギ量と、前記露光用照明光の光軸方向における前記感応基板の位置情報とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の露光条件決定方法。
前記第２工程は、前記パターンを撮像することにより検出する工程であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の露光条件決定方法。
前記第３工程は、撮像された前記パターンの形状と前記テンプレートパターンの形状との相関係数を算出する工程であることを特徴とする請求項１６に記載の露光条件決定方法。