JPH0547937A - バイアホールの製造方法 - Google Patents
バイアホールの製造方法Info
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- JPH0547937A JPH0547937A JP22656491A JP22656491A JPH0547937A JP H0547937 A JPH0547937 A JP H0547937A JP 22656491 A JP22656491 A JP 22656491A JP 22656491 A JP22656491 A JP 22656491A JP H0547937 A JPH0547937 A JP H0547937A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
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- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000003801 milling Methods 0.000 abstract description 3
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- 238000005453 pelletization Methods 0.000 description 2
Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣ内のバイアホ−ルを簡単な工程で容易に
形成することができるバイアホ−ルの製造方法を提供す
ること。 【構成】 基板１表面から穴開けをし（工程Ｂ）、この
穴内にメタルＡ２を形成し（工程Ｃ）、次に、該基板１
の裏面を研磨して上記穴を貫通させ（工程Ｄ）、その後
該研磨面にメタルＢ３を形成し（工程Ｅ）、基板１の表
面と裏面とを導通させること。 【効果】 目合せは基板表面のみであり、そして、基板
裏面全面にメタルＢ３を形成するのみであるから、従来
法のような両目合せ機を用いたことによる複雑さがな
い。また、穴内のメタルＡ２は、バイアホ−ル内のカバ
−レッジを良くするために、厚くしなければならないけ
れども、本発明では、例えばＡｕをメッキにて形成し、
所望のところのみミリングにて残すことができ、一方、
基板裏面の研磨面に形成するメタルＢ３は、例えばスパ
ッタにてＡｕを薄く形成でき、ペレッタイズ時に有利で
ある等の効果が生ずる。
形成することができるバイアホ−ルの製造方法を提供す
ること。 【構成】 基板１表面から穴開けをし（工程Ｂ）、この
穴内にメタルＡ２を形成し（工程Ｃ）、次に、該基板１
の裏面を研磨して上記穴を貫通させ（工程Ｄ）、その後
該研磨面にメタルＢ３を形成し（工程Ｅ）、基板１の表
面と裏面とを導通させること。 【効果】 目合せは基板表面のみであり、そして、基板
裏面全面にメタルＢ３を形成するのみであるから、従来
法のような両目合せ機を用いたことによる複雑さがな
い。また、穴内のメタルＡ２は、バイアホ−ル内のカバ
−レッジを良くするために、厚くしなければならないけ
れども、本発明では、例えばＡｕをメッキにて形成し、
所望のところのみミリングにて残すことができ、一方、
基板裏面の研磨面に形成するメタルＢ３は、例えばスパ
ッタにてＡｕを薄く形成でき、ペレッタイズ時に有利で
ある等の効果が生ずる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バイアホ−ル（Via ho
le）の製造方法に関し、特に、ＩＣ内のバイアホ−ルを
簡単な工程で容易に形成することができるバイアホ−ル
の製造方法に関する。
le）の製造方法に関し、特に、ＩＣ内のバイアホ−ルを
簡単な工程で容易に形成することができるバイアホ−ル
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のバイアホ−ルの製造方法を図２に
基づいて説明する。図２は、従来技術によるバイアホ−
ルの製造法を工程順に示した図である。まず、400μｍ
厚さの半絶縁性ＧａＡｓ基板１を準備し（工程Ａ）、こ
の基板１の表面に、メタルＡ２を形成する（工程Ｂ）。
次に、上記基板１の裏面を研磨し、この基板１の厚さを
100μｍとした後（工程Ｃ）、両面目合せ機を用いて、
裏面から所望位置に穴をあけて貫通させ（工程Ｄ）、そ
の後該裏面にメタルＢ３を形成し（工程Ｅ）、基板表面
と裏面とを導通させる。
基づいて説明する。図２は、従来技術によるバイアホ−
ルの製造法を工程順に示した図である。まず、400μｍ
厚さの半絶縁性ＧａＡｓ基板１を準備し（工程Ａ）、こ
の基板１の表面に、メタルＡ２を形成する（工程Ｂ）。
次に、上記基板１の裏面を研磨し、この基板１の厚さを
100μｍとした後（工程Ｃ）、両面目合せ機を用いて、
裏面から所望位置に穴をあけて貫通させ（工程Ｄ）、そ
の後該裏面にメタルＢ３を形成し（工程Ｅ）、基板表面
と裏面とを導通させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のバイアホ−
ルの製造方法では、(1) 両面目合せ機を用いて裏面から
穿穴する工程であって、複雑であり、また、(2) バイア
ホ−ル内のメタルのカバ−レッジを良くするために、裏
面のメタル層を厚く形成しなければならないという問題
点があった。
ルの製造方法では、(1) 両面目合せ機を用いて裏面から
穿穴する工程であって、複雑であり、また、(2) バイア
ホ−ル内のメタルのカバ−レッジを良くするために、裏
面のメタル層を厚く形成しなければならないという問題
点があった。
【０００４】本発明は、上記問題点を解消するバイアホ
−ルの製造方法を提供することを目的とし、詳細には、
簡単な工程により、容易に形成することができるバイア
ホ−ルの製造方法を提供することを目的とする。
−ルの製造方法を提供することを目的とし、詳細には、
簡単な工程により、容易に形成することができるバイア
ホ−ルの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
目的を達成するための手段として、基板表面から穴開け
をし、次に、該基板の裏面を研磨して上記穴を貫通させ
ることを特徴とするバイアホ−ルの製造方法である（請
求項１）。また、本発明は、基板表面から穴開けをし、
この穴内にメタル層を形成し、次に、該基板の裏面を研
磨して上記穴を貫通させ、その後該研磨面にメタル層を
形成し、基板表面と裏面とを導通させることを特徴とす
るバイアホ−ルの製造方法である（請求項２）。
目的を達成するための手段として、基板表面から穴開け
をし、次に、該基板の裏面を研磨して上記穴を貫通させ
ることを特徴とするバイアホ−ルの製造方法である（請
求項１）。また、本発明は、基板表面から穴開けをし、
この穴内にメタル層を形成し、次に、該基板の裏面を研
磨して上記穴を貫通させ、その後該研磨面にメタル層を
形成し、基板表面と裏面とを導通させることを特徴とす
るバイアホ−ルの製造方法である（請求項２）。
【０００６】従来技術では、前記したとおり、両面目合
せ機を用いて裏面から穿穴する工程であって、複雑であ
るが、本発明では、目合せは基板表面のみであり、基板
裏面は単に研磨することにより貫通穴を形成するもので
あるから、バイアホ−ルを容易に形成することができ
る。
せ機を用いて裏面から穿穴する工程であって、複雑であ
るが、本発明では、目合せは基板表面のみであり、基板
裏面は単に研磨することにより貫通穴を形成するもので
あるから、バイアホ−ルを容易に形成することができ
る。
【０００７】また、従来技術では、前記したとおり、バ
イアホ−ル内のメタルのカバ−レッジを良くするため
に、裏面のメタル層を厚く形成しなければならない。こ
れに対して、本発明では、基板裏面のメタルを厚く形成
する必要がなく、薄く形成することができる。これは、
本発明では、基板表面から穴開けをし、この穴内にメタ
ル層を形成するものであり、このメタル層は、バイアホ
−ル内のカバ−レッジを良くするために、厚くしなけれ
ばならないけれども、例えばメッキ手段で所望厚さに形
成することができる。一方、基板裏面のメタルは、本発
明では、例えばスパッタにて薄く形成することができ、
ペレッタイズ時に有利である。
イアホ−ル内のメタルのカバ−レッジを良くするため
に、裏面のメタル層を厚く形成しなければならない。こ
れに対して、本発明では、基板裏面のメタルを厚く形成
する必要がなく、薄く形成することができる。これは、
本発明では、基板表面から穴開けをし、この穴内にメタ
ル層を形成するものであり、このメタル層は、バイアホ
−ル内のカバ−レッジを良くするために、厚くしなけれ
ばならないけれども、例えばメッキ手段で所望厚さに形
成することができる。一方、基板裏面のメタルは、本発
明では、例えばスパッタにて薄く形成することができ、
ペレッタイズ時に有利である。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例を図１に基づいて説明
する。図１は、本発明の実施例であるバイアホ−ルの製
造法を工程順に示した図である。まず、400μｍ厚さの
半絶縁性ＧａＡｓ基板１を準備し（工程Ａ）、この基板
１の表面に100μｍの深さの穴をあける（工程Ｂ）。次
に、この穴内にメタルＡ２を形成した後（工程Ｃ）、該
基板１の裏面より研磨して基板１の厚さを100μｍとし
（工程Ｄ）、貫通穴を形成する。その後、メタルＢ３を
形成し（工程Ｅ）、表面と裏面を導通させる。
する。図１は、本発明の実施例であるバイアホ−ルの製
造法を工程順に示した図である。まず、400μｍ厚さの
半絶縁性ＧａＡｓ基板１を準備し（工程Ａ）、この基板
１の表面に100μｍの深さの穴をあける（工程Ｂ）。次
に、この穴内にメタルＡ２を形成した後（工程Ｃ）、該
基板１の裏面より研磨して基板１の厚さを100μｍとし
（工程Ｄ）、貫通穴を形成する。その後、メタルＢ３を
形成し（工程Ｅ）、表面と裏面を導通させる。
【０００９】上記工程Ｃにおいて、穴内にメタルＡ２を
形成する手段としては、メッキ法の採用が好ましく、具
体的には、Ａｕをメッキにて所望厚さに形成し、また、
所望のところのみミリングにて残すことができる。ま
た、上記工程Ｅにおいて、基板裏面の研磨面にメタルＢ
３を形成する手段としては、スパッタ法の採用が好まし
く、具体的には、Ａｕをスパッタにて薄く形成すること
ができる。
形成する手段としては、メッキ法の採用が好ましく、具
体的には、Ａｕをメッキにて所望厚さに形成し、また、
所望のところのみミリングにて残すことができる。ま
た、上記工程Ｅにおいて、基板裏面の研磨面にメタルＢ
３を形成する手段としては、スパッタ法の採用が好まし
く、具体的には、Ａｕをスパッタにて薄く形成すること
ができる。
【００１０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、基板表
面より穴をあけ、その後基板裏面の研磨によって、その
穴を貫通させる手段を採用するものであり、これによっ
て、バイアホ−ルを容易に製造することができる効果が
生ずる。また、本発明において、目合せは基板表面のみ
であり、そして、基板裏面全面にメタルを形成するのみ
であるから、従来法のような両目合せ機を用いたことに
よる複雑さがない。また、穴内のメタル層は、バイアホ
−ル内のカバ−レッジを良くするために、厚くしなけれ
ばならないけれども、本発明では、例えばＡｕをメッキ
にて形成し、所望のところのみミリングにて残すことが
でき、一方、基板裏面の研磨面に形成するメタルは、例
えばスパッタにてＡｕを薄く形成でき、ペレッタイズ時
に有利である等の効果が生ずる。
面より穴をあけ、その後基板裏面の研磨によって、その
穴を貫通させる手段を採用するものであり、これによっ
て、バイアホ−ルを容易に製造することができる効果が
生ずる。また、本発明において、目合せは基板表面のみ
であり、そして、基板裏面全面にメタルを形成するのみ
であるから、従来法のような両目合せ機を用いたことに
よる複雑さがない。また、穴内のメタル層は、バイアホ
−ル内のカバ−レッジを良くするために、厚くしなけれ
ばならないけれども、本発明では、例えばＡｕをメッキ
にて形成し、所望のところのみミリングにて残すことが
でき、一方、基板裏面の研磨面に形成するメタルは、例
えばスパッタにてＡｕを薄く形成でき、ペレッタイズ時
に有利である等の効果が生ずる。
【図１】本発明の実施例であるバイア-ホ−ルの製造法
を工程順に示した図である。
を工程順に示した図である。
【図２】従来技術によるバイア-ホ−ルの製造法を工程
順に示した図である。
順に示した図である。
１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ メタルＡ ３ メタルＢ
Claims (3)
- 【請求項１】 バイアホ−ルの製造方法において、基板
表面から穴開けをし、次に、該基板の裏面を研磨して上
記穴を貫通させることを特徴とするバイアホ−ルの製造
方法。 - 【請求項２】 バイアホ−ルの製造方法において、基板
表面から穴開けをし、この穴内にメタル層を形成し、次
に、該基板の裏面を研磨して上記穴を貫通させ、その後
該研磨面にメタル層を形成し、基板表面と裏面とを導通
させることを特徴とするバイアホ−ルの製造方法。 - 【請求項３】 穴内のメタル層は、Ａｕをメッキにて形
成し、研磨面のメタル層は、Ａｕをスパッタにて薄く形
成する請求項２に記載のバイアホ−ルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22656491A JPH0547937A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | バイアホールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22656491A JPH0547937A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | バイアホールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547937A true JPH0547937A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16847137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22656491A Pending JPH0547937A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | バイアホールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547937A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462419B1 (en) | 1999-06-16 | 2002-10-08 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6664640B2 (en) | 2001-07-30 | 2003-12-16 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Semiconductor device |
| US6790694B2 (en) | 2002-08-21 | 2004-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency semiconductor module, high frequency semiconductor device and manufacturing method for the same |
-
1991
- 1991-08-12 JP JP22656491A patent/JPH0547937A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462419B1 (en) | 1999-06-16 | 2002-10-08 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6664640B2 (en) | 2001-07-30 | 2003-12-16 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Semiconductor device |
| US6790694B2 (en) | 2002-08-21 | 2004-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency semiconductor module, high frequency semiconductor device and manufacturing method for the same |
| US6940157B2 (en) | 2002-08-21 | 2005-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency semiconductor module, high frequency semiconductor device and manufacturing method for the same |
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