JPH0548072Y2 - - Google Patents
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- JPH0548072Y2 JPH0548072Y2 JP17915387U JP17915387U JPH0548072Y2 JP H0548072 Y2 JPH0548072 Y2 JP H0548072Y2 JP 17915387 U JP17915387 U JP 17915387U JP 17915387 U JP17915387 U JP 17915387U JP H0548072 Y2 JPH0548072 Y2 JP H0548072Y2
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- JP
- Japan
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- furnace
- core tube
- furnace core
- heater
- furnace body
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 7
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Landscapes
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は高温加熱炉に関する。
一般に炉芯管を用いる小型の高温加熱炉は、炉
芯管に巻かれたヒータを非酸化性雰囲気中におく
構造が用いられている。以下図面により説明す
る。
芯管に巻かれたヒータを非酸化性雰囲気中におく
構造が用いられている。以下図面により説明す
る。
第２図ａ，ｂは従来の高温加熱炉の一例の正面
図及びＢ−B′線断面図である。
図及びＢ−B′線断面図である。
同図において、高温加熱炉の炉体１の中心部に
は大口径の多孔質炉芯管２が固定されており、炉
体１の外壁３とこの多孔質炉芯管２とで囲まれた
内部には耐酸化性断熱粉粒体、例えばアルミナセ
メント４が充填されている。そして、多孔質炉芯
管２の中央下部には、多孔質炉芯管２内に非酸化
性ガスを導入するガス導入管５が接続されてい
る。
は大口径の多孔質炉芯管２が固定されており、炉
体１の外壁３とこの多孔質炉芯管２とで囲まれた
内部には耐酸化性断熱粉粒体、例えばアルミナセ
メント４が充填されている。そして、多孔質炉芯
管２の中央下部には、多孔質炉芯管２内に非酸化
性ガスを導入するガス導入管５が接続されてい
る。
ヒータ６が巻かれたセラミツク炉芯管７は多孔
質炉芯管２の中央部におかれ、その両端が炉体１
の外壁３により支持固定されている。尚、９はセ
ラミツク炉芯管への非酸化性ガス導入口である。
このように構成された高温加熱炉においてはアル
ミナセメント４が断熱及び耐火材としての役目を
はたしている。そして、ガス導入管５より導入さ
れる非酸化性ガス、例えば水素によりヒータ６の
酸化が防止され、導入された水素ガスは多孔質炉
芯管２及びアルミナセメント４を通り排気口８よ
り外部に排出されるようになつている。
質炉芯管２の中央部におかれ、その両端が炉体１
の外壁３により支持固定されている。尚、９はセ
ラミツク炉芯管への非酸化性ガス導入口である。
このように構成された高温加熱炉においてはアル
ミナセメント４が断熱及び耐火材としての役目を
はたしている。そして、ガス導入管５より導入さ
れる非酸化性ガス、例えば水素によりヒータ６の
酸化が防止され、導入された水素ガスは多孔質炉
芯管２及びアルミナセメント４を通り排気口８よ
り外部に排出されるようになつている。
しかしながら、高温加熱炉を1700℃以上の高温
で使用した場合、30時間程で多孔質炉芯管２に割
れが発生し、その破片がヒータ６に当り断線を生
ずる欠点があつた。そのため、多孔質炉芯管２を
頻繁に交換しなければならず、作業能率が低下す
るという不都合があつた。さらに、セラミツク炉
芯管７が、その両端部で支持されているため炉芯
管７内に挿入する試料（被処理物）の重量等によ
り変形するという欠点もあつた。
で使用した場合、30時間程で多孔質炉芯管２に割
れが発生し、その破片がヒータ６に当り断線を生
ずる欠点があつた。そのため、多孔質炉芯管２を
頻繁に交換しなければならず、作業能率が低下す
るという不都合があつた。さらに、セラミツク炉
芯管７が、その両端部で支持されているため炉芯
管７内に挿入する試料（被処理物）の重量等によ
り変形するという欠点もあつた。
本考案の目的は上記欠点を除去し、ヒータの割
れ及びセラミツク炉芯管の変形をなくした高温加
熱炉を提供することにある。
れ及びセラミツク炉芯管の変形をなくした高温加
熱炉を提供することにある。
上述した従来の大口径多孔質炉芯管を使用した
ヒータの酸化防止構造に対し、本考案は大口径炉
芯管を使用せずアルミナセメントだけでヒータの
酸化防止を図るという相違点を有する。
ヒータの酸化防止構造に対し、本考案は大口径炉
芯管を使用せずアルミナセメントだけでヒータの
酸化防止を図るという相違点を有する。
本考案は非酸化性ガスの排出口を備えた炉体
と、該炉体内に充填された耐酸化性断熱粉粒体
と、ヒータを巻き付けた主要部が前記粉粒体中に
埋設された炉芯管と、炉体内上部に位置し前記炉
体内に非酸化性ガスを導入するガス導入口とを有
することを特徴とする高温加熱炉である。
と、該炉体内に充填された耐酸化性断熱粉粒体
と、ヒータを巻き付けた主要部が前記粉粒体中に
埋設された炉芯管と、炉体内上部に位置し前記炉
体内に非酸化性ガスを導入するガス導入口とを有
することを特徴とする高温加熱炉である。
次に本考案の実施例を図面を用いて説明する。
第１図ａ，ｂは本考案の一実施例の正面図及びＡ
−A′線断面図である。
第１図ａ，ｂは本考案の一実施例の正面図及びＡ
−A′線断面図である。
第１図ａ，ｂにおいて、上部にガス導入口１１
及び下部にガス排出口１０を有する炉体１内には
耐酸化性断熱粉粒体として、30メツシユ程度の粒
度を有するアルミナセメント４が充填されてお
り、その中心部にはヒータ６を巻き付けたセラミ
ツク炉芯管７の主要部が埋設されている。
及び下部にガス排出口１０を有する炉体１内には
耐酸化性断熱粉粒体として、30メツシユ程度の粒
度を有するアルミナセメント４が充填されてお
り、その中心部にはヒータ６を巻き付けたセラミ
ツク炉芯管７の主要部が埋設されている。
ガス導入口１１より導入された非酸化性ガス、
例えば水素は上部の空洞部１ａに入り中の比重の
重い空気や窒素を下部に追い出し、ガス排出口１
０から水素だけが排出されるようになる。ガス排
出口１０には目づまりを防ぐために50メツシユ以
上の金網１２で覆つてある。
例えば水素は上部の空洞部１ａに入り中の比重の
重い空気や窒素を下部に追い出し、ガス排出口１
０から水素だけが排出されるようになる。ガス排
出口１０には目づまりを防ぐために50メツシユ以
上の金網１２で覆つてある。
このように構成された高温加熱炉においては、
従来用いていた多孔質炉芯管を不要としたため、
その交換のための工数が不要となるばかりでな
く、多孔質炉芯管の割れに伴う破片によるヒータ
６の断線がなくなる。更に、セラミツク炉芯管７
は、アルミナセメント４によりその主要部全体が
支持固定されるためセラミツク炉芯管７内に挿入
される被処理物により変形することはない。
従来用いていた多孔質炉芯管を不要としたため、
その交換のための工数が不要となるばかりでな
く、多孔質炉芯管の割れに伴う破片によるヒータ
６の断線がなくなる。更に、セラミツク炉芯管７
は、アルミナセメント４によりその主要部全体が
支持固定されるためセラミツク炉芯管７内に挿入
される被処理物により変形することはない。
以上説明したように本考案によれば、多孔質炉
芯管をなくし、セラミツク炉芯管を耐酸化性断熱
粉粒体で支持する構造とすることにより、ヒータ
の割れ及びセラミツク炉芯管の変形をなくした高
温加熱炉が得られ、その効果は大きいものであ
る。
芯管をなくし、セラミツク炉芯管を耐酸化性断熱
粉粒体で支持する構造とすることにより、ヒータ
の割れ及びセラミツク炉芯管の変形をなくした高
温加熱炉が得られ、その効果は大きいものであ
る。
第１図ａは本考案の一実施例の正面図、第１図
ｂは第１図ａのＡ−A′線断面図、第２図ａは従
来の高温加熱炉の一例の正面図、第２図ｂは第２
図ａのＢ−B′線断面図である。 １……炉体、２……多孔質炉芯管、３……外
壁、４……アルミナセメント、５……ガス導入
管、６……ヒータ、７……セラミツク炉芯管、８
……排気口、９，１１……ガス導入口、１０……
ガス排出口、１２……金網。
ｂは第１図ａのＡ−A′線断面図、第２図ａは従
来の高温加熱炉の一例の正面図、第２図ｂは第２
図ａのＢ−B′線断面図である。 １……炉体、２……多孔質炉芯管、３……外
壁、４……アルミナセメント、５……ガス導入
管、６……ヒータ、７……セラミツク炉芯管、８
……排気口、９，１１……ガス導入口、１０……
ガス排出口、１２……金網。
Claims (1)
- 非酸化性ガスの排出口を備えた炉体と、該炉体
内に充填された耐酸化性断熱粉粒体と、ヒータを
巻き付けた主要部が前記粉粒体中に埋設された炉
芯管と、炉体内上部に位置し前記炉体内に非酸化
性ガスを導入するガス導入口とを有することを特
徴とする高温加熱炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17915387U JPH0548072Y2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17915387U JPH0548072Y2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0182497U JPH0182497U (ja) | 1989-06-01 |
| JPH0548072Y2 true JPH0548072Y2 (ja) | 1993-12-20 |
Family
ID=31470733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17915387U Expired - Lifetime JPH0548072Y2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548072Y2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855992B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-15 | Motorola Inc. | Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same |
| US6885065B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same |
| US6916717B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-07-12 | Motorola, Inc. | Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate |
| US6965128B2 (en) | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
| US6992321B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-01-31 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials |
| US7005717B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-02-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method |
| US7019332B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure |
| US7020374B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Optical waveguide structure and method for fabricating the same |
| US7045815B2 (en) | 2001-04-02 | 2006-05-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure exhibiting reduced leakage current and method of fabricating same |
| US7067856B2 (en) | 2000-02-10 | 2006-06-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same |
| US7105866B2 (en) | 2000-07-24 | 2006-09-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same |
| US7161227B2 (en) | 2001-08-14 | 2007-01-09 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object |
| US7169619B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process |
| US7211852B2 (en) | 2001-01-19 | 2007-05-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate |
| US7342276B2 (en) | 2001-10-17 | 2008-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP17915387U patent/JPH0548072Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7067856B2 (en) | 2000-02-10 | 2006-06-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same |
| US7005717B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-02-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method |
| US7105866B2 (en) | 2000-07-24 | 2006-09-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same |
| US7211852B2 (en) | 2001-01-19 | 2007-05-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate |
| US7045815B2 (en) | 2001-04-02 | 2006-05-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure exhibiting reduced leakage current and method of fabricating same |
| US6992321B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-01-31 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials |
| US7019332B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure |
| US6855992B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-15 | Motorola Inc. | Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same |
| US7161227B2 (en) | 2001-08-14 | 2007-01-09 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object |
| US7342276B2 (en) | 2001-10-17 | 2008-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
| US6916717B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-07-12 | Motorola, Inc. | Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate |
| US7169619B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process |
| US6885065B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same |
| US7020374B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Optical waveguide structure and method for fabricating the same |
| US6965128B2 (en) | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0182497U (ja) | 1989-06-01 |
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