JPH0548104Y2 - - Google Patents

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JPH0548104Y2
JPH0548104Y2 JP3963687U JP3963687U JPH0548104Y2 JP H0548104 Y2 JPH0548104 Y2 JP H0548104Y2 JP 3963687 U JP3963687 U JP 3963687U JP 3963687 U JP3963687 U JP 3963687U JP H0548104 Y2 JPH0548104 Y2 JP H0548104Y2
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JP
Japan
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temperature
temperature sensor
insulating tube
ntc thermistor
heat
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JP3963687U
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JPS63146733U (ja
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  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、電子ポツト、コーヒーメーカー等の
如きヒーター回路を内蔵した各種機器に組付け可
能な温度センサーに関するものである。
従来の技術 従来、この種の温度センサーとしては所定温度
で磁力を急激に低下するに応じてヒーター回路の
スイツチを開成制御する感温フエライト等を組込
んだものが用いられているのが通常である。
考案が解決しようとする問題点 然し、その感温フエライト等を組込んだ温度セ
ンサーでは或る一点の温度管理しか行うことがで
きず、例えばミルクを温めるに適した温度65℃程
度に設定したり或いは即席ラーメンを作るに適し
た温度95℃程度に設定したりする如き必要に応じ
た数点の温度制御を行うには用いることができな
い。
考案の目的 本考案は、数点の温度設定を行うことの可能な
NTCサーミスタを用いて構成する温度センサー
を提供することを目的とする。
目的を達成するための手段 本考案に係る温度センサーにおいては、アルミ
等の金属材料で形成した感熱ヘツドの凸部に絶縁
チユーブで収容したNTCサーミスタを挿置し、
そのNTCサーミスタのリード線と接続した電線
を感熱ヘツドの凸部と嵌合する樹脂ケースから引
き出すことにより構成されている。
作 用 この温度センサーでは感熱ヘツドの温度変化に
応じて抵抗値変化するNTCサーミスタの負特性
を用いるものであり、そのサーミスタと直列に抵
抗を接続することにより温度変化を電位変化に置
き換えて取り出すことができるから、この電位変
化をマイコンで読取つて常時一定温度でヒーター
回路の開閉制御を行うようにすることができるば
かりでなく、任意の温度毎に応じた電位値をマイ
コンに記憶させて置けば数点の温度でヒーター回
路を開閉制御するに用いるセンサーとして組込む
ことができるようになる。
実施例 以下、添付図面を参照して説明すれば、次の通
りである。
この温度センサーはNTCサーミスタ10を用
いて構成するものであり、そのサーミスタ10と
しては第1図で示すようにダイオード型ガラス封
止サーミスタを用いることができる。また、この
サーミスタ10はテフロン等の絶縁チユーブ11
の径内に収容して感熱ヘツド12の凸部12aに
挿置されている。その感熱ヘツド12はアルミ等
の如き熱伝導性の良好な金属材料を用いて形成さ
れており、凸部12aには第2図で示すように絶
縁チユーブ11を挿置する貫通孔12bが直径方
向に設けられている。この貫通孔12bを通して
配置する絶縁チユーブ11はサーミスタ10のリ
ード線10a,10bを挿入したシリコン等の絶
縁チユーブ13a,13bと共に直角方向に折曲
することにより下方に位置され、その絶縁チユー
ブ11を当てがい配置するべく凸部12bの側面
には扁平な面取り部12cが形成されている。ま
た、絶縁チユーブ11の径内でリード線10a,
10bの端末にはスプラインバンド等のカシメ金
具14を用いてシリコン含浸ガラス編組の電線1
5a,15bが接続され、その電線15a,15
bと共に絶縁チユーブ11は樹脂ケース16を通
して下方に引き出されている。この樹脂ケース1
6としては不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性
樹脂で形成したものを用いることができ、それに
は第3図で示すように感熱ヘツド12の凸部12
aを嵌合する凹部16aと電線15a,15b並
びに絶縁チユーブ11を挿通する貫通孔16b,
16cとが設けられている。また、周側面には樹
脂ケース16を各種の機器に組付け固定するに用
いられる止め鍔16dと切欠凹部16e,16f
とが設けられている。
この温度センサーを組立てるにあたつては、ま
ず、NTCサーミスタ10のリード線10a,1
0bに絶縁チユーブ13a,13bを被せ、その
全体を相対的に太い径の絶縁チユーブ11に挿入
する。次に、リード線10a,10bの端末にカ
シメ金具14で電線15a,15bを接続した
後、絶縁チユーブ11のNTCサーミスタ10を
収容した部分を感熱ヘツド12の凸部12aに形
成した貫通孔12bに挿入してリード線12a,
12bの絶縁チユーブ13a,13bで被覆した
部分を絶縁チユーブ11と共に直角に曲げる。こ
の絶縁チユーブ11を樹脂ケース16の貫通孔1
6b,16cに挿通し、また、感熱ヘツド12の
凸部12aを樹脂ケース16の凹部16aに嵌込
めばよい。最後に、樹脂ケース16から引き出さ
れる電線15a,15bの端末に第4図で示すよ
うにコネクタ17を取付ければ温度センサーとし
て完成することができる。
このように構成する温度センサーはマイコン制
御用電子ポツトに組付けることができ、或いはコ
ーヒーメーカーやその他のヒーターを内蔵する各
種の機器に温度センサーとして組込むことができ
る。この温度センサーではNTCサーミスタ10
を用いるため、任意の温度設定ができて好みの温
度でヒーター回路を制御する機器を構成できる。
また、マイコン制御用電子ポツトに組込む場合に
はサーミスタ10と直列に抵抗を接続することに
より温度変化を電位変化に置き換えて取出すこと
ができるから、この電位変化をマイコンで読取つ
て常時一定温度でヒーター回路の開閉制御を行な
えると共に任意の温度毎に応じた電位値をマイコ
ンに記憶させて置けば数点の温度でヒーター回路
を開閉制御するようにすることができる。
考案の効果 以上の如く、本考案に係る温度センサーに依れ
ば、NTCサーミスタを用いて任意の温度に応じ
た各種機器のヒーター回路を開閉制御可能なセン
サーを簡単に構成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る温度センサーの部分拡大
断面図、第2図a,bは同センサーを構成する感
熱ヘツドの側面並びに平面図、第3図a〜cは同
センサーを構成する樹脂ケースの平面、側面並び
に底面図、第3図dは第3図aで示すA−B線断
面図、第4図は同センサーの全体を示す説明図で
ある。 10……NTCサーミスタ、10a,10b…
…リード線、11……絶縁チユーブ、12……感
熱ヘツド、12a……凸部、15a,15b……
電線、16……樹脂ケース。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. アルミ等の金属材料で形成した感熱ヘツドの凸
    部に絶縁チユーブで収容したNTCサーミスタを
    挿置し、そのNTCサーミスタのリード線と接続
    した電線を感熱ヘツドの凸部と嵌合する樹脂ケー
    スから引き出してなることを特徴とする温度セン
    サー。
JP3963687U 1987-03-17 1987-03-17 Expired - Lifetime JPH0548104Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3963687U JPH0548104Y2 (ja) 1987-03-17 1987-03-17

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3963687U JPH0548104Y2 (ja) 1987-03-17 1987-03-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63146733U JPS63146733U (ja) 1988-09-28
JPH0548104Y2 true JPH0548104Y2 (ja) 1993-12-20

Family

ID=30852992

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3963687U Expired - Lifetime JPH0548104Y2 (ja) 1987-03-17 1987-03-17

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JP (1) JPH0548104Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7588994B2 (en) 2002-06-07 2009-09-15 Amberwave Systems Corporation Methods for forming strained-semiconductor-on-insulator device structures by mechanically inducing strain

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7588994B2 (en) 2002-06-07 2009-09-15 Amberwave Systems Corporation Methods for forming strained-semiconductor-on-insulator device structures by mechanically inducing strain

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63146733U (ja) 1988-09-28

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