JPH0548427B2 - - Google Patents
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- JPH0548427B2 JPH0548427B2 JP59156643A JP15664384A JPH0548427B2 JP H0548427 B2 JPH0548427 B2 JP H0548427B2 JP 59156643 A JP59156643 A JP 59156643A JP 15664384 A JP15664384 A JP 15664384A JP H0548427 B2 JPH0548427 B2 JP H0548427B2
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- Japan
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- voltage
- electron beam
- analyzer
- analysis
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術の分野
本発明は走査電子顕微鏡及びエネルギー分析器
を具備した電子ビームによる電圧測定装置に係り
特にローカルフイールド効果と光量増減並に形状
効果による電圧測定誤差を低減した電子ヒームを
用いた電圧測定装置に関する。
を具備した電子ビームによる電圧測定装置に係り
特にローカルフイールド効果と光量増減並に形状
効果による電圧測定誤差を低減した電子ヒームを
用いた電圧測定装置に関する。
(2) 技術の背景
ICやLSI配線パターン等を作動した状態で配線
パターン電圧を測定するために従来から第４図に
示すようなエネルギー分析装置が知られている。
すなわち、第４図において、１は電子ビーム源、
２は該電子ビーム源から照射される電子ビームで
該電子ビームは試料５近傍に配設した半球状の金
属メツシユ３、分析グリツド４を通して試料５の
配線パターン６ａ，６ｂ上に照射される。例えば
分析グリツド４に所定の電圧を印加させておくこ
とで、上記配設パターン６ａから放出された２次
電子７の一部は分析グリツド４で金属メツシユ３
方向においもどされる。この放出される２次電子
７は、試料５の作動電圧によつてその放出速度が
異なり、例えば配線パターンの駆動電圧がプラス
であれば、２次電子速度は小さく、マイナスであ
れば２次電子速度は大きくなる。分析グリツド４
を通過した２次電子は、シンチレータ→ライトパ
イプ→ホトマル（光電子増倍管）から構成される
２次電子検知器８で検出され分析器出力電圧が取
り出されるようになされている。
パターン電圧を測定するために従来から第４図に
示すようなエネルギー分析装置が知られている。
すなわち、第４図において、１は電子ビーム源、
２は該電子ビーム源から照射される電子ビームで
該電子ビームは試料５近傍に配設した半球状の金
属メツシユ３、分析グリツド４を通して試料５の
配線パターン６ａ，６ｂ上に照射される。例えば
分析グリツド４に所定の電圧を印加させておくこ
とで、上記配設パターン６ａから放出された２次
電子７の一部は分析グリツド４で金属メツシユ３
方向においもどされる。この放出される２次電子
７は、試料５の作動電圧によつてその放出速度が
異なり、例えば配線パターンの駆動電圧がプラス
であれば、２次電子速度は小さく、マイナスであ
れば２次電子速度は大きくなる。分析グリツド４
を通過した２次電子は、シンチレータ→ライトパ
イプ→ホトマル（光電子増倍管）から構成される
２次電子検知器８で検出され分析器出力電圧が取
り出されるようになされている。
(3) 従来技術の問題点
上述の如き、電子ビームを用いたエネルギー分
析装置による分析グリツド電圧と分析器出力電圧
との関係を、浮動スライス方式並びに固定スライ
ス方式の２つの方式によつて検出した場合を、第
５図乃至第９図を参照して詳記する。
析装置による分析グリツド電圧と分析器出力電圧
との関係を、浮動スライス方式並びに固定スライ
ス方式の２つの方式によつて検出した場合を、第
５図乃至第９図を参照して詳記する。
第５図は、浮動スライス方式における分析グリ
ツド電圧と分析器出力電圧の関係を示す線図、第
６図はローカルフイルド効果（局部電界効果）に
よる弊害を説明するための分析グリツド電圧と分
析器出力電圧の関係を示す線図、第７図は試料パ
ターンの平面図である。
ツド電圧と分析器出力電圧の関係を示す線図、第
６図はローカルフイルド効果（局部電界効果）に
よる弊害を説明するための分析グリツド電圧と分
析器出力電圧の関係を示す線図、第７図は試料パ
ターンの平面図である。
浮動スライス方式では、電子ビーム源の光量の
増減や電子検知器の検出効率や被測定物の形状効
果に起因するゲイン誤差を除去しようとするもの
である。第５図において、配線パターン部の作動
電圧が零ボルトで分析グリツド４の電圧をマイナ
スからプラスに振つた時の２次電子検知器８の出
力電圧、すなわち分析器出力電圧は、電圧値S0及
びS1点で各々飽和するので、この時の両飽和電圧
の和の平均値（S0＋S1）／２が分析カーブ９と交
叉する点９ａから下した垂線が、横軸と交わる点
の分析グリツド電圧ｖから、電子ビーム照射によ
るパターン電圧Ｖを次式によつて求めている。
増減や電子検知器の検出効率や被測定物の形状効
果に起因するゲイン誤差を除去しようとするもの
である。第５図において、配線パターン部の作動
電圧が零ボルトで分析グリツド４の電圧をマイナ
スからプラスに振つた時の２次電子検知器８の出
力電圧、すなわち分析器出力電圧は、電圧値S0及
びS1点で各々飽和するので、この時の両飽和電圧
の和の平均値（S0＋S1）／２が分析カーブ９と交
叉する点９ａから下した垂線が、横軸と交わる点
の分析グリツド電圧ｖから、電子ビーム照射によ
るパターン電圧Ｖを次式によつて求めている。
Ｖ＝Ａ・ｖ＋Ｂ ……(1)
ここで、Ａ、Ｂは定数
上述のようにしてパターン電圧Ｖを求める場合
に、第７図に示すように電子ビーム２が例えばア
ルミニウム配線パターン６ａの点２ａに照射され
るとき、隣接のパターン６ａの電圧が０〜５ボル
ト迄変動し、またパターン６ａに加えられる電圧
が一定電圧ｖであつたとすれば、隣接パターン６
ｂの電界によつてパターン６ａは局部的に変調を
受け放出される２次電子に影響を与えるところの
ローカルフイルド効果の影響を受ける。すなわ
ち、第６図の分析カーブ９で示されたものが、そ
の飽和値が変動して分析器出力電圧S1はS1′に増
加して分析カーブは１０となり、その平均値は
（S0＋S1）／２から（S0＋S1′）／２となり、スラ
イスレベル点９ａは分析カーブ１０の点１０ａと
なつて対応する分析グリツド電圧ｖはv′に変動
し、ΔV＝Ａ｜ｖ−v′｜だけ電圧誤差を生ずる弊
害を有する。
に、第７図に示すように電子ビーム２が例えばア
ルミニウム配線パターン６ａの点２ａに照射され
るとき、隣接のパターン６ａの電圧が０〜５ボル
ト迄変動し、またパターン６ａに加えられる電圧
が一定電圧ｖであつたとすれば、隣接パターン６
ｂの電界によつてパターン６ａは局部的に変調を
受け放出される２次電子に影響を与えるところの
ローカルフイルド効果の影響を受ける。すなわ
ち、第６図の分析カーブ９で示されたものが、そ
の飽和値が変動して分析器出力電圧S1はS1′に増
加して分析カーブは１０となり、その平均値は
（S0＋S1）／２から（S0＋S1′）／２となり、スラ
イスレベル点９ａは分析カーブ１０の点１０ａと
なつて対応する分析グリツド電圧ｖはv′に変動
し、ΔV＝Ａ｜ｖ−v′｜だけ電圧誤差を生ずる弊
害を有する。
この浮動スライス方式は、電子ビーム源の光量
の増減や電子検知器の検出効率や被測定物の形状
効果に起因するゲイン誤差は除去できるが、ロー
カルフイルド効果による誤差は除去できない。
の増減や電子検知器の検出効率や被測定物の形状
効果に起因するゲイン誤差は除去できるが、ロー
カルフイルド効果による誤差は除去できない。
このような浮動スライス方式に対し、第８図及
び第９図に示す様にスライス点を所定の値Scに固
定しておき、分析カーブ１１とのスライス交点か
ら垂下した線の、横軸と交わる点の分析グリツド
電圧ｖを求める固定スライス方式も提案されてい
る。
び第９図に示す様にスライス点を所定の値Scに固
定しておき、分析カーブ１１とのスライス交点か
ら垂下した線の、横軸と交わる点の分析グリツド
電圧ｖを求める固定スライス方式も提案されてい
る。
この固定スライス方式は、ローカルフイルド効
果に起因する誤差を除去しようとするものであ
る。しかし、この方式によると第９図に示すよう
に電子ビーム源１から照射される電子ビーム２が
初期状態に対して変動する場合の光量増減、或い
は２次電子検知器８の検出効率、さらに、配線パ
ターン６ａの凹凸の差等によつて生ずる形状効果
に起因するゲイン誤差によつて分析カーブは上限
飽和値が11から12の間を増減する。この結果、固
定スライスレベルScを定めた場合スライスレベル
の分析カーブ１１と１２での交点は各々１１ａ，
１２ａとなつて、分析グリツド電圧はｖからv′に
変化し、Δv＝Ａ｜ｖ−v′｜の変化を起こすこと
になり、この場合も電圧測定誤差を生ずる欠点が
ある。
果に起因する誤差を除去しようとするものであ
る。しかし、この方式によると第９図に示すよう
に電子ビーム源１から照射される電子ビーム２が
初期状態に対して変動する場合の光量増減、或い
は２次電子検知器８の検出効率、さらに、配線パ
ターン６ａの凹凸の差等によつて生ずる形状効果
に起因するゲイン誤差によつて分析カーブは上限
飽和値が11から12の間を増減する。この結果、固
定スライスレベルScを定めた場合スライスレベル
の分析カーブ１１と１２での交点は各々１１ａ，
１２ａとなつて、分析グリツド電圧はｖからv′に
変化し、Δv＝Ａ｜ｖ−v′｜の変化を起こすこと
になり、この場合も電圧測定誤差を生ずる欠点が
ある。
すなわち、ローカルフイルド効果による誤差は
除去できるが、光量増減や形状効果に起因するゲ
イン誤差は除去できない。
除去できるが、光量増減や形状効果に起因するゲ
イン誤差は除去できない。
(4) 発明の目的
本発明は、上記従来の欠点に鑑み、動作LSI等
の電圧測定において、ローカルフイルド効果、光
量変動、形状効果による影響を低減し、かつエネ
ルギー分析器や電圧測定装置を高性能化せずに測
定誤差をなくすことができる電子ビームによる電
圧測定装置を提供することを目的とするもであ
る。
の電圧測定において、ローカルフイルド効果、光
量変動、形状効果による影響を低減し、かつエネ
ルギー分析器や電圧測定装置を高性能化せずに測
定誤差をなくすことができる電子ビームによる電
圧測定装置を提供することを目的とするもであ
る。
(5) 発明の構成
上記目的は本発明によれば、電子ビームをエネ
ルギー分析器を通じて試料の作動配線パターンに
照射して、該エネルギー分析器近傍に設けた２次
電子検知器を通じて電圧を測定する測定装置にお
いて、誤差の無い基準となる所定の分析カーブか
ら得られる基準スライスレベルSL0と、分析グリ
ツド電圧最小時の分析器出力電圧Vs0、及び測定
時における分析グリツド電圧最小時の分析器出力
電圧Vsから、測定時の分析カーブにおけるスラ
イスレベルSLを、式SL＝SL0×（Vs／Vs0）に従
つて決定する演算手段と、上記スライスに一致す
る信号を出力する分析グリツド電圧を検出する検
出手段を具備することを特徴とする電子ビームを
用いた電圧測定装置を提供することで達成され
る。
ルギー分析器を通じて試料の作動配線パターンに
照射して、該エネルギー分析器近傍に設けた２次
電子検知器を通じて電圧を測定する測定装置にお
いて、誤差の無い基準となる所定の分析カーブか
ら得られる基準スライスレベルSL0と、分析グリ
ツド電圧最小時の分析器出力電圧Vs0、及び測定
時における分析グリツド電圧最小時の分析器出力
電圧Vsから、測定時の分析カーブにおけるスラ
イスレベルSLを、式SL＝SL0×（Vs／Vs0）に従
つて決定する演算手段と、上記スライスに一致す
る信号を出力する分析グリツド電圧を検出する検
出手段を具備することを特徴とする電子ビームを
用いた電圧測定装置を提供することで達成され
る。
(6) 発明の実施例
以下、本発明の一実施例を、第１図乃至第３図
を参照して詳記する。第１図は本発明の電圧測定
装置の構成を示す系統図、第２図は本発明の電圧
決定回路図、第３図は本発明の電子ビームでの電
圧測定決定方法を説明する分析グリツド電圧と分
析器出力電圧の関係を示す線図である。
を参照して詳記する。第１図は本発明の電圧測定
装置の構成を示す系統図、第２図は本発明の電圧
決定回路図、第３図は本発明の電子ビームでの電
圧測定決定方法を説明する分析グリツド電圧と分
析器出力電圧の関係を示す線図である。
第１図において、１３はエネルギー分析器１４
を具備する走査型電子顕微鏡で、電子銃１３ａか
ら放出された電子ビーム２は、静電偏向板１３
ｂ、コンデンサレンズ系１３ｃ、ビーム偏向コイ
ル系１３ｄ、対物レンズ１３ｅを通り前記したエ
ネルギー分析器１４のグリツド４、金属メツシユ
３を通つて試料台１５上の試料５の配線パターン
６ａ，６ｂ上に照射される。そして、配線バター
ン６ａ，６ｂから放出されてエネルギー分析器１
４の分析グリツド４を通過した２次電子は、２次
電子検知器８により検出され、出力信号８ａはス
ライスレベル決定回路１７と一致回路１８に加え
られる。１９は制御計算機で、前記静電偏向板１
３ｂにブランキング電圧を与えて電圧子銃１３ａ
からのビームをブランキングする手段を備えてい
る。ビーム偏向コイル１３ｄも制御計算機１９か
ら偏向系の回路２０を通じて偏向制御がなされ
る。更に、上記スライスレベル決定回路１７と一
致回路１８も同様に制御計算機１９でコントロー
ルされ、該一致回路１８の一致出力は制御計算機
１９に出力される。２１はスイツチング手段で同
じく制御計算機１９で制御される。
を具備する走査型電子顕微鏡で、電子銃１３ａか
ら放出された電子ビーム２は、静電偏向板１３
ｂ、コンデンサレンズ系１３ｃ、ビーム偏向コイ
ル系１３ｄ、対物レンズ１３ｅを通り前記したエ
ネルギー分析器１４のグリツド４、金属メツシユ
３を通つて試料台１５上の試料５の配線パターン
６ａ，６ｂ上に照射される。そして、配線バター
ン６ａ，６ｂから放出されてエネルギー分析器１
４の分析グリツド４を通過した２次電子は、２次
電子検知器８により検出され、出力信号８ａはス
ライスレベル決定回路１７と一致回路１８に加え
られる。１９は制御計算機で、前記静電偏向板１
３ｂにブランキング電圧を与えて電圧子銃１３ａ
からのビームをブランキングする手段を備えてい
る。ビーム偏向コイル１３ｄも制御計算機１９か
ら偏向系の回路２０を通じて偏向制御がなされ
る。更に、上記スライスレベル決定回路１７と一
致回路１８も同様に制御計算機１９でコントロー
ルされ、該一致回路１８の一致出力は制御計算機
１９に出力される。２１はスイツチング手段で同
じく制御計算機１９で制御される。
上記構成において、先ず静電偏向板１３ｂに加
える電圧をコントロールして電子ビームを完全に
切つたブランク状態での検出器出力８ａを２次電
子検知器８より求める。基準オフセツト電圧Vs0
は、最小分析グリツド電圧時に、電子ビームを
ONにして得られる分析器出力信号と前記ブラン
ク時の分析器出力信号の差である。このときの基
準スライスレベルSL0は、第９図で示した固定ス
ライス方式によつて求められる。
える電圧をコントロールして電子ビームを完全に
切つたブランク状態での検出器出力８ａを２次電
子検知器８より求める。基準オフセツト電圧Vs0
は、最小分析グリツド電圧時に、電子ビームを
ONにして得られる分析器出力信号と前記ブラン
ク時の分析器出力信号の差である。このときの基
準スライスレベルSL0は、第９図で示した固定ス
ライス方式によつて求められる。
次に形状効果、光量増減等の要因による電圧測
定誤差を含むような分析カーブ２３から分析グリ
ツド電圧最小時のオフセツト電圧Vsを同じく検
知器８より得てスライスレベル決定回路１７に加
える。該スライスレベル決定回路では先に求めた
誤差を含まない分析カーブ２２の基準スライスレ
ベルSL0と基準オフセツト電圧Vs0並びに誤差を
含む分析カーブ２３で求めたオフセツト電圧Vs
に基づいて次の式からスライスレベルSLを決定
する。
定誤差を含むような分析カーブ２３から分析グリ
ツド電圧最小時のオフセツト電圧Vsを同じく検
知器８より得てスライスレベル決定回路１７に加
える。該スライスレベル決定回路では先に求めた
誤差を含まない分析カーブ２２の基準スライスレ
ベルSL0と基準オフセツト電圧Vs0並びに誤差を
含む分析カーブ２３で求めたオフセツト電圧Vs
に基づいて次の式からスライスレベルSLを決定
する。
SL＝SL0×（Vs／Vs0） ……(2)
このようにスライスレベル決定回路１７で決定
されたスライスレベルSLの値１７ａは一致回路
１８に加えられて、分析グリツド電圧を所定範囲
に振つた時の分析器出力電圧１６ａと第２図に示
す如く差動増幅器２４と２５で比較され、一致し
た時の分析グリツド電圧ｖを求める。このとき、
第３図により明らかなように誤差電圧Δv＝０と
なり、測定誤差は除去できる。なお、２６はデジ
タル・アナログ変換回路である。
されたスライスレベルSLの値１７ａは一致回路
１８に加えられて、分析グリツド電圧を所定範囲
に振つた時の分析器出力電圧１６ａと第２図に示
す如く差動増幅器２４と２５で比較され、一致し
た時の分析グリツド電圧ｖを求める。このとき、
第３図により明らかなように誤差電圧Δv＝０と
なり、測定誤差は除去できる。なお、２６はデジ
タル・アナログ変換回路である。
上記のように本実施例によれば、電圧測定誤差
が除去されるのであるが、その誤差要因として
は、第１に電子ビーム源の光量の増減や電子検知
器の検出効率や被測定物の形状効果に起因するゲ
イン誤差であり、第２にローカルフイルド効果に
よる飽和電圧S1の変化による誤差があげあれる。
そして、第５図に示したような従来の方式におい
ては上記第１の誤差要因が除去され、第８図に示
したような従来の方式においては上記第２の誤差
要因が除去されるのがあつたが、本実施例におい
ては、上記２つの誤差要因は同時に除去されるの
である。また、電子ビームを断とした場合に検出
される電圧相当のオフセツト誤差は従来の方式に
おける誤差要因とは言えないが、本実施例の方式
ではこのオフセツト誤差を考慮しなければ電圧測
定誤差が新たに発生してしまうので、該オフセツ
ト誤差も考慮される。
が除去されるのであるが、その誤差要因として
は、第１に電子ビーム源の光量の増減や電子検知
器の検出効率や被測定物の形状効果に起因するゲ
イン誤差であり、第２にローカルフイルド効果に
よる飽和電圧S1の変化による誤差があげあれる。
そして、第５図に示したような従来の方式におい
ては上記第１の誤差要因が除去され、第８図に示
したような従来の方式においては上記第２の誤差
要因が除去されるのがあつたが、本実施例におい
ては、上記２つの誤差要因は同時に除去されるの
である。また、電子ビームを断とした場合に検出
される電圧相当のオフセツト誤差は従来の方式に
おける誤差要因とは言えないが、本実施例の方式
ではこのオフセツト誤差を考慮しなければ電圧測
定誤差が新たに発生してしまうので、該オフセツ
ト誤差も考慮される。
本実施例は上記のように構成されているので、
ア 飽和電圧S1内には最も低エネルギーの２次電
子による信号成分まで含まれるためのローカル
フイルド効果の影響を強く受け変化するが、分
析電圧最小時の分析器出力電圧Vsには高エネ
ルギー（約20eV以上）の１次電子による信号
成分しか含まれないためローカルフイルド効果
による変化はない。
子による信号成分まで含まれるためのローカル
フイルド効果の影響を強く受け変化するが、分
析電圧最小時の分析器出力電圧Vsには高エネ
ルギー（約20eV以上）の１次電子による信号
成分しか含まれないためローカルフイルド効果
による変化はない。
イ 即ち、上記出力電子Vsには、オフセツト誤
差とゲイン誤差が含まれるのみである。
差とゲイン誤差が含まれるのみである。
ウ 従つて、基準となる所定の分析カーブにおけ
るグリツド電圧最小時の分析器出力電圧Vs0
（オフセツト誤差補正済み）と、測定時におけ
る分析グリツド電圧最小時の分析器出力電圧
Vs（オフセツト誤差補正済み）の比から、ゲイ
ン誤差を求めることができる。
るグリツド電圧最小時の分析器出力電圧Vs0
（オフセツト誤差補正済み）と、測定時におけ
る分析グリツド電圧最小時の分析器出力電圧
Vs（オフセツト誤差補正済み）の比から、ゲイ
ン誤差を求めることができる。
エ このようにして、ローカルフイルド効果に
も、電子ビーム源の光量の増減や原子検知器の
検出効率や被測定物の形状効果に起因するゲイ
ン変化にも影響されない、適正なスライスレベ
ルを決定することができるのである。
も、電子ビーム源の光量の増減や原子検知器の
検出効率や被測定物の形状効果に起因するゲイ
ン変化にも影響されない、適正なスライスレベ
ルを決定することができるのである。
なお上記実施例では走査型電子顕微鏡１３につ
いて述べたが、ストロボ電子顕微鏡と組合わせれ
ば、動作LSIと電圧波形を得ることもできる。
いて述べたが、ストロボ電子顕微鏡と組合わせれ
ば、動作LSIと電圧波形を得ることもできる。
(7) 発明の効果
上記のように本発明によれば、誤差電圧Δv＝
０となり、ローカルフイルド効果、形状効果、光
量増減、ゲイン増減等によつて生ずる電圧誤差要
因を除去或いは軽減することのできる電子ビーム
を用いた電圧測定装置を提供することができる。
０となり、ローカルフイルド効果、形状効果、光
量増減、ゲイン増減等によつて生ずる電圧誤差要
因を除去或いは軽減することのできる電子ビーム
を用いた電圧測定装置を提供することができる。
第１図は、本発明の電子ビームを用いた電圧測
定装置の系統図、第２図は本発明に用いた電圧決
定回路図、第３図は本発明の分析グリツド電圧と
分析器出力電圧の関係を示す線図、第４図は従来
のエネルギー分析器の概略図、第５図は従来の浮
動スライス方式の分析グリツド電圧と分析器出力
電圧の関係を示す線図、第６図は浮動スライス方
式のローカルフイルド効果による電圧測定誤差を
示す線図、第７図は第６図の波形の説明に供する
試料の平面図、第８図は従来の固定スライス方式
の分析グリツド電圧と分析器出力電圧との関係を
示す線図、第９図は従来の固定スライス方式の電
圧誤差要因の説明に供する線図である。 １……電子ビーム源、２……電子ビーム、３…
…金属メツシユ、４……分析グリツド、５……試
料、６ａ，６ｂ……配線バターン、７……２次電
子、８……２次電子検知器、９，１０，１１，１
２，２２，２３……分析カーブ、１３……走査型
電子顕微鏡、１３ａ……電子銃、１３ｂ……静電
偏向板、１４……エネルギー分析器、１５……試
料台、１７……スライスレベル決定回路、１８…
…一致回路、１９……制御計算機。
定装置の系統図、第２図は本発明に用いた電圧決
定回路図、第３図は本発明の分析グリツド電圧と
分析器出力電圧の関係を示す線図、第４図は従来
のエネルギー分析器の概略図、第５図は従来の浮
動スライス方式の分析グリツド電圧と分析器出力
電圧の関係を示す線図、第６図は浮動スライス方
式のローカルフイルド効果による電圧測定誤差を
示す線図、第７図は第６図の波形の説明に供する
試料の平面図、第８図は従来の固定スライス方式
の分析グリツド電圧と分析器出力電圧との関係を
示す線図、第９図は従来の固定スライス方式の電
圧誤差要因の説明に供する線図である。 １……電子ビーム源、２……電子ビーム、３…
…金属メツシユ、４……分析グリツド、５……試
料、６ａ，６ｂ……配線バターン、７……２次電
子、８……２次電子検知器、９，１０，１１，１
２，２２，２３……分析カーブ、１３……走査型
電子顕微鏡、１３ａ……電子銃、１３ｂ……静電
偏向板、１４……エネルギー分析器、１５……試
料台、１７……スライスレベル決定回路、１８…
…一致回路、１９……制御計算機。
Claims (1)
- １ 電子ビームをエネルギー分析器を通じて試料
の作動配線パターンに照射して、該エネルギー分
析器近傍に設けた２次電子検知器を通じて電圧を
測定する測定装置において、誤差の無い基準とな
る所定の分析カーブから得られる基準スライスレ
ベルSL0と、分析グリツド電圧最小時の分析器出
力電圧Vs0、及び測定時における分析グリツド電
圧最小時の分析器出力電圧Vsから、測定時の分
析カーブにおけるスライスレベルSLを、式SL＝
SL0×（Vs／Vs0）に従つて決定する演算手段と、
上記スライスに一致する信号を出力する分析グリ
ツド電圧を検出する検出手段を具備することを特
徴とする電子ビームを用いた電圧測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15664384A JPS6135367A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 電子ビ−ムを用いた電圧測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15664384A JPS6135367A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 電子ビ−ムを用いた電圧測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135367A JPS6135367A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0548427B2 true JPH0548427B2 (ja) | 1993-07-21 |
Family
ID=15632144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15664384A Granted JPS6135367A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 電子ビ−ムを用いた電圧測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6135367A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3633545B2 (ja) | 2001-11-07 | 2005-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電子ビームテストシステム及び電子ビームテスト方法 |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP15664384A patent/JPS6135367A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6135367A (ja) | 1986-02-19 |
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