JPH054892A - 液相エピタキシヤル成長用カーボンボート - Google Patents
液相エピタキシヤル成長用カーボンボートInfo
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- JPH054892A JPH054892A JP18009791A JP18009791A JPH054892A JP H054892 A JPH054892 A JP H054892A JP 18009791 A JP18009791 A JP 18009791A JP 18009791 A JP18009791 A JP 18009791A JP H054892 A JPH054892 A JP H054892A
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- JP
- Japan
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- substrate
- slider
- solution
- epitaxial growth
- liquid phase
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- Pending
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- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スライダ使用の液相エピタキシャル成長用カ
ーボンボートにより、基板上にエピタキシャル成長させ
るとき、基板の厚みに差があるときはエピタキシャル層
用の溶液が成長後基板面に残留することがあるので、こ
のような残留を生じないような構成のカーボンボートの
構成をとる。 【構成】 スライダをスライダ基板とこのスライダ基板
に形成した貫通穴に嵌め込まれ、スライダ基板に対し、
上下方向に移動できる溶液溜を組合せて形成する。
ーボンボートにより、基板上にエピタキシャル成長させ
るとき、基板の厚みに差があるときはエピタキシャル層
用の溶液が成長後基板面に残留することがあるので、こ
のような残留を生じないような構成のカーボンボートの
構成をとる。 【構成】 スライダをスライダ基板とこのスライダ基板
に形成した貫通穴に嵌め込まれ、スライダ基板に対し、
上下方向に移動できる溶液溜を組合せて形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体などの液相
エピタキシャル成長装置として用いられる液相エピタキ
シャル成長用カーボンボートに関するものである。
エピタキシャル成長装置として用いられる液相エピタキ
シャル成長用カーボンボートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スライド法による液相エピタキシャル成
長は、図６に断面で示すようなカーボンボートを用いて
行われている。図に示すように、基板ホルダ６に基板収
納部５が形成され、ここに基板４が収納される。これに
対してスライダ１には、例えば第１エピタキシャル層用
溶液７、第２エピタキシャル層溶液８を収納する開口部
が設けられる。この開口部は下部が開口し、溶液７，８
は基板ホルダ６上において、基板ホルダ６を底として保
持され、フック13によって、スライダ１を基板ホルダ６
の長手方向にスライドさせ、順次溶液７，８の溶液を基
板４と接触させることによって、所定のエピタキシャル
薄膜を基板面に形成させることができる。
長は、図６に断面で示すようなカーボンボートを用いて
行われている。図に示すように、基板ホルダ６に基板収
納部５が形成され、ここに基板４が収納される。これに
対してスライダ１には、例えば第１エピタキシャル層用
溶液７、第２エピタキシャル層溶液８を収納する開口部
が設けられる。この開口部は下部が開口し、溶液７，８
は基板ホルダ６上において、基板ホルダ６を底として保
持され、フック13によって、スライダ１を基板ホルダ６
の長手方向にスライドさせ、順次溶液７，８の溶液を基
板４と接触させることによって、所定のエピタキシャル
薄膜を基板面に形成させることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにカーボン
ボートを用いてスライド法により液相エピタキシャル成
長を行う場合、基板（ウエハ）と溶液溜の間隔が重要で
ある。これが大きすぎるとエピタキシャル成長後の溶液
除去がうまく行かず、成長した基板上に溶液が残留す
る。また、基板が厚すぎると、溶液溜が基板にぶつか
り、スムースなスライドが出来なくなるため、やはり溶
液が残留したり、基板表面に傷が発生したりする。これ
を解決するためにねじによる基板収納部深さの調節機構
などが工夫されている（例えば特願昭56−173827）。し
かしこのような方法では、基板の厚みが変わるたびに調
節する必要がある。
ボートを用いてスライド法により液相エピタキシャル成
長を行う場合、基板（ウエハ）と溶液溜の間隔が重要で
ある。これが大きすぎるとエピタキシャル成長後の溶液
除去がうまく行かず、成長した基板上に溶液が残留す
る。また、基板が厚すぎると、溶液溜が基板にぶつか
り、スムースなスライドが出来なくなるため、やはり溶
液が残留したり、基板表面に傷が発生したりする。これ
を解決するためにねじによる基板収納部深さの調節機構
などが工夫されている（例えば特願昭56−173827）。し
かしこのような方法では、基板の厚みが変わるたびに調
節する必要がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、液相エピタキシャル成長用カーボンボート
を構成するスライダを改善して、スライダをスライダ基
板と独立した溶液溜とで構成し、スライダ基板面に形成
した貫通穴に前記溶液溜を嵌め込んで、前記基板に対し
て上下方向に移動できるようにし、かつ、溶液溜の下部
先端において成長時のスライダの進行方向に上り傾斜を
付け、スライダの進行時、基板ホルダの基板保持部にお
けるわずか凹凸を円滑に進行できるように構成するもの
である。以下図１〜図３に示す実施例により本発明を説
明する。図６と同一部分は同一符号で示す。図１は上面
図、図２は断面図である。スライダ１はスライダ基板９
と第１、第２エピタキシャル層用溶液溜２，３よりな
る。溶液溜の数は図の２個に限定されるものではない。
これら独立の溶液溜２，３は上下方向で開口している。
この溶液溜２，３はスライダ基板９の長手方向で、スラ
イダ基板面を貫通して設けられた、溶液溜外形断面対応
の穴に嵌め込まれ、スライダ基板９に対し上下の方向で
移動できるように組合わされる。なお、スライダ基板９
の下面は長手方向両側下部に脚部10を備えている。基板
ホルダ６にはその面に基板収納部５を形成し、その長手
方向両側には、前記スライダ基板９の両側の脚部10と接
する案内部11を備えている。更にスライダ１の液相エピ
タキシャル成長時のスライド方向において前部となる各
溶液溜２，３の下面に上り傾斜をつけ、傾斜面12を形成
している。溶液溜２，３の下部開口部の幅は基板４の幅
より小さく形成しており、基板収納部５の深さは基板４
の厚みと同じか、わずかに浅くしている。
決するため、液相エピタキシャル成長用カーボンボート
を構成するスライダを改善して、スライダをスライダ基
板と独立した溶液溜とで構成し、スライダ基板面に形成
した貫通穴に前記溶液溜を嵌め込んで、前記基板に対し
て上下方向に移動できるようにし、かつ、溶液溜の下部
先端において成長時のスライダの進行方向に上り傾斜を
付け、スライダの進行時、基板ホルダの基板保持部にお
けるわずか凹凸を円滑に進行できるように構成するもの
である。以下図１〜図３に示す実施例により本発明を説
明する。図６と同一部分は同一符号で示す。図１は上面
図、図２は断面図である。スライダ１はスライダ基板９
と第１、第２エピタキシャル層用溶液溜２，３よりな
る。溶液溜の数は図の２個に限定されるものではない。
これら独立の溶液溜２，３は上下方向で開口している。
この溶液溜２，３はスライダ基板９の長手方向で、スラ
イダ基板面を貫通して設けられた、溶液溜外形断面対応
の穴に嵌め込まれ、スライダ基板９に対し上下の方向で
移動できるように組合わされる。なお、スライダ基板９
の下面は長手方向両側下部に脚部10を備えている。基板
ホルダ６にはその面に基板収納部５を形成し、その長手
方向両側には、前記スライダ基板９の両側の脚部10と接
する案内部11を備えている。更にスライダ１の液相エピ
タキシャル成長時のスライド方向において前部となる各
溶液溜２，３の下面に上り傾斜をつけ、傾斜面12を形成
している。溶液溜２，３の下部開口部の幅は基板４の幅
より小さく形成しており、基板収納部５の深さは基板４
の厚みと同じか、わずかに浅くしている。
【０００５】
【作用】図３は成長前の状態であり、図４は第１エピタ
キシャル層成長時の状態を示す。図４の状態では、溶液
溜２は基板４の上に乗っている状態を示すが、図３の状
態より図４の状態に至る間において、たとえ、基板４の
厚みが基板収納部５の深さより厚くても、前記傾斜面12
の存在により溶液溜２は若干上昇し、スムースなスライ
ドが可能となる。図５は第２エピタキシャル層成長時の
状態を示している。この場合、図４より図５の位置にス
ムースにスライドし自重により溶液溜２は若干下降して
基板ホルダ６の面に接し、溶液溜３は若干上昇して基板
４の上に乗った状態となる。このようにスムースなスラ
イドの状態が可能となるため、エピタキシャル成長後の
基板面における溶液の残留を少なくすることができる。
キシャル層成長時の状態を示す。図４の状態では、溶液
溜２は基板４の上に乗っている状態を示すが、図３の状
態より図４の状態に至る間において、たとえ、基板４の
厚みが基板収納部５の深さより厚くても、前記傾斜面12
の存在により溶液溜２は若干上昇し、スムースなスライ
ドが可能となる。図５は第２エピタキシャル層成長時の
状態を示している。この場合、図４より図５の位置にス
ムースにスライドし自重により溶液溜２は若干下降して
基板ホルダ６の面に接し、溶液溜３は若干上昇して基板
４の上に乗った状態となる。このようにスムースなスラ
イドの状態が可能となるため、エピタキシャル成長後の
基板面における溶液の残留を少なくすることができる。
【０００６】
【試験例】このカーボンボートを用いて、ＧａＡｓ基板
上にＡｌＧａＡｓエピタキシャル層を２層成長させた。
エピタキシャル成長用溶液の量は表１の通りである。基
板４の厚みは 400μｍと 420μｍの２種類を試みた。基
板収納部５の深さは 400μｍである。図３の状態で水素
ガスを流した反応管内に保持し 850℃に昇温した後反応
管外よりスライダを操作して図４の状態にし、 830℃ま
で20分かけて冷却した。その後図５の状態にして、 810
℃まで20分で冷却し更にスライダをスライドさせてから
室温まで冷却し、反応管外に取り出した。得られたエピ
タキシャル層の厚みは、第１層が10μｍ、第２層が８μ
ｍであった。 400μｍと420μｍの２種類の基板共に、
成長用溶液の基板上への残留は、ほとんど見られなかっ
た。
上にＡｌＧａＡｓエピタキシャル層を２層成長させた。
エピタキシャル成長用溶液の量は表１の通りである。基
板４の厚みは 400μｍと 420μｍの２種類を試みた。基
板収納部５の深さは 400μｍである。図３の状態で水素
ガスを流した反応管内に保持し 850℃に昇温した後反応
管外よりスライダを操作して図４の状態にし、 830℃ま
で20分かけて冷却した。その後図５の状態にして、 810
℃まで20分で冷却し更にスライダをスライドさせてから
室温まで冷却し、反応管外に取り出した。得られたエピ
タキシャル層の厚みは、第１層が10μｍ、第２層が８μ
ｍであった。 400μｍと420μｍの２種類の基板共に、
成長用溶液の基板上への残留は、ほとんど見られなかっ
た。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、スラ
イド法による液相エピタキシャル成長において、基板の
厚みが変わっても特別な調整無しに、成長用溶液の残留
がないエピタキシャル基板を得ることが出来る。
イド法による液相エピタキシャル成長において、基板の
厚みが変わっても特別な調整無しに、成長用溶液の残留
がないエピタキシャル基板を得ることが出来る。
【図１】本発明実施例の平面図を示す。
【図２】図１の実施例のＡ−Ａ方向断面図を示す。
【図３】図１の実施例のＢ−Ｂ方向断面図を示す。
【図４】図１の実施例の動作説明図である。
【図５】図１の実施例の動作説明図である。
【図６】従来のカーボンボートを長さ方向断面図で示
す。
す。
１ スライダ ２ 第１エピタキシャル層用溶液溜 ３ 第２エピタキシャル層用溶液溜 ４ 基板 ５ 基板収納部 ６ 基板ホルダ ７ 第１エピタキシャル層用溶液 ８ 第２エピタキシャル層用溶液 ９ スライダ基板 10 脚部 11 案内部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 スライド法による液相エピタキシャル成
長用カーボンボートにおいて、カーボンボートは基板収
納部を備える基板ホルダと該基板ホルダの長手方向に移
動できるスライダよりなり、該スライダは基板ホルダに
対し上下方向に移動でき、下部開口部の幅が基板のそれ
より小さく、且つスライド方向下面に上り傾斜をつけた
溶液溜をスライダ基板に備えることを特徴とする液相エ
ピタキシャル成長用カーボンボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18009791A JPH054892A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 液相エピタキシヤル成長用カーボンボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18009791A JPH054892A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 液相エピタキシヤル成長用カーボンボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH054892A true JPH054892A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=16077382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18009791A Pending JPH054892A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 液相エピタキシヤル成長用カーボンボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH054892A (ja) |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP18009791A patent/JPH054892A/ja active Pending
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