JPH0334848B2 - - Google Patents
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- JPH0334848B2 JPH0334848B2 JP60269713A JP26971385A JPH0334848B2 JP H0334848 B2 JPH0334848 B2 JP H0334848B2 JP 60269713 A JP60269713 A JP 60269713A JP 26971385 A JP26971385 A JP 26971385A JP H0334848 B2 JPH0334848 B2 JP H0334848B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- substrate
- layer
- growth
- holder
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は量子井戸型エピタキシヤル層の形成に
用いる液相成長方法に関するものである。
用いる液相成長方法に関するものである。
従来の技術
従来、量子井戸型エピタキシヤル層の形成は、
分子線エピタキシヤル法や有機金属気相成長方法
等が主として用いられ、液相エピタキシヤル法に
よる量子井戸型エピタキシヤル層の形成は極薄膜
（300Å）の制御性が極めて困難なため、殆んど
が実施されていなかつた。
分子線エピタキシヤル法や有機金属気相成長方法
等が主として用いられ、液相エピタキシヤル法に
よる量子井戸型エピタキシヤル層の形成は極薄膜
（300Å）の制御性が極めて困難なため、殆んど
が実施されていなかつた。
ところがエピタキシヤル層の成長装置の簡便
さ、価格あるいは成長層自体の結晶性等におい
て、現在のところ液相エピタキシヤル法が最も優
れていることは広く衆知の事実であり、液相エピ
タキシヤル法によつて制御性良く量子井戸型エピ
タキシヤル層を形成することは実用上極めて重要
である。
さ、価格あるいは成長層自体の結晶性等におい
て、現在のところ液相エピタキシヤル法が最も優
れていることは広く衆知の事実であり、液相エピ
タキシヤル法によつて制御性良く量子井戸型エピ
タキシヤル層を形成することは実用上極めて重要
である。
従来の液相エピタキシヤル法による量子井戸
型、とりわけ多重量子井戸型エピタキシヤル層の
形成は、通常、縦型電気炉を用いた回転方式によ
り順次エピタキシヤル層を積層していく方法がと
られていた。
型、とりわけ多重量子井戸型エピタキシヤル層の
形成は、通常、縦型電気炉を用いた回転方式によ
り順次エピタキシヤル層を積層していく方法がと
られていた。
しかし、縦型電気炉は一般的にいつて成長管内
への成長ボートの出し入れがめんどうであり、ま
た基板の大きさも制限されるため、一般的には横
型電気炉が広く用いられているのが現状である。
したがつてここでは広く利用されている横型電気
炉による液相エピタキシヤル量子井戸型層の形成
に関する従来例について説明する。
への成長ボートの出し入れがめんどうであり、ま
た基板の大きさも制限されるため、一般的には横
型電気炉が広く用いられているのが現状である。
したがつてここでは広く利用されている横型電気
炉による液相エピタキシヤル量子井戸型層の形成
に関する従来例について説明する。
実際上、液相エピタキシヤル法により量子井戸
型構造の作製方法については、特願昭59−216654
号で出願されている。この特許の概要について以
下に簡単に説明する。
型構造の作製方法については、特願昭59−216654
号で出願されている。この特許の概要について以
下に簡単に説明する。
液相成長法で極薄膜（500Å）のエピタキシ
ヤル層を形成する場合、通常１秒以下の非常に短
い成長時間で成長する必要がある。そのため、基
板を摺動させて溶液と完全に接触させるまでの時
間t1と基板を摺動させて溶液を完全にワイプオフ
させるまでの時間t3の和（t1＋t3）が、基板と溶
液とが停止して保持される時間t2と同程度か長い
場合、成長時間が規定出来ず成長層厚を制御出来
ないため、溶液と接触させる間は基板を停止する
ことなく基板を摺動した状態で成長を行なう「摺
動成長」の方法をとつている。従来例の前記特許
出願で用いられている装置系の概略図を第５図に
示す。１は基板、２，３，４は成長溶液、５は摺
動可能な基板を収納するスライダー、６は成長溶
液を収納する溶液ホルダー、７はボート台であ
る。しかしながら多重量子井戸構造を作製する場
合、成長溶液２，４をバリア層溶液、３を極薄膜
の井戸層溶液とすると、基板１をバリア層溶液２
と４で基板１を停止させてバリア層を成長させ、
溶液２と４間で基板１を摺動させて井戸層を成長
することになるが（Y.ササイ他、ジヤパニーズ
ジヤーナルオブアブライドフイジクス（Y.Sasai
etal J.J.A.P.）vol.24.1985P.L137−L139）この
場合、井戸層の禁止帯幅がわずかにずれてしま
い、多重量子層の自然放出光の半値幅が、バルク
層のものに比べかえつて広がつてしまう組成変動
の現象が発生する。その原因としては、基板１を
往復摺動させる際、井戸層溶液３がスライダー５
と接触しているため、井戸層溶液３の底表面がゆ
すられ溶液中の溶質の対流が加速されて、溶質濃
度の変動が起きるためと考えられる。さらに、従
来ではバリア層溶液での成長は、摺動成長を行な
つていないのでバリア層の膜厚制御性は悪い。
ヤル層を形成する場合、通常１秒以下の非常に短
い成長時間で成長する必要がある。そのため、基
板を摺動させて溶液と完全に接触させるまでの時
間t1と基板を摺動させて溶液を完全にワイプオフ
させるまでの時間t3の和（t1＋t3）が、基板と溶
液とが停止して保持される時間t2と同程度か長い
場合、成長時間が規定出来ず成長層厚を制御出来
ないため、溶液と接触させる間は基板を停止する
ことなく基板を摺動した状態で成長を行なう「摺
動成長」の方法をとつている。従来例の前記特許
出願で用いられている装置系の概略図を第５図に
示す。１は基板、２，３，４は成長溶液、５は摺
動可能な基板を収納するスライダー、６は成長溶
液を収納する溶液ホルダー、７はボート台であ
る。しかしながら多重量子井戸構造を作製する場
合、成長溶液２，４をバリア層溶液、３を極薄膜
の井戸層溶液とすると、基板１をバリア層溶液２
と４で基板１を停止させてバリア層を成長させ、
溶液２と４間で基板１を摺動させて井戸層を成長
することになるが（Y.ササイ他、ジヤパニーズ
ジヤーナルオブアブライドフイジクス（Y.Sasai
etal J.J.A.P.）vol.24.1985P.L137−L139）この
場合、井戸層の禁止帯幅がわずかにずれてしま
い、多重量子層の自然放出光の半値幅が、バルク
層のものに比べかえつて広がつてしまう組成変動
の現象が発生する。その原因としては、基板１を
往復摺動させる際、井戸層溶液３がスライダー５
と接触しているため、井戸層溶液３の底表面がゆ
すられ溶液中の溶質の対流が加速されて、溶質濃
度の変動が起きるためと考えられる。さらに、従
来ではバリア層溶液での成長は、摺動成長を行な
つていないのでバリア層の膜厚制御性は悪い。
発明が解決しようとする問題点
上記の如く従来の方法では、液相成長法による
多重量子井戸構造の作製の際、各井戸層の組成が
僅かずつ異なるという欠点があつた。従つて本発
明では、各井戸層の組成を均一化し、かつ各井戸
層共に充分に薄層化するための手法を提供するも
のである。また、本発明はバリア層の膜厚制御性
を向上させるための手法も同時に提供することに
より、均一性良く極薄膜エピタキシヤル多層膜を
形成する方法を提供するものである。
多重量子井戸構造の作製の際、各井戸層の組成が
僅かずつ異なるという欠点があつた。従つて本発
明では、各井戸層の組成を均一化し、かつ各井戸
層共に充分に薄層化するための手法を提供するも
のである。また、本発明はバリア層の膜厚制御性
を向上させるための手法も同時に提供することに
より、均一性良く極薄膜エピタキシヤル多層膜を
形成する方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するため、溶液ホルダー内
のバリア層及び井戸層用の溶液穴の側壁が前記溶
液穴の底面部の穴の方が上面部の穴より小さくな
るように傾斜状とし、かつ底面部の幅は基板より
小さくすることによつて、溶液の底部の溶質濃度
の対流を効果的に防ぎ、さらに溶液穴の外壁の広
さを基板より大きくし、多重量子井戸層の作製の
際、各500Å以下のバリア層及び井戸層の組成の
均一化を図り、良好な極薄膜エピタキシヤル多層
膜を得るものである。
のバリア層及び井戸層用の溶液穴の側壁が前記溶
液穴の底面部の穴の方が上面部の穴より小さくな
るように傾斜状とし、かつ底面部の幅は基板より
小さくすることによつて、溶液の底部の溶質濃度
の対流を効果的に防ぎ、さらに溶液穴の外壁の広
さを基板より大きくし、多重量子井戸層の作製の
際、各500Å以下のバリア層及び井戸層の組成の
均一化を図り、良好な極薄膜エピタキシヤル多層
膜を得るものである。
作 用
上記手段に基づく作用は以下の通りである。即
ち、溶液穴の側壁の形状を上記のような傾斜状に
することにより、溶液が底部の方向に溶液の自重
が加重され、とりわけ底面部の幅を基板より小さ
くすることにより前記溶液底部の側壁近傍の圧力
がより一層大きくなり、前記溶液底部はスライダ
ーの摺動に対して流動がかなり緩和され、前記溶
液の底部における溶質濃度はほとんど変化しなく
なり、再現性良く組成の均一化を図ることができ
る。さらに、基板が停止する外側溶液壁の広さを
基板よりも大きくすることにより、停止中での成
長を生じさせず、均一な極薄膜エピタキシヤル多
層膜を形成することができる。
ち、溶液穴の側壁の形状を上記のような傾斜状に
することにより、溶液が底部の方向に溶液の自重
が加重され、とりわけ底面部の幅を基板より小さ
くすることにより前記溶液底部の側壁近傍の圧力
がより一層大きくなり、前記溶液底部はスライダ
ーの摺動に対して流動がかなり緩和され、前記溶
液の底部における溶質濃度はほとんど変化しなく
なり、再現性良く組成の均一化を図ることができ
る。さらに、基板が停止する外側溶液壁の広さを
基板よりも大きくすることにより、停止中での成
長を生じさせず、均一な極薄膜エピタキシヤル多
層膜を形成することができる。
実施例
まず傾斜状溶液穴による効果を第１図を用いて
説明する。なお、第１図中、第５図と同一構成部
分には同一番号を付して説明を省略する。また以
下では説明を簡単にかつ具体化するために、
InGaAsP，InPの多重量子井戸型エピタキシヤル
層の形成例について示す。
説明する。なお、第１図中、第５図と同一構成部
分には同一番号を付して説明を省略する。また以
下では説明を簡単にかつ具体化するために、
InGaAsP，InPの多重量子井戸型エピタキシヤル
層の形成例について示す。
ここにおけるボート構造と従来のものとの差異
は、第１，５図を比較して見てわかるように、井
戸層溶液用の溶液穴の側壁８が、溶液穴の上面で
広く、底面で狭くなつた傾斜状になつており、か
つ底面の幅が基板１よりも小さくなつている点に
ある。
は、第１，５図を比較して見てわかるように、井
戸層溶液用の溶液穴の側壁８が、溶液穴の上面で
広く、底面で狭くなつた傾斜状になつており、か
つ底面の幅が基板１よりも小さくなつている点に
ある。
成長条件は溶液ソーク620℃１時間、冷却速度
0.7℃／分で温度を降下させて、590℃から水素ガ
ス雰囲気中で成長を行なつた。成長の開始は、ま
ずInP基板１を摺動させてInPバリア層溶液２に
停止して基板１上にInPバリア層上に成長を行な
つた後、一定速度（20mm／sec）で基板１を一挙
にInPバリア層溶液４まで摺動させ、その摺動の
間にInP基板１はInGaAsP井戸層３と接触するた
め、極薄膜（〜100Å）のInGaAsP井戸層が形成
され、次にInPバリア層が成長する。バリア層溶
液４によるInPバリア層成長後、再び基板１を一
挙にInPバリア層溶液２まで摺動させ、上記のよ
うに順次InGaAsP井戸層およびInPバリア層を成
長する。なお井戸層溶液３の溶液穴の底面の幅は
５mmであり、第１図からも明らかなごとく基板１
よりも小さい。以上のように、基板１をバリア層
溶液２と４の間を往復摺動させることによつて多
重量子井戸層を形成する。このようにして作製し
たInGaAsP（λｇ＝1.25μm、Lz〜200Å）／InP
５層ペアの多重量子井戸層の77Kにおけるフオト
ルミネツセンススペクトルを第２図に示す。なお
比較のため、従来の方法によつて作製した多重量
子井戸層のものおよび同組成InGaAsPの厚膜層
（厚み〜1μm）についても比較のため添付した。
励起光源に波長5145ÅのArレーザを使用した。
第２図中の縦軸の発光強度は任意単位である。第
２図について注目すべき点はスペクトル半値幅に
関して、従来例の方法によるものは約50meVに
対して、第１図による方法で作製したものは約
16meVと厚膜層と同程度の半値幅が得られ、各
井戸層間の組成バラツキ変動がかなり抑えられて
いることがわかる。実際、従来の製法によるもの
は、発光スペクトルのピークが矢印で示されてい
るように３ケ所存在し、同じ成長井戸層溶液を用
いているにもかかわらず５層ある井戸層の組成が
分裂していることを明確にあらわしている。
0.7℃／分で温度を降下させて、590℃から水素ガ
ス雰囲気中で成長を行なつた。成長の開始は、ま
ずInP基板１を摺動させてInPバリア層溶液２に
停止して基板１上にInPバリア層上に成長を行な
つた後、一定速度（20mm／sec）で基板１を一挙
にInPバリア層溶液４まで摺動させ、その摺動の
間にInP基板１はInGaAsP井戸層３と接触するた
め、極薄膜（〜100Å）のInGaAsP井戸層が形成
され、次にInPバリア層が成長する。バリア層溶
液４によるInPバリア層成長後、再び基板１を一
挙にInPバリア層溶液２まで摺動させ、上記のよ
うに順次InGaAsP井戸層およびInPバリア層を成
長する。なお井戸層溶液３の溶液穴の底面の幅は
５mmであり、第１図からも明らかなごとく基板１
よりも小さい。以上のように、基板１をバリア層
溶液２と４の間を往復摺動させることによつて多
重量子井戸層を形成する。このようにして作製し
たInGaAsP（λｇ＝1.25μm、Lz〜200Å）／InP
５層ペアの多重量子井戸層の77Kにおけるフオト
ルミネツセンススペクトルを第２図に示す。なお
比較のため、従来の方法によつて作製した多重量
子井戸層のものおよび同組成InGaAsPの厚膜層
（厚み〜1μm）についても比較のため添付した。
励起光源に波長5145ÅのArレーザを使用した。
第２図中の縦軸の発光強度は任意単位である。第
２図について注目すべき点はスペクトル半値幅に
関して、従来例の方法によるものは約50meVに
対して、第１図による方法で作製したものは約
16meVと厚膜層と同程度の半値幅が得られ、各
井戸層間の組成バラツキ変動がかなり抑えられて
いることがわかる。実際、従来の製法によるもの
は、発光スペクトルのピークが矢印で示されてい
るように３ケ所存在し、同じ成長井戸層溶液を用
いているにもかかわらず５層ある井戸層の組成が
分裂していることを明確にあらわしている。
以上のように本第１図の方法によれば、多重量
子井戸層の作製において、各井戸層の組成を均一
化することができることは明らかである。一方、
バリア層がInGaAsPのように多元系混晶の場合
も同様に組成の均一化が要求される。このような
場合も第３図のように、バリア層溶液穴の形状を
傾斜状の側壁にしてやれば組成の均一化がはから
れ、特性上優れた多重量子井戸層が形成できる。
子井戸層の作製において、各井戸層の組成を均一
化することができることは明らかである。一方、
バリア層がInGaAsPのように多元系混晶の場合
も同様に組成の均一化が要求される。このような
場合も第３図のように、バリア層溶液穴の形状を
傾斜状の側壁にしてやれば組成の均一化がはから
れ、特性上優れた多重量子井戸層が形成できる。
次に上記作製方法を用いた一実施例として
1.3μm帯多重量子井戸型半導体レーザのエピウエ
ハーの作製方法の実施例を第４図を用いて以下に
示す。なお第４図中、第５図と同一構成部分には
同一番号を付して説明を省略する。１０は基板１
の表面をエツチングするメルトバツク溶液、１１
はｎ型InPバツフアー層溶液、１２はｐ型InPク
ラツド層溶液、１３はｐ型InGaAsPコンタクト
層溶液である。成長条件は、まず620℃１時間溶
液の溶かし込みを行なつた後0.7℃／分の冷却速
度で温度を降下させて、595℃から基板１を摺動
させてメルトバツク溶液と数秒間接触させてメル
トバツクを行なう。次に基板１を摺動させてｎ型
InPバツフアー層溶液１１と数100秒接触させて
ｎ型InPバツフアー層を成長する。
1.3μm帯多重量子井戸型半導体レーザのエピウエ
ハーの作製方法の実施例を第４図を用いて以下に
示す。なお第４図中、第５図と同一構成部分には
同一番号を付して説明を省略する。１０は基板１
の表面をエツチングするメルトバツク溶液、１１
はｎ型InPバツフアー層溶液、１２はｐ型InPク
ラツド層溶液、１３はｐ型InGaAsPコンタクト
層溶液である。成長条件は、まず620℃１時間溶
液の溶かし込みを行なつた後0.7℃／分の冷却速
度で温度を降下させて、595℃から基板１を摺動
させてメルトバツク溶液と数秒間接触させてメル
トバツクを行なう。次に基板１を摺動させてｎ型
InPバツフアー層溶液１１と数100秒接触させて
ｎ型InPバツフアー層を成長する。
次に、多重量子井戸層の作製であるが、上記の
ｎ型InPバツフアー層の成長後直ちに基板１を溶
液４と１２の間にある基板１が溶液４，１２と接
触しないだけの十分の広さをもつた溶液間壁１４
まで一挙に一定速度（たとえば20mm／秒）で摺動
し、λｇ＝1.05μmInGaAsPバリア層（厚み200
Å）、λｇ＝1.3μmInGaAsP井戸層（Lz〜200
Å）、およびλｇ＝1.05μmInGaAsPバリア層（厚
み200Å）の３層を順次、摺動成長をで成長を行
なう。溶液穴の外側溶液壁である壁４は基板１よ
り広いため、基板１がこの下で停止したとき成長
は全く生じない。したがつて、第５図の方法にお
いては、バリア層と井戸層の形成は基板の摺動時
にのみ行われ、より一層均一な多重量子井戸層の
形成が可能となる。そして、基板１を前記溶液間
壁１４と同様の主旨で作製した溶液間壁１５の所
まで一挙に一定速度（20mm／sec）で摺動させて、
順次、λｇ＝1.05μmInGaAsPバリア層（厚み200
Å）、λｇ＝1.3μmInGaAsP井戸層（Lz〜200
Å）、λｇ＝1.05μmInGaAsPバリア層（厚み200
Å）を成長する。このように多重量子井戸層は、
成長１を溶液間壁１４と１５の間で往復摺動させ
て成長を行ない、多重量子井戸層の成長後、順次
基板１を摺動させて、Ｐ型InPクラツド層および
ｐ型InGaAsPコンタクト層の成長を行なつて
1.3μm帯多重量子井戸型半導体レーザのエピウエ
ハーの作製が完了する。
ｎ型InPバツフアー層の成長後直ちに基板１を溶
液４と１２の間にある基板１が溶液４，１２と接
触しないだけの十分の広さをもつた溶液間壁１４
まで一挙に一定速度（たとえば20mm／秒）で摺動
し、λｇ＝1.05μmInGaAsPバリア層（厚み200
Å）、λｇ＝1.3μmInGaAsP井戸層（Lz〜200
Å）、およびλｇ＝1.05μmInGaAsPバリア層（厚
み200Å）の３層を順次、摺動成長をで成長を行
なう。溶液穴の外側溶液壁である壁４は基板１よ
り広いため、基板１がこの下で停止したとき成長
は全く生じない。したがつて、第５図の方法にお
いては、バリア層と井戸層の形成は基板の摺動時
にのみ行われ、より一層均一な多重量子井戸層の
形成が可能となる。そして、基板１を前記溶液間
壁１４と同様の主旨で作製した溶液間壁１５の所
まで一挙に一定速度（20mm／sec）で摺動させて、
順次、λｇ＝1.05μmInGaAsPバリア層（厚み200
Å）、λｇ＝1.3μmInGaAsP井戸層（Lz〜200
Å）、λｇ＝1.05μmInGaAsPバリア層（厚み200
Å）を成長する。このように多重量子井戸層は、
成長１を溶液間壁１４と１５の間で往復摺動させ
て成長を行ない、多重量子井戸層の成長後、順次
基板１を摺動させて、Ｐ型InPクラツド層および
ｐ型InGaAsPコンタクト層の成長を行なつて
1.3μm帯多重量子井戸型半導体レーザのエピウエ
ハーの作製が完了する。
なお、実施例において、エピタキシヤル層の構
成に多重量子井戸型層を用いて説明したが、単一
量子井戸型層はちろんのこと、厚膜の多層構造の
エピタキシヤル層の成長に対しても有効であるこ
とはいうまでもない。また傾斜状の側壁を有する
溶液穴に関して、傾斜角は60゜〜80゜の範囲のもの
が比較的良好な結果が得られた。また、傾斜状の
側壁を有する溶液穴に収納する溶液上に適度の重
しをのせてやればより一層の効果が期待できる。
成に多重量子井戸型層を用いて説明したが、単一
量子井戸型層はちろんのこと、厚膜の多層構造の
エピタキシヤル層の成長に対しても有効であるこ
とはいうまでもない。また傾斜状の側壁を有する
溶液穴に関して、傾斜角は60゜〜80゜の範囲のもの
が比較的良好な結果が得られた。また、傾斜状の
側壁を有する溶液穴に収納する溶液上に適度の重
しをのせてやればより一層の効果が期待できる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、摺動成長にお
いて傾斜状の側壁を持つ溶液穴を用い、かつ溶液
穴の底面を基板より小さくし、さらに溶液穴の外
側壁を基板より広くして成長してやれば、組成の
均一性の極めて高いバリア層および井戸層（500
Å以下）を有する極薄膜のエピタキシヤル多層膜
を再現性良く得ることが可能となり、量子井戸構
造を有する半導体素子の製造に大きく寄与するも
のである。
いて傾斜状の側壁を持つ溶液穴を用い、かつ溶液
穴の底面を基板より小さくし、さらに溶液穴の外
側壁を基板より広くして成長してやれば、組成の
均一性の極めて高いバリア層および井戸層（500
Å以下）を有する極薄膜のエピタキシヤル多層膜
を再現性良く得ることが可能となり、量子井戸構
造を有する半導体素子の製造に大きく寄与するも
のである。
第１図は本発明における液相成長方法を説明す
るための成長ボートの断面図、第２図は第１図の
液相成長方法で作製した試料と従来の方法で作成
した77Kにおけるフオトルミネツセンスによる特
性比較図、第３図は本発明の一実施例における液
相成長方法を説明するための成長ボートの断面
図、第４図は同実施例の方法を用いた多重量子井
戸型半導体レーザのエピタキシヤル層作製のため
の成長ボートの断面図、第５図は、従来の液相成
長方法を説明するための成長ボートの断面図であ
る。 ２，４……バリア層溶液、３……井戸層溶液、
８……傾斜状側壁、１４，１５……基板待機用空
間。
るための成長ボートの断面図、第２図は第１図の
液相成長方法で作製した試料と従来の方法で作成
した77Kにおけるフオトルミネツセンスによる特
性比較図、第３図は本発明の一実施例における液
相成長方法を説明するための成長ボートの断面
図、第４図は同実施例の方法を用いた多重量子井
戸型半導体レーザのエピタキシヤル層作製のため
の成長ボートの断面図、第５図は、従来の液相成
長方法を説明するための成長ボートの断面図であ
る。 ２，４……バリア層溶液、３……井戸層溶液、
８……傾斜状側壁、１４，１５……基板待機用空
間。
Claims (1)
- １ 基板を収納する基板ホルダーとバリア層およ
び井戸層溶液をそれぞれ収納する溶液穴を設けた
溶液ホルダーを有し、前記基板ホルダーと前記溶
液ホルダーが相対的に摺動可能な成長ボートを用
い、前記溶液ホルダー内の溶液穴の側面は上面部
が底面部より大きい傾斜状とし、かつ前記底面部
の幅は前記基板より小さくして摺動時に起こる前
記溶液底面部の溶液の対流を抑え、前記溶液穴の
外側壁は前記基板が前記溶液壁下にあるとき前記
溶液に接触しない広さを有し、前記外側壁下で前
記基板を停止させるとともに、前記溶液外側間に
おいて前記基板が停止させることなく前記基板ホ
ルダーと前記溶液ホルダーとを一定速度で摺動さ
せることにより、500Å以下の前記バリア層およ
び井戸層を有する極薄膜のエピタキシヤル多層膜
を形成することを特徴とする液相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60269713A JPS62128522A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 液相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60269713A JPS62128522A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 液相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128522A JPS62128522A (ja) | 1987-06-10 |
| JPH0334848B2 true JPH0334848B2 (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17476134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60269713A Granted JPS62128522A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 液相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128522A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01186614A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液相エピタキシャル成長方法 |
| JPH02253613A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-12 | Univ Nagoya | 半導体多層薄膜の作成方法 |
| JPH04137779A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911276A (ja) * | 1972-05-29 | 1974-01-31 | ||
| JPS52106673A (en) * | 1976-03-04 | 1977-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Crystal growing method and device thereof |
| JPS5384457A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Fujitsu Ltd | Liquid-phase epitaxial growth method |
| JPS54115062A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | Liquid phase epitaxial growth unit |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60269713A patent/JPS62128522A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62128522A (ja) | 1987-06-10 |
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