JPH05504830A - 光学的分析用センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光学的分析用センサ 本発明は蛍光増大装置に関し、特に、蛍光分析装置に使用する装置、および化学 物質または生化学物質の分析方法に関する。

蛍光バイオセンサの使用を含み、消失性液結合技術を用いた分析方法が知られて いる（例えば、欧州特願公開第１７０３７６号を参照されたい）０本発明は、信 号／ノイズ比を改良し感度を増大し得る消失性液結合技術を用いた分析を実施す るための手段を提供するものである。

米国特許第４６４９２８０号は蛍光層および導電材料層を両面に有する所定厚さ のｖ：を屡により画成された導波路を備えた蛍光増大装置について記載している ０本発明は導電層の必要を回避し、それにより材料コストを低減し、装置の製造 をより容易にするものである。また、本発明によれば、センサを製造する際、設 計上の自由度がより高（なり、使用する光の波長範囲がより広くなる。さらに、 本発明による方法は偏光に依存するものではない。

本発明によれば、光学的方法により化学物質または生化学物質を分析するのに使 用するセンサ装置において、（ａ）少なくとも分析に係わる光線の波長で透明な 誘電基質と；（ｂ）この基質よりも高い屈折率を有する誘電材料の薄膜導波路と ： この導波路は行われる分析に適した試薬の層（連続または不連続）を有しており 、上記試薬は基質から離れた導波路の表面に直接または間接的に不動化されてお り、 （ｃ）（ａ）と（ｂ）との間に介在されて、基質よりも低い屈折率の誘電材料の 緩衝層と：を備え、この緩衝層および導波路の厚さは使用中、１つまたはそれ以 上の導波モードが導波路内を伝搬されるような厚さであること特徴とするセンサ 装置が提供される。

好適な実施例では、緩衝層および導波路の厚さは単一の横方向磁気（ＴＭ）およ び／または単一の横方向電気（ＴＥ）導波モードが導波路内を伝搬できる程度の ものである。

金属層を有していない光学的構造体を使用することにより得られる実際の利点は 真空蒸発技術を必要とせずともかがる装置の製造が可能であり、例えば、スパン 被覆ホスフェートガラスを使用できるという点である。

更に、５’ｌ、Ｍ面層、導波路および溶液の屈折率の所定の組み合わせを使用す ることにより、消失性基を従来公知な装置のものよりも強く制限できる装置を設 計することが原則的に可能である。従って、この装置を蛍光測定分析方法に使用 すると、装置の表面に結合された発蛍光団と溶液中の発蛍光団との識別が良好に なる。さらに、消失性基の強さが増大され、その結果、消失性場内の発蛍光団の 励起が太き（なり、それにより従来公知の装置と比較して発生光の強さを向上で きる。

基質用の適した材料としては、ガラス、アクリルおよびポリスチレンプラスナッ ク、シリカおよび石英があり、緩衝層用に通した材料としては、光学的に透明な 薄膜として形成することのできる屈折率の適度に低いものであれば良く、例えば 、フン化マグネシウム、フン化リチウム、二酸化珪素、およびホスフェートガラ スがあり、また導波路層用に適した材料としては、光学的に透明な薄膜として形 成することができる屈折率の適度に高いものであれば良く、例えば、硫化亜鉛、 セレン化亜鉛、ホスフェートガラス、ニオブ酸リチウム、酸化錫、および適当な ポリマー、例えば、ポリスチレンがある。

好ましくは、緩衝層の厚さは０．１〜２ミクロンであり（例えば、ｈｏｔの緩衝 層の厚さは０．６　ミクロンであり、？１ｇＦ、の緩衝層の厚さは０．７　ミク ロンである）、導波路層の厚さは０．１６〜１．０　ミクロンである（例えば、 酸化錫の導波路層の厚さは０，３２ミクロンであり、ＺｎＳの導波路層の厚さは ０．２　ミクロンである）、基質層の厚さはセンサの作用に対して重要ではない 。

最大の効果を得るためには、センサ装置の種々の眉間の界面は滑らかでかつ平行 であるべきである。

本発明のセンサは分析される種（以後、配位子と称す）と配位子用の特定の結合 物質（以後、特定の結合パートナと称す）との間の親和力に基づいた分析方法に 使用するのに特に通している。より詳細には、本発明のセンサは適切な試薬と共 役した発蛍光団により発光された蛍光の測定を含む分析に使用することができる 。

行われる分析に通した試薬は分析下の配位子用の特定の結合パートナ或いは配位 子アナログであってもよい、このような物質の例は後で挙げる。

また、本発明のセンサは適切な試薬と共役する発色団による吸収量の測定を含む 分析にも使用される。

本発明の更に他の特徴によれば、以上で示したセンサを使用して試料中の配位子 を分析する方法において、（ａ）以下の成分（ｉ）〜（ｉｉｉ）を同時に、或い は所望の順序で培養する工程と： （ｉ）試料； （ｉｉ）配位子に対する特定の結合パートナ；（■１）望むなら、特定の結合パ ートナおよび配位子アナログから選択された少なくとも１種の試薬。

試料以外の上記成分のうちの■つを上記センサの導波路表面に直接または間接的 に不動化し、試料以外の上記成分のうちの少なくとも１つを発蛍光団または発色 団で標識化し、（ｂ）基質と緩衝層との間の界面で全内部反射が起こるように適 切な波長の光を上記センサの基質の表面に法線に対する適当な角度で照射し、そ れにより関連した消失性基が上記センサの導波路層における１つまたはそれ以上 の導波モードの伝搬を起こす工程と；（ｃ）上記センサから出射する光線の適切 な光学的特性が錯体の形成により変化されるかどうかを判断し、また望むのであ れば、この変化した程度および／または変化した割合を測定する工程と：を含む 分析方法が提供される。上記センサの平面に対して所定の角度で測定された光の 光学的特性は例えば、波長、強さまたは偏光である。

適切な光学的特性の変化は例えば別の検定工程と関連して工程（ｃ）により、あ るいは試料および基準溶液を有する装置の夫々の帯域を培養することにより測定 することができる。

ここで使用する語「配位子アナログ１とは、配位子と同様に、特に同一の特定の 結合パートナの同一結合部位に結合し、配位子自身と識別できる配位子分子を範 囲内に含む種を意味している。

成分（ｉｉ）　（または成分（ｉｉ）および（ｉ　ｉ　ｉ）のうちの一方）を発 蛍光団で標識化する場合、工程（ｃ）の光線は蛍光光線である。

通切な試薬と共役された発色団による吸収量の測定を含む本発明による分析方法 では５分析および使用試薬は、成分（ｉｉ）　（または成分（ｉｉ）および（ｉ ｉ）のうちの一方）が発蛍光団に代わって発色団で標識化され、分析中に監視さ れるのは励起波長の光線の反射ビームの通切な光学的特性であること以外、上記 の蛍光測定分析方法と同様である。以後、本発明を蛍光測定分析方法について説 明する。

成分（ｉｉｉ）が存在しない場合、センサの導波路表面に直接または間接的に不 動化された試薬は発蛍光団で標識化される特定の結合パートナである。試薬およ び発蛍光団は、任意の配位子が試料中に存在した状態での錯体の形成で、蛍光光 線の強さの減少があるように蛍光の急冷が起こるように選択される。

成分（ｉｉｉ）が存在する場合、成分（ｉ　ｉ）および（ｉｉｉ）のうちの一方 はセンサの導波路表面に直接または間接的に不動化された試薬であり、この試薬 をここでは便宜上、試薬Ｙとして示し、成分（１１）および（ｉｉｉ）のうちの 他方をここでは便宜上、試薬Ｘ止して示す、試薬Ｘ、Ｙのうちの一方が配位子ア ナログよりなり、他方が配位子に対する特定の結合パートナよりなる場合、試薬 Ｘ、Ｙ間の錯体形成が直接性しても良い、また両試薬ｘ、Ｙが配位子に対する特 定の結合パートナよりなる場合には、試薬Ｘ、Ｙ間の錯体形成が配位子（試料中 に存在する場合）を介して間接的に生しても良い、−最に、発蛍光団で標識化さ れるのは試薬Ｘであり、錯体形成の結果、試薬Ｘ上に標識として存在する発蛍光 団は導波路表面に間接的に結合される。しかし、発蛍光団で標識化されるのが試 薬Ｙである場合、試薬および発蛍光団の適切な選択により、錯体形成時に蛍光の 急冷が起こることがある。

成分（ｉ　ｉ　ｉ）が存在する場合には培養の順序は重要ではないが、最後の成 分の導入の前ではなく、後に錯体を形成するのが好ましい。

しかし、これとは別に最後の成分の導入の前に錯体が存在することが可能であり 、この場合、最後の成分は予め存在している錯体の１種の成分を１換することに よって錯化される。最後の成分が試料であり、発蛍光団で標識化される成分が配 位子アナログである場合、試料中に存在する任意の配位子による配位子アナログ の置換の結果、蛍光光線の強さが減少する。

上述のように、試薬Ｙは導波路層の表面に直接または間接的に不動化されればよ い０例えば、試薬Ｙが抗体であるとき、上記導波路層の表面に自身が結合された 試薬Ｙに対する反種抗体により間接不動化を行ってよく、あるいはアビジン／ビ オチンまたはへブチフッ反ヘプテン系により間接不動化を行ってもよい。

本発明の技術によれば、センサの表面での錯体形成に対する応答を最大にするこ とが可能であり、蛍光測定分析方法に使用した場合には、未結合発蛍光団および ７ｇ液蛍光発光から生じるバックグラウンド信号を著しく減少させることが可能 である。

本発明によるセンサでは、緩衝層および導波路層は一部に両方とも使用した入射 光線の波長程度の厚さを有する。特に、先に述べたように、導波路は１つまたは それ以上の導波モードを支持するために適当な厚さのものであるべきであるが、 単一の導波ＴＥまたは７Ｍモードのみを支持する導波路材料を用いるのが特に好 ましい０例えば、厚さ０．６　ミクロンおよび屈折率１．４６の５ｉｆｈ緩衝層 を有し波長５８００ｍの入射光線を伴う屈折率１．５２の基質（例えば、クラウ ンガラス）では、導波ＴＥまたは７Ｍモードの伝搬に適した５ｎＯ１導波路層の 厚さはほぼ０，１６６ミフロン〜０．　ミクロンである。或いは、厚さ１ミクロ ンおよび屈折率１．３８０ＭｇＦχ緩衝層を有し波長５８０　ｎｒａの入射光線 を伴う（屈折率１．５２の）クラウンガラス基質では、導波ＴＥまたは７Ｍモー ドの伝搬に通したＺｎＳ導波路層の厚さはほぼｏ、１６ミクロン〜０．３３ミク ロンである。薄い導波路で導波が起きて消失性場内で励起エネルギを最大にする ために、導波路材料が試料の屈折率に対して高い屈折率（例えば、ＳｎＯ，の場 合、２．０　；　ＺｎＳの場合、２．３６）ををすることが重要である。

使用中の本発明の１つの可能なセンサの概略図である第１１ｊＪを参ｑｑシて本 発明の方法の光学性を以下に説明する。簡単化のために、基譬層の下方境界（及 びそこで生しる光の屈折）は図示していない。

光線（１）が基質（−２）と緩衝層（４）との間の界面（３）にこれらの眉間の 臨界角度θ。より大きい角度φで当たるように、すなわち、励起光線が全反射さ れ、消失性基が緩衝層（４）を透過するように、基質（２）を介して適切な波長 λ１の光線（１）をセンサに入射する。消失性結合の結果、励起波長λ、８の光 線が高屈折率の導波路（５）内を伝搬される。基質、緩衝層および導波路層につ いての屈折率および厚さを適切に選択すると、導波路と試料溶液（７）との界面 （６）での消失性基の強さを著しく増大することが可能である。第１図に示す特 定種類の分析の過程で、溶液中の遊離配位子分子（８）および蛍光配位子アナロ グ分子（９）が導波路表面に結合された相互の特定結合パートナ（１０）の特定 の結合位置のために争う、その結果、導波路表面で錯体（１１，１２）が形成さ れ、これらの錯体のいくつかは発蛍光団を有する。消失性基は導波路層の表面か ら指数関数的に減衰する。その結果、導波路表面における消失性場内の蛍光的に １ｍ化された分子だけが励起され、かくして、分析の結果として表面に結合され た発蛍光団と溶液中の未結合発蛍光団との識別を達成する。蛍光発光は同し光源 を使用して直接照射により達成することができるものより著しく強い、蛍光発光 の一部は公知の方法で装置を通して結合し直して基質に波長λ０．の発光の挟角 円錐体（１３）を生起させ、その角分布は導波路分散および蛍光発光スペクトル に依存する。その結果増大された挟角蛍光発光は公知の方法で測定すことができ る。第１図に示す発光円錐体は完全に概略的なものである。

増大された蛍光光線もまた試料溶液中に放出され、その光学的特性を測定するこ ともできる。或いは、適切な装置構成により、上記センサの基質または導波路層 の縁部から出射する光の検出を用いてもよい。

さらに、本発明は、使用中、光が上述したようなセンサに適当な角度で入射して 光学的構造体内で全反射を生じるように構成された平行化光線源と、出射蛍光光 線を検出する手段とを備え、前述の分析方法に使用するのに適した装置を提供す る。励起用光線を例えば１または２度以内に平行化し、使用中、例えばセンサの 基質の縁部を通しであるいはプリズムまたは格子カプラを経て上記装置内のセン サに導入してもよい、理想的には、入射光線は偏光されるが、未偏光入射光線を 使用してもよい。

本発明の更に他の特徴によれば、実施すべき分析に通した１種またはそれ以上の 試薬と共に上記のような本発明によるセンサを備えた上記のような分析に使用す るキントが提供される。試薬は特定の結合パートナおよび配位子アナログから選 択することができる。

本発明の方法を免疫学的検定に通用するのが好ましく、特に、欧州特願公開第０ １７１１４８号公報に記載のものと同様な、特に反応性の試料採取／試験装置を 使用するのが好ましい、かくして、本発明は、各々が試料液を毛管作用により吸 入できる程充分に小さい寸法の１つまたはそれ以上の空洞を有し、この空洞の壁 部の少なくとも一部が上記試料中の配位子を上記のように検出するためのセンサ よりなることを特徴とする装置を提供する０本発明のこの特定の実施例では、基 質自身は平面状導波路よりなる。

本発明の方法は抗原または抗体の分析、すなわち、免疫学的検定に特に遺してお り、本発明の好適な実施例では、配位子は抗原であり、特定の結合パートナは上 記抗原に対する抗体よりなる。しかし、本発明は抗体または抗原の分析だけに限 定されるのではないことを理解されたい、上述のように、本発明のよるセンサの 導波路表面に不動化された試薬は分析下の配位子に対する特定の結合パートナま たは配位子アナログのいずれかである０本発明の方法により分析し得る配位子の 例を、各場合の通切な特定の結合パートナの表示とともに下記表１に挙げである 。

ｌ土 抗原　特定の抗体 抗体　抗原 ホルモン　ホルモン受容体 ホルモン受容体　ホルモン ポリヌクレオチドストランド　相補ポリヌクレオチドストランドプロティンＡ　 免疫グロブリン 免疫グロブリン　プロティンＡ 酵素　酵素共同因子（基質） または反応抑制剤 酵素共同因子（基質）　酵素 または反応抑制剤 レクチン　特定の炭水化物 レクチンの　レクチン 特定の炭水化物 本発明の方法は非常に広い応用性があるが、特に、ペプチドホルモン（例えば、 甲状腺刺激ホルモン（ＴＳＨ）、黄体形成ホルモン（ＬＨ）　、人体詮も絨毛膜 ゴナドトロピン（ｈｃｃ）、小嚢刺激ホルモン（ＦＳＨ）、；ンシュリン及びプ ロラクチン）またはノンペプチドホルモン（例えば、コルチソル、エストラジオ ール、プロゲステロン及びテストステロンなどのステロイドホルモン、またはチ ロキシン（Ｔ４）及びトリョードチロニンなどの甲状腺ホルモン）を含むホルモ ン、プロティン（例えば、癌胎児抗原（ＣＥＡ）及びアルファフェトプロティン （ＡＦＰ））、薬物（例えば、ジゴキシンまたは悪用薬物）、糖、毒素、ビタミ ン、プロティン、インフルエンザウィルス、パラインフルエンザウィルス、アデ ノ−ウィルス、肝炎ウィルス、呼吸器官ウィルス及びエイズウィルスなどのライ 、ルス、または微生物を分析するのに使用することができる。

ここで使用する語ｒ抗体１とは、その範囲内で以下のものを含むことを理解され たい。

（ａ）例えば、羊、うさぎ、やぎまたはねずみなどの従来から使用されている任 意の動物から得られる種々のクラスまたはサブクラスの免疫グロブリン、例えば 、［ｇＧ、ＬｇＡ、ＩｇＭ、ＩｇＥのすべて、（ｂ）モノクロナル抗体 （Ｃ）抗体、モノクロナルまたはポリクロナルのそのままの分子。

または断片、これらの断片とは、抗体の結合領域を含存するもの、すなわち、Ｆ ｃ部分（例えば、Ｆａｂ、Ｆａｂ’　、Ｆ　（ａｂ’ンＯの無い断片、或いはそ のままの抗体中の重鎮成分を連結するジスルフィド結合の還元分解により得られ るいわゆる「半分子ｊである。

抗体の断片の製造方法は本技術分野でよく知られているのでここでは説明しない 。

ここで使用する語ｒ抗体１とは、永久抗原種（例えば、プロティン、バクテリア 、バクテリア断片、細胞、細胞断片及びウィルス）および適当な条件下で抗原に されるヘプテンを含むものと理解されたい。

配位子共役を標識化するのに使用し得る蛍光分子の例としては、フルオレスセイ ン　イソチオシアネート（Ｆ　ＩＴＣ）　、ローダミンイソチオシアネート、２ ．４−ジニトロフルオロベンゼン、フェニルインチオシアネートおよびダンジル クロライド、ＸＲＩＴＣ，ＴＲＩＴＣ、テトラメチルローダミン　コダベリン（ ＴＲＡＰ）、およびフィコビリプロティン（例えば、アロフィコシアニンおよび フィコエリチリン）がある。

下記の非限定例は本発明によるセンサの構成およびががるセンサを使用した分析 を示す。

適当な基質材料（例えば、屈折率１．５２のクラウンガラス）を清浄し、厚さ０ ．６　ミクロンの二酸化珪素媛Ｉｉ層（屈折率１．４６）を本技術分野で公知な 真空蒸着によりガラス基質に蒸着する０次いで、厚さ０．３　ミクロンの酸化（ ＩＶ）錫層（屈折率２．０）を同様に真空蒸着によりフン化マグネシウムに蒸着 する。酸化（ｍ錫層はセンサの導波路部分として機能する。

関連する抗原に特有の抗体を吸収により、あるいは本技術分野で公知な技術を使 用した共有結合により導波路の表面に不動化する。

これとは別の構造体は厚さ０．７　ミクロンのフン化マグネシウム緩衝層（屈折 率１．３８）と、厚さ０．２５ミクロンの酸化錫導波路とよりなる。

導波路用の他の材料としては、真空蒸着によりフン化マグネシウム層に蒸着する ことができる厚さ０．２　ミクロンの層としての硫化亜鉛（屈折率２．３６）　 、およびスピン被覆によりフン化マグネシウム層に蒸着することができる厚さ０ ．５　ミクロンの層としてのインヂウムホスフエートガラス（屈折率１．６１） がある、インヂウムホスフェートガラスの屈折率は正確に制御することができる （スローパおよびフラナガンのエレクトロニクスレターズ２４、（１９８８年） を参照）。

この例で説明する具体例は各々、本発明による方法に使用した場合、表面の直接 照射を用いる方法と比較して、導波路の表面での電場の強さを２６０倍まで高め ることが可能である。

班又 の　における　１のセンサの 例１で述べたようなセンサの適切な表面を、試料液で、また選択した分析方法に 応じて、蛍光標識化抗原または興味ある抗原に特有の蛍光標識化第２抗体で培養 する。その結果、分析下の抗原が試料中に存在すれば、センサの導波路表面に免 疫錯体が形成され、それにより発蛍光団が導波路表面に結合される。

基質の表面を適当な波長および角度で照射して導波路内の導波モードを励起する 。導波路表面における消失性場内のいずれの発蛍光団もこの導波モードと関連し た増大消失性波により励起される。好適な光＆！源は単色および／または偏光さ れた光（例えば、レーザからの光）の源である。

発光された蛍光光線は監視される。センサから出射される光を検出光学素子によ り収光し、好ましくは、強さの測定を行う前に励起波長のいずれの光をも濾過す る。導波路の表面に結合されたいずれもの発蛍光団から生じる基質から出射する 蛍光は明確な角分布を有する（第１図参照）、かくして、センサの作動信号／ノ イズ比は、特に光［５が偏光される場合、非常に低い。

検出光学素子は励起波長の光を除去するために必要に応しである程度の濾過作用 を伴う光検出器（光電子増倍管またはソリッドステート検出器のいずれ、か）よ りなり、光の偏光の検査は有利であるため、必要に応じて行われる。また、アパ ーチャの使用により、検出が容易になる。

本発明による別の分析方法では、発光された光が装置の導波モードにより収光さ れるように、基質または試料を通る直接照射により発蛍光団を励起する。欧州特 願公開第１７０３７６号公報に記載の方法と類似しているこの実施例では、消失 性基の増大された強さは失われるが、装置の信号／ノイズ比は発光された光の角 分布の減少により向上され、それにより収光および測定の高い効率をもたらす、 かく１して、本発明の更に別の特徴によれば、上述のようなセンサ及び本方法に 適した１つまたはそれ以上の試薬より構成されて上記分析方法に使用するキット が提供される。

補正書の写しく翻訳文）提出書 （特許法第１８４条の８） 平成３年５月２８日

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. １．光学構造体を備えた、光学的分析方法に使用するセンサであって、 （ａ）少なくとも分析に必要な光線の波長で透明な誘電基質と；（ｂ）基質より も高い屈折率を有する誘電材料からなり、行われる分析に適した連続または不連 続な試薬の層を有し、その試薬を基質から離れた表面上に直接または間接的に不 動化されている薄膜導波路と； （ｃ）（ａ）と（ｂ）との間に介在されて、前記基質よりも低い屈折率を有する 誘電材料の緩衝層と；を備え、該緩衝層および導波路の厚さは、使用中、１つま たはそれ以上の導波モードが導波路内を伝搬されるような厚さであることを特徴 とするセンサ。
2. ２．前記緩衝層および導波路の厚さは、使用中、単一の横方向磁気（ＴＭ）およ び／または横方向電気（ＴＥ）導波モードが導波路内を伝搬されるような厚さで あることを特徴とする請求の範囲第１項記載のセンサ。
3. ３．前記緩衝層は０．１〜０．２ミクロンの厚さを有し、前記導波路は０．１６ 〜１．０ミクロンの厚さを有することを特徴とする請求の範囲第１項または第２ 項記載のセンサ。
4. ４．前記緩衝層は二酸化珪素よりなり、約０．６ミクロンの厚さを有し、前記導 波路は酸化錫よりなり、約０．３ミクロンの厚さを有することを特徴とする請求 の範囲第３項記載のセンサ。
5. ５．前記緩衝層はフッ化マグネシウムよりなり、約０．７ミクロンの厚さを有し 、前記導波路は硫化亜鉛よりなり、約０．２ミクロンの厚さを有することを特徴 とする請求の範囲第３項記載のセンサ。
6. ６．請求の範囲第１〜５項のいずれかに記載のセンサを使用して試料中の配位子 を分抗する方法において、（ａ）以下の成分（ｉ）〜（ｉｉｉ）を同時に、或い は所望の順序で培養する工程と； （ｉ）試料； （ｉｉ）配位子に対する特定の結合パートナ；（ｉｉｉ）望むなら、特定の結合 パートナおよび配位子アナログから選択された少なくとも１種の試薬；試料以外 の前記成分のうちの１つを上記センサの導波路表面に直接または間接的に不動化 し、試料以外の上記成分のうちの少なくとも１つを発蛍光団または発色団で標識 化し、（ｂ）適切な波長の光を前記センサの基質の表面に法線に対する適当な角 度で照射して、前記センサの基質と緩衝層との間の界面で全内部反射を起こし、 それにより関連した消失性場が前記センサの導波路における１つまたはそれ以上 の導波モードの伝搬を起こすようにする工程と； （ｃ）前記センサから出射する蛍光の適切な光学的特性が錯体の形成により変化 するかどうかを判断し、また望むのであれば、この変化した程度および／または 変化した割合を測定する工程と；を含むことを特徴とする試料中の配位子の分析 方法。
7. ７．前記工程（ａ）において、前記成分（ｉｉ）および（ｉｉｉ）のうちの少な くとも一方は発蛍光団で標識化され、前記工程（ｃ）において、前記記光線は蛍 光光線であることを特徴とする請求の範囲第６項記載の方法。
8. ８．前記工程（ａ）において、前記成分（ｉｉ）および（ｉｉｉ）のうちの少な くとも一方は発色団で標識化されることを特徴とする請求の範囲第６項記載の方 法。
9. ９．前記成分（ｌｉｌ）は発蛍光団を標識として有する配位子アナログとして存 在することを特徴とする請求の範囲第６項記載の方法。
10. １０．前記配位子は抗原であり、前記特定の結合パートナは前記抗原に対する抗 体よりなることを特徴とする請求の範囲第６〜９項のいずれかに記載の方法。
11. １１．各々が試料液を毛管作用により吸入することができる程に充分に小さい寸 法を有する１つまたはそれ以上の空洞を備え、該空洞の壁部の少なくとも一部が 請求の範囲第１〜５項のいずれかに記載のセンサよりなることを特徴とする特に 反応性のある試料の採取・試験装置。
12. １２．請求の範囲第６〜１０項のいずれかに記載の分析方法に使用する装置であ って、請求の範囲第１〜５項のいずれかに記載のセンサと、使用中、光学構造体 内で全内部反射を生じるのに適した角度でセンサに入射するように構成された平 行化光線源と、出射光線を検出する手段とを備えたことを特徴とする装置。
13. １３．請求の範囲第６〜１０項のいずれかに記載の分析方法に使用するキットで あって、上記方法に適切な１種またはそれ以上の試薬、及び請求の範囲第１〜５ 項のいずれかに記載のセンサを備えたことを特徴とするキット。
14. １４．請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載のセンサを使用して試料中の配位 子を分析する方法であって、（ａ）以下の成分（ｉ）〜（ｉｉｉ）を同時に、或 いは所望の順序で培養する工程と； （ｉ）試料； （ｉｉ）配位子に対する特定の結合パートナ；（ｉｉｉ）望むのであれば、特定 の結合パートナおよび配位子アナログから選択された少なくとも１種の試薬；試 料以外の上記成分のうちの１つを請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載の上記 センサの導波路表面に直接または間接的に不動化し、試料以外の上記成分のうち の少なくとも１つを発蛍光団で標識化し、 （ｂ）適切な波長の光を試料に照射して発蛍光団を励起し、それにより消失性場 内に位置された発蛍光団から発せられる光が導波路内の導波モードに結合し、 （ｃ）上記センサから出射する光線の適切な光学的特性が錯体の形成により変化 するかどうかを判断し、また望むのであればこの変化した程度および／または変 化した割合を測定する工程と；を含むことを特徴とする試料中の配位子の分析方 法。