JPH0550509U - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本考案は高密度記録を行う薄膜磁気ヘッドに関
し、コイルの巻数を増加させても絶縁不良を起こすこと
なく高出力が得られる薄膜磁気ヘッドを実現する。 【構成】コイル１１を上下部のコア材３，６間に挟装す
る。コイル１１は化学気相成長法により形成された絶縁
層１４、１５により覆われており、さらにスパッタリン
グ法により形成された絶縁層１０ａ，１０ｂ，１０ｃが
配設されている。 【効果】コイル１１と上下部のコア材３，６とは、化学
気相成長法により形成された絶縁層１４、１５により高
い絶縁性が得られ、コイルの巻数を増加させて高出力が
得ることが可能となる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は薄膜磁気ヘッドに係り、特に高密度記録を行う薄膜磁気ヘッドに関す る。

【０００２】

【従来の技術】

磁気ヘッドには種々の構造を有した物が提案されており、そのひとつとしてコ ア，コイル等を薄膜技術を用いて形成した薄膜磁気ヘッドが知られている。

【０００３】 図３は従来の薄膜磁気ヘッドの一例の主要部の構成を示す断面図である。同図 に示す薄膜磁気ヘッド１は、一般的な薄膜形成技術により、大略、以下に示すよ うに形成される。

【０００４】 非磁性体で形成された基板２上に、たとえば磁性フェライト等の単一材料によ り下部コア３を形成し、その上に絶縁層４ａを形成する。次に、導電体を渦巻き 状としたコイル５を形成し（図２においては下部コア材３上に形成された部分の みが断面として図示されている）、さらにその上にスパッタリング法により、Si O₂，Al₂O₃ 等からなる絶縁層４ｂを形成する。そして、絶縁層４ｂ上に磁性体よ りなる下部コア３と同一材料の上部コア６を形成し、最後に保護層７で全体を覆 う。

【０００５】 上記の如く形成された薄膜磁気ヘッド１の図中左端側面は記録媒体との対向面 １ａである。この対向面１ａ上には、下部コア３及び上部コア６の端面３ａ，６ ａが絶縁層４ａを挟んで離間した状態で配設されており、この隙間が薄膜磁気ヘ ッド１のギャップ８となる。

【０００６】 図４は従来の薄膜磁気ヘッドの他の一例の主要部の構成を示す断面図である。 図４において、薄膜磁気ヘッド９のコア材３と６の間に内設された絶縁層１０に は、３層に形成されたコイル１１が配設されている。

【０００７】 このように、コイルの巻数を増やしてコア材３と６のギャップ部分を高飽和磁 束密度とすることにより、記録特性の向上が図られている。

【０００８】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、上記のコイルを多層に設けた薄膜磁気ヘッドでは、各コイル間 、およびコイルとコア材との距離を十分にとることが出来ないためピンホールの 発生により絶縁不良を起こすことが多い。

【０００９】 また、コイルを多層に形成する際にステップカバレッジ等の問題で、各コイル 間の絶縁膜が均等な厚さに形成されず、また部分的に形成されなかったりするこ とがあり、絶縁不良を起こすことが多かった。

【００１０】 本考案は上記の問題に鑑みてなされたものであって、コイルの巻数を増加させ ても絶縁不良を起こすことなく、高密度記録が可能な薄膜磁気ヘッドを提供する ことを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】

上記の目的を達成するために本考案では、渦巻き状に形成された導電体と、磁 性体よりなり導電体の一部を包囲してなる一対のコア材と、導電体と一対のコア 材との間に少なくとも化学気相成長法により形成された絶縁層を設けた。

【００１２】

【作用】

上記の構成によれば、導電体と一対のコア材とは化学気相成長法により形成さ れた絶縁層により絶縁されるよう作用し、高い絶縁性が得られる。

【００１３】

【実施例】

図１は本考案になる薄膜磁気ヘッドの第１実施例の主要部の構成を示す断面図 である。

【００１４】 図１に示す薄膜磁気ヘッド１２は、絶縁層の構成以外は、導電体であるコイル を３層とした図３に示す従来の薄膜磁気ヘッド９と同一構成である。よって、図 ３に示す部分と対応する部分については同一符号を付す。以下、薄膜磁気ヘッド １２の絶縁層の構成について説明する。

【００１５】 下部コア３の上面に化学気相成長法（以下、ＣＶＤ法と称する）によりSiO₂， Al₂O₃からなる絶縁層１３を形成した後、スパッタリング法により絶縁層４ａを 形成する。さらに、ＣＶＤ法により絶縁層１４を形成して不要部分をエッチング により除去した後、下部コイル１１ａを形成する。

【００１６】 次に、ＣＶＤ法により絶縁層１５を形成した後に、スパッタリング法によって 絶縁層１０ａを形成する。以下、同様にコイル１１の上部の２層を形成して、コ イル１１をＣＶＤ法による絶縁層で覆ったあとスパッタリング法により絶縁層１ ０ａ、１０ｂを形成する。さらに、ＣＶＤ法により絶縁層１６を形成し、絶縁層 １６上に下部コア３と同一材料の上部コア６を形成し、最後に保護層７で全体を 覆う。

【００１７】 このように形成された薄膜磁気ヘッド１２は、各コイル間および各コイル１１ と上下部のコア材３，６とが、ＣＶＤ法により形成され各コイルを覆う絶縁層と 、ＣＶＤ法により形成され上下部のコア材３，６に配設された絶縁層と、夫々の ＣＶＤ法による絶縁層の間にスパッタリング法により形成された絶縁層１０によ って絶縁される。

【００１８】 ところで、ＣＶＤ法により成膜した酸化膜は、スパッタリング法により成膜し た酸化膜に比べ高密度であり絶縁性が高く、スパッタリング法により成膜した酸 化膜のおよそ1.５倍の高絶縁性を有している。

【００１９】 ＣＶＤ法による成膜には比較的時間がかかるが、本実施例ではＣＶＤ法による 酸化膜とスパッタリング法による酸化膜とを２層構造としており、ＣＶＤ法によ る酸化膜は高絶縁性であるためその膜厚は2000〜3000オングストロームであれば 良く、総体的には成膜時間をそれほど長くすることなく高絶縁性の絶縁層を形成 することができる。なお、コイル１１の厚さは３μｍ、各コイルの間隔は１μｍ とされている。

【００２０】 この結果、ピンホールの発生やステップカバレッジの問題は解決され、高絶縁 性を有する絶縁層を比較的短時間で得ることが可能となる。

【００２１】 ところで、薄膜磁気ヘッドの絶縁膜をＣＶＤ法のみで成膜することも考えられ 、この場合、成膜時間は長時間必要とされるものの、極めて絶縁性の高い絶縁膜 を得ることが可能となる。

【００２２】 この結果、コイルの巻数を増加させて各コイル同志、あるいは各コイルコア材 の間隔が狭くなっても絶縁不良を起こすことなく、高出力で高密度記録が可能と なる。

【００２３】 また、ＣＶＤ法による成膜によれば面異方性がないため、極めて平坦な絶縁膜 を得ることができる。周知のとおり、薄膜磁気ヘッドは絶縁膜の平坦性によりコ ア（磁性材）の透磁率が低下して磁気特性が劣化することが知られていが、ＣＶ Ｄ法により平坦な絶縁膜を成膜することにより、コア材の透磁率を損なうことな く良好な磁気特性を得ることができる。

【００２４】 図２は、薄膜磁気ヘッドの絶縁膜の凹凸量と透磁率の関係の一例を示す図であ る。図２のとおり、たとえば絶縁膜に０．５μｍの凹凸があると、薄膜磁気ヘッ ドのコアの透磁率は約５０％低下する。

【００２５】

【考案の効果】 以上のように本考案によれば、導電体と一対のコア材とは化学気相成長法によ り形成された絶縁層により高い絶縁性が得られるため、渦巻き状の導電体の巻数 を増加させて導電体同志、あるいは導電体とコア材の間隔が狭くなっても絶縁不 良を起こすことなく、高出力で高密度記録が可能な薄膜磁気ヘッドが得られる特 長がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例の主要部の構成を示す断面図
である。

【図２】薄膜磁気ヘッドの透磁率特性を表す図である。

【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの一例の主要部の構成を
示す断面図である。

【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの他の一例の主要部の構
成を示す断面図である。

【符号の説明】

２ 基板 ３ 下部コア材 ５,1１,1１ａ コイル（導電体） ６ 上部コア材 ７ 保護層 ９,1０,1２ 薄膜磁気ヘッド ４ａ，４ｂ,1０,1０ａ,1０ｂ,1０ｃ 絶縁層

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 渦巻き状に形成された導電体と、 該導電体の一部を包囲してなる一対のコア材と、 該導電体と該一対のコア材との間に少なくとも化学気相
   成長法により形成された絶縁層とを具備してなる薄膜磁
   気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記絶縁層は化学気相成長法により形成
   された絶縁層を含む多層構造とされてなる請求項１記載
   の薄膜磁気ヘッド。