JPH01113910A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH01113910A JPH01113910A JP27008487A JP27008487A JPH01113910A JP H01113910 A JPH01113910 A JP H01113910A JP 27008487 A JP27008487 A JP 27008487A JP 27008487 A JP27008487 A JP 27008487A JP H01113910 A JPH01113910 A JP H01113910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- magnetic layer
- signal coil
- insulating layer
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＶＴＲに好適な薄膜磁気ヘッドに関する。
従来の薄膜磁気ヘッドは１例えば特開昭６１−１７７６
１４号公報記載のものがあげられる。これを第４図に断
面図で示しである。１は基板、２は下部磁性層で、この
下部磁性層２に設けられた溝２ａ内に信号コイル４が絶
縁層６を介して埋込まれている。さらに、絶縁層６及び
、下部磁性層２上には上部磁性層５が形成されている。
１４号公報記載のものがあげられる。これを第４図に断
面図で示しである。１は基板、２は下部磁性層で、この
下部磁性層２に設けられた溝２ａ内に信号コイル４が絶
縁層６を介して埋込まれている。さらに、絶縁層６及び
、下部磁性層２上には上部磁性層５が形成されている。
この上部磁性層５は絶縁層６に穿けられたスルーホール
７．８によって、一方は磁気的に下部磁性層２に接続さ
れ、他方はギャップ用絶縁層３を介して接続されている
。この絶縁層３がギャップを形成している。
７．８によって、一方は磁気的に下部磁性層２に接続さ
れ、他方はギャップ用絶縁層３を介して接続されている
。この絶縁層３がギャップを形成している。
ところが、上記した従来の技術は、信号コイル４埋込用
に形成した溝２ａの平坦部しか信号コイル４の形成に利
用していなかったため、信号コイル４の低抵抗化に限界
があるという問題点があった。 ′ 本発明の目的は、かかる問題点を解消し、溝の斜面部も
信号コイルを形成するスペースとして利用することによ
り、信号コイルの低抵抗化ができる薄膜磁気ヘッドを提
供することにある。
に形成した溝２ａの平坦部しか信号コイル４の形成に利
用していなかったため、信号コイル４の低抵抗化に限界
があるという問題点があった。 ′ 本発明の目的は、かかる問題点を解消し、溝の斜面部も
信号コイルを形成するスペースとして利用することによ
り、信号コイルの低抵抗化ができる薄膜磁気ヘッドを提
供することにある。
上記目的を達成するために１本発明は、非磁性基板上に
形成された下部磁性層に、絶縁層、信号コイルを積層し
、ギャップ用絶縁層を介して前記下部磁性層と接続され
る上部磁性層を形成して成る薄膜磁気ヘッドにおいて、
信号コイルの一部を、信号コイル埋込用に形成した溝の
斜面部にも形成した構成にしである。
形成された下部磁性層に、絶縁層、信号コイルを積層し
、ギャップ用絶縁層を介して前記下部磁性層と接続され
る上部磁性層を形成して成る薄膜磁気ヘッドにおいて、
信号コイルの一部を、信号コイル埋込用に形成した溝の
斜面部にも形成した構成にしである。
本発明の薄膜磁気ヘッドは、上記のように信号コイル埋
込用に形成された溝の斜面図にも信号コイルを形成する
ことによって、上記従来例と比べ信号コイルを形成する
スペースが広くなる。したがって、上記従来例と同じ導
体膜厚、ターン数であっても、コイル幅を大きくできる
ので、コイル抵抗は低下する。また、このようにコイル
幅を大きくできるので、抵抗値を変えることなく導体膜
厚を減らすことができ、信号コイルのエツチングを高精
度に行なうことができる。
込用に形成された溝の斜面図にも信号コイルを形成する
ことによって、上記従来例と比べ信号コイルを形成する
スペースが広くなる。したがって、上記従来例と同じ導
体膜厚、ターン数であっても、コイル幅を大きくできる
ので、コイル抵抗は低下する。また、このようにコイル
幅を大きくできるので、抵抗値を変えることなく導体膜
厚を減らすことができ、信号コイルのエツチングを高精
度に行なうことができる。
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
斜視図であって、４ａはコイル導体の最外周部、４ｂは
コイル導体の最内周部、９は埋込用絶縁層であり、第４
図に対応する部分には同一符号をつけている。なお、第
１図では、コイル導体用絶縁層６，２層目の信号コイル
４．及び上部磁性層５は省略している。
斜視図であって、４ａはコイル導体の最外周部、４ｂは
コイル導体の最内周部、９は埋込用絶縁層であり、第４
図に対応する部分には同一符号をつけている。なお、第
１図では、コイル導体用絶縁層６，２層目の信号コイル
４．及び上部磁性層５は省略している。
第２図は第１図中Ａ方向から見た断面図であって、第１
図に対応する部分には同一符号をつけている。
図に対応する部分には同一符号をつけている。
第３図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例の製造
方法を説明する断面図であって、第１図に対応する部分
には同一符号をつけている。
方法を説明する断面図であって、第１図に対応する部分
には同一符号をつけている。
第１図において、非磁性基板１上には下部磁性層２が形
成されており、この下部磁性層２は埋込用絶縁層９によ
り埋込まれている。この下部磁性層２には信号コイル埋
込用溝２ａが形成され、この溝２ａにコイル導体から成
る信号コイル４．及びコイル導体用絶縁層６が積層され
ている。さらに、絶縁層６及び、下部磁性層２上には上
部磁性層５が形成されている。この上部磁性層５は絶縁
層６に設けられたスルーホール８により下部磁性層２と
磁気的に接続されている。また、絶縁層６に設けられた
スルーホール７により上部磁性層５と下部磁性層２はギ
ャップ用絶縁層３を介して接続され、ギャップを形成し
である。
成されており、この下部磁性層２は埋込用絶縁層９によ
り埋込まれている。この下部磁性層２には信号コイル埋
込用溝２ａが形成され、この溝２ａにコイル導体から成
る信号コイル４．及びコイル導体用絶縁層６が積層され
ている。さらに、絶縁層６及び、下部磁性層２上には上
部磁性層５が形成されている。この上部磁性層５は絶縁
層６に設けられたスルーホール８により下部磁性層２と
磁気的に接続されている。また、絶縁層６に設けられた
スルーホール７により上部磁性層５と下部磁性層２はギ
ャップ用絶縁層３を介して接続され、ギャップを形成し
である。
本実施例においては、信号コイル４の最外周部４ａと最
内周部４ｂが、信号コイル形成用に設けられた溝２ａの
斜面部２ｂ、２ｂに接するように形成されている。
内周部４ｂが、信号コイル形成用に設けられた溝２ａの
斜面部２ｂ、２ｂに接するように形成されている。
このように構成した上記実施例の製造方法を第３図に基
づいて次に説明する。
づいて次に説明する。
まず、非磁性基板１上に下部磁性層２を、第３図（ａ）
に示すように、ウェットエツチング、イオンエツチング
法などによって形成する。次に、蒸着法、スパッタリン
グ法などによって下部磁性層２を絶縁層９で埋込み、ラ
ップにより平坦化した後、信号コイル形成用の溝２ａを
形成する（第３図（ｂ）参照）。次に、コイル導体用絶
縁層６を蒸着法、あるいはスパッタリング法で形成した
後、蒸着法、あるいはスパッタリング法によりコイル導
体として比抵抗の小さいＣｕやＡｕを形成して信号コイ
ル４となす、このとき、ＣｕやＡｕの付着力を高めるた
めに接着層としてＣｒを用い、Ｃｒ ／ Ｃｕ ／ Ｃ
ｒやＣｒ ／ Ａ ｕ ／ Ｃｒなどのような三層構造
としてもよい、さらに、信号コイル４をラップにより平
坦化した後、イオンエツチング等によりコイル状に形成
する（第３図（ｃ）参照）。
に示すように、ウェットエツチング、イオンエツチング
法などによって形成する。次に、蒸着法、スパッタリン
グ法などによって下部磁性層２を絶縁層９で埋込み、ラ
ップにより平坦化した後、信号コイル形成用の溝２ａを
形成する（第３図（ｂ）参照）。次に、コイル導体用絶
縁層６を蒸着法、あるいはスパッタリング法で形成した
後、蒸着法、あるいはスパッタリング法によりコイル導
体として比抵抗の小さいＣｕやＡｕを形成して信号コイ
ル４となす、このとき、ＣｕやＡｕの付着力を高めるた
めに接着層としてＣｒを用い、Ｃｒ ／ Ｃｕ ／ Ｃ
ｒやＣｒ ／ Ａ ｕ ／ Ｃｒなどのような三層構造
としてもよい、さらに、信号コイル４をラップにより平
坦化した後、イオンエツチング等によりコイル状に形成
する（第３図（ｃ）参照）。
次に、コイル導体用絶縁層６、信号コイル４．コイル導
体用絶縁層６を順次積層し、スルーホール７．８を形成
する（第３図（ｄ）参照）。次に、ギャップ用絶縁層３
を蒸着法やスパッタリング法により形成した後、上部磁
性層５を蒸着法やスパッタリング法により形成し、イオ
ンエツチングによって所望の形状を得る（第３図（ｅ）
参照）。
体用絶縁層６を順次積層し、スルーホール７．８を形成
する（第３図（ｄ）参照）。次に、ギャップ用絶縁層３
を蒸着法やスパッタリング法により形成した後、上部磁
性層５を蒸着法やスパッタリング法により形成し、イオ
ンエツチングによって所望の形状を得る（第３図（ｅ）
参照）。
なお、上記実施例の製造方法では、下部磁性層２を蒸着
法もしくはスパッタリング法によって膜形成後、イオン
エツチング等によって所望の形状を得、その後、絶縁層
６で埋込むという方法をとったが、下部磁性層２はただ
膜形成するだけで。
法もしくはスパッタリング法によって膜形成後、イオン
エツチング等によって所望の形状を得、その後、絶縁層
６で埋込むという方法をとったが、下部磁性層２はただ
膜形成するだけで。
その後のイオンエツチング、絶縁層６を形成する工程を
省き、上部磁性層５でトラック幅を決定するという方法
でもよい。
省き、上部磁性層５でトラック幅を決定するという方法
でもよい。
このように構成した上記実施例にあっては、信号コイル
４埋込用に形成された溝２ａの斜面部２ｂにも信号コイ
ル４を形成することによって、上記従来例と比べ信号コ
イル４を形成するスペースが広くなる。したがって、従
来例と同じ導体膜厚ターン数であっても、コイル幅を大
きくできるのでコイル抵抗は低下する。また、コイル幅
が大きくなることにより抵抗値を変えることなく導体膜
厚を減らすことができ、信号コイル４のエツチングを高
精度に行なうことができる。
４埋込用に形成された溝２ａの斜面部２ｂにも信号コイ
ル４を形成することによって、上記従来例と比べ信号コ
イル４を形成するスペースが広くなる。したがって、従
来例と同じ導体膜厚ターン数であっても、コイル幅を大
きくできるのでコイル抵抗は低下する。また、コイル幅
が大きくなることにより抵抗値を変えることなく導体膜
厚を減らすことができ、信号コイル４のエツチングを高
精度に行なうことができる。
以上説明したように１本発明によれば、信号コイル形成
のスペースが広くなり、コイル幅を大きくすることがで
きるので、信号コイルの抵抗低減をできる。そして、信
号コイルの抵抗を低減できるので、抵抗値を変えること
なく導体膜厚を減らせ、信号コイルのエツチングも高精
度に行なうことが可能になる。
のスペースが広くなり、コイル幅を大きくすることがで
きるので、信号コイルの抵抗低減をできる。そして、信
号コイルの抵抗を低減できるので、抵抗値を変えること
なく導体膜厚を減らせ、信号コイルのエツチングも高精
度に行なうことが可能になる。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
斜視図、第２図は第１図中の入方向から見た断面図、第
３図（ａ）〜（ｅ）は本発明による薄膜磁気ヘッドの製
造方法の各工程を示す断面図、第４図は従来の薄膜磁気
ヘッドの一例を示す断面図である。 １・・・非磁性基板、２・・・下部磁性層、３・・・ギ
ャップ用絶縁層、４・・・信号コイル、５・・・上部磁
性層。 ６・・・導体用絶縁層、７，８・・・スルーホール。 萬２ 圏 Ｚｂ ｌ ４ＣＬ ４ ２（ｚ＋ｂ萬３ 口 （α） （ｄ）
斜視図、第２図は第１図中の入方向から見た断面図、第
３図（ａ）〜（ｅ）は本発明による薄膜磁気ヘッドの製
造方法の各工程を示す断面図、第４図は従来の薄膜磁気
ヘッドの一例を示す断面図である。 １・・・非磁性基板、２・・・下部磁性層、３・・・ギ
ャップ用絶縁層、４・・・信号コイル、５・・・上部磁
性層。 ６・・・導体用絶縁層、７，８・・・スルーホール。 萬２ 圏 Ｚｂ ｌ ４ＣＬ ４ ２（ｚ＋ｂ萬３ 口 （α） （ｄ）
Claims (1)
- １、非磁性基板上に形成された下部磁性層に、絶縁層、
信号コイルを積層し、ギャップ用絶縁層を介して前記下
部磁性層と接続される上部磁性層を形成して成る薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記信号コイルの一部を、信号コイ
ル埋込用に形成した溝の斜面部に形成したことを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27008487A JPH01113910A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27008487A JPH01113910A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01113910A true JPH01113910A (ja) | 1989-05-02 |
Family
ID=17481308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27008487A Pending JPH01113910A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01113910A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025977A (en) * | 1994-12-30 | 2000-02-15 | International Business Machines Corporation | Combined magnetoresistive (MR) read and inductive write head with sunken write coil |
| JP2007220539A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明器具 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP27008487A patent/JPH01113910A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025977A (en) * | 1994-12-30 | 2000-02-15 | International Business Machines Corporation | Combined magnetoresistive (MR) read and inductive write head with sunken write coil |
| US6156375A (en) * | 1994-12-30 | 2000-12-05 | International Business Machines Corporation | Method of making read/write magnetoresistive (MR) head with sunken components |
| JP2007220539A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明器具 |
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