JPH05506066A - 耐熱性金属物品の窒化方法 - Google Patents
耐熱性金属物品の窒化方法Info
- Publication number
- JPH05506066A JPH05506066A JP91508374A JP50837491A JPH05506066A JP H05506066 A JPH05506066 A JP H05506066A JP 91508374 A JP91508374 A JP 91508374A JP 50837491 A JP50837491 A JP 50837491A JP H05506066 A JPH05506066 A JP H05506066A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- article
- metal
- metalloid
- silicon
- oven
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 87
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 71
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 title claims description 22
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 64
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 33
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 24
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 22
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 10
- 239000012671 ceramic insulating material Substances 0.000 claims description 9
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 9.8 w/o Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001273 butane Substances 0.000 claims description 4
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 4
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011094 fiberboard Substances 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 claims 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims 1
- CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N [C].[N] Chemical compound [C].[N] CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011214 refractory ceramic Substances 0.000 claims 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 4
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 4
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 4
- 235000013980 iron oxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-phenyl-1,3-thiazole-5-sulfonyl chloride Chemical compound S1C(S(Cl)(=O)=O)=C(C)N=C1C1=CC=CC=C1 NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000687323 Homo sapiens Rabenosyn-5 Proteins 0.000 description 1
- 102100024910 Rabenosyn-5 Human genes 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N iron(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Fe+2] VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 229910021404 metallic carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/24—Nitriding
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Display Devices Of Pinball Game Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
耐熱性金属物品の窒化方法
発明の分野
本発明は窒化方法に関する。さらに詳細に述べると、本発明は金属及び半金属の
物品の窒化方法に関する。
発明の背景
多くの金属及び半金属の窒化物は融点が高く、耐酸化性である。現在、これらの
窒化物の粉末を一つの物体に固め、つぎにこの物体を高い温度と圧力においてホ
ットプレス又は熱間静水圧プレスして緻密化物体を製造している。この種の操作
は高価な装置及び通常長い時間を必要とする。又、この種の加熱及びプレス操作
後の物体は甚だしい応力状態に置かれていることが多い。
本発明の目的は耐熱性の金属及び半金属の物品の窒化方法を提供する二さであっ
て、この方法によって、金属又は半金属の窒化物からなる緻密化された、亀裂の
ない物体、これらの窒化物の複合物、これらの窒化物の被覆及び理論的密度より
低密度の、金属及び半金属の物品の窒化物が生成される。
発明の概要
本発明の一つの部分によれば、耐熱性の窒化物形成金属又は半金属の物品の、新
しくかつ優れた窒化方法はつぎの工程を含む:
工程1.金属又は半金属を圧縮した物品をセラミック絶縁物質で緊密に接触させ
て包み込み、電子オーブン内に置く。
工程2.電子オーブン内に窒素含有雰囲気を導入する。
工程3.電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって、金属又は
半金属の物品を窒素含有雰囲気を含む電子オーブン内でマイクロ波エネルギーに
よって、金属又は半金属を窒素と反応させるのに十分な温度に加熱する。
工程4.金属又は半金属の物品を上記の温度で、その金属又は半金属を金属窒化
物又は半金属窒化物に変換させるのに十分な時間保持する。
本発明の別の面によれば、金属又は半金属の物品に窒化物被覆を行うための新し
くかつ優れた方法はつぎの工程を含む:
工程1.金属又は半金属を圧縮した物品をセラミック絶縁物質で緊密に接触させ
て包み込み、電子オーブン内に置く。
工程2.電子オーブン内に窒素含有雰囲気を導入する。
工程3.電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって、金属又は
半金属の物品を窒素含有雰囲気を含む電子オーブン内でマイクロ波エネルギーに
よっ′て、その金属又は半金属を窒素と反応させるのに十分な温度に加熱する。
工程4.金属又は半金属の物品を、上記の温度で、その物品の金属窒化物被覆又
は半金属窒化物被覆を形成するのに十分な時間保持する。
本発明の別の面によれば、耐熱性の酸化物形成金属又は半金属の物品に酸化物被
覆を行うための新しくかつ優れた方法はつぎの工程を含む:
工程1.耐熱性の酸化物形成金属又は半金属を圧縮した物品をセラミック絶縁物
質で緊密に接触させて包み込み、電子オーブン内に入れる。
工程2.電子オーブン内に酸素含有雰囲気を導入する工程3.電子オーブンにマ
イクロ波エネルギーを加えることによって、耐熱性の酸化物形成金属又は半金属
の物品を雰囲気を含む電子オーブン内でマイクロ波エネルギーによって、その耐
熱性の酸化物形成金属又は半金属を雰囲気に含まれる酸素と反応させるのに十分
な温度に加熱する。
工程4.耐熱性の酸化物形成金属又は半金属の物品を上記の温度で、その物品の
酸化物被覆を形成するのに十分な時間保持する。
本発明の別の面によれば、耐熱性の炭化物形成金属又は半金属の製品に炭化物被
覆を行うための新しくかつ優れた方法はつぎの工程を含む:
工程1.耐熱性の炭化物形成金属又は半金属を圧縮した物品をセラミック絶縁物
質で緊密に接触させて包み込み、電子オーブン内に置く。
工程2.1i子オーブン内に炭素含有雰囲気を導入する。
工程3.電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって、耐熱性の
炭化物形成金属又は半金属の物品を炭素含有雰囲気を含む電子オーブン内でマイ
クロE 波エネルギーによって、その耐熱性の炭化物形成金属又は半金属を雰囲
気に含まれるメタンと反応させるのに十分な温度に加熱する。
工程4.耐熱性の炭化物形成金属又は半金属の物品を、上記の温度で、その物品
の炭化物被覆を形成するのに十分な時間保持する。
本発明の別の面によれば、耐熱性の「炭素(ca+bo) J窒化物形成金属又
は半金属の物品に金属の炭素窒化物被覆を行うための新しくかつ優れた方法はつ
ぎの工程を含む: 工程1.耐熱性の[炭素]窒化物形成金属又は半金属を圧縮
した物品をセラミック絶縁物質で緊密に接触させて包み込み、電子オーブン内に
入れる。
工程2.電子オーブン内に炭素及び窒素含有雰囲気を導入する。
工程3.電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって、耐熱性の
「炭素」窒化物形成金属又は半金属の物品を炭素及び窒素含有雰囲気を含む電子
オーブン内でマイクロ波エネルギーによって、耐熱性の「炭素」窒化物形成金属
又は半金属を雰囲気に含まれるメタン及び窒素と反応させるのに十分な温度に加
熱する。
工程4.耐熱性の「炭素」窒化物形成金属又は半金属の物品を、上記の温度で、
その物品の炭素窒化物被覆を形成するのに十分な時間保持する。
好ましい実施態様の詳細な説明
AIを指す。又「半金属」はSi及びBのような耐熱性の窒化物形成非金属を指
す):
1)耐熱性金属、耐熱性金属窒化物、アルミニウム、珪素及びホウ素からなる群
から選ばれる1以上の物質を選ばれた形状物に圧縮する(すなわち、粉末をプレ
スして形成する)、
2)この形状物の周りを、平均粒子大きさが2ミクロれる粒状物質のセラミック
集合体で緊密に接触させて色質的にマイクロ波とカップリングしないものでなけ
ればならない;そして
3)マイクロ波を用い、包み込まれた形成物を、NH,又はN2−N2 、NH
q N2 s Nz A rのよ分を窒化物に変換させ、形成された窒化物を緻
密化するのに必要な温度に加熱する。
実施例I
本発明の実証において、ニオブを50重量%、タングステンを20重量%及び窒
化チタンを30重量%含有する粉末の混合物を直径及び厚さが1インチの円板に
プレスした。
電子オーブン内にアルミナれんがの容器を置き、その中に、粒度が150乃至4
25ミクロンのイツトリアの粗粒を入れ、この粗粒で円板を取囲んだ。この電子
オーブンに、標準−エネルギー(1,6kW)及び標準周波数(2,45GHr
)のマイクロ波装置を装備した。
加熱操作時に、円板を流動窒素の環境下でIN分間1.6kWの最大エネルギー
レベルに暴露し・た。その後電子オーブンの電源スィッチを「オフ」の位置に動
かし、窒素を流しながら円板を周囲温度まで冷却した。冷却後、円板をオーブン
内の容器から取り出した。イツトリアの粒子はブラシで簡単に除去された。
円板の亀裂を目視により点検し、その後円板の物理的特性を決定した。
試験結果によれば円板は完全に焼結されており、亀裂はなかった。標準の水銀注
入(inHusion)多孔度測定方法によれば真の密度は7.68g/ccで
あり、開放多孔度(open porosity )は40%、独立(clos
ed)多孔度は4%であった。
分析によれば、円板は窒化ニオブを53.5%、窒化チタンを27.9%及びタ
ングステンを18,6%含有していた。
実施例■
本発明の別の例示において、ニオブを50重量%、タンゲステンを20重量%及
び窒化チタンを30重量%含有する粉末の混合物を直径及び厚さが1インチの円
板にプレスした。アルミナれんがの容器の中に、粒子の大きさが150乃至42
5ミクロンのアルミナの粗粒を入れ、この粗粒で円板を取囲んだ。この場合はイ
ツトリアでなくアルミナの粗粒を用いた。この装置を電子オーブン内に置き、円
板に含まれる金属を実施例Iに記載するような金属の窒化物に変換させそして焼
結させた。
処理された円板の亀裂を目視により点検し、その後円板の物理的特性を決定した
。試験結果によれば円板は完全に焼結されており、亀裂はなかった。標準の水銀
注入多孔度測定方法によれば真の密度は7.7g/ccであり、開放多孔度は4
2%、独立多孔度は4%であった。分析によれば、円板は窒化ニオブを53重量
%、窒化チタンを28重量%及びタングステンを19重量%含有していた。
実施例■
純度が99%、粒度が325−メツシュの粒子である粉末の混合物を円板にプし
・スした。この粉末の混合物は元素の珪素を88.1重量%、酸化イツトリウム
を9.5重量%及び酸化アルミニウムを2.4重量%含有していた。又、プレス
された円板の直径は1インチ、厚さは0.5インチであった。加熱操作の前に、
粒度が150乃至425ミクロンのイツトリアの粗粒をアルミナれんがの容器に
入れ、この粗粒で円板を取囲んだ。この容器を電子オーブン内に置いた。実施例
■に記載した手順によりこのプレスされた円板を窒化物複合物に変換させ、焼結
させた。
目視検査によれば、処理された円板に亀裂は認められなかった。その処理された
円板は、92.5重量%の窒化珪素、6.0重量%の酸化イツトリウム及び1.
5重量%の酸化アルミニウムからなるように、理論密度3.2g/ccの組成物
に変換するように設計された。寸法測定によれば処理円板の密度は理論密度の7
0%であった。
十分な密度を得るためには、温度(+400乃至1875℃)及び暴露時間(1
0乃至100分)の制御が必要である。しかしこの実験は、本開発により窒化珪
素系のセラミック組成物が合成できることを示した。
実施例■
99、95%より高純度の珪素粉末を概略寸法が直径2インチ、長さ1.75イ
ンチの円筒形の成型体にプレスした。
この試料を、平均粒度約2ミクロンの窒化珪素−2重量%イツトリアの粉末を入
れた窒化ホウ素のるつぼ内に置いた。るつぼの周りにアルミナの繊維板を置いた
。この装置を電子オーブン内に置き、オーブンに窒素ガスを満たした。
成型体の温度を熱電対によって監視し、オーブン内で1400℃に約23時間加
熱した。成型体の窒化珪素への変換率は78%より大であった。
実施例■
珪素(> 99.95%)869重量%、イツトリア9.8M量%及びアルミナ
3.3重量%からなる粉末の混合物をブレシトし、成型体にプレスし、実施例■
に記載したるつぼに入れ、実施例■に記載した装置をオーブン内に置いた。
オーブンにアルゴンガスを満たした。つぎに、成型体の温度を約1000℃に上
げた。つぎに、窒素を電子オーブン内に流し、温度を1400’cに上げた。電
子オーブンにおける合計処理時間は約24時間であった。成型体の窒化珪素への
変換率は75%より大であった。
珪素の棒と窒素との直接反応による窒化珪素の合成は当業界において知られてい
る。しかし、粉末を使用すること及び粉末からの成型体を加熱するのにマイクロ
波照射を用いることは新規である。元素の珪素が窒化珪素に変換するのに十分な
温度までマイクロ波を用いて加熱できることは、知られていなかった。
実施例■
ニオブ−1重量%ジルコニウム(Nb−12r)合金の −325メツシユ粉末
試料を直径1インチ、厚さ05インチの円板にプレスした。この円板を、実施例
■に記載したように電子オーブン内に置き、アルゴンを流しながら90分間最大
エネルギーレベル(1,6kW)に暴露させた。
オーブンの環境をアルゴン流れから窒素流れに変え、窒素環境のもとに最大エネ
ルギーレベルにおいて5分間加熱した。窒素環境下で円板を冷却し、電子オーブ
ンから取出した。
目視検査によれば処理された円板に亀裂はなかった。
顕微鏡検査によれば、処理された円板の表面は著しく窒化されていたが、円板の
内部は金属性であった。表面の窒化物の大部分は窒化ジルコニウムであると同定
された。
そしてその窒化物層の下の組成は急速にニオブと窒化ジルコニウムの混合物に変
化した。窒化された層の深さは1乃至2mmであった。
この表面被覆方法は、別の反応性ガスを用いることによって別の化合物による表
面被覆に使用できる。例えば、オーブンの中に酸素(空気)を流すことによって
、耐熱性の酸化物形成「金属」又は半金属の表面を被覆できる(ここで耐熱性の
酸化物形成「金属」はZ r 、Hf −、Y %Sc及び希土類元素、U、T
h、Ti、AI、Crを指し、そして「半金属」はSiを指す)。同様に、メタ
ン、アセチレン、ブタン又はそれらの、アルゴン、ヘリウム、又は水素との混合
物のような炭素含有雰囲気をオーブン内に流すことによって、耐熱性の炭化物形
成金属又は半金属の表面を被覆できる(ここで耐熱性の炭化物形成「金属」はT
i、Zr、Hf、Nb5Ta、V、Cr。
Mo、及びWを指し、「半金属」はSi及びBを指す)。
又、メタン、アセチレン、ブタン又はそれらの、アルゴン、ヘリウム、水素又は
アンモニアとの混合物のような炭素含有ガスと窒素とのガス混合物をオーブン内
に流すことによって、耐熱性の炭素窒化物形成金属又は半金属の表面を被覆でき
る(ここで耐熱性の「炭素」窒化物形成「金属」はTi、Zr、Hf、Nb及び
Taを指し、そして「半金属」はSi及びBを指す)。窒化物、酸化物及び炭化
物を形成する、これらの例と同様な方法で、どのような混合相(例示済みの、「
炭素」窒化物のような)も製造できる。オキシ炭化物及びオキシ窒化物(すなわ
ち、5t−0−N)の製造が可能であり、そしてそれらは混合金属相(すなわち
、S i −A I −0−N)として用いられる。この被覆方法は、るつぼ、
ビット、及びバイトのような被覆物品を、必要とされる特性を持つ特殊な被覆物
で被覆するのに極めて有益である。
耐熱性金属、珪素及びアルミニウムからなる耐熱性金属複合物が一つの操作で速
やかにそして効率的に窒化物に変換され、緻密化される。又、窒化珪素のような
マイクロ波とカップリングしがたいものが、マイクロ波−カッブリング元素の珪
素からかなりの程度焼結され、緻密化複合物に形成される。
本発明は耐熱性窒化物の製造及び緻密化のみに限られない。ホウ化物、炭化物及
び珪化物のような他の金属間化合物物質が、本方法を用い、適切な物質と条件を
選ぶだけで容易にかつ効率的に製造されそして緻密化される。
本発明において、必要な熱をマイクロ波照射のフラックスにより供給しながら気
体反応によって窒化珪素を製造することは現状の技術に対する大きな改善である
。他の目的のために、金属間化合物、複合物及び被覆物のような物質が本方法に
よって製造可能である。複合物における物質の組合わせは、複合物中に反応性成
分と反応性のない成分を含ませることによって変えることができる。
ある物質の硬いセラミックコーティングをビット、バイト、及びるつぼ上に形成
させることができる;そして、物品の表面を炭素−窒化物のような金属間化合物
の混合物で被覆できる。
第11■、及び■表に、元素の珪素粉末(単独で又は6重量%のY2O3を生成
させるのに適正な量の酸化イツトリウム[又は硝酸イツトリウム]及び1.5%
のAl2O3を生成させるのに適正な量の酸化アルミニウム[又は硝酸アルミニ
ラムコを代表的な場合きして加え)の多くの成型体試料に対し、窒化珪素を生成
させるため窒素雰囲気中でマイクロ波処理を行ったときの処理条件及び得られた
データを示す。第11■、及び■表に記載する珪素のマイクロ波反応に対し、1
.6kWの一定電力、又は0乃至6kWの可変電力の、標準周波数(2,45G
Hz)のマイクロ波アプリケーターを用いた。数インチまでの厚さ及び4インチ
を超える直径の試験体の場合、窒化は一様であること及び窒化物は成型体の全体
にわたり均等に分布していることが実験により示された。酸化鉄(これは従来の
窒化操作において一般的に窒化触媒として添加される)を標準的な3乃至5重量
%の濃度において試験した。この酸化鉄を添加しても、添加しなくても窒化はほ
ぼ同じであった。このことは非常に重要である。何故なら酸化鉄を添加すると粒
界に混合された酸化物相の融点が低くなり、そのため生成する窒化珪素の高温で
の使用温度が低下するからである。このように、マイクロ波を照射される物質は
有害な酸化鉄の添加を必要としないのでマイクロ波照射による窒化珪素は従来の
反応−焼結(+eaction−bonded )による窒化珪素より決定的に
有利である。
又、マイクロ波加熱は反応−焼結窒化珪素(すなわち、rRBsNJ)を製造す
るための珪素の窒化を増進させることが定量的に示されている。マイクロ波によ
る窒化の場合、珪素金属を窒化珪素に約95重量%変換させるのに1350℃に
おいて約12時間を必要とするにすぎない。これに反し、従来の窒化は同じ変換
率を達成するのに約160時間を必要とする。換言すれば、マイクロ波による窒
化時間は従来の窒化時間の10分の1未満でよい。
RBSNは、部品の寸法が窒化の前後において本質的に同じであるので重要であ
り、珪素の反応性窒化方法の特異な特徴であるm−寸法の変わらない部品を生産
するという点で。窒化前の珪素成型体の寸法は、窒化後の部品の寸法と本質的に
同じである。従って本方法によって窒化珪素の正味形状 (ne+−5hapり
に近い部品を製造できる。
窒化珪素のマイクロ波による形成がこのように効率的であるという事実は粒子一
対一粒子の接触面において窒素の反応が増進されることに起因すると考えられる
。マイクロ波エネルギーは一般に粒子の境界に優先的に吸収される。粒子の境界
領域に微小アーク放電 (mic+6−x+chinglが発生すると考えられ
る。いづれの場合においても、珪素の窒化は著しく増進される。窒化珪素(これ
は完全に窒化された珪素である)はマイクロ波を余り吸収しない。従って、珪素
金属が容易に加熱され、そして、窒素雰囲気が用いられるときはまた容易に窒化
珪素に変換されるということは注目されるべきである。
本発明は金属間化合物の研究者に対し、これらの物質の製造及び緻密化のための
迅速な、そして効率的な方法ならびにそれらの物質の組成を提供する。
本発明の好ましい実施態様を示し、かつ説明したが、それらに関する各種の変更
及び修正は、請求の範囲によって規定される発明の範囲に含まれることは当業者
にとって明白である。
第1表
窒素雰囲気におけるマイクロ波−反応珪素物質に関するデータ2 8g、+ 9
.5 2.4
3 100.0
4 95.2 2.91.9
5 90.6 8.0 +、4
6 88、+ 9.5 2.4
7 gll、+ 9.5 2.4
8 88、+ 9゜52.4
9 811、+ 9.5 2.4
1088、+9.5 2.4
+1 44.05 4.75 +、2 50.0+2 95.2 2.9 1.
9
13 95.2 2.9 1.9
2 79.8 +2.0 6.5 1.63 76.9 23.1
4 23.5 68.+ 2.6 5.75 37.6 54.4 6.8 1
.26 74.2 17.5 6.7 1.77 71、G 2Q、4 6.8
1.78 28.2 61.2 g、4 2.19 29.4 6G、+ 8
.4 2.110 65.9 25J 7.0 +、7第■表
マイクロ波照射条件、6 kW、 2.45GHzの処理装置使用時試験体寸法
L D=7.0 (17,71静水圧 1998.32823.7 1200−
〜30h=2.0(5,0110,0QOpsi 140(12D=1.0
(2,5+ 一方向 13.24 19.44 1260 、1500− 5h
=o。67(1,7) 4.DOOpxi I400 15303 D=1.0
(2,51一方向 3.57 5.15 1260 150Q 5h=0.2
5((1,6414,000psi 1400 153G4 D=1.4 (3
,61静水圧 90.6110G、14 1235− 1700 20h=2.
0(5,0) 10,000psi 13705 D=1. O(2,51一方
向 12.74 14.99 1235− 1700 20h:0.63(+、
6) 4,000psi 13706 D=]、 0 (2,5ン 一方向 +
5.H21,301380−17h:0.74(1,914,00(lpsi
14007 D=1.0 (2,5) 一方向 17.65 24.64 13
00− 27h:0.71(1,8) 10,000psi 14008 D=
1.0 (2,5) 一方向 +3.44 15.15 1435− 1550
− +5h:0.54 (1,4) 1G、 000psi 1470 180
09 D=1.0 (2,51一方向 +3.69 15.51 1435−
1550− +5h4.55(1,715,(1(lGpsi 1470 18
GO10D=1.0 (2,5+ 一方向 13.92 11119 1250
− +50h:0.68(+、7) 4.00Gpsi 1350II D=1
.0 (2,51一方向 11.51 14.29 1275− 26h=0.
54(1,4] 4,000p+i 140012 D=1. O+2.5)
静水圧 11.40 15.97 1360− 54h=0.54(1,4)
10,000p+i 1400+3 0=1.4 (3,61静水圧 14(1
,37192,1+ +3H−1450−50b=3.5(8,9110,0G
Op+i 1400 1600第■表(続き)
マイクロ波照射条件、6Kw、2.45GHzの処理装置使用時及び繊維
粗粒
粗粒
第■表
百分率 反応
基準二 基準・
の最終 の合計
混合物を重量で50150にブレンドしたもの。
素材全体にわたり窒素が完全に均一に分布していた。
要 約 書
耐熱性の窒化物形成金属又は半金属の物品を窒化する方法が記載されている。圧
縮した金属又は半金属物品を電子オーブンの中に置き、窒素含有気体を電子オー
ブンに導入する。電子オーブン内にマイクロ波エネルギーを加えることにより、
前記金属及び半金属を窒素で反応させるのに十分な温度に加熱する。金属又は半
金属の物品を耐熱性窒化物の物品にに変換するのに十分な時間、この金属又は半
金属をその温度に維持する。それに加え、マイクロ波加熱により金属又は半金属
に酸化物、炭化物又は炭素−窒化物の被覆のような被覆を施す方法が記載されて
いる。
国際調査報告
Claims (34)
- 1.下記の工程を含む、耐熱性の窒化物形成金属又は半金属の物品の窒化方法: 工程1)金属又は半金属の物品をセラミック絶縁物質で緊密に接触させて包み込 み、電子オーブン内に置く工程、 工程2)前記電子オーブン内に窒素含有雰囲気を導入する工程、 工程3)前記電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって、前記 金属又は半金属の物品を前記電子オーブン内で窒素含有雰囲気下で、その物品を 前記窒素と反応させるのに十分な温度に加熱する工程、そして 工程4)前記金属又は半金属の物品を前記温度で、その物品を耐熱性窒化物の物 品に変換させるのに十分な時間保持する工程。
- 2.前記物品が珪素、ホウ素、チタン、タンタル、ハフニウム、ジルコニウム、 ニオブ及びそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項1に記載の方法。
- 3.前記物品が珪素、イットリア、アルミナ、酸化鉄、炭素、鉄、窒化珪素及び それらの混合物からなる群から選ばれる物質を含む、請求項1に記載の方法。
- 4.前記マイクロ波エネルギーが、2.45GHzの電子オーブンで発生される 、請求項1に記載の方法。
- 5.平均粒度が一4乃至+100メッシュの粒子状物質からなるセラミック集合 体で緊密に接触させて包み込まれた前記金属又は半金属の物品を耐熱性セラミッ ク容器に収容する、請求項1に記載の方法。
- 6.前記工程3の温度が1,000℃より高い、請求項1に記載の方法。
- 7.珪素から窒化珪素に約95%変換させるため、前記工程4における時間が、 工程3の温度約1350℃において約12時間である、請求項2に記載の方法。
- 8.前記耐熱性窒化物の物品の密度が理論密度の85%以下である、請求項1に 記載の方法。
- 9.前記窒素含有雰囲気が、N2、NH3、H2、Ar及びそれらの混合物から なる群から選ばれる気体を含む、請求項1に記載の方法。
- 10.下記の工程を含む、金属又は半金属の物品を金属窒化物で被覆するための 方法; 工程1)金属又は半金属の物品をセラミック絶縁物質で緊密に接触させて包み込 み、電子オーブン内に置く工程、 工程2)前記電子オーブン内に窒素含有雰囲気を導入する工程、 工程3)前記電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって、前記 金属又は半金属の物品を前記電子オーブン内で窒素含有雰囲気下で、その物品を 前記窒素と反応させるのに十分な温度に加熱する工程、そして 工程4)前記金属又は半金属の物品を前記温度で、その物品の窒化物被覆を形成 するのに十分な時間保持する工程。
- 11.前記耐熱性金属の物品が珪素、ホウ素、チタン、タンタル、ハフニウム、 ジルコニウム、ニオブ及びそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項10 に記載の方法。
- 12.前記物品が珪素、イットりア、アルミナ、酸化鉄、炭素、鉄、窒化珪素及 びそれらの混合物からなる群から選ばれる物質を含む、請求項10に記載の方法 。
- 13.前記マイクロ波エネルギーが、2.45GHzの電子オーブンで発生され る、請求項10に記載の方法。
- 14.平均粒度が−4乃至+100メッシュの粒子状物質からなるセラミック集 合体で緊密に接触させて包み込まれた前記金属及び半金属の物品を耐熱性セラミ ック容器に収容する、請求項10に記載の方法。
- 15.前記工程3の温度が1,000℃より高い、請求項10に記載の方法。
- 16.前記工程4における時間が150時間未満である、請求項10に記載の方 法。
- 17.前記窒素含有雰囲気が、N2、NH3、H2、Ar及びそれらの混合物か らなる群から選ばれる気体を含む、請求項10に記載の方法。
- 18.下記の工程を含む、耐熱性金属又は半金属の物品を酸化物で被覆するため の方法: 工程1)金属又は半金属の物品をセラミック絶縁物質で緊密に接触させて包み込 み、電子オーブン内に置く工程、 工程2)前記電子オーブン内に酸素含有雰囲気を導入する工程、 工程3)前記電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって、前記 金属又は半金属の物品を前記電子オーブン内で前記雰囲気下で、その物品と前記 雰囲気中の前記酸素を反応させるのに十分な温度に加熱する工程、そして 工程4)前記金属又は半金属の物品を前記温度で、その物品の酸化物被覆を形成 するのに十分な時間保持する工程。
- 19.前記金属又は半金属の物品が珪素、チタン、イットリウム、スカンジウム 、希土類元素、ハフニウム、アルミニウム、クロム、ウラン、トリウム、ジルコ ニウム及びそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項18に記載の方法。
- 20.前記半金属が珪素である、請求項18に記載の方法。
- 21.前記マイクロ波エネルギーが、2.45GHzの電子オーブンで発生され る、請求項18に記載の方法。
- 22.平均粒度が−4乃至+100メッシュの粒子状物質からなるセラミック集 合体で緊密に接触させて包み込まれた前記金属又は半金属の物品を耐熱性セラミ ック容器に収容する、請求項18に記載の方法。
- 23.前記工程2における雰囲気が、前記電子オーブン内ヘの空気の流れによっ て与えられる、請求項18に記載の方法。
- 24.下記の工程を含む、金属又は半金属の物品を炭化物で被覆するための方法 : 工程1)金属又は半金属の物品をセラミック絶縁物質で緊密に接触させて包み込 み、電子オーブン内に置く工程、 工程2)前記電子オーブン内に炭素含有雰囲気を導入する工程、 工程3)前記電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって、前記 金属又は半金属の物品を前記電子オーブン内で前記雰囲気下で、その物品と前記 雰囲気中の前記メタンを反応させるのに十分な温度に加熱する工程、そして 工程4)前記金属又は半金属の物品を前記温度で、その物品の炭化物被覆を形成 するのに十分な時間保持する工程。
- 25.前記金属又は半金属の物品が珪素、チタン、タングステン、ハフニウム、 タンタル、ホウ素、バナジウム、クロム、モリブデン、ジルコニウム、ニオブ及 びそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項24に記載の方法。
- 26.前記炭素含有雰囲気がメタン、アセチレン、ブタン、アルゴン及びそれら の混合物からなる群から選ばれる気体を含む、請求項24に記載の方法。
- 27.前記マイクロ波エネルギーが、2.45GHzの電子オーブンで発生され る、請求項24に記載の方法。
- 28.セラミック絶縁物質で緊密に接触させて包み込まれた前記金属又は半金属 の物品を耐熱性セラミック容器に収容する、請求項24に記載の方法。
- 29.下記の工程を含む、金属又は半金属の物品を金属の炭素−室化物で被覆す るための方法:工程1)金属又は半金属の物品をセラミック絶縁物質で緊密に接 触させて包み込み、電子オーブン内に置く工程、 工程2)前記電子オーブン内に炭素及び窒素含有雰囲気を導入する工程、 工程3)前記電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって、前記 金属又は半金属の物品を前記電子オーブン内で前記雰囲気下で、その物品と前記 雰囲気中の前記メタン及び窒素を反応させるのに十分な温度に加熱する工程、そ して工程4)前記金属又は半金属の物品を前記温度で、その物品の炭素−窒化物 被覆を形成させるのに十分な時間保持する工程。
- 30.前記金属又は半金属の物品が珪素、ホウ素、チタン、ハフニウム、タンタ ル、ジルコニウム、ニオブ及びそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項 29に記載の方法。
- 31.前記炭素及び窒素含有雰囲気が窒素、メタン、アセチレン、ブタン、アル ゴン及びそれらの混合物からなる群から選ばれる気体を含む、請求項29に記載 の方法。
- 32.前記マイクロ波エネルギーが、2.45GHzの電子オーブンで発生され る、請求項29に記載の方法。
- 33.平均粒度が−4乃至+100メッシュの粒子状物質からなるセラミック集 合体で緊密に接触させて包み込まれた前記金属又は半金属の物品を耐熱性セラミ ック容器に収容する、請求項29に記載の方法。
- 34.下記の工程を含む、珪素の物品を窒化するための方法: 工程1)99.95%より高純度の珪素、86.9w/o、イットリア、9.8 w/o、及びアルミナ、3.3W/oで本質的に構成される粉末の混合物をプレ スし、成型された物品を形成させる工程、工程2)前記成型された物品を窒化ホ ウ素のるつぼの中に収容されている、粒度約2ミクロンの窒化珪素−2w/oイ ットリアの粉末中に包み込み、前記るつぼをアルミナ繊維板で覆いそして電子オ ーブンの中に置く工程、 工程3)前記電子オーブン内にアルゴン雰囲気を導入する工程、 工程4)前記電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって、前記 珪素の物品を前記アルゴン雰囲気下で約1000℃に加熱する工程、工程5)前 記電子オーブン内に窒素雰囲気を導入する工程、 工程6)前記電子オーブンにマイクロ波エネルギーを加えることによって前記珪 素の物品の前記温度を前記窒素雰囲気下で約1400℃まで上げる工程、そして 工程7)前記珪素の物品を前記工程6の温度に、前記珪素の物品中の珪素の75 %より多くを窒化ケイ素に変換させるのに十分な時間保持する工程、そして前記 珪素の物品は約24時間、マイクロ波エネルギーによって加熱される工程。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US51230690A | 1990-04-20 | 1990-04-20 | |
| US512,306 | 1990-04-20 | ||
| PCT/US1991/002578 WO1991016801A1 (en) | 1990-04-20 | 1991-04-15 | A method of nitriding refractory metal articles |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05506066A true JPH05506066A (ja) | 1993-09-02 |
Family
ID=24038559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP91508374A Pending JPH05506066A (ja) | 1990-04-20 | 1991-04-15 | 耐熱性金属物品の窒化方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5294264A (ja) |
| EP (1) | EP0525086A4 (ja) |
| JP (1) | JPH05506066A (ja) |
| KR (1) | KR970002280B1 (ja) |
| AU (1) | AU649252B2 (ja) |
| CA (1) | CA2078120A1 (ja) |
| WO (1) | WO1991016801A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008545887A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-12-18 | キャボット コーポレイション | 金属粉末の熱処理方法およびそれにより製造された製品 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6066279A (en) * | 1997-09-16 | 2000-05-23 | Lockheed Martin Energy Research Corp. | Gelcasting methods |
| US6228299B1 (en) | 1997-09-16 | 2001-05-08 | Ut-Battelle, Llc | Gelcasting compositions having improved drying characteristics and machinability |
| US6395327B1 (en) | 1999-03-12 | 2002-05-28 | Zimmer, Inc. | Enhanced fatigue strength orthopaedic implant with porous coating and method of making same |
| JP2005042136A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Toyota Industries Corp | アルミニウム基複合材料およびその製造方法 |
| CN1296322C (zh) * | 2004-04-20 | 2007-01-24 | 东北大学 | 一种应用毫米级大颗粒制造耐火材料的凝胶注模成型方法 |
| US8203095B2 (en) * | 2006-04-20 | 2012-06-19 | Materials & Electrochemical Research Corp. | Method of using a thermal plasma to produce a functionally graded composite surface layer on metals |
| US7541561B2 (en) * | 2006-09-01 | 2009-06-02 | General Electric Company | Process of microwave heating of powder materials |
| CN100449012C (zh) * | 2007-03-08 | 2009-01-07 | 北京科技大学 | 一种复杂形状高体分比SiCp/Al复合材料的制备方法 |
| US8613983B2 (en) | 2011-08-03 | 2013-12-24 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Method of laser surface treating pre-prepared zirconia surfaces |
| EP3000797B1 (en) * | 2014-09-24 | 2019-11-27 | Rolls-Royce Corporation | Method for making ceramic matrix composite articles using gelling |
| CN119615130B (zh) * | 2024-12-11 | 2026-01-09 | 浙江创芯集成电路有限公司 | 气体温度调节系统以及调节方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61157671A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 低温プラズマによるチタンの酸化着色法 |
| JPS6386857A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-18 | Toshiba Corp | 金属部材のプラズマ表面処理方法 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2739907A (en) * | 1950-07-20 | 1956-03-27 | Nowak Rudolf | Process for imparting an improved finish to the surface of metals by means of diffusion treatment |
| NL264188A (ja) * | 1960-04-29 | |||
| US3469053A (en) * | 1965-10-19 | 1969-09-23 | Melvin L Levinson | Microwave kiln |
| FR1590454A (ja) * | 1967-11-02 | 1970-04-13 | ||
| US4057702A (en) * | 1973-10-31 | 1977-11-08 | Automatisme & Technique | Process and plant for the fritting of ceramic products |
| JPS5823349B2 (ja) * | 1975-08-11 | 1983-05-14 | 新日本製鐵株式会社 | タイカブツノシヨウケツホウホウ |
| FR2335470A2 (fr) * | 1975-08-26 | 1977-07-15 | Automatisme & Technique | Procede et installation pour le frittage de produits ceramiques |
| DE2637311A1 (de) * | 1975-08-27 | 1977-03-10 | Automatisme Et Tech Arcueil | Verfahren zum sintern oder schmelzen keramischer oder feuerfester erzeugnisse |
| SE412504B (sv) * | 1977-04-07 | 1980-03-03 | Inst For Mikrovagsteknik Vid T | Sett och anordning for att medelst mikrovagsenergi astadkomma en i huvudsak likformig uppvermning |
| US4307277A (en) * | 1978-08-03 | 1981-12-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave heating oven |
| US4189629A (en) * | 1978-09-22 | 1980-02-19 | General Motors Corporation | Apparatus and method for microwave heating in a kiln |
| GB2106709B (en) * | 1981-09-17 | 1986-11-12 | Itt Ind Ltd | Semiconductor processing |
| KR890001030B1 (en) * | 1981-12-16 | 1989-04-20 | Ae Plc | Nitro-carburizing treatment method and metal ring |
| US4565669A (en) * | 1983-04-21 | 1986-01-21 | Cem Corporation | Microwave ashing apparatus |
| US4743340A (en) * | 1983-04-29 | 1988-05-10 | Martin Marietta Energy Systems Inc. | High-temperature zirconia insulation and method for making same |
| US4529857A (en) * | 1983-10-04 | 1985-07-16 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ceramic-glass-ceramic seal by microwave heating |
| US4529856A (en) * | 1983-10-04 | 1985-07-16 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ceramic-glass-metal seal by microwave heating |
| US4559429A (en) * | 1984-11-29 | 1985-12-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Microwave coupler and method |
| JPS62195892A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-28 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツクスの加熱制御装置 |
| US4764102A (en) * | 1986-04-22 | 1988-08-16 | Ig-Technical Research Inc. | Continuous elongate ceramic article manufacturing system |
| JPS6311580A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツクスの接合装置 |
| US4767902A (en) * | 1986-09-24 | 1988-08-30 | Questech Inc. | Method and apparatus for the microwave joining of ceramic items |
| US4757172A (en) * | 1986-09-24 | 1988-07-12 | Questech Inc. | Method and apparatus for the microwave joining of nonoxide ceramic items |
| US4784686A (en) * | 1987-04-24 | 1988-11-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Synthesis of ultrafine powders by microwave heating |
| US4806718A (en) * | 1987-06-01 | 1989-02-21 | General Mills, Inc. | Ceramic gels with salt for microwave heating susceptor |
| US4808780A (en) * | 1987-09-10 | 1989-02-28 | General Mills, Inc. | Amphoteric ceramic microwave heating susceptor utilizing compositions with metal salt moderators |
| US4810846A (en) * | 1988-01-26 | 1989-03-07 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Container for heat treating materials in microwave ovens |
| US4894194A (en) * | 1988-02-22 | 1990-01-16 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method for molding ceramic powders |
| JPH01252786A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Tokyo Yogyo Co Ltd | 窒化アルミニウム膜の合成方法 |
| US5028362A (en) * | 1988-06-17 | 1991-07-02 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method for molding ceramic powders using a water-based gel casting |
| US4880578A (en) * | 1988-08-08 | 1989-11-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for heat treating and sintering metal oxides with microwave radiation |
| US5154779A (en) * | 1990-04-20 | 1992-10-13 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method of nitriding, carburizing, or oxidizing refractory metal articles using microwaves |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP91508374A patent/JPH05506066A/ja active Pending
- 1991-04-15 KR KR1019920702595A patent/KR970002280B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-15 AU AU77514/91A patent/AU649252B2/en not_active Ceased
- 1991-04-15 WO PCT/US1991/002578 patent/WO1991016801A1/en not_active Ceased
- 1991-04-15 CA CA002078120A patent/CA2078120A1/en not_active Abandoned
- 1991-04-15 EP EP19910908688 patent/EP0525086A4/en not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-01-10 US US07/820,452 patent/US5294264A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61157671A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 低温プラズマによるチタンの酸化着色法 |
| JPS6386857A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-18 | Toshiba Corp | 金属部材のプラズマ表面処理方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008545887A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-12-18 | キャボット コーポレイション | 金属粉末の熱処理方法およびそれにより製造された製品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1991016801A1 (en) | 1991-10-31 |
| EP0525086A4 (en) | 1993-09-15 |
| US5294264A (en) | 1994-03-15 |
| KR970002280B1 (ko) | 1997-02-27 |
| KR930701092A (ko) | 1993-03-16 |
| AU649252B2 (en) | 1994-05-19 |
| EP0525086A1 (en) | 1993-02-03 |
| CA2078120A1 (en) | 1991-10-21 |
| AU7751491A (en) | 1991-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Danko et al. | Comparison of microwave hybrid and conventional heating of preceramic polymers to form silicon carbide and silicon oxycarbide ceramics | |
| US3758662A (en) | In carbonaceous mold forming dense carbide articles from molten refractory metal contained | |
| JPH11504074A (ja) | 複合材料およびその製造法 | |
| US5571848A (en) | Method for producing a microcellular foam | |
| JPS6047225B2 (ja) | 高密度化ケイ素製品の製造法 | |
| US5154779A (en) | Method of nitriding, carburizing, or oxidizing refractory metal articles using microwaves | |
| US4237085A (en) | Method of producing a high density silicon carbide product | |
| KR970002280B1 (ko) | 내화성 금속재료를 질화시키는 방법 | |
| Yamamoto et al. | Preparation and oxidation of Al4SiC4 | |
| JP2001511106A (ja) | 312三元セラミック材料の表面処理およびその製品 | |
| US20010011059A1 (en) | Carbide material by electromagnetic processing | |
| US4172109A (en) | Pressureless sintering beryllium containing silicon carbide powder composition | |
| Sheldon et al. | The Nitridation of High Purity, Laser‐Synthesized Silicon Powder to Form Reaction Bonded Silicon Nitride | |
| Zunjarrao et al. | Microwave processing of actively seeded precursor for fabrication of polymer derived ceramics | |
| JPS6225605B2 (ja) | ||
| JPH02275772A (ja) | 窒化アルミニウム基焼結体の製造方法 | |
| CA1188503A (en) | Method for fabricating cermets of alumina-chromium systems | |
| JP3839514B2 (ja) | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JPH042662A (ja) | 高純度炭化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JPH0455144B2 (ja) | ||
| Kaga et al. | Formation of Al2O3–TiC Composite Nano‐Particles Synthesized from Carbon‐Coated Precursors | |
| Zou et al. | Fabrication of Fe-Al intermetallic/TiC-Al2O3 ceramic composites from ilmenite by reaction sintering | |
| JPS589882A (ja) | 超硬耐熱セラミックスの製造方法 | |
| Vlasova et al. | Mechanoactivation of chromium silicide formation in the SiC-Cr-Si system | |
| Simone | Sintering pressure-less ad alta efficienza e scalabilità di TiB2 per applicazioni ad elevata resistenza e durezza |