JPH05509441A - マイクロチップの処理 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 マイクロチップの処理 技術分野 この発明は、集積半導体デバイスの処理及び特にこのようなデバイスとして例え ば、デバイスの結合側に電気的導電材料を計画する集積半導体チップを提供する 方法に関する。

背景技術 集積回路チップの結合バッドと、対応するパッケージの結合側との間の垂直方間 の相互接続を与える公知の方法は、例えばＥＰ−Ａ−０１８６８１８に開示され た“フリップチップ技術がある。その技術では、チップの入／出力結合バッド上 に半田ボールが与えられ、 この技術は、小さい半田ボールまたは“隆起”が、それらの低い高さおよびそれ 故低い程度のコンプライアンスに因り、熱的膨張応力に好ましくない許容誤差を 与え勝ちであるという問題に面する。一方、大きい半田ボールは、バッドスペー ス接近に限界を生じる。本発明は、これらの問題を回避できる改良した“フリッ プチップを提供する。

発明の開示 本発明は従って以下の方法を提供する。即ち、面から面への使用となるデバイス の電気的コタンクトの適合するアレイに対して、デバイスの導電結合側から電気 的導電材料が形成される集積￥導体チップを提供する方法であって、（ａ）デバ イスの表面に少なくとも５マイクロメータ厚さて固着する電気的絶縁層を形成す るが、結合側と導通させるため二、その絶縁層には一つまたはより多くの穴を持 たせ、（ｂ）結合側と電気的な導通を確立するために穴内に電気的導電材料を配 し、そして（ｃ＞導電材料が実質的二上記大内のみに位置するよう、堆積された 導電材料を絶縁層のメイン表面から排除またはもし必要ならば取り除く方法。

第１の視点ては、デバイス特にマイクロチップの表面に、回路の結合側および近 傍に横たわる比較的繊細なものに損傷を与えることなく、穴あけ動作が連続的に 実行できるというごとが明確でない。しかしながら、後で述べるように、穴あけ を少なくとも部分的に行うときであっても、紫外線レーザ切除好ましくは１９３ （ＡｒＦ）、３０８（Ｘ、ｅＣｌ）または好ましくは２４９（ＫｒＦ）の波長て もって高効率かつ高精度の技術で行うことにより、結合側を損傷を回避下べく、 穴あけ動作を制御することが可能である。励起レーザ切除が高速および厚い亡の 穴あけに好ましいが、他の穴あけ技術、例えば反応イオンエツチングまたは化学 エツチングを用いることができ、後で述べるように、最終の化学工、テングのス テップを併用することが可能である。

又、直径および深さを有する一端が“めくら“穴の中に形成することは期待てき ないが、これは例えば穴の直径が５ないし２００マイクロメータ、好ましくは１ ５ないし１００マイクロメータ、特に好ましくは２５ないし５０マイクロメータ の範囲に対しては可能である。

電気的導電材料の堆積後、方法は、穴内に堆積された導電材料の少なくとも一部 を露出するために、絶縁層の一部また：よすべてを除去するステ、ブを好ましく は含む。このようにして、公知の半田ボールよりも高い電気的導電材料の形成が 、その後のチップパッケージ構成への接続のために、結合側に与えろれる。

好ましいレーザ切除による穴あけ技術を用いた時、デバイス表面および結合側の 形成、層を損傷することなく、これらの１に固着された絶縁層を通して正確ｆ工 面あけするために、レーザパルスまたは“切除”の数を理論的に制限することが 可能となる。しかしながら、実際には、絶縁層の厚さにわずかな変化があるため に、および／または、例えばレーザ／ステムの光学系での汚れにより、絶縁表面 に到達する光束に変化があるために、このことは困難である。

これらの困難は、本発明により、絶縁層下の指示層を施すことにより、容易に克 服でき、この指示層は、第１の穴あけ動作（例えば好ましいレーザ切除）により 直接に作用された時、識別できる指示を呈する。第１の穴あけ動作は、前記指示 が生じ時、その後、緩やかにされるか、第２の穴あけ動作に置き換えられる。

適した穴あけ動作は、このようにして、緩やかにされるか、置き換えられ、結合 側への損傷を回避できることが理解され、この技術は、特に好ましいレーザ切除 に適しており、前記の指示の発生により、切除が停止される。第２の穴あけ動作 、例えば化学エツチングがその後、用いられ、指示層を通過して下層の結合側へ の穴あけがなされる。

本発明による方法は、好ましくは引き伸ばしまたはスプレーコーティングにより 指示層を形成するステップを含むが他の技術を用いてもよい。この指示層は、第 １の穴あけが到達した時、適した指示、例えばエツチング液を色を発生させるこ とにより、または、上述した紫外線の励起レーザーが切除された時に検知できる 固有の光を発することにより、または、スペクトル計で検知出来る固有のイオン を発する材料を含む。例によれば、指示層は、既に現存する蛍光性ガラスを含む ことができ、その場合には、結合側を呈するためにエッチ除去されず、その後、 本発明の指示層として役立った後に除去される。もしチップがシリカまたはシリ コン窒化物で不活化されているなら、例えば、ＣＦ　、１０　、シリカプラズマ エツチング、ＳＦ、シリコン窒化物工、チングのごとき既知の工、チング技術に より、レーザ穴あけ後に結合バッドの窓を開くことが望ましい。もし、絶縁層が 使用されるエツチング処理に十分に耐えられないならば、その絶縁層を保護する ために、“スペクトラム　メガ１のごとき既知のニッチレノストは、ダーハイの マイクロイメー７テクノロジーＬｔｄまたは“７ノブー１４００″プラズマエツ チレジストを適用することができる。

結合側を露出するために、ンソカまたは他の層のエツチングの前または後に、こ れとは別に、付加的な指示層、例えばフィルム形成したフッ化ポリマーを含むこ の種の指示層を用いることができる。このようなポリマーの好ましい列は、ＨＯ ｅｃｂ＋を社の商標”５ｉｘｅｆ−３３”および“５ｉｘｅｆ−４４”で利用で きるコーティング可能なポリイミドであり、一般的な化学式に対応する。

結合側を露出するために、もし、ンリカまたは他の層のエツチング後に適用され たならば、この指示層は、上層の絶縁層の穴あけ後に、除去されるべき自身の材 料のみを残して結合側上に直接残る。

付加的な指示材料が、例えばフォトレジストでもって化学エツチングニヨリ、も し、都合良く除去できるならば、結合側上のみの指示層を残すことができる。

本発明による方法は、好ましくは引き伸ばしまたはスプレーコーティングにより 絶縁層を施すステップを含むが他の技術を用いてもよい。絶縁層は、有機の重合 材料、好ましくはポリイミドまたはこれとは別のエポキシを含み、またはこれと は別の蛍光ンリカまたはホウ素シリカガラスのごとき非有機材料を含んでもよい 。その絶縁層は、その後、例えばエツチングまたは適した溶液内での溶解により 、部分的にまたは全部が除去される。穴内の金属の端を計画するために部分的な 除去が所望される場合、除去可能な層が絶縁ｉ上に施され、除去可能な層は、溶 解またはエツチング除去され、穴内に配された導電材料の端部か露出され、そし て絶縁層の表面が露出される。このような除去可能な層は、例えば有機重合材料 、好ましくは非晶質のポリイミドである。

堆積動作は好ましくは穴内の電気的導電材料をチューブ状に形成するが、穴が完 全に満たされるまで、堆積が継続して行われてもよく、または半田のごとき充填 材料がチニープ状形成内に導かれてもよい。好ましい堆積動作は、結合バッドお よびあなの内表面へ、金属、好ましくはクロム、引き続き銅によるスパッタリン グを含み、もし必要ならば、絶縁層のメイン表面から金属を除去する処理が後に 続匂後で表面に更に別の金属をブレーティングするためには、クロムおよび銅は 、アルミの結合バッドに対して特に有用である。穴内の表面への堆積動作は、電 気を用いない、金属、例えばニッケルのブレーティングを含み、この後、絶縁、 ｌｉｉ上のメイン表面上に電気を用いずにブレーティングされた金属の除去が続 く。

このような電気を用いないブレーティングは、ブレーティングされた金属を穴の 触媒化ざｆまた適した表面へ、または、上述したスバ／ター化され二金属のよう に先に堆積された金属上へ直接に堆積する。結合パッドへの電気を用いない直接 のブレーティングは、バッドに使用された金属およびブレーティングに使用され た金属に依存する。この堆積動作は、半田処理、例えば、シャドウマスクを介し 、穴の中へおよび／又は穴内の金属上へのエバポレーションも含んでもよい。

この発明に含まれる他の態様は、上述した方法により、一つまたはより多くの結 合側に電気的導電材料が備えられた、集積回路半導体デバイス、特にチップであ り、そして、上述した方法により、表面に粘着性の指示層を持つ、集積回路半導 体デバイス、特にチップであり、上述した方法により、この指示層はまた、絶縁 層に粘着されてもよい。

この発明による種々の層は、適した手段、例えば、既述した引き延ばしまたはス プレー法に代えて、溶融鋳造または溶解鋳造により、集積回路テップまたはマル チチップのモジュールまたはウェーハースケールの集積回路に備えられてもよい 。本発明の方法は、半導体ウェーハーカフ個々のチップに分割される前に、実行 するのが特に好ましい。

絶縁層に対する特に好ましいポリイミド材料は、溶解液として適用でき、そして 、固体層好ましくは加硫された層を得るために、この後、液体の蒸発および熱処 理がなされる。このような材料例は、公知のコーティング可能なポリイミドを含 み、これは、Ｎａｔｉｏｎａｌ　５ｔａｒｃｈおよびＣｈｅｍｉｃａ１社の開襟 “Ｔｈｅｒｍｉｄ”または、こられを入手できるＤｕ　Ｐｏｎｔ、Ｈｉｔａｃｈ ｉ　ａｎｄ　Ｂｒｅｗｅｒ　５ｃｉｅｎｃｅ　Ｉｎｃ、　（Ｍｉｓｓｏｕｒｉ） のものである。

これに代わるものとしては、Ｕｂｅ／■Ｃ■社より入手できる商標“ＵＰＩＬＥ Ｘ”のごときポリイミドによる粘着性フィルムが好ましい。これらの内の一つで ある“ＬＰＩＬＥＸＲ”は、ビヘ二一ル　ダイアヒドライドおよびダイアミノデ イヘエニールライサーに基づく連続ユニットを有する比較的完全なポリマーと考 えられる。

最も好ましいのは、“ＬＰＩＬＥＸ　Ｓ”であり、同じビヘ二一ル　ダイアヒド ライドおよびダイアミノディヘエニールライザーに基づく連続ユニットを有する と考えられる。

ビフェニールダイアンヒドライドおよび４，４°−ダイアミノビフェニールに基 づくポリマイドは、マイクロ回路に特に適する熱膨張特性を持つ。上述したグイ アミン、例えば３，４°−または３，３°−ダイアモ　異性体に基づく対応ポリ マーもまた、ビフェニールダイアヒドライドの代わりのピロメルティク　ダイア ヒドライドとして有用である。

これらのケースでは、ポリマイドフィルムをマイクロ回路デバイスに固着するの に使用された材料は、指示層として役立てることが出来る。

既述した貫通穴のために、Ｕｖ励起レーザの切除によるレーザ穴あけは、化学エ ツチング法に比べより少ないテーパーの貫通穴を形成できる利点があり、テーパ ーが少ない程、（穴から穴の）ピッチを接近できる。これは明らかに有利であり 、本発明が適用されたマイクロ回路は、次第に小さくなり、そしてより高密度の パターンとなっている。（穴内の実質的に直線部で測定された）を有する貫通穴 は、１０°より小さく、好ましくは８°より小さく、より好ましくは６°より小 さく、特に好ましくは４″以下のテーパー（穴内の実質的に直線部で測定された ）を有する貫通穴は、本発明に基づき、都合良（レーザ穴あけにより達成される 。これは、直径２００マイクロメータ以下の穴に一般に好ましく、例えば、５な いし１５０マイクロメータまたは１０ないし１００マイクロメータ、特に５０マ イクロメータ以下である。

もし、溶解可能な層が絶縁層上に設けられたならば、上述したようにポリアミド 、特にアモルファスボッアミドが好ましい。

本発明の利点は、ポリアミドのポリマイドへの強固に固着することが、容易かつ 清潔で好ましい波長でのレーザ穴あけであるということであり、適した溶液によ り容易に除去可能であるということである。

好ましいアモルファスポリアミドは、アルファティク／アロマティクのポリマイ トである。

（Ａ）テレフタリック酸とトリメチルへ牛すメチレン　ダイアミン（好ましくは ２゜２，４−および２，４．４−１−リメチルへ牛すメチレン　ダイアミン　異 性体との混合溶液）との凝縮に基づくポリマイド。

（Ｂ）一つまたはより多くのパイサミノメチルノボルネ異性体と一つまたはより 多くのアリファティノク、サイクロアリファティックまたはアロマチック　ダイ カーポリツク酸、テレフタリック酸との凝縮であり、そして、付随的に一つまた はより多くのアミノ酸またはラクタム、エビ７０７力ブロラクタム共同体を含む ポリアミド。

（Ｃ）ローリンラクタム　イソフタリック酸およびビス−（４−アミノ−３−メ チルサイクロへキセル）から由来するユニットに基づくポリマイド。

（Ｄ）２．２−ビス（ｐ−アミノサイクロへキセル）プロパンとアディビノクお よびアゼレノク酸との凝縮に基づくポリアミド、およびトランス−サイクロヘキ サン−１，４−ダイカーボエキセリノク酸と、上述のトリメチルへ牛すメチレン 　ダイアミン異性体との凝縮に基づくポリアミド。

（Ｅ）ｍ−エキ上１／ンダイアミンおよびアディピノク酸とに起因するユニット に基づくポリアミド。

池の好ましいポリアミドは、ポリエステルおよびポリマイドプロ、り、特にいわ ゆる“ボリエステルーイースタ　アミドブロック共同体”の繰り返しユニットに 基づく。

−Ｃ−Ａ−Ｃ−０−Ｂ−〇− 〇　〇 ここで、Ａは、平均分子重量か３００ないし１５０ｏｏの範囲、好ましくは８０ ０ないし５０００のポリアミド列を示し、Ｂは、直線状または平衡しＴニボリオ 牛シアルクレンの列で平均分子重量は２００ないし６０００好ましくは４００な いし３００ｏである。

好ましくは、ポリマイド列は、アルファ、オメガ−アミ７カーボセリｙり酸、ラ クタムズまたは、Ｃ４ないしＣＩ４カーボンを持つグイアミン／ダイカーポセリ 。

り酸結合から形成され、ポリオキシエチレン列は、エチレングリコールおよび／ またはテトラメチレングリコールに基づいており、ポリオキシエチレン列は、重 量比で５ないし８５％、特に１０ないし５０％の全体ブロックの共重合体からな る。これらのポリマーおよびこれらの調＆剤は、ＵＫ特許明細書第１．４７３． ９７２、ｌ。

５３２、９３０．１．５５．６４４．２．００５．２８３Ａおよび２．０１１． ４５ＯＡに開示されており、参考としてそれを取り込む。

ポリマーは好ましくは０．９以下、より好ましくは０．７５以下、最も好ましく はｏ、６３以下、特別に好ましくは０．５５以下のＣ：Ｈ比を持つ。

穴あけできる層のトータル厚さは、好ましくは通常ＩＣまたはマルチチノブモジ ュールブロセノシングに使用されるものよりも大きく、例えば１０ないし２５０ マイクロメータ、好ましくは２０ないし１００、より好ましくは２５ないし５０ マイクロメータである。

好ましくは、穴内の電気的導電材料は、穴の内表面にブレーティングされた金属 であり、好ましくは、このような各導電性の穴は、他のこのような穴と電気的に 分離されている。はん発明は、絶縁層の表面からポリアミド層の少なくとも一部 を除去し、穴内の電気的導電材料を残すことで層のメイン表面かみ突出させたこ とにより作られた好ましいチップまたは他のデバイスを含む。ポリアミド層を実 質的にすべて除去するのが好ましい。

例えば、表面から金属のコーティングを除去するのに支援するために、電気を用 いないブレーティングステノブの前に、別の材料による層が第２のｉ（好ましく はポリアミド）の上に形成されてもよい。ポリアミド材料を覆うこのような別の 層に対する適した材料は、例えばポリアクリレート、ポリメタクリレート、セル ロースエステル、う、カー、モールド解放剤または下層に対して適当な粘着性お よび適当な除去性を持つ、好ましくは溶剤の手段によって下層を溶解しない材料 の中から選択してもよい。

本発明による方法の例を添付した、概略的で縮尺の合っていない図面を参照して より詳細に述べる。

ステップＡにて、集積回路デバイス１０のウェーハー表面に：；弓会合側１１概 略的に示さオｔており、そのテバイス１０表面には、引き延ばしコーティングさ れ、そして適当な技術により乾燥された蛍光ポリマー（Ｈｏｅｃｈｓｔより）の ＠Ａを持つ。

ステップＢでは、１ｉｉＡ上に、上述したＮａｔｉｏｎａｌ　５ａｒｃｈ、Ｄｕ 　Ｐｏｎｔ、またはＨｉｔａｃｈｉによるコーティング可能なポリアミド材料の 層Ｂが、同じようにして引き延ばしコーティングされ、その後乾燥形成される。

ステップＣでは、ポリマイド層Ｂの表面に、上述したアモルファスポリアミド材 料の層Ｃが、同じようにして引き延ばしコーティングされ、その後乾燥形成され る。ステップＤでは、ＫｒＦ紫外線励起レーザが適当な投光系を用いて十分に高 密度で切除され、層Ａに到達するので層ＣおよびＤが穴あけされ、この穴あけは 、スペクトラムの特性ピークを呈する切除生成物を生じ、このスペクトラムは切 除ターゲット近傍に位置するスペクトラムのサンブリノブチューブにより検出さ れる。層Ａの終点で生じた特性ピークが検出されると、レーザ穴あけが停止され る。ステップＥでは、層Ａの終点がエツチング除去され、下層の結合側１〕が露 出される。ステップＦでは、クロム、クロムと銅の混合物、それから銅か、ジ− ドウマスクＦ“を介して穴内にスパッターされることて、結合側上および穴の側 壁に金属のコーティングか形成される。

ステップＧでは、第」の電気を用いない、“ニッケル　ストライク”浴槽たとえ ばＡｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ＲｅｆｉｎｉｎｇＣｏ社の”ＡＣＲ２ ０９０”、次にメインの電気を用いないニノゲルブレーティング浴槽“ＡＣＲ１ ３０：ｖ”を用いて、ニッケルか電気を用いずにブレーティングされ、先の金属 上にコーティングされる。ステップＨでは、例えば、ウェーブコーティングまた は好ましくは、ステップＦと同様ようなシャドウマスクを通してエバポレーン９ ンにより、半田がニッケルメ。

キされたチューブヘ適用される。半田は、穴のエツジを越えて塗布され、その後 、Ｈ′で示したようにチューブ内により正確に位置するよう流される。ステ、ブ Ｉでは、公知の“フリップチップ技術と似た方法により、除去可能なポリマイド １鳴Ｃは、溶解除去され、他の電気的回路への結合に便利なよう、ポリマーコー ティングから突出する、半田を含むチューブＩの端部が残される。もし所望する なら、ポリマイド層Ｂもまた、■°で示したように、適した溶媒または他の技術 よりの除去され、そして、層Ａの終点も所望なろばＩ”で示したように除去して もよい。

もし、半田が金属チューブの内側だけでなく外側にも施されるならば、半田処理 のステップＨは、除去ステップＩの後で行うことができる。

この結果、上述した他の回路と垂直接続に適した、比較的高い形状比の電気的接 続を持つ集積マイクロ回路デバイスが作成される。

温度圧縮結合のためには、半田は、金または他の温度圧縮結合可能の金属に置き 換えられ、そうでなくば、ポリマー層内の穴内のメッキされた金属チューブの端 部に半田が適用される。この場合、絶縁層に対する特に好ましいポリマイド材料 は、ＡＳＴＭ　Ｄ８８２に従い、ＰＨ１０５１００℃の液に４日間浸した後、元 の長さの少なくとも５０％、好ましくは少なくとも７５％、より好ましくは少な くとも８５％に保つものである。十分に周期化された５％以下を有するポリマイ ドは、公知のポリマイドをＫａｐｔｏｎ（ＴＭ）のごとく攻撃する、熱いアルカ リ金属のメッキ液に強い。

参照した集積回路デバイスは、例えば、°゛例えばファンアウト回路ボードまた ：まマルチチ、ブモジ、−ルの回路パッケージの相互接続内に装着された、フリ 。

ブチ、ブに対して、シリコンまたはゲルマニウムヒ素のマイク−チップであつて もよい。

多くの場合、チップ結合側に対して一つの穴で十分であるが、既述した好ましい 技術の高い精度により、結合側に小さい穴を多数設けて、使用時の信頼性を高く してもよい。穴は、好ましくは曲がり係数（平均経路長さ／シート厚さ）が３以 下、好ましくは１，２以下であり、そして、形状比（長さ／直径）は少なくとも ２゜５である。

好ましい導電性材料は金属、好ましくは穴内面にメッキされたもの、特に電気を 用いずにメッキされたものである。適用した適した金属の例はＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ 、Ｐｄである。

メッキされたチューブ形状の金属は、チューブ形状により支持される、半田、他 の溶融しやすい金属、たとえばインジウム、鉛−錫、金−錫、鉛、鉛−インジウ ムによる比較的高い“ポスト”を与える。

要約書 マイクロチップの処理 少なくとも５マイクロメータ厚の絶縁層をレーザ穴あけをしてチップ結合側とつ ながる穴を作り、そして、穴内に金属を配することで結合側と電気的結合を確立 した、マイクロチップ上の形成された単一方向の導電性フネクタ。ポリイミド絶 縁層への励起ＵＶレーザ切除が行われ、この後、絶縁層から表面層（好ましくは アモルファスのポリイミド）の除去が行われ、穴内に堆積され一金属の端部力１ 露出される。

国際調査報告　。ｒＴ／Ｉ’！ｅｌ。ｌ／Ｉ’ｌ＋＋７５［Ｉ ■ １’　ｉ＋ し １−・ ［ ［ ］−１ｉ ｌ〒 ］ｒ １゜ １゛

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. （１）面から面への使用となるデバイスの電気的コタンクトの適合するアレイに 対して、デバイスの導電結合側か電気的導電材料が形成される集積半導体チップ を提供する方法であって、（ａ）デバイスの表面に少なくとも５マイクロメータ 厚さで固着する電気的絶縁層を形成するが、結合側と導通させるために、その絶 縁層には一つまたはより多くの穴を持たせ、（ｂ）結合側と電気的導通を確立す るために穴内に電気的導電材料を配し、そして（ｃ）導電材料が実質的に上記穴 内のみに位置するよう、堆積された導電材料を絶縁層のメイン表面から排除また はもし必要ならば取り除く方法。
2. （２）穴内に配された導電材料を少なくとも部分的に露呈するたわに、絶縁層の 一部またはすべてを除去するステップを含む請求の範囲第１項記載の方法。
3. （３）上記穴を作るために絶縁層に穴をあけるステップを含み、前記穴あけは、 好ましくは励起レーザであるＵＶ切除により、好ましくは少なくとも部分的に行 われる請求の範囲第１項または第２項記載の方法。
4. （４）指示層が上記絶縁層およびデバイスの表面に備えられ、該指示層は、第１ の穴あけ動作により直接に作用した時、この第１の穴あけが加減されるか、もし くはより緩やかな第２の穴あけ動作に移行できる、検知可能な指示を呈する請求 の範囲第３項記載の方法。
5. （５）第１の穴あけ動作は、ＵＶレーザ切除であり、その切除は上記指示の検出 により終了する請求の範囲第４項記載の方法。
6. （６）第２の穴あけ動作は、化学エッチングであり、指示層を通して下層の結合 側への穴あけが行われる請求の範囲第４項または第５項に記載の方法。
7. （７）好ましくは引き延ばしまたはスプーコーテイン穴より指示層を形成するス テップを含む請求の範囲第４項ないし第６項のいずれかに記載の方法。
8. （８）指示層がフッ素ポリマーを含む請求の範囲第４項ないし第７項のいずれか に記載の方法。
9. （９）好ましくは引き延ばしまたはスプレーコーティングにより絶縁層を形成す るステップを含む請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の方法。
10. （１０）絶縁層が有機重合材料好ましくはポリイミドを含む請求の範囲第１項な いし第９項のいずれかに記載の方法。
11. （１１）絶縁層が有機材料好ましくは蛍光体ガラスを含む請求の範囲第１項ない し第９項のいずれかに記載の方法。
12. （１２）除去可能な層が絶縁層上に形成され、前記両層には貫通する穴を持って おり、そして前記除去可能な層が、穴内に配された導電材料の一端を露出するた めに除去される請求の範囲第１項ないし第１１項のいずれかに記載の方法。
13. （１３）除去可能な層は、有機重合材料、好ましくはアモルファスポリイミドで ある請求の範囲第１２項に記載の方法。
14. （１４）堆積動作は、穴内に電気的導電材料を円筒状に形成する請求の範囲第１ 項ないし第１３項のいずれかに記載の方法。
15. （１５）上記穴は、５ないし２００マイクロメータ、好ましくは１０ないし１０ ０マイクロメータである請求の範囲第１項ないしは第１４項のいずれかに記載の 方法。
16. （１６）デバイスの上記表面上の層の合計厚さは、１０ないし２５０好ましくは ２０ないし１００、より好ましくは２５ないし５０マイクロメータである請求の 範囲第１項ないし第１５項のいずれかに記載の方法。
17. （１７）堆積動作は、金属好ましくはクロム、その後に銅による、スパツタリン グ、エバポレーシヨンまたはイオンプレーティングを含み、引き続き、金属（も しいずれか）が絶縁層または他の層のメイン表面から除去する請求の範囲第１項 ないし第１６項のいずれかに記載の方法。
18. （１８）堆積動作は、穴内の表面への、電気を用いない金属好ましくはニッケル のプレーティングを含み、引き続き、絶縁層または他の層のメイン表面に電気を 用いずに形成された金属の除去が行われる請求の範囲第１項ないし第１７項のい ずれかに記載の方法。
19. （１９）堆積動作の後に、半田の処理、好ましくはシャドウマスクを通したエバ ポレーションが穴内へおよび／穴内の金属上になされる請求の範囲第１項ないし 第１８項のいずれかに記載の方法。
20. （２０）適用された半田がその後、流出される請求の範囲第１９項記載の方法。
21. （２１）請求の範囲第１項ないし第１９項のいずれかの方法により、結合側のー つまたはより多くに、電気的導電材料が形成された、集積回路半導体デバイス、 好ましくはチップ。
22. （２２）表面に請求の範囲第４項ないし第８項のいずれかに記載の粘着性指示層 を有する集積回路半導体デバイス、好ましくはチップ。
23. （２３）指示層が固着された絶縁層、好ましくは請求の範囲第１０項ないし第１ ３項のいずれかに記載の物は、該絶縁層を覆う別の除去可能な層を備えるか備え ない請求の範囲第２２項記載のデバイス。