JPH0550993B2 - - Google Patents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明はヒートモードの光記録媒体に関し、更
に詳細には、特定の化合物を、クエンチヤーとし
て含む光記録媒体に関する。 （従来の技術） ヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱とし
て利用するものであり、たとえばレーザ等の記録
光で媒体の一部を融解、除去等してピツトを形成
することにより情報を記録し、このピツトを読み
出し光で検出して記録の読み出しを行うピツト形
成タイプのものがよく知られている。 このような光記録媒体の記録層には各種の色
素、あるいは色素と樹脂を組み合わせたものが使
用されている。しかしこのような光記録媒体はく
りかえしの消去や、読み出し光のくりかえし照射
によつて、あるいはまた長期保存によつて、感度
やＣ／Ｎ比が低下するという欠点がある。そこ
で、色素の光安定性を向上させ、特に読み出し光
による脱色（再生劣化）を防止するために、色素
とクエンチヤーを併用することが提案されている
（たとえば特開昭60−162691、60−201988、60−
203488、60−257290）。 しかしこれらのクエンチヤーを併用してもな
お、光記録媒体の読み出し光に対する耐久性、あ
るいは長期保存安定性は、実用上十分満足すべき
ものとはいえなかつた。 （発明が解決しようとする問題点） したがつて本発明の目的は、読み出し光のくり
かえし照射に対して耐久性があり、しかも保存安
定性に優れた光記録媒体を提供することである。 （問題点を解決するための手段） 本発明の目的は、基板上に、色素と、下記一般
式〔〕または〔〕で表わされる化合物の少な
くとも１種を担持せしめてなる光記録媒体により
達成された。 （式中、〔Cat1〕および〔Cat2〕は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、M1お
よびM2はニツケル、銅、コバルト、パラジウム
または白金を示す。ｎは１または２を示す。） 本発明はさらに詳細に説明する。 前記一般式〔〕および〔〕で表わされる化
合物において、〔Cat1〕または〔Cat2〕で表わさ
れる陽イオンのうち無機陽イオンとしては、アル
カリ金属（たとえば、Li、Na、Ｋなど）、アルカ
リ土類金属（Mg、Ca、Baなど）もしくはNH4 +
をあげることができる。 また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウ
ムイオンまたは第四級ホスホニウムイオンをあげ
ることができる。 上記の陽イオン〔Cat1〕および〔Cat2〕の中で
好ましいのは下記の一般式（−ａ）、（−ｂ）、
（−ｃ）、（−ｄ）もしくは（−ｅ）で表わ
されるものである。 式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、
R9、R10、R11およびR12はそれぞれ炭素数１ない
し20の置換もしくは無置換のアルキル基、または
炭素数６ないし14の置換もしくは無置換のアリー
ル基を表わし、Z1およびZ2は各式中の窒素または
リン原子と結合して５員または６員環を形成する
非金属原子群を表わす。 この炭素数１ないし20の置換もしくは無置換の
アルキル基として、たとえばメチル基、エチル
基、ｎ−ブチル基、iso−アミル基、ｎ−ドデシ
ル基、ｎ−オクタデシル基などをあげることがで
きる。炭素数６ないし14のアリール基としては、
たとえばフエニル基、トリル基、α−ナフチル
基、などをあげることができる。 これらのアルキル基またはアリール基はシアノ
基、水酸基、炭素数１ないし20のアルキル基（た
とえばメチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−
オクチル基など）、炭素数６ないし14のアリール
基（たとえば、フエニル基、トリル基、α−ナフ
チル基など）、炭素数２ないし20のアシルオキシ
基（たとえばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基
またはｐ−メトキシベンゾイルオキシ基など）、
炭素数１ないし６のアルコキシ基（たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基
など）、アリーロキシ基（たとえば、フエノキシ
基、トリロキシ基など）、アラルキル基（たとえ
ば、ベンジル基、フエネチル基またはアニシル基
など）、アルコキシカルボニル基（たとえば、メ
トキシカルボニル基、（エトキシカルボニル基、
ｎ−ブトキシカルボニル基など）、アリーロキシ
カルボニル基（たとえば、フエノキシカルボニル
基、トリロキシカルボニル基など）、アシル基
（たとえば、アセチル基、ベンゾイル基など）、ア
シルアミノ基（たとえば、アセチルアミノ基、ベ
ンゾイルアミノ基など）、カルバモイル基（たと
えば、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ−フエニル
カルバモイル基など）、アルキルスルホニルアミ
ノ基（たとえば、メチルスルホニルアミノ基、フ
エニルスルホニルアミノ基など）、スルフアモイ
ル基（たとえば、Ｎ−エチルスルフアモイル基、
Ｎ−フエニルスルフアモイル基など）、スルホニ
ル基、（たとえば、メシル基、トシル基など）な
どで置換されていてもよい。 またZ1およびZ2は前記のように５員環または６
員環を形成するのに必要な非金属原子群を表わ
す。これらの５員環もしくは６員環としては、ピ
リジン環、イミダゾール環、ピロール環、２−ピ
ロリン環、ピロリジン環、ピペリジン環、ピラゾ
ール環、ピラゾリン環、イミダゾリン環などをあ
げることができる。一般式（−ｂ）で表わされ
るカチオンとしては、たとえばドデシルピリジニ
ウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシル
イミダゾリウム基などをあげることができる。一
般式（−ｃ）で表わされるカチオンとしては、
たとえば、Ｎ−エチル−Ｎ−ヘキサデシルピペリ
ジニウム基、Ｎ−エチル−Ｎ−ドデシルピラゾリ
ジニウム基などをあげることができる。 上記の一般式（−ａ）、（−ｂ）、（−ｃ）、
（−ｄ）および（−ｅ）で表わされる陽イオ
ンの中で、本発明に特に好ましく用いられるもの
は、製造原料の入手し易さ、製造コストの点で、
（−ａ）、（−ｂ）、（−ｄ）および（−ｅ）
である。 この陽イオン〔Cat1〕および〔Cat2〕の種類
は、前記一般式〔〕および〔〕で表わされる
化合物の有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼ
す。 一般に、第四級ヘテロ原子に結合する置換基が
アルキル基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解
度が高くなり、特にテトラアルキル置換アンモニ
ウムもしくはホスホニウムの場合この傾向が著し
く、アンモニウムカチオンの場合は炭素数の合計
が17以上のカチオンが、またホスホニウムカチオ
ンの場合は炭素数の合計が４以上のカチオンが高
い溶解性を与える。 前記一般式〔〕および〔〕で表わされる化
合物においてM1またはM2を好ましい順い挙げる
とニツケル、コバルト、銅、パラジウム、白金の
順である。 一般式〔〕または〔〕の金属錯体は平面四
配位の立体構造を有する。なお一般式〔〕の化
合物ではチオケトン基が中心金属に関して対称又
は非対称にあるかは一義的に決らないが、本発明
では便宜的に一般式〔〕のように表わす。 前記一般式〔〕および〔〕で表わされる化
合物は次のようにして合成することができる。 一般式〔〕（ｎ＝２）の化合物は二硫化炭素
とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム
−１，３−ジチオール−２−チオン−４，５−ジ
チオレートを先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベ
ンゾイルを反応させ、ビスベンゾイルチオ体とす
る。これをアルカリで分解した後、金属塩と反応
させて得られる。 又、一般式〔〕（ｎ＝１）の化合物は、上で
得られた錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化し
て得られる。 一般式〔〕（ｎ＝２）の化合物は、先ず、二
硫化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソ
デイウム−１，３−ジチオール−２−チオン−
４，５−ジチオレートを、約130℃に加熱してジ
ソデイウム−１，２−ジチオール−３−チオン−
４，５−ジチオレートに異性化させる。これを亜
鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、
ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで
分解した後、金属塩を反応させて得られる。 又、一般式〔〕（ｎ＝１）の化合物は上で得
られた錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して
得られる。 一般式〔〕または〔〕の化合物を得るため
の中間体である１，３−ジチオール−２−チオン
−４，５−ジチオレートアニオンは、上記の如く
Naによる還元法の他に電気化学的な還元によつ
ても得られる。 前記一般式〔〕および〔〕で表わされる化
合物のうち好ましいものを例示すれば次の通であ
るが、本発明はこれらの例示化合物に限定される
ものではないことはもちろんである。
に詳細には、特定の化合物を、クエンチヤーとし
て含む光記録媒体に関する。 （従来の技術） ヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱とし
て利用するものであり、たとえばレーザ等の記録
光で媒体の一部を融解、除去等してピツトを形成
することにより情報を記録し、このピツトを読み
出し光で検出して記録の読み出しを行うピツト形
成タイプのものがよく知られている。 このような光記録媒体の記録層には各種の色
素、あるいは色素と樹脂を組み合わせたものが使
用されている。しかしこのような光記録媒体はく
りかえしの消去や、読み出し光のくりかえし照射
によつて、あるいはまた長期保存によつて、感度
やＣ／Ｎ比が低下するという欠点がある。そこ
で、色素の光安定性を向上させ、特に読み出し光
による脱色（再生劣化）を防止するために、色素
とクエンチヤーを併用することが提案されている
（たとえば特開昭60−162691、60−201988、60−
203488、60−257290）。 しかしこれらのクエンチヤーを併用してもな
お、光記録媒体の読み出し光に対する耐久性、あ
るいは長期保存安定性は、実用上十分満足すべき
ものとはいえなかつた。 （発明が解決しようとする問題点） したがつて本発明の目的は、読み出し光のくり
かえし照射に対して耐久性があり、しかも保存安
定性に優れた光記録媒体を提供することである。 （問題点を解決するための手段） 本発明の目的は、基板上に、色素と、下記一般
式〔〕または〔〕で表わされる化合物の少な
くとも１種を担持せしめてなる光記録媒体により
達成された。 （式中、〔Cat1〕および〔Cat2〕は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、M1お
よびM2はニツケル、銅、コバルト、パラジウム
または白金を示す。ｎは１または２を示す。） 本発明はさらに詳細に説明する。 前記一般式〔〕および〔〕で表わされる化
合物において、〔Cat1〕または〔Cat2〕で表わさ
れる陽イオンのうち無機陽イオンとしては、アル
カリ金属（たとえば、Li、Na、Ｋなど）、アルカ
リ土類金属（Mg、Ca、Baなど）もしくはNH4 +
をあげることができる。 また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウ
ムイオンまたは第四級ホスホニウムイオンをあげ
ることができる。 上記の陽イオン〔Cat1〕および〔Cat2〕の中で
好ましいのは下記の一般式（−ａ）、（−ｂ）、
（−ｃ）、（−ｄ）もしくは（−ｅ）で表わ
されるものである。 式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、
R9、R10、R11およびR12はそれぞれ炭素数１ない
し20の置換もしくは無置換のアルキル基、または
炭素数６ないし14の置換もしくは無置換のアリー
ル基を表わし、Z1およびZ2は各式中の窒素または
リン原子と結合して５員または６員環を形成する
非金属原子群を表わす。 この炭素数１ないし20の置換もしくは無置換の
アルキル基として、たとえばメチル基、エチル
基、ｎ−ブチル基、iso−アミル基、ｎ−ドデシ
ル基、ｎ−オクタデシル基などをあげることがで
きる。炭素数６ないし14のアリール基としては、
たとえばフエニル基、トリル基、α−ナフチル
基、などをあげることができる。 これらのアルキル基またはアリール基はシアノ
基、水酸基、炭素数１ないし20のアルキル基（た
とえばメチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−
オクチル基など）、炭素数６ないし14のアリール
基（たとえば、フエニル基、トリル基、α−ナフ
チル基など）、炭素数２ないし20のアシルオキシ
基（たとえばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基
またはｐ−メトキシベンゾイルオキシ基など）、
炭素数１ないし６のアルコキシ基（たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基
など）、アリーロキシ基（たとえば、フエノキシ
基、トリロキシ基など）、アラルキル基（たとえ
ば、ベンジル基、フエネチル基またはアニシル基
など）、アルコキシカルボニル基（たとえば、メ
トキシカルボニル基、（エトキシカルボニル基、
ｎ−ブトキシカルボニル基など）、アリーロキシ
カルボニル基（たとえば、フエノキシカルボニル
基、トリロキシカルボニル基など）、アシル基
（たとえば、アセチル基、ベンゾイル基など）、ア
シルアミノ基（たとえば、アセチルアミノ基、ベ
ンゾイルアミノ基など）、カルバモイル基（たと
えば、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ−フエニル
カルバモイル基など）、アルキルスルホニルアミ
ノ基（たとえば、メチルスルホニルアミノ基、フ
エニルスルホニルアミノ基など）、スルフアモイ
ル基（たとえば、Ｎ−エチルスルフアモイル基、
Ｎ−フエニルスルフアモイル基など）、スルホニ
ル基、（たとえば、メシル基、トシル基など）な
どで置換されていてもよい。 またZ1およびZ2は前記のように５員環または６
員環を形成するのに必要な非金属原子群を表わ
す。これらの５員環もしくは６員環としては、ピ
リジン環、イミダゾール環、ピロール環、２−ピ
ロリン環、ピロリジン環、ピペリジン環、ピラゾ
ール環、ピラゾリン環、イミダゾリン環などをあ
げることができる。一般式（−ｂ）で表わされ
るカチオンとしては、たとえばドデシルピリジニ
ウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシル
イミダゾリウム基などをあげることができる。一
般式（−ｃ）で表わされるカチオンとしては、
たとえば、Ｎ−エチル−Ｎ−ヘキサデシルピペリ
ジニウム基、Ｎ−エチル−Ｎ−ドデシルピラゾリ
ジニウム基などをあげることができる。 上記の一般式（−ａ）、（−ｂ）、（−ｃ）、
（−ｄ）および（−ｅ）で表わされる陽イオ
ンの中で、本発明に特に好ましく用いられるもの
は、製造原料の入手し易さ、製造コストの点で、
（−ａ）、（−ｂ）、（−ｄ）および（−ｅ）
である。 この陽イオン〔Cat1〕および〔Cat2〕の種類
は、前記一般式〔〕および〔〕で表わされる
化合物の有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼ
す。 一般に、第四級ヘテロ原子に結合する置換基が
アルキル基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解
度が高くなり、特にテトラアルキル置換アンモニ
ウムもしくはホスホニウムの場合この傾向が著し
く、アンモニウムカチオンの場合は炭素数の合計
が17以上のカチオンが、またホスホニウムカチオ
ンの場合は炭素数の合計が４以上のカチオンが高
い溶解性を与える。 前記一般式〔〕および〔〕で表わされる化
合物においてM1またはM2を好ましい順い挙げる
とニツケル、コバルト、銅、パラジウム、白金の
順である。 一般式〔〕または〔〕の金属錯体は平面四
配位の立体構造を有する。なお一般式〔〕の化
合物ではチオケトン基が中心金属に関して対称又
は非対称にあるかは一義的に決らないが、本発明
では便宜的に一般式〔〕のように表わす。 前記一般式〔〕および〔〕で表わされる化
合物は次のようにして合成することができる。 一般式〔〕（ｎ＝２）の化合物は二硫化炭素
とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム
−１，３−ジチオール−２−チオン−４，５−ジ
チオレートを先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベ
ンゾイルを反応させ、ビスベンゾイルチオ体とす
る。これをアルカリで分解した後、金属塩と反応
させて得られる。 又、一般式〔〕（ｎ＝１）の化合物は、上で
得られた錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化し
て得られる。 一般式〔〕（ｎ＝２）の化合物は、先ず、二
硫化炭素とナトリウムを反応させて得られるジソ
デイウム−１，３−ジチオール−２−チオン−
４，５−ジチオレートを、約130℃に加熱してジ
ソデイウム−１，２−ジチオール−３−チオン−
４，５−ジチオレートに異性化させる。これを亜
鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、
ビスベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで
分解した後、金属塩を反応させて得られる。 又、一般式〔〕（ｎ＝１）の化合物は上で得
られた錯体（ｎ＝２）を適当な酸化剤で酸化して
得られる。 一般式〔〕または〔〕の化合物を得るため
の中間体である１，３−ジチオール−２−チオン
−４，５−ジチオレートアニオンは、上記の如く
Naによる還元法の他に電気化学的な還元によつ
ても得られる。 前記一般式〔〕および〔〕で表わされる化
合物のうち好ましいものを例示すれば次の通であ
るが、本発明はこれらの例示化合物に限定される
ものではないことはもちろんである。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
本発明の光記録媒体の記録層中に含有される色
素については、特に制限はない。たとえば、シア
ニン系、チアゾロピリミジン系、アザアズレン
系、アズレン系、フタロシアニン系、ピリリウム
ないしチアピリリウム系、スクワリウム系、キノ
ン系、インドアニリン系、ナフタロシアニン系、
アントラキノン系、アゾ系、トリフエニルメタン
系、アゾメチン系、スチリル系、ピラゾリン系、
アミノベンゼン系等のいずれであつてもよい。こ
れらのうち好ましいものは、シアニン系、チアゾ
ロピリミジン系、アザアズレン系、アズレン系、
フタロシアニン系、ピリリウムないしチアピリリ
ウム系、スクワリウム系、キノン系、インドアニ
リン系であり、特に好ましいものはシアニン系お
よびキノン系の色素である。 シアニン色素の中で好ましいものとしては、特
開昭59−178295に記載された次の一般式で表わさ
れるものが挙げられる。 φ−Ｌ＝ψ（X-）n 式中、φおよびφは、５員または６員のヘテロ
環基を表わし、このヘテロ環はベンゼン環、ナフ
タレン環、５、６または７員のヘテロ環と縮合環
を形成していてもよい。ヘテロ原子としては、
Ｏ、Ｎ、Ｓ、Se、Teが挙げられ、好ましくはＯ、
Ｎ、Ｓである。Ｌはモノ−、ジ−、トリ−、テト
ラーカルボシアニン色素を形成するための連結基
を表わす。Ｘは陰イオンを表わし、分子の電荷を
バランスするのに必要な陰電荷を提供し、φまた
はψ上に連結して分子内塩を形成していてもよ
い。ｍは０または１を表わす。 上記シアニン色素の中で特に好ましいものは、
φおよびψが、 （Ｚは
素については、特に制限はない。たとえば、シア
ニン系、チアゾロピリミジン系、アザアズレン
系、アズレン系、フタロシアニン系、ピリリウム
ないしチアピリリウム系、スクワリウム系、キノ
ン系、インドアニリン系、ナフタロシアニン系、
アントラキノン系、アゾ系、トリフエニルメタン
系、アゾメチン系、スチリル系、ピラゾリン系、
アミノベンゼン系等のいずれであつてもよい。こ
れらのうち好ましいものは、シアニン系、チアゾ
ロピリミジン系、アザアズレン系、アズレン系、
フタロシアニン系、ピリリウムないしチアピリリ
ウム系、スクワリウム系、キノン系、インドアニ
リン系であり、特に好ましいものはシアニン系お
よびキノン系の色素である。 シアニン色素の中で好ましいものとしては、特
開昭59−178295に記載された次の一般式で表わさ
れるものが挙げられる。 φ−Ｌ＝ψ（X-）n 式中、φおよびφは、５員または６員のヘテロ
環基を表わし、このヘテロ環はベンゼン環、ナフ
タレン環、５、６または７員のヘテロ環と縮合環
を形成していてもよい。ヘテロ原子としては、
Ｏ、Ｎ、Ｓ、Se、Teが挙げられ、好ましくはＯ、
Ｎ、Ｓである。Ｌはモノ−、ジ−、トリ−、テト
ラーカルボシアニン色素を形成するための連結基
を表わす。Ｘは陰イオンを表わし、分子の電荷を
バランスするのに必要な陰電荷を提供し、φまた
はψ上に連結して分子内塩を形成していてもよ
い。ｍは０または１を表わす。 上記シアニン色素の中で特に好ましいものは、
φおよびψが、 （Ｚは
【式】Ｎ−Ｒ、Ｏ、Ｓまたは
【式】を表わし、Ｒ、R′、R″、R1は置換
または無置換のアルキル基またはアリール基を表
わし、R2、R3、R4、R5は水素原子または置換
基、たとえば、アルキル基、アリール基、ヘテロ
環基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカ
ルボニルオキシ基、カルボン酸基等を表わし、あ
るいはR2とR3、R3とR4、R4とR5、R5とR1、Ｒ
とＲ、R′とR″が連結して環を形成してもよい）
であり、Ｌが（―CH＝CR6―）o（R6は水素原子、ア
ルキル基、フエニル基または塩素原子を表わし、
ｎは０〜３の整数を表わす）であるような化合物
である。 また好ましいチアゾロピリミジン系シアニン色
素の例としては、特願昭61−178504号明細書に記
載された次の一般式で表される化合物が挙げられ
る。 式中、A1およびA2はそれぞれ独立に水素原子、
ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキシ
基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、シ
アノ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基、又は置換もしくは
無置換のアラルキル基を表わし；Ｙは、NR6（R6
は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしく
は無置換のアリール基、又は置換もしくは無置換
のアラルキル基を表わす。）、Ｏ、Ｓ、Se、又は
Teを表わし；Z′は５員の複素環を形成するのに
必要な原子団を表わし；R1、R2、R3およびR4は
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは
無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアラ
ルキル基または水素原子を表わし；R5は置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
のアリール基、置換もしくは無置換のアラルキル
基、又はZ′と結合して６員の複素環を形成するの
に必要な原子団を表わし；ｎは０、１又は２を表
わし；Ｘは陰イオンを表わす。ただしＸはR1、
R2、R3、R4、R5、R6、Z′、A1又はA2上に結合し
て分子内塩を形成していてもよい。 また、好ましいアザアズレン系色素の例として
は、特願昭61−184500号明細書に記載された次の
一般式で表される化合物が挙げられる。 〔式中R1、R2、R3、R4、R5、およびR6は水素
原子、ハロゲン原子、又は１価の有機残基を表わ
し；Ａは２重結合によつて結合した２価の有機残
基を表わし；Xは陰イオン残基を表わす。ただ
しXは陽電荷を中和するのに必要な数だけ存在
し、R1、R2、R3、R4、R5、R6、又はＡ上に結合
して分子内温を形成していてもよい。又R2とR3、
R3とR4、R4とR5、R5とR6の組合せのうち、少な
くとも１つの組合せで置換又は無置換の芳香族炭
素環又は芳香族複素環を形成してもよい。〕 その他の好ましい色素の例は、特開昭57−
212639、58−36490、58−112790、58−112792、
58−114989、58−125246、59−24692、59−
55794、59−55795、59−67092、59−71895、59−
81194、59−83695、59−124045、59−124897、59
−188854、59−85791、59−150795、59−202892、
60−19586、60−19587、60−47069、60−78787、
60−83236、60−83892、60−162691、60−
163243、60−179292、60−182029、60−500329、
61−26044、61−27551、61−47295、61−226035
等に記載されている。 本発明において、色素のカチオンと前記クエン
チヤーのアニオンとの結合体を使用することもで
きる。 本発明の光記録媒体は、基板上に色素と前記ク
エンチヤーと担持させたものであるが、クエンチ
ヤーは前記色素１モルあたり、一般に0.05〜12モ
ル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される。 クエンチヤーは、色素薄膜記録層に含有させる
ことが好ましいが、記録層とは別の下記の層に含
有させてもよい。本発明の光記録媒体には、必要
により、さらに基板上に下引き層を、また記録層
上に保護層、反射層を設けることができる。 基板としては既知のものを任意に使用すること
ができる。その代表的な例にはガラスまたはプラ
スチツクがあり、プラスチツクとしてはアクリ
ル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリイミ
ド、ポリエステルなどが用いられる。その形状は
デイスク状、カード状、シート状、ロールフイル
ム状など種々のものが可能である。 ガラスまたはプラスチツク基板には記録時のト
ラツキングを容易にするために案内溝を形成させ
てもよい。またガラスまたはプラスチツク基板に
はプラスチツクバインダーまたは無機酸化物、無
機硫化物などの下引き層を設けてもよい。基板よ
りも熱伝導率の低い下引き層が好ましい。また記
録層同士を内側にして２枚の記録媒体を対向させ
たいわゆるエアーサンドイツチ構造にすることも
可能である。 本発明における記録層の形成は、例えば、色素
およびクエンチヤーを有機溶剤（例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ジク
ロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど）に
溶解し、必要に応じて適当なバインダー（例えば
PVA、PVP、ポリビニルブチラール、ポリカー
ボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホルマ
ール、メチルビニルエーテル、塩素化パラフイ
ン、無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジ
エン共重合体、キシレン系樹脂）を加え、この溶
液を塗布（例えばスピンコート）することによつ
て行なえるし、又は色素とクエンチヤーを共蒸着
するか、あるいは色素を真空蒸着したのち、クエ
ンチヤーを塗布することによつても行なえる。バ
インダーを使用する場合には、バインダーの重量
は色素重量の0.01〜２倍が好ましい。また色素を
いわゆるラングミユアーブロジエツト法により薄
膜として用いることもできる。 本発明における記録層は１層又は２層以上設け
る。 記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の
劣化を防ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤
を存在させてもよい。 記録層の膜厚は、通常0.01μm〜2μm、好まし
くは0.02〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長
の1/4の寄数倍である。 半導体レーザまたはHe−Neレーザなどの反射
層を設ける場合は、基板に反射層を設け次にこの
反射層の上に前述したような方式によつて記録層
を設けることによるか、あるいは基板の記録層を
設け、次いでこの上に反射層を設けるかのいずれ
かの方法がある。 反射層は蒸着法、イパツタリング法、イオンプ
レーテイング法などの他の次のような方法によつ
ても作ることができる。 例えば水溶性樹脂（PVP、PVAなど）に金属
塩または、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤
を加えた溶液を基板に塗布し、50℃〜150℃好ま
しくは60℃〜100℃で加熱乾燥させることによつ
て形成される。 樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量
比で0.1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、
記録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。 金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シア
ン化銀カリウム、シアン化金カリウム、銀アンミ
ン錯体、銀シアン錯体、金塩または金シアン錯体
などを使用できる。還元剤としてはホルマリン、
酒石酸、酒石酸塩、還元剤、次亜燐酸塩、水素化
硼素ナトリウム、ジメチルアミンボランなどを使
用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩１モル
に対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜４モルの範囲
で使用できる。 本発明の光記録媒体において、情報の記録はレ
ーザ（例えば半導体レーザ、He−Neレーザな
ど）などのスポツト状の高エネルギービームを基
板を通してあるいは基板と反対側より記録層に照
射することにより行われ、記録層に吸収された光
が熱に交換され、記録層にピツト（穴）が形成さ
れる。 また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾
値エネルギー以下の低出力で照射し、ピツト部と
ピツトが形成されていない部分の反射光量もしく
は透過光量の変化により検出する。 以下、参考例および実施例により本発明を更に
詳細に説明する。 参考例１ ＜例示化合物(34)の合成） （１−１）ビス（テトラエチルアンモニウム）
−ビス（１，３−ジチオール−２−チオン−４，
５−ジチオラト）亜鉛錯体の合成。 反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行つた。
ナトリウム23ｇを小片に切り、二硫化炭素180ml
中に分散した後、これに撹拌しつつジメチルホル
ムアミド200mlをゆつくり滴下した。この時激し
く発熱しないように注意する。ジメチルホルムア
ミドを滴下終了後、注意しながら、おだやかに加
熱して24時間還流した。反応終了後未反応のナト
リウムをろ別した。次いでろ液にエタノール50ml
を加え、室温で２時間撹拌した。この溶液から二
硫化炭素を室温で減圧留去する。次いで水300ml
をゆつくり滴下して加えた後得られた溶液をろ過
した。 次いで、あらかじめ塩化亜鉛20ｇをメタノール
500mlに溶かし、これに濃アンモニウム水500mlを
加えた溶液を調製しておき、これを上記の反応溶
液に加え（室温）５分間撹拌した後、テトラエチ
ルアンモニウムブロミド53ｇを水250mlに溶かし
た水溶液を加えると、直ちに赤色の沈殿が析出し
てくる。これをろ過し、風乾して亜鉛錯体を得
た。 （１−２）４，５−ビス（ベンゾイルチオ）−
１，３−ジチオール−２−チオンの合成。 （１−１）で得た亜鉛錯体22ｇをアセトン500
mlに溶かしろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに
塩化ベンゾイル150mlを加える。直ちに黄色の沈
殿が析出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合物
16ｇを得た。 （１−３）例示化合物(34)の合成 （１−２）で得たビス（ベンゾイルチオ）体
9.2ｇをメタノール50mlに溶かす。これにナトリ
ウムメトキサイドの28％メタノール溶液6.3ｇを
加えて、10分間撹拌する。この溶液に塩化ニツケ
ル（六水和物）2.4ｇをメタノール50mlに溶かし
た溶液を加え、室温で30分間撹拌する。この溶液
にテトラブチルホスホニウムブロミド8.5ｇをメ
タノール100mlに溶かした溶液を加えると、直ち
に黒色の沈殿が析出する。さらに20分間撹拌して
ろ過し、アセトンで洗つて風乾し、アセトン−イ
ソプロピルアルコールから再結晶させて標記化合
物を得た。収量3.8ｇ 参考例２ ＜例示化合物(2)の合成＞ （１−３）で得られたニツケル錯体１ｇをアセ
トン60mlに溶かし、これに酢酸30mlを加え、３時
間撹拌し溶媒を留去したところ黒色の結晶が析出
した。これをアセトン−メタノールから再結晶さ
せて、目的の例示化合物(2)を得た。収量0.4ｇ、
m.p.185℃ λnax：1125nm、εnax：2.51×104
（CH2Cl2中） 参考例３ ＜例示化合物(42)の合成＞ （３−１）ビス（テトラエチルアンモニウム）
−ビス（１，２−ジチオール−３−チオン−４，
５−ジチオラド）亜鉛錯体の合成。 反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行つた。
ナトリウム23ｇを小片に切り、二硫化炭素180ml
中に分散した後、これに撹拌しつつジメチルホル
ムアミド200mlをゆつくり滴下した。この時激し
く発熱しないように注意する。ジメチルホルムア
ミドを滴下終了後、注意しながら、おだやかに加
熱して24時間還流した。反応終了後未反応のナト
リウムをろ別し、ろ液から二硫化炭素を室温で減
圧留去した。こうして得られた溶液を、油浴中で
140℃で２時間撹拌後、室温に放冷し、これにエ
タノール50mlを加え、室温で２時間撹拌し、さら
に、水300mlをゆつくり加えて、得られた溶液を
ろ過した。 次いで、あらかじめ調製しておいた塩化亜鉛、
20ｇをメタノール500mlに溶かし、これに濃アン
モニア水500mlを加えた溶液を、上記の反応溶液
に加え（室温）５分間撹拌した後、テトラエチル
アンモニウムブロミド53ｇを水250mlに溶かした
水溶液を加えたところ、直ちに赤色の沈殿が析出
してくる。これをろ過し、風乾して標記の亜鉛錯
体を得た。 （３−２）４，５−ビス（ベンゾイルチオ）−
１，２−ジチオール−３−チオンの合成。 （３−１）で得た亜鉛錯体18ｇをアセトン500
mlに溶かしろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに
塩化ベンゾイル150mlを加える。直ちに黄色の沈
殿が析出する。ろ過、水洗後風乾して標記の化合
物12ｇを得た。 （３−３）例示化合物(42)の合成 （３−２）で得たビス（ベンゾイルチオ）体
9.2ｇをメタノール50mlに溶かす。これにナトリ
ウムメトキサイドの28％メタノール溶液6.3ｇを
加えて、10分間撹拌した。次いでこの溶液に塩化
ニツケル（六水和物）2.4ｇをメタノール50mlに
溶かした溶液を加え、室温で30分間撹拌後この溶
液にテトラブチルアンモニウムブロミド7.5ｇを
メタノール100mlに溶かした溶液を加えたところ、
直ちに黒色の沈殿が析出した。さらに20分間撹拌
してろ過後アセトンで洗つて風乾した。アセトン
−イソプロピルアルコールから再結晶させて標記
の化合物を得た。収量2.8ｇ 参考例４ ＜例示化合物(10)の合成＞ （３−３）で得られたニツケル錯体１ｇをアセ
トン60mlに溶かし、これに酢酸30mlを加え、３時
間撹拌し溶媒を留去したところ黒色の結晶が析出
してきた。これをアセトン−メタノールから再結
晶させたところ、標記の例示化合物(10)を得た。収
量0.3ｇ、m.p.207℃ λnax：1138nm、εnax：2.50×104（CH2Cl2中） 実施例 １ 表１に示す色素（）、クエンチヤー（）、及
び或る場合にはバインダをメタノール−メチルエ
チルケトン−ジクロロエタンからなる適当な比率
の混合溶媒に溶解し、表面硬化したアクリル板に
厚さ0.1μmとなるように塗布し、乾燥した。なお
色素とクエンチヤーとの重量比は３：１バインダ
を用いる場合には、バインダの重量は色素の1/5
とした。 こうして得た記録媒体に波長830nmの半導体レ
ーザを用い、照射面で6mw、ビーム径1.6μm、と
いう条件で0.4MHzの信号を記録したところ、
0.3μ秒の照射で直径1.0μmのピツトが形成され
た。この記録部に微弱なレーザ光をあてて、信号
を再生しＣ／Ｎ比を求めた。 次いで1mwのレーザ光（830nm）を1μsec巾3K
Hzのパルスとして10分間照射した後、Ｃ／Ｎ比を
求めレーザ光照射前のＣ／Ｎ比に比較しての低下
率を求め、再生劣化の尺度とした。また60℃90％
RHにて30日間放置した後のＣ／Ｎ比を保存前の
Ｃ／Ｎ比と比較して保存安定性の尺度とした。な
お色素がＤ，Ｆ，Ｇ，Ｉ，Ｊの場合には780nmの
半導体レーザを用いて実験を行なつた。
わし、R2、R3、R4、R5は水素原子または置換
基、たとえば、アルキル基、アリール基、ヘテロ
環基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカ
ルボニルオキシ基、カルボン酸基等を表わし、あ
るいはR2とR3、R3とR4、R4とR5、R5とR1、Ｒ
とＲ、R′とR″が連結して環を形成してもよい）
であり、Ｌが（―CH＝CR6―）o（R6は水素原子、ア
ルキル基、フエニル基または塩素原子を表わし、
ｎは０〜３の整数を表わす）であるような化合物
である。 また好ましいチアゾロピリミジン系シアニン色
素の例としては、特願昭61−178504号明細書に記
載された次の一般式で表される化合物が挙げられ
る。 式中、A1およびA2はそれぞれ独立に水素原子、
ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキシ
基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、シ
アノ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基、又は置換もしくは
無置換のアラルキル基を表わし；Ｙは、NR6（R6
は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしく
は無置換のアリール基、又は置換もしくは無置換
のアラルキル基を表わす。）、Ｏ、Ｓ、Se、又は
Teを表わし；Z′は５員の複素環を形成するのに
必要な原子団を表わし；R1、R2、R3およびR4は
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは
無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアラ
ルキル基または水素原子を表わし；R5は置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
のアリール基、置換もしくは無置換のアラルキル
基、又はZ′と結合して６員の複素環を形成するの
に必要な原子団を表わし；ｎは０、１又は２を表
わし；Ｘは陰イオンを表わす。ただしＸはR1、
R2、R3、R4、R5、R6、Z′、A1又はA2上に結合し
て分子内塩を形成していてもよい。 また、好ましいアザアズレン系色素の例として
は、特願昭61−184500号明細書に記載された次の
一般式で表される化合物が挙げられる。 〔式中R1、R2、R3、R4、R5、およびR6は水素
原子、ハロゲン原子、又は１価の有機残基を表わ
し；Ａは２重結合によつて結合した２価の有機残
基を表わし；Xは陰イオン残基を表わす。ただ
しXは陽電荷を中和するのに必要な数だけ存在
し、R1、R2、R3、R4、R5、R6、又はＡ上に結合
して分子内温を形成していてもよい。又R2とR3、
R3とR4、R4とR5、R5とR6の組合せのうち、少な
くとも１つの組合せで置換又は無置換の芳香族炭
素環又は芳香族複素環を形成してもよい。〕 その他の好ましい色素の例は、特開昭57−
212639、58−36490、58−112790、58−112792、
58−114989、58−125246、59−24692、59−
55794、59−55795、59−67092、59−71895、59−
81194、59−83695、59−124045、59−124897、59
−188854、59−85791、59−150795、59−202892、
60−19586、60−19587、60−47069、60−78787、
60−83236、60−83892、60−162691、60−
163243、60−179292、60−182029、60−500329、
61−26044、61−27551、61−47295、61−226035
等に記載されている。 本発明において、色素のカチオンと前記クエン
チヤーのアニオンとの結合体を使用することもで
きる。 本発明の光記録媒体は、基板上に色素と前記ク
エンチヤーと担持させたものであるが、クエンチ
ヤーは前記色素１モルあたり、一般に0.05〜12モ
ル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される。 クエンチヤーは、色素薄膜記録層に含有させる
ことが好ましいが、記録層とは別の下記の層に含
有させてもよい。本発明の光記録媒体には、必要
により、さらに基板上に下引き層を、また記録層
上に保護層、反射層を設けることができる。 基板としては既知のものを任意に使用すること
ができる。その代表的な例にはガラスまたはプラ
スチツクがあり、プラスチツクとしてはアクリ
ル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリイミ
ド、ポリエステルなどが用いられる。その形状は
デイスク状、カード状、シート状、ロールフイル
ム状など種々のものが可能である。 ガラスまたはプラスチツク基板には記録時のト
ラツキングを容易にするために案内溝を形成させ
てもよい。またガラスまたはプラスチツク基板に
はプラスチツクバインダーまたは無機酸化物、無
機硫化物などの下引き層を設けてもよい。基板よ
りも熱伝導率の低い下引き層が好ましい。また記
録層同士を内側にして２枚の記録媒体を対向させ
たいわゆるエアーサンドイツチ構造にすることも
可能である。 本発明における記録層の形成は、例えば、色素
およびクエンチヤーを有機溶剤（例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ジク
ロロメタン、ジクロロエタン、アセトンなど）に
溶解し、必要に応じて適当なバインダー（例えば
PVA、PVP、ポリビニルブチラール、ポリカー
ボネート、ニトロセルロース、ポリビニルホルマ
ール、メチルビニルエーテル、塩素化パラフイ
ン、無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジ
エン共重合体、キシレン系樹脂）を加え、この溶
液を塗布（例えばスピンコート）することによつ
て行なえるし、又は色素とクエンチヤーを共蒸着
するか、あるいは色素を真空蒸着したのち、クエ
ンチヤーを塗布することによつても行なえる。バ
インダーを使用する場合には、バインダーの重量
は色素重量の0.01〜２倍が好ましい。また色素を
いわゆるラングミユアーブロジエツト法により薄
膜として用いることもできる。 本発明における記録層は１層又は２層以上設け
る。 記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の
劣化を防ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤
を存在させてもよい。 記録層の膜厚は、通常0.01μm〜2μm、好まし
くは0.02〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長
の1/4の寄数倍である。 半導体レーザまたはHe−Neレーザなどの反射
層を設ける場合は、基板に反射層を設け次にこの
反射層の上に前述したような方式によつて記録層
を設けることによるか、あるいは基板の記録層を
設け、次いでこの上に反射層を設けるかのいずれ
かの方法がある。 反射層は蒸着法、イパツタリング法、イオンプ
レーテイング法などの他の次のような方法によつ
ても作ることができる。 例えば水溶性樹脂（PVP、PVAなど）に金属
塩または、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤
を加えた溶液を基板に塗布し、50℃〜150℃好ま
しくは60℃〜100℃で加熱乾燥させることによつ
て形成される。 樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量
比で0.1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、
記録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。 金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シア
ン化銀カリウム、シアン化金カリウム、銀アンミ
ン錯体、銀シアン錯体、金塩または金シアン錯体
などを使用できる。還元剤としてはホルマリン、
酒石酸、酒石酸塩、還元剤、次亜燐酸塩、水素化
硼素ナトリウム、ジメチルアミンボランなどを使
用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩１モル
に対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜４モルの範囲
で使用できる。 本発明の光記録媒体において、情報の記録はレ
ーザ（例えば半導体レーザ、He−Neレーザな
ど）などのスポツト状の高エネルギービームを基
板を通してあるいは基板と反対側より記録層に照
射することにより行われ、記録層に吸収された光
が熱に交換され、記録層にピツト（穴）が形成さ
れる。 また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾
値エネルギー以下の低出力で照射し、ピツト部と
ピツトが形成されていない部分の反射光量もしく
は透過光量の変化により検出する。 以下、参考例および実施例により本発明を更に
詳細に説明する。 参考例１ ＜例示化合物(34)の合成） （１−１）ビス（テトラエチルアンモニウム）
−ビス（１，３−ジチオール−２−チオン−４，
５−ジチオラト）亜鉛錯体の合成。 反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行つた。
ナトリウム23ｇを小片に切り、二硫化炭素180ml
中に分散した後、これに撹拌しつつジメチルホル
ムアミド200mlをゆつくり滴下した。この時激し
く発熱しないように注意する。ジメチルホルムア
ミドを滴下終了後、注意しながら、おだやかに加
熱して24時間還流した。反応終了後未反応のナト
リウムをろ別した。次いでろ液にエタノール50ml
を加え、室温で２時間撹拌した。この溶液から二
硫化炭素を室温で減圧留去する。次いで水300ml
をゆつくり滴下して加えた後得られた溶液をろ過
した。 次いで、あらかじめ塩化亜鉛20ｇをメタノール
500mlに溶かし、これに濃アンモニウム水500mlを
加えた溶液を調製しておき、これを上記の反応溶
液に加え（室温）５分間撹拌した後、テトラエチ
ルアンモニウムブロミド53ｇを水250mlに溶かし
た水溶液を加えると、直ちに赤色の沈殿が析出し
てくる。これをろ過し、風乾して亜鉛錯体を得
た。 （１−２）４，５−ビス（ベンゾイルチオ）−
１，３−ジチオール−２−チオンの合成。 （１−１）で得た亜鉛錯体22ｇをアセトン500
mlに溶かしろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに
塩化ベンゾイル150mlを加える。直ちに黄色の沈
殿が析出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合物
16ｇを得た。 （１−３）例示化合物(34)の合成 （１−２）で得たビス（ベンゾイルチオ）体
9.2ｇをメタノール50mlに溶かす。これにナトリ
ウムメトキサイドの28％メタノール溶液6.3ｇを
加えて、10分間撹拌する。この溶液に塩化ニツケ
ル（六水和物）2.4ｇをメタノール50mlに溶かし
た溶液を加え、室温で30分間撹拌する。この溶液
にテトラブチルホスホニウムブロミド8.5ｇをメ
タノール100mlに溶かした溶液を加えると、直ち
に黒色の沈殿が析出する。さらに20分間撹拌して
ろ過し、アセトンで洗つて風乾し、アセトン−イ
ソプロピルアルコールから再結晶させて標記化合
物を得た。収量3.8ｇ 参考例２ ＜例示化合物(2)の合成＞ （１−３）で得られたニツケル錯体１ｇをアセ
トン60mlに溶かし、これに酢酸30mlを加え、３時
間撹拌し溶媒を留去したところ黒色の結晶が析出
した。これをアセトン−メタノールから再結晶さ
せて、目的の例示化合物(2)を得た。収量0.4ｇ、
m.p.185℃ λnax：1125nm、εnax：2.51×104
（CH2Cl2中） 参考例３ ＜例示化合物(42)の合成＞ （３−１）ビス（テトラエチルアンモニウム）
−ビス（１，２−ジチオール−３−チオン−４，
５−ジチオラド）亜鉛錯体の合成。 反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行つた。
ナトリウム23ｇを小片に切り、二硫化炭素180ml
中に分散した後、これに撹拌しつつジメチルホル
ムアミド200mlをゆつくり滴下した。この時激し
く発熱しないように注意する。ジメチルホルムア
ミドを滴下終了後、注意しながら、おだやかに加
熱して24時間還流した。反応終了後未反応のナト
リウムをろ別し、ろ液から二硫化炭素を室温で減
圧留去した。こうして得られた溶液を、油浴中で
140℃で２時間撹拌後、室温に放冷し、これにエ
タノール50mlを加え、室温で２時間撹拌し、さら
に、水300mlをゆつくり加えて、得られた溶液を
ろ過した。 次いで、あらかじめ調製しておいた塩化亜鉛、
20ｇをメタノール500mlに溶かし、これに濃アン
モニア水500mlを加えた溶液を、上記の反応溶液
に加え（室温）５分間撹拌した後、テトラエチル
アンモニウムブロミド53ｇを水250mlに溶かした
水溶液を加えたところ、直ちに赤色の沈殿が析出
してくる。これをろ過し、風乾して標記の亜鉛錯
体を得た。 （３−２）４，５−ビス（ベンゾイルチオ）−
１，２−ジチオール−３−チオンの合成。 （３−１）で得た亜鉛錯体18ｇをアセトン500
mlに溶かしろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに
塩化ベンゾイル150mlを加える。直ちに黄色の沈
殿が析出する。ろ過、水洗後風乾して標記の化合
物12ｇを得た。 （３−３）例示化合物(42)の合成 （３−２）で得たビス（ベンゾイルチオ）体
9.2ｇをメタノール50mlに溶かす。これにナトリ
ウムメトキサイドの28％メタノール溶液6.3ｇを
加えて、10分間撹拌した。次いでこの溶液に塩化
ニツケル（六水和物）2.4ｇをメタノール50mlに
溶かした溶液を加え、室温で30分間撹拌後この溶
液にテトラブチルアンモニウムブロミド7.5ｇを
メタノール100mlに溶かした溶液を加えたところ、
直ちに黒色の沈殿が析出した。さらに20分間撹拌
してろ過後アセトンで洗つて風乾した。アセトン
−イソプロピルアルコールから再結晶させて標記
の化合物を得た。収量2.8ｇ 参考例４ ＜例示化合物(10)の合成＞ （３−３）で得られたニツケル錯体１ｇをアセ
トン60mlに溶かし、これに酢酸30mlを加え、３時
間撹拌し溶媒を留去したところ黒色の結晶が析出
してきた。これをアセトン−メタノールから再結
晶させたところ、標記の例示化合物(10)を得た。収
量0.3ｇ、m.p.207℃ λnax：1138nm、εnax：2.50×104（CH2Cl2中） 実施例 １ 表１に示す色素（）、クエンチヤー（）、及
び或る場合にはバインダをメタノール−メチルエ
チルケトン−ジクロロエタンからなる適当な比率
の混合溶媒に溶解し、表面硬化したアクリル板に
厚さ0.1μmとなるように塗布し、乾燥した。なお
色素とクエンチヤーとの重量比は３：１バインダ
を用いる場合には、バインダの重量は色素の1/5
とした。 こうして得た記録媒体に波長830nmの半導体レ
ーザを用い、照射面で6mw、ビーム径1.6μm、と
いう条件で0.4MHzの信号を記録したところ、
0.3μ秒の照射で直径1.0μmのピツトが形成され
た。この記録部に微弱なレーザ光をあてて、信号
を再生しＣ／Ｎ比を求めた。 次いで1mwのレーザ光（830nm）を1μsec巾3K
Hzのパルスとして10分間照射した後、Ｃ／Ｎ比を
求めレーザ光照射前のＣ／Ｎ比に比較しての低下
率を求め、再生劣化の尺度とした。また60℃90％
RHにて30日間放置した後のＣ／Ｎ比を保存前の
Ｃ／Ｎ比と比較して保存安定性の尺度とした。な
お色素がＤ，Ｆ，Ｇ，Ｉ，Ｊの場合には780nmの
半導体レーザを用いて実験を行なつた。
【表】
【表】
色素膜を形成した。
実施例 ２ 波長780nmの半導体レーザ光のかわりに波長
830nmの半導体レーザ光を用いる地は実施例１と
同様にして、表２に示す色素とクエンチヤーとの
組合せにつき実験した。結果は表２に示すとおり
であり、本発明のクエンチヤーと色素との組合せ
は、従来のクエンチヤーを用いた場合に比べ、記
録媒体の安定性を高める効果が高いことがわか
る。
実施例 ２ 波長780nmの半導体レーザ光のかわりに波長
830nmの半導体レーザ光を用いる地は実施例１と
同様にして、表２に示す色素とクエンチヤーとの
組合せにつき実験した。結果は表２に示すとおり
であり、本発明のクエンチヤーと色素との組合せ
は、従来のクエンチヤーを用いた場合に比べ、記
録媒体の安定性を高める効果が高いことがわか
る。
【表】
【表】
下記の構造の化合物である。
＊印は比較例を示す。
色素Ｋ （発明の効果） 表１および表２の結果から、本発明の光記録媒
体は従来の光記録媒体に比べ再生劣化が少さく、
すなわち読み出し耐久性に優れ、かつ保存安定性
に優れていることがわかる。
＊印は比較例を示す。
色素Ｋ （発明の効果） 表１および表２の結果から、本発明の光記録媒
体は従来の光記録媒体に比べ再生劣化が少さく、
すなわち読み出し耐久性に優れ、かつ保存安定性
に優れていることがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、色素と、下記一般式〔〕または
〔〕で表わされる化合物の少なくとも１種とを
担持せしめたことを特徴とする光記録媒体。 （式中、〔Cat1）および〔Cat2〕は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、M1お
よびM2はニツケル、銅、コバルト、パラジウム
または白金を示す。ｎは１または２を表す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/109,394 US4914001A (en) | 1986-10-20 | 1987-10-19 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24897886 | 1986-10-20 | ||
| JP61-248978 | 1986-10-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63231987A JPS63231987A (ja) | 1988-09-28 |
| JPH0550993B2 true JPH0550993B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=17186212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61268821A Granted JPS63231987A (ja) | 1986-10-20 | 1986-11-12 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63231987A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008261809A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Fujifilm Corp | 画像検出方法、シグナル変換方法、インク、製品または支持体の真偽を証明する方法、鉱油、熱線遮断材、ポリマーの溶接方法、リソグラフィック印刷プレートの製造方法 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61268821A patent/JPS63231987A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63231987A (ja) | 1988-09-28 |
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Legal Events
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