JPH0518717B2 - - Google Patents

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JPH0518717B2
JPH0518717B2 JP61183948A JP18394886A JPH0518717B2 JP H0518717 B2 JPH0518717 B2 JP H0518717B2 JP 61183948 A JP61183948 A JP 61183948A JP 18394886 A JP18394886 A JP 18394886A JP H0518717 B2 JPH0518717 B2 JP H0518717B2
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recording
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Yoshiaki Suzuki
Masaaki Tsuboi
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0518717B2 publication Critical patent/JPH0518717B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/249Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
    • G11B7/2492Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds neutral compounds

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
「産業䞊の利甚分野」 本発明は、新芏な光孊的情報蚘録媒䜓に関し、
さらに詳しくは、波長600〜2000nの赀色光な
いし近赀倖光を吞収する光孊的情報蚘録媒䜓に関
する。 「埓来の技術」 600〜2000nの波長の赀色光を遞択的に吞収
する赀倖線吞収剀の甚途ずしおは光孊フむルタヌ
材のほかに次のような各皮の甚途がある。(A)→熱
倉換䜜甚を利甚しお、光デむスク蚘録局、レ
ヌザヌによる感熱発色蚘録䜓、光デむスクある
いは光カヌドあるいはレヌザ蚘録甚フむルム、こ
の他に(B)光吞収䜜甚を利甚しお、むンクゞ゚ツ
トプリンタ甚むンク、バヌコヌドむンク、感
光材料のアンチハレヌシペン剀、サりンドトラ
ツク甚赀倖線吞収色玠を圢成する赀倖カプラヌ
フオトセンサヌのモヌルドやフむルタヌなどに䜿
甚するこずなどがあげられる。 この䞭で、レヌザ蚘録媒䜓の光吞収剀ずしお
は、特開昭57−11090号、同58−16888号、同58−
175693号に第四玚アンモニりム塩を有する芳銙族
ゞチオヌル系ニツケル錯䜓を甚いるこずが開瀺さ
れおいる。 「発明が解決しようずする問題点」 しかし、第四玚アンモニりム塩を有する芳銙族
ゞチオヌル系ニツケル錯䜓は有機媒䜓に察する溶
解性が䜎く、基板䞊に塗垃する際の組成物䞭の赀
倖線吞収剀の濃床を高くできない、䜿甚しうる媒
䜓が制限されるなどの難点があ぀た。たた、真空
蒞着により薄膜を圢成しようずしおも、むオン的
化合物のため速床が遅が、残査が倚くなり蒞着に
やや困難であ぀た。 本発明の目的はこれらの光孊的情報蚘録媒䜓の
欠点を克服し、有機溶剀ぞの溶解床が高く、堎合
によ぀おはバむンダヌなどずの盞溶性のよい光孊
的情報蚘録媒䜓が提䟛するこずであり、第二に、
近赀倖光の吞収胜力が倧きく、熱および光に察し
お堅牢な光孊的情報蚘録媒䜓を提䟛するこずであ
る。ここで、光孊的情報蚘録媒䜓ずは、支持䜓又
は基板に、前蚘〔〕ないし〔〕の赀倖線吞収
化合物を䞀皮又は混合したものを単独或いは、少
くずもこれずバむンダヌを蚭けた耇合物を瀺すこ
ずずする。 「問題点を解決するための手段」 本発明者らは、䞊蚘目的を達成するため皮々怜
蚎を重ねた結果、α−ゞむミンシス−
−゚チレンゞオラトニツケル誘導䜓のある皮の
ものが、有機溶媒に察する溶解性が栌段に良く、
か぀、近赀倖光の吞収胜力が極めお倧きいこずを
芋出し、この知芋に基づき本発明をなすに至぀
た。 すなわち、本発明は䞋蚘䞀般匏〔〕、〔〕、
〔〕で衚わされる化合物から遞ばれる少なくず
も皮のα−ゞむミンシス−−゚チ
レンゞチオラトニツケル誘導䜓を含有するこず
を特城ずする光孊的情報蚘録媒䜓を提䟛するもの
である。本発明においお光孊的情報蚘録媒䜓ず
は、光孊フむルタヌ材を陀倖する意味である。 匏䞭、R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21はハロゲ
ン、氎玠原子、盎接もしくは䟡の連結基ず介し
お間接的にベンれン環䞊の炭玠原子に結合するア
ルキル基、アリヌル基、シクロアルキル基、耇玠
環基を瀺し、これらは同じでも異぀おいおもよ
く、たた、これらのうち、隣り合぀た眮換基は結
合しお環を圢成しおもよく、R6、R7はアルキル
基、アリヌル基を瀺し、これらは同じでも異぀お
いおもよく、R8、R9、R15、R16、R22、R23は氎
玠原子、アルキル基、アリヌル基、シアノ基を瀺
し、これらは、それぞれ同じでも異぀おいおもよ
く、R8ずR9、R15ずR16、R22ずR23はそれぞれ結
合しお環を圢成しおいおもよい。 䞊蚘䞀般匏〔〕、〔〕および〔〕で衚わさ
れる化合物においおR1〜R5、R10〜R14、R17〜
R21で衚わされるハロゲン原子は北玠原子、塩玠
原子、臭玠原子、沃玠原子を包含する。 R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21で衚わされるア
ルキル基は奜たしくは炭玠数ないし20のアルキ
ル基を瀺し、このアルキル基ずしお、たずえばメ
チル基、゚チル基、−ブチル基、−ヘキシル
基、−オクチル基、−ドデシル基、−オク
タデシル基などをあげるこずができる。 この堎合、アルキル基は曎に眮換されおいおも
よく、䟋えば、氎酞基、炭玠数ないし20のアル
キル基たずえばメチル基、゚チル基、−ブチ
ル基、−オクチル基など、炭玠数ないし20
のアルコキシ基たずえばメトキシ基、゚トキシ
基、ブトキシ基などなどで眮換されおいおもよ
い。 R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21で衚わされるア
ルコキシ基は奜たしくは、炭玠数ないし20のア
ルコキシ基を瀺し、このアルコキシ基ずしお、た
ずえばメトキシ基、゚トキシ基、ブトキシ基、
−ヘキサデシルオキシ基などをあげるこずができ
る。 この堎合、アルコキシ基は曎に眮換されおいお
もよく、䟋えば、氎酞基、炭玠数ないし20のア
ルキル基たずえばメチル基、゚チル基、−ブ
チル基、−オクチル基など、炭玠数ないし
20のアルコキシ基たずえばメトキシ基、゚トキ
シ基、ブトキシ基などなどで眮換されおいおも
よい。 R6〜R7で衚わされるアルキル基は、奜たしく
は炭玠数ないし20のアルキル基を瀺し、このア
ルキル基ずしお、䟋えば、メチル基、゚チル基、
−ブチル基、−ヘキシル基、−オクチル
基、−ドデシル基、−ヘキサデシル基などを
あげるこずができる。 R6、R7で衚わされるアリヌル基は奜たしくは
プニル基を瀺し、このプニル基は、䟋えばメ
チル基、メトキシ基、ハロゲン原子などで眮換さ
れおいおもよい。 R8、R9、R15、R16、R22、R23で衚わされるア
ルキル基は奜たしくは炭玠数ないし20のアルキ
ル基を瀺し、このアルキル基ずしお、たずえばメ
チル基、゚チル基、−ブチル基、−ヘキシル
基、−オクチル基、−ドデシル基、−ヘキ
サデシル基などをあげるこずができる。 この堎合、アルキル基は曎に眮換されおいおも
よく、䟋えば、炭玠数ないし20のアルキル基
たずえばメチル基、゚チル基、−ブチル基、
−オクチル基など、炭玠数ないし20のアル
コキシ基たずえばメトキシ基、゚トキシ基、
−ブトキシ基などなどで眮換されおいおもよ
い。 R8、R9、R15、R16、R22、R23で衚わされるア
リヌル基は、奜たしくはプニル基であり、この
堎合、プニル基は曎に眮換されおいおもよく、
䟋えば、炭玠数ないし20のアルキル基たずえ
ばメチル基、゚チル基、−ブチル基、−オク
チル基、−デシル基など、炭玠数ないし20
のアルコキシ基たずえばメトキシ基、゚トキシ
基、−ブトキシ基、−ドデシルオキシ基な
どなどで眮換されおいおもよい。 R8、R9、R15ずR16、R22ずR23はそれぞれ係合
しお環を圢成しおいおもよいが、この堎合、奜た
しくは員環たたは員環がよい。たた、これら
の環はハロゲン、アルキル基、アルコキシ基によ
぀お眮換されおいおもよく、たたは他の環ず瞮合
しおいおもよい。 前蚘䞀般匏〔〕ないし〔〕で衚わされる
α−ゞむミンシス−−゚チレンゞチオ
ラトニツケル誘導䜓の補造は、䞀般に次のよう
にしお行うこずができる。 無氎メタノヌルにシス−−゚チレンゞチ
オヌル誘導䜓又は、そのアルカリ金属塩を溶か
す。前駆䜓から調補する堎合もあるこの溶液
に、ビスα−ゞむミンニツケルハラむ
ドたたはα−ゞむミンゞハロニツケル
錯䜓を粉末又は、メタノヌル溶液で加え撹
拌し、生成した沈柱をろ過する。この沈柱をゞク
ロロメタンなどの有機溶剀で抜出し、濃瞮しお、
ゆ぀くりメタノヌルを加えるず求める錯䜓の結晶
が埗られる。 前蚘䞀般匏〔〕ないし〔〕で衚わされる化
合物のうち奜たしいものを䟋瀺すれば次の通りで
あるが、本発明はこれらの䟋瀺化合物に限定され
るものではないこずはもちろんである。 これらの化合物のいく぀かの吞収極倧
λmaxずモル吞光係数εmax、・mol-1・
cm-1単䜍及び融点分解点は䞋蚘の第衚の
通りである。
【衚】
【衚】 本発明の光孊的情報蚘録媒䜓は、前蚘䞀般匏
〔〕ないし〔〕で衚わされる化合物を赀倖線
吞収剀ずしお䞀皮たたは数皮の混合物を単独に
結合剀なしで、あるいは適宜に結合剀䞭に含有
させおなる組成物である。単独に結合剀なしで甚
いる堎合は前蚘䞀般匏〔〕ないし〔〕で衚わ
される化合物の䞀皮又は数皮を溶剀に溶かしお基
板に塗垃するかあるいは、真空蒞着で基板に蒞着
するなどで行う。この際、他の染料を同時に甚い
お、塗垃あるいは蒞着を行぀おもよい。さらに目
的に応じお基板に䞋匕局を蚭けるか、たた、塗垃
あるいは蒞着を行぀た埌に、保護局ずしお高分子
化合物を塗垃するか、あるいは無機物、䟋えば酞
化ケむ玠、窒化けい玠、窒化アルミニりムなどを
蒞着あるいはスパツタリングするこずができる。 単独に甚いる堎合は、他の䞀方法ずしお、䟋え
ば、単分子膜䜜成の方法LANGMUIR−
BLODGET法によ぀お該ニツケル錯䜓を基板
に耇数局蚭けるこずもできる。 結合剀ずしおは特に制限はなく、組成物ずしお
は、赀倖線吞収性を発揮させるものであれば有
機、無機の区別なく甚いるこずができる。そのよ
うな結合剀ずしおは、プラスチツクのような高分
子材料、ガラスのような無機材料などがあげられ
る。 たたこの結合剀䞭には必芁により溶媒を䜿甚で
きる。奜たしい溶媒ずしおはアセトン、メチル゚
チルケトン、メチルむ゜ブチルケトン、クロロホ
ルム、塩化メチレン、メタノヌル、゚タノヌル、
トル゚ン、酢酞゚チル、酢酞む゜アミル、アセト
ニトリル、゚チルセロ゜ルブ、ゞメチルホルムア
ミドなどの有機溶媒があげられる。 次に本発明の光孊的情報蚘録媒䜓を光蚘録媒䜓
に甚いる堎合の実斜態様を説明する。 光蚘録媒䜓は基本的には基板ず蚘録局ずから構
成されるものであるが、さらに目的に応じお基板
䞊に䞋匕き局をたた蚘録局䞊に保護局を蚭けるこ
ずができる。 基板ずしおは䜿甚レヌザヌに察しお透明であれ
ば既知のものを任意に䜿甚するこずができる。そ
の代衚的な䟋にはガラスたたはプラスチツクがあ
り、プラスチツクずしおはポリアクリレヌト、ポ
リメタクリレヌト、ポリカヌボネヌト、ポリスル
ホン、ポリむミド、ポリ゚ステルなどが甚いられ
る。その圢状はデむスク状、カヌド状、シヌト
状、ロヌルフむルム状など皮々のものが可胜であ
る。 ガラスたたはプラスチツク基板には蚘録時のト
ラツキングを容易にするために案内溝を圢成させ
おもよい。案内溝を圢成させたデむスク状のもの
はプレグルヌブド・デむスクずいわれる。たたガ
ラスたたはプラスチツク基板にはプラスチツクバ
むンダヌたたは無機酞化物、無機硫化物などの䞋
匕き局を蚭けおもよい。基板よりも熱䌝導率の䜎
い䞋匕き局が奜たしい。 蚘録局は、赀倖線吞収剀単独たたはそれず他の
材料ずの組合せそれ自䜓により構成されるもの、
あるいは反射局ず前蚘赀倖線吞収剀局、あるいは
反射局ず前蚘赀倖線吞収剀を含有する光吞収局に
よ぀お構成されるものに分けられる。この赀倖線
吞収剀単独たたはそれず他の材料ずの組合せによ
぀お構成される蚘録局は該赀倖線吞収剀を溶媒に
溶解させ、塗垃する方匏や基板に蒞着する方匏、
該赀倖線吞収剀を溶剀に溶かし、これを塗垃する
方匏、暹脂溶液ず混合しお塗垃する方匏、他の色
玠ずの混合溶液を塗垃する方匏、他の色玠ずずも
に暹脂溶液に溶解させお塗垃する方匏などによ぀
お圢成される。 暹脂ずしおは、ポリビニルアルコヌル、ポリビ
ニルピロリドン、ポリビニルブチラヌル、ポリカ
ヌボネヌト、ニトロセルロヌス、ポリビニルホル
マヌル、メチルビニル゚ヌテル、無氎マレむン酞
共重合䜓、スチレン−ブタゞ゚ン共重合䜓等既知
のものが甚いられ、赀倖線吞収性組成物䞭におけ
る暹脂に察する前蚘䞀般匏〔〕ないし〔〕で
衚わされる赀倖線吞収剀の重量比は0.01以䞊であ
るこずが望たしい。他の色玠、䟋えばトリアリヌ
ルメタン系色玠、メロシアニン色玠、シアニン色
玠、アゟ色玠、アントラキノン色玠など半導䜓レ
ヌザの波長域以倖に吞収をも぀ものを甚いるず、
半導䜓レヌザだけでなく、He−Neレヌザなどで
も蚘録できる。 この蚘録局は局又は局以䞊蚭ける。 蚘録局の膜厚は、通垞0.01Ό〜1Ό、奜たし
くは0.08〜0.8Όの範囲である。反射読出しの堎
合は特に奜たしくは読出しに䜿甚するレヌザ波長
の1/4の奇数倍である。 半導䜓レヌザたたはHe−Neレヌザなどの反射
局を蚭ける堎合は、基板に反射局を蚭け次の二の
反射局の䞊に前述したような方匏によ぀お蚘録局
を蚭けるこずによるか、あるいは基板に蚘録局を
蚭け、次いでこの䞊に反射局を蚭けるかのいずれ
かの方法がある。 反射局は蒞着法、スパツタリング法、むオンプ
レヌテむング法などの他の次のような方法によ぀
おも䜜るこずができる。 䟋えば氎溶性暹脂PVP、PVAなどに金属
塩たたは、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剀
を加えた溶液を基板に塗垃し、50℃〜150℃奜た
しくは60℃〜100℃で加熱也燥させるこずによ぀
お圢成される。 暹脂に察する金属塩たたは金属錯塩の量は重量
比で0.1〜10奜たしくは0.5〜1.5である。この際、
蚘録局の膜厚は金属粒子反射局が0.01〜0.1Όで
ありそしお光吞収局が0.01〜1Όの範囲が適圓で
ある。 金属塩たたは金属錯塩ずしおは、硝酞銀、シア
ン化銀カリりム、シアン化金カリりム、銀アンミ
ン錯䜓、銀シアン錯䜓、金塩たたは金シアン錯䜓
などを䜿甚できる。還元剀ずしおはホルマリン、
酒石酞、酒石酞塩、還元剀、次亜燐酞塩、氎玠化
硌玠ナトリりム、ゞメチルアミンボランなどを䜿
甚できる。還元剀は金属塩たたは金属錯塩モル
に察し0.2〜10モル奜たしくは0.5〜モルの範囲
で䜿甚できる。 光蚘録媒䜓においお、情報の蚘録ずレヌザなど
のスポツト状の高゚ネルギヌビヌムを基板を通し
おあるいは基板ず反察偎より蚘録局に照射するこ
ずにより行われ、蚘録局に吞収された光が熱に倉
換され、蚘録局にピツト穎が圢成される。 たた情報の読み出しはレヌザビヌムを蚘録の閟
倀゚ネルギヌ以䞋の䜎出力で照射し、ピツト郚ず
ピツトが圢成されおいない郚分の反射光量の倉化
により怜出する。 「発明の効果」 本発明においおα−ゞむミンシス−
−゚チレンゞチオラトニツケル誘導䜓は、有
機溶媒ぞの溶解性が高く、高分子バむンダヌプ
ラスチツクスや印刷甚ビヒクル䞭ぞも良奜に埮
小分散あるいは溶解し、近赀倖光の吞収胜力が倧
きいずいう優れた性質を有する。 たた、本発明の光孊的情報蚘録媒䜓は、耐熱
性、耐光性に優れる。さらに本発明のα−ゞむ
ミンシス−−゚チレンゞチオラトニ
ツケル誘導䜓は合成が容易であり、䜎コストで補
造できるずいう実甚䞊、優れた利点を有する。 埓぀お本発明の光孊的情報蚘録媒䜓はグラビ
ダ、凞版、オフセツトなどの印刷甚むンキずしお
たた光→熱倉換を利甚したレヌザヌによる感熱発
色、感熱蚘録、光デむスク蚘録材料ずしお䜿甚さ
れる。 「実斜䟋」 次に本発明を実斜䟋に基づき、さらに詳现に説
明する。なお、以䞋においお「郚」は特に蚘茉の
ない限り「重量郚」を意味する。先づ、合成䟋
〜においお、実斜䟋で甚いる化合物の合成法に
぀いお説明する。 尚、合成の出発物質である。各皮ビスα−ゞ
むミンニツケルラむド又はα−ゞむミン
ゞハロニツケル錯䜓は Z.anorg. allg. Chemie 267 1371951 ibid. 267 1611951 になら぀お調補した。埓぀お、以䞋の合成䟋䞭で
は、単に、α−ゞむミンゞハロニツケルず
略蚘し、それぞれの調補法は省略する。 合成䟋  䟋瀺化合物(2)の合成 −ゞメチル−−ゞチオヌル−−
オン0.002モルを無氎メタノヌル30mlに分散する。
これにナトリりムメトキサむド0.004モルメタ
ノヌル溶液でもよいを加えお宀枩で時間撹拌
する。この溶液にα−ゞむミンゞクロロ
ニツケル0.002モルを加え、曎に宀枩で時間撹
拌する。析出した沈柱をろ過し、メタノヌルで掗
い、颚也する。 これを少量のゞクロロメタンに溶かし、シリカ
ゲルMerck Art7734 Kieselgel60、70〜
230meshでカラムクロマトグラフむヌにかけ粟
補する。収量0.2。 合成䟋  䟋瀺化合物21の合成 −ゞプニル−−ゞチオヌル−
−オン0.002モルを無氎メタノヌル30mlに分散す
る。これにナトリりムメトキサむド0.004モル
メタノヌル溶液でもよいを加えお宀枩で時
間撹拌する、この溶液にα−ゞむミンゞク
ロロニツケル0.002モルを加え、曎に宀枩で
時間撹拌する。析出したチンデンをろ過し、メタ
ノヌルで掗い、颚也する。 これを少量のゞクロロメタンに溶かし、シリカ
ゲルMerck Art7734 Kieselgel60、70〜
230meshでカラムクロマトグラフむヌにかけ粟
補する。収量0.3。 合成䟋  䟋瀺化合物38の合成 −ゞメトキシプニル−−ゞチオ
ヌル−−オン0.002モルを無氎メタノヌル30ml
に分散する。これにナトリりムメトキサむド
0.004モルメタノヌル溶液でもよいを加えお、
40℃の氎济䞭で時間撹拌する。この溶液にα
−ゞむミンゞクロロニツケル0.002モルを加
え、曎に、40℃の氎济䞭で時間撹拌する。析出
したチンデンをろ過し、メタノヌルで掗い、颚也
する。 これを少量のゞクロロメタンに溶かし、シリカ
ゲルMerck Art7734 Kieselgel60、70〜
230meshでカラムクロマトグラフむヌにかけ粟
補する。収量0.1。 合成䟋  䟋瀺化合物115の合成 α−ゞむミンゞブロモニツケル0.002モ
ルを無氎メタノヌル30mlに溶かす。これに゜デむ
りム−−ゞシアノ゚チレンゞチオレヌト
0.002モルを加えお、曎に、宀枩で時間撹拌す
る。析出した結晶をろ過し、メタノヌルで掗い颚
也する。これを少量のゞクロロメタンに溶かし、
シリカゲルMerck Art7734 Kieselgel60、70−
230meshでカラムクロマトグラフむヌにかけ粟
補する。収量0.1。 実斜䟋  䟋瀺化合物115  ニトロセルロヌス 0.2 ゞクロルメタン ml 䞊蚘組成の溶液をガラス板に回転塗垃し、40℃
で也燥し、厚さ0.25Όの蚘録局を埗た。波長
780nにおける反射率および吞収率はそれぞれ
19および63であ぀た。 こうしお埗られた蚘録媒䜓に波長780n、照
射面で、ビヌム埄1.6Όの半導䜓レヌザで
1MHzで信号を蚘録したずころ、0.2Ό秒の照射
1.6nJpitで盎埄1.0Όのピツトが圢成され
た。この蚘録媒䜓を枩床60℃、宀内光䞭、湿床90
でケ月保存したが、蚘録および読み出しの特
性の倉化はなか぀た。 実斜䟋  䟋瀺化合物21  ポリカヌボネヌト暹脂 1.0 C.I.アシツドブルヌ83C.I.42630 0.8 −ゞクロル゚タン 12ml 䞊蚘組成の溶液を衚面硬化したアクリル板に回
転塗垃し、60℃で也燥し厚さ0.24Όの蚘録局を
埗た。波長780nにおける反射率および吞収率
はそれぞれ40および12であ぀た。たた波長
630nにおける吞収率はそれぞれ20および36
であ぀た。この蚘録媒䜓を照射面、ビヌ
ム埄1.6Όの波長780nの半導䜓レヌザビヌムで
0.4MHzで信号を蚘録したずころ0.5Ό秒の照射
6.0nJpitで盎埄1.0Όのピツトが圢成され
た。たたこの蚘録媒䜓にHe−Neレヌザを甚いお
ビヌム埄1.6Ό蚘録面での゚ネルギヌで、
4MHzの信号を蚘録したずころ0.4Ό秒の照射
1.6nJpitで1.0Όのピツトが圢成された。 実斜䟋ず同様にしお保存テストを行぀たが特
性の倉化はなか぀た。 実斜䟋  䟋瀺化合物21  ゞクロルメタン 20ml 䞊蚘組成の塗垃液をセルキダストのポリメチル
メタクリレヌト補の板に回転塗垃し、40℃で也燥
したずころ、バむンダヌなしでも平坊な蚘録膜が
出来お、その厚さは0.24Όであ぀た。波長780n
における反射率および吞収率はそれぞれ19およ
び62であ぀た。 こうしお埗られた蚘録媒䜓に波長780n、照
射面で、ビヌム埄1.6Όの半導䜓レヌザで
4MHzで信号を蚘録したずころ、0.25Ό秒の照射
1.2nJpitで盎埄1.0Όのピツトが圢成され
た。この蚘録媒䜓を枩床60℃、宀内光䞭、湿床90
でケ月保存したが、蚘録および読み出しの特
性の倉化はなか぀た。 実斜䟋  䟋瀺化合物38  ポリカヌボネヌト暹脂 0.7 C.I.アシツドブルヌ83C.I.42630 0.8 −ゞクロル゚タン 12ml 䞊蚘組成の溶液を玫倖線硬化暹脂膜を塗垃しお
衚面硬化したポリカヌボネヌト補の板に回転塗垃
し、60℃で也燥し厚さ0.4Όの蚘録局を埗た。波
長780nにおける反射率および吞収率はそれぞ
れ16および51であ぀た。たた波長630nに
おける反射率および吞収率はそれぞれ14および
62であ぀た。この蚘録媒䜓を照射面で、
ビヌム埄1.6Όの波長780nの半導䜓レヌザビヌ
ムで0.4MHzで信号を蚘録したずころ0.4Ό秒の照
射1.8nJpitで盎埄1.0Όのピツトが圢成さ
れた。たたこの蚘録媒䜓にHe−Neレヌザを甚い
おビヌム埄1.6Ό蚘録面での゚ネルギヌ
で、4MHzの信号を蚘録したずころ0.4Ό秒の照射
1.6nJpitで0.8Όのピツトが圢成された。 実斜䟋ず同様にしお保存テストを行぀たが特
性の倉化はなか぀た。 実斜䟋  次の組成の液をポリカヌボネヌト円板に回転塗
垃しお、厚さ0.1Όの也燥膜厚の䞋匕局を埗た。 セルロヌスアセテヌトブチレヌト 0.8 アセトン 32ml これに䟋瀺化合物(2)を含む次の組成の液䟋瀺化合
物21  ポリビニルホルマヌル 0.7 ゞクロルメタン 10 を回転塗垃しお厚さ0.4Όの也燥膜厚の蚘録局を埗
た。さらにこの䞊に銀を厚さ01Όに真空蒞着し、
蚘録媒䜓を぀くり、銀の面を向い合せにしお、ス
ペヌサヌを円板の䞭心郚ず呚囲に入れお二぀の円
板状の蚘録媒䜓をサンドむツチにしお接合した蚘
録媒䜓を埗た。 これにポリカヌボネヌト板偎より波長780n
のビヌム埄1.6Όの半導䜓レヌザビヌムを照射面
でで照射し0.5Ό秒の照射4.2nJsecで
盎埄0.9Όのピツトが圢成された。 この蚘録媒䜓を宀内光䞭80℃、90でケ月保
存したが蚘録および読み出しの特性の劣化は殆ど
なか぀た。 実斜䟋  䟋瀺化合物115 1.0 ポリビニルホルマヌル 0.7 ゞクロルメタン 12ml 䞊蚘組成の溶液をアルミニりムを0.04Όの厚
さに蒞着したポリカヌボネヌト暹脂板に回転塗垃
し、厚さ0.4Όの光吞収局を埗た。波長780nに
おける反射率および吞収率は16および64であ
぀た。この蚘録媒䜓に波長780nの半導䜓レヌ
ザを甚い照射面゚ネルギヌ、ビヌム埄1.6ÎŒ
で基板和より2MHzの信号を蚘録したずころ
0.5ÎŒsecの照射時間で3.0nJpitで盎埄0.8Ό
のピツトが圢成された。この蚘録媒䜓を60℃、湿
床90でケ月保存埌も蚘録特性および蚘録され
たピツトの再生特性が劣化しなか぀た。 実斜䟋  ニトロセルロヌス 0.4 ゞクロルメタン 10ml 䞊蚘組成の液をセルキダストのアクリル板に回
路塗垃し䞋匕き局を぀くり、これに䟋瀺化合物(2)
を真空蒞着しお、厚さ0.2Όの局を埗た。これに
れラチン0.5を氎10mlに溶かした液を回転塗垃
しお厚さ0.5Όの保護局を぀けた。基板偎より
780nの波長のレヌザビヌムを実斜䟋ず同様
に照射し、0.5Ό秒の照射2.0nJpitで盎埄
0.9Όのピツトが圢成された。この蚘録材料を宀
内光䞭で、枩床60℃、湿床90でケ月保存した
が特性には倉化がなか぀た。 実斜䟋  セルキダストのカヌド状のアクリル板にストラ
むプ状の開口郚をも぀たマスクを通しお䟋瀺化合
物(2)を10-4Torrで300Åminの真着速床で真空
蒞着しお厚さ0.1Όの局を埗た。これにれラチン
の氎溶液をカヌドの党面に塗蚭しおレヌザカ
ヌドを䜜぀た。 なお蒞着局の厚さは氎晶振動子の呚波数倉化を
利甚する方法で枬定し、比重を1.3に蚭定した厚
さである。蒞着された膜は非垞によい膜質で、ア
クリル板より剥れにくく、基板偎からの780n
光りに察する反射率は23であ぀た。基板偎より
780nの波長のレヌザビヌムを照射面で、
ビヌム埄1.6ΌでHzで照射したずころ、盎埄
0.8Όのピツトが圢成された。 この蚘録媒䜓を枩床70℃、湿床80RHで螢光
灯照射䞋でケ月保存したが、蚘録および読み出
しの特性の倉化はなか぀た。 なお、蒞着速床を1000Åminにするず、若干
倧きい粒子埄玄0.4Ό皋床が認められたが、
780nのレヌザ光、照射面、ビヌム埄1.6ÎŒ
で4MHzで蚘録出来た。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  䞋蚘䞀般匏〔〕、〔〕、〔〕で衚わされる
    化合物から遞ばれる少なくずも皮のα−ゞむ
    ミンシス−−゚チレンゞチオラトニ
    ツケル誘導䜓を含有するこずを特城ずする光孊的
    情報蚘録媒䜓。 匏䞭、R1〜R5、R10〜R14、R17〜R21はハロゲ
    ン、氎玠原子、盎接もしくは䟡の連結基を介し
    お間接的にベンれン環䞊の炭玠原子に結合するア
    ルキル基、アリヌル基、シクロアルキル基、耇玠
    環基を瀺し、これらは同じでも異぀おいおもよ
    く、R6、R7はアルキル基、アリヌル基を瀺し、
    これらは同じでも異぀おいおもよく、R8、R9、
    R15、R16、R22、R23は氎玠原子、アルキル基、
    アリヌル基、シアノ基を瀺し、これらは、それぞ
    れ同じでも異぀おいおもよく、R8ずR9、R15ず
    R16、R22ずR23はそれぞれ結合しお環を圢成しお
    いおもよい。
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