JPH0552011B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0552011B2 JPH0552011B2 JP59015111A JP1511184A JPH0552011B2 JP H0552011 B2 JPH0552011 B2 JP H0552011B2 JP 59015111 A JP59015111 A JP 59015111A JP 1511184 A JP1511184 A JP 1511184A JP H0552011 B2 JPH0552011 B2 JP H0552011B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filament
- end shield
- ceramic
- center support
- cathode structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/04—Cathodes
- H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/15—Cathodes heated directly by an electric current
- H01J1/18—Supports; Vibration-damping arrangements
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子管陰極構体に係わり、特にらせん
状に巻設させた熱電子放出用フイラメントの両端
部を支持するエンドシールドの構成に関するもの
である。
状に巻設させた熱電子放出用フイラメントの両端
部を支持するエンドシールドの構成に関するもの
である。
〔発明の背景〕
第１図は従来から用いられている電子管陰極構
体として、例えばマグネトロンの陰極構体の一例
を示す断面図である。同図において、熱電子を放
出するらせん状のフイラメント１はマグネトロン
の管軸と同心に配置され、熱電子の管軸方向への
逸脱を防止する上エンドシールド２と下エンドシ
ールド３との間に支持固定されている。そして、
この上エンドシールド２および下エンドシールド
３はエンドシールド２，３をそれぞれ支持しかつ
フイラメント１に所定の電流を通電するセンター
サポート４およびサイドサポート５に支持固定さ
れている。この場合、上エンドシールド２は管軸
上にあるセンターサポート４の上端に固定され、
下エンドシールド３は円形孔３ａの中心をセンタ
ーサポート４が通るようにサイドサポート５の上
端に固定されている。通常、マグネトロンの動作
中においては、フイラメント１の中央部分で約
1800℃、エンドシールド２，３との接合部分で約
1200℃程度の高温度となるため、エンドシールド
２，３およびセンターサポート４、サイドサポー
ト５にはそれぞれモリブデンやタングステンなど
の高融点金属が用いられ、また、各接合部分の機
械的、電気的接続に用いられるろう材としては、
古くは白金が用いられていたが、極めて高価であ
ることから、最近ではルテニウムとモリブデンと
の共晶合金が用いられるようになつてきた。ま
た、このセンターサポート４およびサイドサポー
ト５の他端側は電力供給端子６がステムセラミツ
ク７とともに銀ろう付され、さらにこのステムセ
ラミツク７にはシール部品８が銀ろう付して固定
されている。また、センターサポート４とサイド
サポート５との間には、外部からの振動、衝撃に
よるフイラメント１およびエンドシールド２，３
の変位を防止させる絶縁スペーサ９が嵌挿され、
管軸方向への位置ずれを防止させる金属リング１
０をサイドサポート５にろう付け固定させてマグ
ネトロン陰極構体が構成あれている。
体として、例えばマグネトロンの陰極構体の一例
を示す断面図である。同図において、熱電子を放
出するらせん状のフイラメント１はマグネトロン
の管軸と同心に配置され、熱電子の管軸方向への
逸脱を防止する上エンドシールド２と下エンドシ
ールド３との間に支持固定されている。そして、
この上エンドシールド２および下エンドシールド
３はエンドシールド２，３をそれぞれ支持しかつ
フイラメント１に所定の電流を通電するセンター
サポート４およびサイドサポート５に支持固定さ
れている。この場合、上エンドシールド２は管軸
上にあるセンターサポート４の上端に固定され、
下エンドシールド３は円形孔３ａの中心をセンタ
ーサポート４が通るようにサイドサポート５の上
端に固定されている。通常、マグネトロンの動作
中においては、フイラメント１の中央部分で約
1800℃、エンドシールド２，３との接合部分で約
1200℃程度の高温度となるため、エンドシールド
２，３およびセンターサポート４、サイドサポー
ト５にはそれぞれモリブデンやタングステンなど
の高融点金属が用いられ、また、各接合部分の機
械的、電気的接続に用いられるろう材としては、
古くは白金が用いられていたが、極めて高価であ
ることから、最近ではルテニウムとモリブデンと
の共晶合金が用いられるようになつてきた。ま
た、このセンターサポート４およびサイドサポー
ト５の他端側は電力供給端子６がステムセラミツ
ク７とともに銀ろう付され、さらにこのステムセ
ラミツク７にはシール部品８が銀ろう付して固定
されている。また、センターサポート４とサイド
サポート５との間には、外部からの振動、衝撃に
よるフイラメント１およびエンドシールド２，３
の変位を防止させる絶縁スペーサ９が嵌挿され、
管軸方向への位置ずれを防止させる金属リング１
０をサイドサポート５にろう付け固定させてマグ
ネトロン陰極構体が構成あれている。
しかしながら、前述した構成によるマグネトロ
ン陰極構体は、センターサポート４およびサイド
サポート５の下端部側をステムセラミツク７に支
持固定させ、その先端部側は上、下エンドシール
ド２，３対向間にらせん状のフイラメント１を挾
持させて支持固定する構成を有しており、そして
このフイラメント１は例えばトリウムタングステ
ン線をらせん状に成形加工しその表面を炭化させ
て熱電子の放射効率を高める処理を施して形成さ
れているので、センターサポート４とサイドサポ
ート５との間の間隔は絶縁スペーサ９により一定
に維持されるが、管軸に対する周方向の回転運動
となる外部からの振動あるいは衝撃によつてフイ
ラメント１が破断してしまうという問題があつ
た。
ン陰極構体は、センターサポート４およびサイド
サポート５の下端部側をステムセラミツク７に支
持固定させ、その先端部側は上、下エンドシール
ド２，３対向間にらせん状のフイラメント１を挾
持させて支持固定する構成を有しており、そして
このフイラメント１は例えばトリウムタングステ
ン線をらせん状に成形加工しその表面を炭化させ
て熱電子の放射効率を高める処理を施して形成さ
れているので、センターサポート４とサイドサポ
ート５との間の間隔は絶縁スペーサ９により一定
に維持されるが、管軸に対する周方向の回転運動
となる外部からの振動あるいは衝撃によつてフイ
ラメント１が破断してしまうという問題があつ
た。
このような問題を改善したものとしては、第２
図に示すようなマグネトロン陰極構体が提案され
ている。すなわち同図において、下エンドシール
ド３の円形孔３ａには中央をセンターサポート４
が貫通するようにアルミナなどからなるセラミツ
クスペーサ１１を挿入し、管軸方向への位置ずれ
を防止させる金属製Ｅリング１２を、センターサ
ポート４に溝４ａを設け、この溝４ａに嵌入し、
セラミツクスペーサ１１を保持固定させ、前述し
た外部からの周方向の回転運動による振動あるい
は衝撃によつてもろいフイラメント１の破断を防
止させている。
図に示すようなマグネトロン陰極構体が提案され
ている。すなわち同図において、下エンドシール
ド３の円形孔３ａには中央をセンターサポート４
が貫通するようにアルミナなどからなるセラミツ
クスペーサ１１を挿入し、管軸方向への位置ずれ
を防止させる金属製Ｅリング１２を、センターサ
ポート４に溝４ａを設け、この溝４ａに嵌入し、
セラミツクスペーサ１１を保持固定させ、前述し
た外部からの周方向の回転運動による振動あるい
は衝撃によつてもろいフイラメント１の破断を防
止させている。
しかしながら前述した構成によるマグネトロン
陰極構体は、組立部品点数が多く、また機械的、
電気的接続個所が多いことから、組立工数が大き
くなり、生産性を低下させ、製造コストが高価と
なるなどの欠点があつた。また、センターサポー
ト４にセラミツクスペーサ１１を保持するＥリン
グ係止用溝４ａを形成するため、センターサポー
ト４が折れ易くなり、耐振動強度が低下するとい
う欠点があつた。
陰極構体は、組立部品点数が多く、また機械的、
電気的接続個所が多いことから、組立工数が大き
くなり、生産性を低下させ、製造コストが高価と
なるなどの欠点があつた。また、センターサポー
ト４にセラミツクスペーサ１１を保持するＥリン
グ係止用溝４ａを形成するため、センターサポー
ト４が折れ易くなり、耐振動強度が低下するとい
う欠点があつた。
したがつて、本発明は、前述した従来の欠点を
解消するためになされたものであり、その目的と
するところは、組立部品のコスト、組立工数を低
減させ、耐振動強度を向上させた電子管陰極構体
を提供することにある。
解消するためになされたものであり、その目的と
するところは、組立部品のコスト、組立工数を低
減させ、耐振動強度を向上させた電子管陰極構体
を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、ら
せん状フイラメントの一端側を支持する下エンド
シールドをセラミツク材により構成し、このセラ
ミツク製下エンドシールドの表面にメタライズ層
を形成してこのメタライズ層にフイラメントおよ
びサイドサポートを接合固定するものである。
せん状フイラメントの一端側を支持する下エンド
シールドをセラミツク材により構成し、このセラ
ミツク製下エンドシールドの表面にメタライズ層
を形成してこのメタライズ層にフイラメントおよ
びサイドサポートを接合固定するものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第３図および第４図は本発明による電子管陰極
構体をマグネトロン陰極構体に適用した一実施例
を示す断面図であり、前述の図と同一部分は同一
符号を付しその説明は省略する。両図において、
３′は例えばアルミナ等からなるセラミツク製の
下エンドシールドであり、この下エンドシールド
３′の上エンドシールド２との対向面およびらせ
ん状フイラメント１の内側外接面にはモリブデン
からなるメタライズ層１３が被着形成されてい
る。また、このセラミツク製下エンドシールド
３′の円形孔３ａには、センターサポート４がそ
の外径が接触する程度の嵌合度合で挿通されてい
る。また、このセラミツク製下エンドシールド
３′の周端側には円形孔３ｂが形成され、この円
形孔３ｂにサイドサポート５の先端部が挿通され
ている。そして、このメタライズ層１３上にはル
テニウム、モリブデンおよびニツケル材からなる
三元合金（Ru−Mo−Ni）ろう材１４が塗布、
焼成して固着され、フイラメント１およびサイド
サポート５はそれぞれメタライズ層１３へ固定配
置されている。
構体をマグネトロン陰極構体に適用した一実施例
を示す断面図であり、前述の図と同一部分は同一
符号を付しその説明は省略する。両図において、
３′は例えばアルミナ等からなるセラミツク製の
下エンドシールドであり、この下エンドシールド
３′の上エンドシールド２との対向面およびらせ
ん状フイラメント１の内側外接面にはモリブデン
からなるメタライズ層１３が被着形成されてい
る。また、このセラミツク製下エンドシールド
３′の円形孔３ａには、センターサポート４がそ
の外径が接触する程度の嵌合度合で挿通されてい
る。また、このセラミツク製下エンドシールド
３′の周端側には円形孔３ｂが形成され、この円
形孔３ｂにサイドサポート５の先端部が挿通され
ている。そして、このメタライズ層１３上にはル
テニウム、モリブデンおよびニツケル材からなる
三元合金（Ru−Mo−Ni）ろう材１４が塗布、
焼成して固着され、フイラメント１およびサイド
サポート５はそれぞれメタライズ層１３へ固定配
置されている。
このような構成によれば、セラミツク製下エン
ドシールド３′と前述したスペーサ９，１１（第
１図、第２図参照）とが一体化された構成となる
ので、前述の如き固定用の金属リング１０、Ｅリ
ング１２が不要となり、部品点数を低減させると
ともに、構成が簡素化されるので、組立コストが
低減できる。また、下エンドシールド３′をアル
ミナ等のセラミツク成形体で構成することによ
り、フイラメント１、センターサポート４および
サイドサポート５が寸法的に極めて良好な嵌合状
態で組立てができるので、組立精度が高くなり、
安定かつ均一な電気的特性が得られるとともに、
高能率、高歩留りの生産が可能となる。また、こ
れに伴なつて耐振性、耐衝撃性を向上させること
ができる。
ドシールド３′と前述したスペーサ９，１１（第
１図、第２図参照）とが一体化された構成となる
ので、前述の如き固定用の金属リング１０、Ｅリ
ング１２が不要となり、部品点数を低減させると
ともに、構成が簡素化されるので、組立コストが
低減できる。また、下エンドシールド３′をアル
ミナ等のセラミツク成形体で構成することによ
り、フイラメント１、センターサポート４および
サイドサポート５が寸法的に極めて良好な嵌合状
態で組立てができるので、組立精度が高くなり、
安定かつ均一な電気的特性が得られるとともに、
高能率、高歩留りの生産が可能となる。また、こ
れに伴なつて耐振性、耐衝撃性を向上させること
ができる。
第５図は本発明に係わるマグネトロン陰極構体
の他の実施例を示す要部断面構成図であり、第３
図、第４図と同一部分は同一符号を付しその説明
は省略する。同図において、第４図と異なる点
は、セラミツク製下エンドシールド３′のセンタ
ーサポート４挿入用円形孔３ａの上エンドシール
ド２側にはリング状の凹部３ｃが形成されてい
る。
の他の実施例を示す要部断面構成図であり、第３
図、第４図と同一部分は同一符号を付しその説明
は省略する。同図において、第４図と異なる点
は、セラミツク製下エンドシールド３′のセンタ
ーサポート４挿入用円形孔３ａの上エンドシール
ド２側にはリング状の凹部３ｃが形成されてい
る。
このような構成においても前述と全く同様の効
果が得られるとともに、リング状凹部３ｃを設け
たことにより、フイラメント１からの蒸発物（金
属微粉末）の堆積による絶縁性の低下を防止する
ことができる。
果が得られるとともに、リング状凹部３ｃを設け
たことにより、フイラメント１からの蒸発物（金
属微粉末）の堆積による絶縁性の低下を防止する
ことができる。
第６図は本発明に係わるマグネトロン陰極構体
のさらに他の実施例を示す要部断面図であり、前
述の図と同一部分は同一符号を付し、その説明は
省略する。同図において、第４図と異なる点は、
セラミツク製下エンドシールド３′の上エンドシ
ールド２と対向する平面部のみにメタライズ層１
３が形成されている。
のさらに他の実施例を示す要部断面図であり、前
述の図と同一部分は同一符号を付し、その説明は
省略する。同図において、第４図と異なる点は、
セラミツク製下エンドシールド３′の上エンドシ
ールド２と対向する平面部のみにメタライズ層１
３が形成されている。
このような構成においても前述と全く同様の効
果が得られるとともに、セラミツク製下エンドシ
ールド３′の凸部３ｄがフイラメント１の位置出
しに寄与でき、しかもメタライズ層１３の端部の
電界集中に対して有効な絶縁効果が得られる。
果が得られるとともに、セラミツク製下エンドシ
ールド３′の凸部３ｄがフイラメント１の位置出
しに寄与でき、しかもメタライズ層１３の端部の
電界集中に対して有効な絶縁効果が得られる。
第７図は本発明に係わるマグネトロン陰極構体
を構成する下エンドシールドの他の実施例を示す
断面図である。同図において、セラミツク製下エ
ンドシールド３′は、その全体を浸漬法によりメ
タライズ層１３を形成した後、その上下方向両端
面のみを研磨もしくは研削して絶縁部分を形成し
たものである。このような構成による下エンドシ
ールド３′を用いても前述と全く同様の効果が得
られる。
を構成する下エンドシールドの他の実施例を示す
断面図である。同図において、セラミツク製下エ
ンドシールド３′は、その全体を浸漬法によりメ
タライズ層１３を形成した後、その上下方向両端
面のみを研磨もしくは研削して絶縁部分を形成し
たものである。このような構成による下エンドシ
ールド３′を用いても前述と全く同様の効果が得
られる。
また、第８図および第９図に示すようにセラミ
ツク製下エンドシールド３′を断面が凹形状とな
るように構成しても前述と全く同様の効果が得ら
れることは言うまでない。
ツク製下エンドシールド３′を断面が凹形状とな
るように構成しても前述と全く同様の効果が得ら
れることは言うまでない。
さらに、第６図、第７図、第８図および第９図
に示した実施例において、セラミツク製下エンド
シールド３′のセンターサポート４挿入用円形孔
３ａの上エンドシールド２側に、第５図および第
９図で示したようなリング状凹部３ｃを形成する
ことにより、フイラメント１からの蒸発物の堆積
による絶縁性の低下を防止できることは勿論であ
る。
に示した実施例において、セラミツク製下エンド
シールド３′のセンターサポート４挿入用円形孔
３ａの上エンドシールド２側に、第５図および第
９図で示したようなリング状凹部３ｃを形成する
ことにより、フイラメント１からの蒸発物の堆積
による絶縁性の低下を防止できることは勿論であ
る。
以上説明したように本発明によれば、組立部品
のコストおよび組立工数を低減できるとともに、
耐振動性、耐衝撃性の高い電子管陰極構体が得ら
れるという極めて優れた効果を有する。
のコストおよび組立工数を低減できるとともに、
耐振動性、耐衝撃性の高い電子管陰極構体が得ら
れるという極めて優れた効果を有する。
第１図は従来のマグネトロン陰極構体の一例を
示す断面図、第２図は近年提案されているマグネ
トロン陰極構体の一例を示す断面図、第３図は本
発明による電子管陰極構体の一実施例を示すマグ
ネトロン陰極構体の断面図、第４図は第３図の要
部拡大断面図、第５図ないし第９図は本発明によ
る電子管陰極構体の他の実施例を示すマグネトロ
ン陰極構体の要部拡大断面図である。 １……フイラメント、２……上エンドシール
ド、３′……セラミツク下エンドシールド、３ａ，
３ｂ……円形孔、３ｃ……凹部、４……センター
サポート、５……サイドサポート、６……電力供
給端子、７……ステムセラミツク、８……シール
部品、１３……メタライズ層、１４……三元合金
ろう材。
示す断面図、第２図は近年提案されているマグネ
トロン陰極構体の一例を示す断面図、第３図は本
発明による電子管陰極構体の一実施例を示すマグ
ネトロン陰極構体の断面図、第４図は第３図の要
部拡大断面図、第５図ないし第９図は本発明によ
る電子管陰極構体の他の実施例を示すマグネトロ
ン陰極構体の要部拡大断面図である。 １……フイラメント、２……上エンドシール
ド、３′……セラミツク下エンドシールド、３ａ，
３ｂ……円形孔、３ｃ……凹部、４……センター
サポート、５……サイドサポート、６……電力供
給端子、７……ステムセラミツク、８……シール
部品、１３……メタライズ層、１４……三元合金
ろう材。
Claims (1)
- １ 熱電子を放出するフイラメントと、前記フイ
ラメントの上、下端を支持する上、下エンドシー
ルドと、前記上、下エンドシールドをそれぞれ支
持しかつ前記フイラメントに所定の電流を通電す
るための管軸に沿つて配置されるセンターサポー
ト、前記管軸から偏位した位置に前記管軸に平行
に配置されるサイドサポートとを少なくとも備え
た電子管陰極構体において、前記下エンドシール
ドをセラミツクにより形成するとともに該下エン
ドシールドの表面の中央部にフイラメント外径と
ほぼ同じ直径でフイラメントが嵌入される凹部を
設けるとともに、この凹部を含めた前記下エンド
シールドの表面にメタライズ層を設け、前記凹部
に前記フイラメントを嵌入して、該メタライズ層
に前記フイラメントと前記サイドサポートとを各
接合部においてろう付けして機械的に固定すると
同時に電気的に接続することを特徴とした電子管
陰極構体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015111A JPS60163330A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 電子管陰極構体 |
| KR1019840007615A KR890002358B1 (ko) | 1984-02-01 | 1984-12-03 | 전자관 음극 구체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015111A JPS60163330A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 電子管陰極構体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163330A JPS60163330A (ja) | 1985-08-26 |
| JPH0552011B2 true JPH0552011B2 (ja) | 1993-08-04 |
Family
ID=11879717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59015111A Granted JPS60163330A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 電子管陰極構体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163330A (ja) |
| KR (1) | KR890002358B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0734107U (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-23 | 株式会社河合楽器製作所 | 防音パネルの支持構造 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3215502B2 (ja) * | 1992-05-19 | 2001-10-09 | 株式会社小松製作所 | 作業機動作範囲制限装置 |
| JP2009118830A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Iseki & Co Ltd | 歩行型の苗移植機 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258481A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Ion generator |
| JPS6055941B2 (ja) * | 1976-01-28 | 1985-12-07 | 株式会社日立製作所 | マグネトロン陰極構体 |
-
1984
- 1984-02-01 JP JP59015111A patent/JPS60163330A/ja active Granted
- 1984-12-03 KR KR1019840007615A patent/KR890002358B1/ko not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0734107U (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-23 | 株式会社河合楽器製作所 | 防音パネルの支持構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60163330A (ja) | 1985-08-26 |
| KR850006245A (ko) | 1985-10-02 |
| KR890002358B1 (ko) | 1989-07-01 |
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