JPH0419659B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0419659B2 JPH0419659B2 JP56026800A JP2680081A JPH0419659B2 JP H0419659 B2 JPH0419659 B2 JP H0419659B2 JP 56026800 A JP56026800 A JP 56026800A JP 2680081 A JP2680081 A JP 2680081A JP H0419659 B2 JPH0419659 B2 JP H0419659B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- filament
- sealing body
- auxiliary sealing
- cup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/14—Leading-in arrangements; Seals therefor
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマグネトロンに関するものである。
第１図は従来のマグネトロンの１例を示すもの
で、フイラメント１の両端はエンドシールド２，
３を介してフイラメントサポート４，５に支持さ
れており、フイラメントサポート４，５は真空容
器を形成する絶縁物６を貫通し金属ワツシヤ７を
介して絶縁物６にろう付けされている。またフイ
ラメント１の周囲には放射状に配列された複数個
のベイン８とこれらを保持する陽極円筒９などか
らなる陽極が配設されている。前記ベイン８はス
トラツプリング１０，１１により１枚おきに電気
的に接続されている。そして、ベイン８の１つに
は出力導体１２が接続されており、作用空間に発
生したマイクロ波エネルギーを出力放射窓１３を
通して負荷回路に放射させるようになつている。
また陽極円筒９の上下端には作用空間に集束磁界
を供給するための磁極１４，１５が固着され、更
に磁極１４，１５はリング１６，１７を介してそ
れぞれ出力放射窓１３、絶縁物６にろう付け封着
され、真空容器を形成している。
で、フイラメント１の両端はエンドシールド２，
３を介してフイラメントサポート４，５に支持さ
れており、フイラメントサポート４，５は真空容
器を形成する絶縁物６を貫通し金属ワツシヤ７を
介して絶縁物６にろう付けされている。またフイ
ラメント１の周囲には放射状に配列された複数個
のベイン８とこれらを保持する陽極円筒９などか
らなる陽極が配設されている。前記ベイン８はス
トラツプリング１０，１１により１枚おきに電気
的に接続されている。そして、ベイン８の１つに
は出力導体１２が接続されており、作用空間に発
生したマイクロ波エネルギーを出力放射窓１３を
通して負荷回路に放射させるようになつている。
また陽極円筒９の上下端には作用空間に集束磁界
を供給するための磁極１４，１５が固着され、更
に磁極１４，１５はリング１６，１７を介してそ
れぞれ出力放射窓１３、絶縁物６にろう付け封着
され、真空容器を形成している。
ところで、前記フイラメント１は安定した電子
放射が得られ易いことから表面層が炭化されたト
リウム入りタングステンが使用されており、動作
温度は1700〜1800℃の高温である。従つて、フイ
ラメント１を支持するエンドシールド２，３およ
びフイラメントサポート４，５も高い温度で使用
できる素材からなることが必要であり、一般にモ
リブデン（Mo）が用いられている。またMoよ
りなるフイラメントサポート４，５は高い信頼性
をもつてセラミツクよりなる絶縁物６にろう付け
封着することが困難であるので、前記金属ワツシ
ヤ７にはセラミツク絶縁物に近い膨張係数を有す
るコバール（Fe−Ni−Co合金）が用いられてい
る。
放射が得られ易いことから表面層が炭化されたト
リウム入りタングステンが使用されており、動作
温度は1700〜1800℃の高温である。従つて、フイ
ラメント１を支持するエンドシールド２，３およ
びフイラメントサポート４，５も高い温度で使用
できる素材からなることが必要であり、一般にモ
リブデン（Mo）が用いられている。またMoよ
りなるフイラメントサポート４，５は高い信頼性
をもつてセラミツクよりなる絶縁物６にろう付け
封着することが困難であるので、前記金属ワツシ
ヤ７にはセラミツク絶縁物に近い膨張係数を有す
るコバール（Fe−Ni−Co合金）が用いられてい
る。
このように、フイラメントサポート４，５は絶
縁物６を貫通して長く形成されているので、Mo
のような高価な高融点金属を多く必要とする。ま
たMoは銀ろうとの濡れ性が悪く、信頼性の高い
ろう付けが困難である。更にMoは脆い材質であ
るので、棒状あるいは線状に加工する際、表面お
よび内部に欠陥が生じ易く、前記の如くフイラメ
ントサポート４，５が真空容器内外に貫通してい
ると、前記欠陥により真空リークを生じ易い。ま
た金属ワツシヤ７はFe−Ni−Coのような高価で
一般性のない金属を使用しなければならない。更
に絶縁物６とワツシヤ７、ワツシヤ７とフイラメ
ントサポート４，５をそれぞれ相互に銀ろう付け
するので、高価な銀ろう材を多量に必要とすると
共に、封着構造が複雑となり、真空リークを生じ
易い、などの種々の欠点を有する。
縁物６を貫通して長く形成されているので、Mo
のような高価な高融点金属を多く必要とする。ま
たMoは銀ろうとの濡れ性が悪く、信頼性の高い
ろう付けが困難である。更にMoは脆い材質であ
るので、棒状あるいは線状に加工する際、表面お
よび内部に欠陥が生じ易く、前記の如くフイラメ
ントサポート４，５が真空容器内外に貫通してい
ると、前記欠陥により真空リークを生じ易い。ま
た金属ワツシヤ７はFe−Ni−Coのような高価で
一般性のない金属を使用しなければならない。更
に絶縁物６とワツシヤ７、ワツシヤ７とフイラメ
ントサポート４，５をそれぞれ相互に銀ろう付け
するので、高価な銀ろう材を多量に必要とすると
共に、封着構造が複雑となり、真空リークを生じ
易い、などの種々の欠点を有する。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたも
ので、経済的で信頼性の高いマグネトロンを提供
することを目的とする。
ので、経済的で信頼性の高いマグネトロンを提供
することを目的とする。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第２図は本発明になるマグネトロンの一実施例
を示す断面図である。なお、第１図と同じ部材に
は同一符号を付しその説明を省略する。フイラメ
ントサポート２０，２１はセラミツク絶縁体６を
貫通しない短い長さに形成され、このフイラメン
トサポート２０，２１の端部に絶縁体６を貫通し
たFe材よりなる補助封着体２２がプラズマ溶接、
突当抵抗溶接などにより固着されている。前記補
助封着体２２にはフランジ部２２ａが形成され、
更にこのフランジ部２２ａには絶縁体６に対応し
た面が約0.4mm程度の薄肉よりなるカツプ状部２
２ｂが一体塑性加工により形成されている。そし
て、カツプ状部２２ｂの先端はメタライズされた
アルミナセラミツク絶縁物６にろう付けされてい
る。
を示す断面図である。なお、第１図と同じ部材に
は同一符号を付しその説明を省略する。フイラメ
ントサポート２０，２１はセラミツク絶縁体６を
貫通しない短い長さに形成され、このフイラメン
トサポート２０，２１の端部に絶縁体６を貫通し
たFe材よりなる補助封着体２２がプラズマ溶接、
突当抵抗溶接などにより固着されている。前記補
助封着体２２にはフランジ部２２ａが形成され、
更にこのフランジ部２２ａには絶縁体６に対応し
た面が約0.4mm程度の薄肉よりなるカツプ状部２
２ｂが一体塑性加工により形成されている。そし
て、カツプ状部２２ｂの先端はメタライズされた
アルミナセラミツク絶縁物６にろう付けされてい
る。
さて、フイラメント１の動作温度は高温である
が、フイラメントサポート２０，２１は管外へ向
つて低下する温度勾配を有しており、絶縁体６の
近傍は十分低い温度であるので、補助封着体２２
の材質としてFeなどの低い融点の金属を用いる
ことができる。またセラミツク絶縁体６とFeよ
りなる補助封着体２２とでは膨張係数が異なる
が、補助封着体２２の封着部を薄肉のカツプ状部
２２ｂとすることにより、塑性による応力緩和が
行なえる。
が、フイラメントサポート２０，２１は管外へ向
つて低下する温度勾配を有しており、絶縁体６の
近傍は十分低い温度であるので、補助封着体２２
の材質としてFeなどの低い融点の金属を用いる
ことができる。またセラミツク絶縁体６とFeよ
りなる補助封着体２２とでは膨張係数が異なる
が、補助封着体２２の封着部を薄肉のカツプ状部
２２ｂとすることにより、塑性による応力緩和が
行なえる。
このように、フイラメントサポート２０，２１
は絶縁体６を貫通しない短い長さよりなるので、
Moのような高価な高融点の金属の使用量を減す
ことができる。また補助封着体２２は安価な鉄よ
りなるので、塑性加工が容易で封着し易い形状に
一体加工することができ、第１図における高価で
かつ高融点のワツシヤ７を省略できると共に、延
性、展性などがMOよりも優れており、加工時に
表面および内部に欠陥を生じることがなく、真空
封着の信頼性が向上する。またフイラメントサポ
ート２０，２１と補助封着体２２は溶接などによ
り固着でき、その作業は容易でかつ高価なろう材
を必要としない。さらに本願発明は補助封着体と
してFeなどの加工特性に優れた材料を使用でき
るため、第２図におけるフランジ部２２ａ、カツ
プ状部２２ｂをプレス加工等により補助封着体と
一体に加工出来るという特徴を有す。したがつて
本願発明によれば、カツプ状部を別に製作して補
助封着体に接合する場合に比し、接合部での真空
リークに対する信頼性がはるかに向上する。
は絶縁体６を貫通しない短い長さよりなるので、
Moのような高価な高融点の金属の使用量を減す
ことができる。また補助封着体２２は安価な鉄よ
りなるので、塑性加工が容易で封着し易い形状に
一体加工することができ、第１図における高価で
かつ高融点のワツシヤ７を省略できると共に、延
性、展性などがMOよりも優れており、加工時に
表面および内部に欠陥を生じることがなく、真空
封着の信頼性が向上する。またフイラメントサポ
ート２０，２１と補助封着体２２は溶接などによ
り固着でき、その作業は容易でかつ高価なろう材
を必要としない。さらに本願発明は補助封着体と
してFeなどの加工特性に優れた材料を使用でき
るため、第２図におけるフランジ部２２ａ、カツ
プ状部２２ｂをプレス加工等により補助封着体と
一体に加工出来るという特徴を有す。したがつて
本願発明によれば、カツプ状部を別に製作して補
助封着体に接合する場合に比し、接合部での真空
リークに対する信頼性がはるかに向上する。
第３図は本発明になるマグネトロンの他の実施
例を示す要部断面図である。前記実施例は絶縁体
６の外側で補助封着体２２を封着したが、本実施
例は内側で封着したもので、このようにしても前
記実施例と同等の効果を有する。
例を示す要部断面図である。前記実施例は絶縁体
６の外側で補助封着体２２を封着したが、本実施
例は内側で封着したもので、このようにしても前
記実施例と同等の効果を有する。
なお、上記実施例においては補助封着体２２の
材質Feの場合について説明したが、Moよりも低
い融点の金属で絶縁体６の周囲の温度に耐えるも
のであれば特に限定されなく、例えばFe−Ni合
金でもよい。また補助封着体２２と絶縁体６との
膨張係数が大きい場合は、前記したように補助封
着体２２に薄肉のカツプ状部２２ｂを形成するこ
とにより封着が容易に行なえるが、補助封着体２
２にFe−Ni合金を用いる場合は、特にカツプ状
部２２ｂを設けなく、平らなフランジ部２２ａの
みを形成し、このフランジ部２２ａを封着するよ
うにしてもよい。また上記実施例においては、フ
イラメント１をエンドシールド２，３を介してフ
イラメントサポート４，５で支持したがフイラメ
ントサポートの先端部を折曲げ、この折曲げ部で
直接フイラメントを支持するようにしてもよい。
材質Feの場合について説明したが、Moよりも低
い融点の金属で絶縁体６の周囲の温度に耐えるも
のであれば特に限定されなく、例えばFe−Ni合
金でもよい。また補助封着体２２と絶縁体６との
膨張係数が大きい場合は、前記したように補助封
着体２２に薄肉のカツプ状部２２ｂを形成するこ
とにより封着が容易に行なえるが、補助封着体２
２にFe−Ni合金を用いる場合は、特にカツプ状
部２２ｂを設けなく、平らなフランジ部２２ａの
みを形成し、このフランジ部２２ａを封着するよ
うにしてもよい。また上記実施例においては、フ
イラメント１をエンドシールド２，３を介してフ
イラメントサポート４，５で支持したがフイラメ
ントサポートの先端部を折曲げ、この折曲げ部で
直接フイラメントを支持するようにしてもよい。
以上の説明から明らかな如く、本発明になるマ
グネトロンによれば、次のような種々の優れた効
果が得られる。
グネトロンによれば、次のような種々の優れた効
果が得られる。
(1) Moなどの高価な高融点金属の使用量を減す
ことができる。
ことができる。
(2) Mo、Ｗなどの延性、展性の低い素材におい
て生じい易いわれなど表面および内部の欠陥に
よる真空リークの発生を防止できる。
て生じい易いわれなど表面および内部の欠陥に
よる真空リークの発生を防止できる。
(3) 高融点金属をセラミツクなどの絶縁物にろう
付け封着する際の高価でかつ一般性のない素材
による金属ワツシヤの使用を省略でき、封着部
分の構造が単純化され、封着の信頼性が増す。
付け封着する際の高価でかつ一般性のない素材
による金属ワツシヤの使用を省略でき、封着部
分の構造が単純化され、封着の信頼性が増す。
(4) 補助封着体には塑性加工容易な材質が選定で
きるので、封着部に薄肉加工を施すことによ
り、絶縁物と膨張係数が異なる例えばFeなど
の安価な金属を使用しても十分に高い封着部の
信頼性が得られる。
きるので、封着部に薄肉加工を施すことによ
り、絶縁物と膨張係数が異なる例えばFeなど
の安価な金属を使用しても十分に高い封着部の
信頼性が得られる。
第１図は従来のマグネトロンの断面図、第２図
は本発明になるマグネトロンの一実施例を示す断
面図、第３図は本発明になるマグネトロンの他の
実施例を示す要部断面図である。 １……フイラメント、２，３……エンドシール
ド、６……絶縁体、２０，２１……フイラメント
サポート、２２……補助封着体、２２ａ……フラ
ンジ部、２２ｂ……カツプ状部。
は本発明になるマグネトロンの一実施例を示す断
面図、第３図は本発明になるマグネトロンの他の
実施例を示す要部断面図である。 １……フイラメント、２，３……エンドシール
ド、６……絶縁体、２０，２１……フイラメント
サポート、２２……補助封着体、２２ａ……フラ
ンジ部、２２ｂ……カツプ状部。
Claims (1)
- １ フイラメントの両端部をエンドシールドを介
してまたは直接フイラメントサポートにより支持
したマグネトロンにおいて、前記フイラメントサ
ポートよりも低い融点の材質で、その一端が真空
容器内において前記フイラメントサポートと接合
し、かつ真空容器を形成する絶縁体に封着される
補助封着体を有し、前記補助封着体は前記絶縁物
との封着部において前記補助封着体と一体に形成
されたフランジ部を有し、前記フランジ部には、
前記絶縁物との対応した面は、0.4mm以下の肉厚
よりなるカツプ状部が形成されていることを特徴
とするマグネトロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2680081A JPS57143247A (en) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Magnetron |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2680081A JPS57143247A (en) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Magnetron |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2060941A Division JPH0610959B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | マグネトロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57143247A JPS57143247A (en) | 1982-09-04 |
| JPH0419659B2 true JPH0419659B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=12203380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2680081A Granted JPS57143247A (en) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Magnetron |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57143247A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0673275B2 (ja) * | 1985-09-03 | 1994-09-14 | 株式会社東芝 | 電子レンジ用マグネトロン |
| JPH0752626B2 (ja) * | 1985-10-25 | 1995-06-05 | 株式会社東芝 | 電子レンジ用マグネトロン |
| JPS62191052U (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-04 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120660U (ja) * | 1975-03-27 | 1976-09-30 | ||
| JPS51132075A (en) * | 1975-05-13 | 1976-11-16 | Toshiba Corp | Magnetron |
| JPS5360159A (en) * | 1976-11-10 | 1978-05-30 | Matsushita Electronics Corp | Magnetron |
-
1981
- 1981-02-27 JP JP2680081A patent/JPS57143247A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57143247A (en) | 1982-09-04 |
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