JPH0552564B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0552564B2 JPH0552564B2 JP58137296A JP13729683A JPH0552564B2 JP H0552564 B2 JPH0552564 B2 JP H0552564B2 JP 58137296 A JP58137296 A JP 58137296A JP 13729683 A JP13729683 A JP 13729683A JP H0552564 B2 JPH0552564 B2 JP H0552564B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic head
- film magnetic
- protective substrate
- thin film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は、薄膜磁気ヘツドパターンを形成して
成る基板上に保護用基板を接着して構成される薄
膜磁気ヘツドの製造方法に関するものである。
成る基板上に保護用基板を接着して構成される薄
膜磁気ヘツドの製造方法に関するものである。
(ロ) 従来技術
一般に、耐摩耗性の基板上に磁性体層、導電体
層等が夫々パターン化して形成された薄膜磁気ヘ
ツドを実装するには、ヘツドのテープ対接面側の
耐摩耗性を向上させるために、斯るパターン上に
耐摩耗の保護用基板を接着する必要がある。そし
て、斯る接着に用いる接着材としてはある程度の
耐摩耗性を有し、且つ接着時の加熱昇温によつて
薄膜磁気ヘツドの磁気特性を劣化させることのな
いように作業点400℃程度の鉛含有ガラスを用い
るのが一般的である。そしてまた、斯る接着を行
なうに際しては、少なくとも前記両基板に比べ
て耐摩耗性が一般に小さい接着層の厚さを出来る
限り薄くする、接着層中に残存する気泡を出来
る限り少なくする、薄膜磁気ヘツドのテープ対
接面近傍のみに保護用基板を接着し、ヘツドに外
部回路を接続するためのターミナル部は露出した
状態にしておく等の条件を満たし、更には基板上
に形成されている複数個のヘツドパターンに対し
て、同時に接着処理出来ることが望ましい。
層等が夫々パターン化して形成された薄膜磁気ヘ
ツドを実装するには、ヘツドのテープ対接面側の
耐摩耗性を向上させるために、斯るパターン上に
耐摩耗の保護用基板を接着する必要がある。そし
て、斯る接着に用いる接着材としてはある程度の
耐摩耗性を有し、且つ接着時の加熱昇温によつて
薄膜磁気ヘツドの磁気特性を劣化させることのな
いように作業点400℃程度の鉛含有ガラスを用い
るのが一般的である。そしてまた、斯る接着を行
なうに際しては、少なくとも前記両基板に比べ
て耐摩耗性が一般に小さい接着層の厚さを出来る
限り薄くする、接着層中に残存する気泡を出来
る限り少なくする、薄膜磁気ヘツドのテープ対
接面近傍のみに保護用基板を接着し、ヘツドに外
部回路を接続するためのターミナル部は露出した
状態にしておく等の条件を満たし、更には基板上
に形成されている複数個のヘツドパターンに対し
て、同時に接着処理出来ることが望ましい。
(ハ) 発明の目的
本発明は斯る点に鑑み成されたもので、上記し
た条件を満たした保護用基板の接着を行なうこと
が出来るようにしたものである。
た条件を満たした保護用基板の接着を行なうこと
が出来るようにしたものである。
(ニ) 発明の構成
即ち、本発明に依れば上記した目的を達成する
ために、薄膜磁気ヘツドパターンを形成して成る
基板上に保護用基板を接着して構成される薄膜磁
気ヘツドであつて、前記保護用基板に接着工程時
に接着材の逃し用として用いられる第１の溝と、
接着終了後の成形加工時に切断用として用いられ
る第２の溝とを予じめ形成しておくようにしたも
のである。
ために、薄膜磁気ヘツドパターンを形成して成る
基板上に保護用基板を接着して構成される薄膜磁
気ヘツドであつて、前記保護用基板に接着工程時
に接着材の逃し用として用いられる第１の溝と、
接着終了後の成形加工時に切断用として用いられ
る第２の溝とを予じめ形成しておくようにしたも
のである。
(ホ) 実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。尚、本実施例では電磁変換手段
として磁気抵抗効果素子を用いる再生用としての
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの製造方法につい
て説明する。
ながら説明する。尚、本実施例では電磁変換手段
として磁気抵抗効果素子を用いる再生用としての
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの製造方法につい
て説明する。
先ず、第１図は磁性体層、導電体層、絶縁体層
等を夫々パターン化して形成した時点での磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘツドの断面図を示し、１は磁
気抵抗効果の大きな高透磁率の磁性体層、２は導
電体層、３は絶縁体層、４は各パターンが形成さ
れる下地となる基板である。この第１図のものに
おいて、絶縁体層３にて覆われた部分Ａ上にガラ
ス接着材５を置き、更にその上に第２図に示すよ
うな溝加工が予じめ施された保護用基板６を第３
図に示すように配置する。ここで保護用基板６の
第１の溝６ａは、ガラス接着材５の逃し用として
用いられ具体的には作業温度範囲に達して軟化し
たガラス接着材５が両基板４，６間で広がつて導
電体層２が露出したタオーミナル部（第１図Ｂ
部）に保護用基板６が接着されるのを防ぐための
ものであり、第２の溝６ｂは接着終了後の成形加
工時に切断用として用いられ具体的には接着工程
終了後にターミナル部上にある保護用基板を各パ
ターンを傷つけることなく切断除去するためのも
のである。
等を夫々パターン化して形成した時点での磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘツドの断面図を示し、１は磁
気抵抗効果の大きな高透磁率の磁性体層、２は導
電体層、３は絶縁体層、４は各パターンが形成さ
れる下地となる基板である。この第１図のものに
おいて、絶縁体層３にて覆われた部分Ａ上にガラ
ス接着材５を置き、更にその上に第２図に示すよ
うな溝加工が予じめ施された保護用基板６を第３
図に示すように配置する。ここで保護用基板６の
第１の溝６ａは、ガラス接着材５の逃し用として
用いられ具体的には作業温度範囲に達して軟化し
たガラス接着材５が両基板４，６間で広がつて導
電体層２が露出したタオーミナル部（第１図Ｂ
部）に保護用基板６が接着されるのを防ぐための
ものであり、第２の溝６ｂは接着終了後の成形加
工時に切断用として用いられ具体的には接着工程
終了後にターミナル部上にある保護用基板を各パ
ターンを傷つけることなく切断除去するためのも
のである。
次に、斯る第３図図示の配置状態で保護用基板
６が下に下地用の基板４が上になるように保持
し、上下方向から一様に加圧しながら（この加圧
は接着ガラスの破損を防ぐため配置状態がズレな
い程度の加圧にしておく）ガラス接着材５の作業
温度範囲（ガラスが軟化して接着機能を果たす範
囲）まで加熱昇温し、温度が所定のガラス接着材
５の作業温度範囲に達したら加圧を大きくする。
その結果軟化したガラス接着材５は両基板４，６
間隙に広がつて薄くなり、更に余分なガラス接着
材５は保護用基板６に形成された第１の溝６ａに
流れ込んで吸収される。そのため、両基板４，６
間のガラス接着層は非常に薄いものとなり、且つ
ターミナル部の導電体層２にガラスが附着したり
或いは斯るターミナル部に保護用基板６が接着さ
れることも無い。そして、この様な接着工程はガ
ラス接着材の作業温度範囲で例えば10分間程度保
持した後、加圧を小さくしないで室温まで降温す
ることによつて終了し第４図に示す状態となる。
６が下に下地用の基板４が上になるように保持
し、上下方向から一様に加圧しながら（この加圧
は接着ガラスの破損を防ぐため配置状態がズレな
い程度の加圧にしておく）ガラス接着材５の作業
温度範囲（ガラスが軟化して接着機能を果たす範
囲）まで加熱昇温し、温度が所定のガラス接着材
５の作業温度範囲に達したら加圧を大きくする。
その結果軟化したガラス接着材５は両基板４，６
間隙に広がつて薄くなり、更に余分なガラス接着
材５は保護用基板６に形成された第１の溝６ａに
流れ込んで吸収される。そのため、両基板４，６
間のガラス接着層は非常に薄いものとなり、且つ
ターミナル部の導電体層２にガラスが附着したり
或いは斯るターミナル部に保護用基板６が接着さ
れることも無い。そして、この様な接着工程はガ
ラス接着材の作業温度範囲で例えば10分間程度保
持した後、加圧を小さくしないで室温まで降温す
ることによつて終了し第４図に示す状態となる。
従つて、斯る接着工程終了後第４図に示す切断
線Ｃ，Ｄ，Ｅで示す位置にて切断すると実装可能
な磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドが得られる。こ
こで、外部回路が接続されるターミナル部を外部
に露出するために保護用基板６のみを切断するＥ
位置では、保護用基板６に予じめ切断用としての
第２の溝６ｂが形成されているため、導電体層２
等の各パターンを傷つけることなく行なうことが
出来る。
線Ｃ，Ｄ，Ｅで示す位置にて切断すると実装可能
な磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドが得られる。こ
こで、外部回路が接続されるターミナル部を外部
に露出するために保護用基板６のみを切断するＥ
位置では、保護用基板６に予じめ切断用としての
第２の溝６ｂが形成されているため、導電体層２
等の各パターンを傷つけることなく行なうことが
出来る。
尚、前記ガラス接着材５としては、作業点が
400℃程度になるように成分組成を調合して溶解
作製したガラスインゴツトを長さ10mm、幅１mm、
厚さ0.2mm程度の短冊形に切断し、水溶液（弗酸
＋弗化アンモニウム）で表面エツチングを施した
後、十分洗浄したものを用いるのが好ましく、そ
れに対してガラス粉末を用いると所定の部（第１
図のＡ部分）のみに接着材としてのガラスを配置
することが困難となり、また接着後接着層中に気
泡が残存し易い等の問題がある。ここで、表面エ
ツチングはガラスインゴツトを切断して容易に得
られる短冊形の寸法の限界から更に薄いガラス接
着材に整形し、切断によつて生じる表面の細かな
傷を平滑化することを目的として行なつており、
接着後接着層中に残存する気泡が少なくなる効果
がある。
400℃程度になるように成分組成を調合して溶解
作製したガラスインゴツトを長さ10mm、幅１mm、
厚さ0.2mm程度の短冊形に切断し、水溶液（弗酸
＋弗化アンモニウム）で表面エツチングを施した
後、十分洗浄したものを用いるのが好ましく、そ
れに対してガラス粉末を用いると所定の部（第１
図のＡ部分）のみに接着材としてのガラスを配置
することが困難となり、また接着後接着層中に気
泡が残存し易い等の問題がある。ここで、表面エ
ツチングはガラスインゴツトを切断して容易に得
られる短冊形の寸法の限界から更に薄いガラス接
着材に整形し、切断によつて生じる表面の細かな
傷を平滑化することを目的として行なつており、
接着後接着層中に残存する気泡が少なくなる効果
がある。
このように、本発明による製造方法を用いれば
基板上に複数個形成されたヘツドパターンに対し
て、必要な条件を満たした状態で、同時に保護用
基板の接着を行なつて、その後の切断成形により
所望の薄膜磁気ヘツドを得ることが出来る。
基板上に複数個形成されたヘツドパターンに対し
て、必要な条件を満たした状態で、同時に保護用
基板の接着を行なつて、その後の切断成形により
所望の薄膜磁気ヘツドを得ることが出来る。
(ヘ) 発明の効果
上述した如く本発明の製造方法に依れば、薄膜
磁気ヘツドパターンを形成して成る基板上に、保
護用基板を接着して構成される薄膜磁気ヘツドで
あつて、斯る保護用基板の接着を、薄い接着層で
気泡を残存させることなく且つターミナル部に流
出させることなく行なうことが出来、接着終了後
ターミナル部上に位置している保護用基板のみの
切除も容易に行なうことが出来る。
磁気ヘツドパターンを形成して成る基板上に、保
護用基板を接着して構成される薄膜磁気ヘツドで
あつて、斯る保護用基板の接着を、薄い接着層で
気泡を残存させることなく且つターミナル部に流
出させることなく行なうことが出来、接着終了後
ターミナル部上に位置している保護用基板のみの
切除も容易に行なうことが出来る。
図は本発明による薄膜磁気ヘツドの製造例を示
し、第１図はパターン化工程を終了した時点での
薄膜磁気ヘツドの断面図、第２図は溝加工を施し
た保護用基板の断面図、第３図は保護用基板とガ
ラス接着材の相対的配置を示す断面図、第４図は
接着工程終了時の状態及びその後の切断位置を示
す断面図である。 １……磁性体層、２……導電体層、４……下地
用の基板、５……ガラス接着材、６……保護用基
板、６ａ，６ｂ……第１、第２の溝。
し、第１図はパターン化工程を終了した時点での
薄膜磁気ヘツドの断面図、第２図は溝加工を施し
た保護用基板の断面図、第３図は保護用基板とガ
ラス接着材の相対的配置を示す断面図、第４図は
接着工程終了時の状態及びその後の切断位置を示
す断面図である。 １……磁性体層、２……導電体層、４……下地
用の基板、５……ガラス接着材、６……保護用基
板、６ａ，６ｂ……第１、第２の溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 薄膜磁気ヘツドパターンを形成して成る基板
上に、保護用基板の平坦面を接着して構成される
薄膜磁気ヘツドの製造方法において、前記保護用
基板に、接着工程時に接着材の逃し用として用い
られる第１の溝と、接着終了後に前記薄膜磁気ヘ
ツドパターンのターミナル部上の保護用基板を切
断除去するために用いられる第２の溝とを、予じ
め形成しておき、該保護用基板を前記薄膜磁気ヘ
ツドパターンが形成された基板上にガラス接着材
を介して配置して加圧しながら昇温し、温度がガ
ラス接着材の所定の作業温度範囲に達した後加圧
を大きくして両基板間に介在されたガラス接着材
の厚みを薄くして残余のガラス接着材を前記第１
の溝にて吸収し、降温した後保護用基板の前記第
２の溝の裏側から切断加工を行うことにより、前
記薄膜磁気ヘツドパターンを傷つけることなくタ
ーミナル部上の保護用基板を除去することを特徴
とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ２ 前記ガラス接着材として、その表面にエツチ
ングを施した短冊形ガラス薄板を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘ
ツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13729683A JPS6028017A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13729683A JPS6028017A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028017A JPS6028017A (ja) | 1985-02-13 |
| JPH0552564B2 true JPH0552564B2 (ja) | 1993-08-05 |
Family
ID=15195364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13729683A Granted JPS6028017A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028017A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202309A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツドの保護板接合法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411056B2 (ja) * | 1972-07-28 | 1979-05-11 | ||
| JPS55135322A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of thin-film magnetic head |
| JPS5832216A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-25 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS5897719U (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-02 | ソニー株式会社 | 薄膜磁気ヘツド |
-
1983
- 1983-07-26 JP JP13729683A patent/JPS6028017A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6028017A (ja) | 1985-02-13 |
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