JPS6279629A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS6279629A
JPS6279629A JP22063485A JP22063485A JPS6279629A JP S6279629 A JPS6279629 A JP S6279629A JP 22063485 A JP22063485 A JP 22063485A JP 22063485 A JP22063485 A JP 22063485A JP S6279629 A JPS6279629 A JP S6279629A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphorus glass
film
glass film
insulating film
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP22063485A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirotomo Ooga
大賀　弘朝
Takahisa Emori
貴尚 栄森
Koji Ozaki
浩司 小崎
Hiromi Ito
博巳 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS6279629A publication Critical patent/JPS6279629A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造方法における半導体基板上
に形成された凹凸パターンの表面を平坦化する方法に関
するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の４１の方法によって表面を平坦化した半
導体基体を示す断面図で、半導体基板（１）の上に膜形
成、写真製版及びエツチングによって所要パターンの第
１の絶縁膜（２）膜形成すると表面に凹凸が生じる。こ
の上に直接アルミニワム（Ａｔ）配線を形成すると、凹
凸のエツジが急峻であるので、上記Ａｔ配線に断線を生
じ易い。これを回避するために、第１の絶縁膜（２）に
よる凹凸面をなるべく平坦にするのに、その上にリンガ
ラスＰＭ　（３）ｋ形成する方法が古くから用いられて
いた。
第３図は従来の第２の方法によって表面全平坦化した半
導体基体を示す断面図で、第２図の従来例におけるリン
ガラス膜（３）の代りにボロンリンガラス膜（４）膜形
成するもので、これはリンガラスよりも流れがよく一層
平坦化が可能である。このようなリンガラス膜（３）ま
たはボロンリンガラス膜（４）による平坦化は今後要求
されるより尚密度な半導体素子の形成、多層配線の形成
の場合の下地の平坦化に不可欠なものでろるＯ 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、このリンガラス膜やボロンリンガラス胱は耐湿
性が不足し、特にボロンリンガラス膜はリンガラス膜よ
りもさらに劣るという問題点があった。
この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、リンガラス膜またはボロンリンガラス膜を用
い、しかも耐湿性のよい表面の平坦化を行う方法を提供
することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明における半導体装置の製造方法ではリンガラス
膜またはボロンリンガラス膜で表面を平坦化した後に、
その上に耐湿性絶縁膜を形成する・ものである。
〔作用〕
この発明ではリンガラス膜またはポロンリンガラスで所
要の表面平坦化が可能で、これらに欠ける耐湿性をその
上に耐湿性絶縁膜を形成することによって達成させるこ
とができる。
〔実施例〕 第１図はこの発明の一実施例の方法によって表面を平坦
化した半導体基体を示す断面図で、従来例と同一符号は
同等部分を示す。第３図の第２の従来例と同様に、半導
体基板（１）の上に所要パターンのｉｌの絶縁膜（２）
全形成して表面に生じた凹凸を、その上にボロンリンガ
ラス膜（４）全形成して熱処理を施して平坦化した後に
、更にその上に酸化膜などの耐湿性の第２の絶縁膜（５
）をＣＶＤ法またはスパッタ法で形成する。これによっ
て、上面は更に平坦化され、耐湿性も著しく向上する。
なお、上記実施例ではボロンリンガラス膜を用いたがリ
ンガラス膜を用いてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明では凹凸パターンを有する
半導体基体の表面の上にリンガラスｉｔだはボロンリン
ガラス膜を形成することによって表面の平坦化が容易に
可能であり、更に、その上に耐湿性の絶縁膜を形成する
ので耐湿性の間頭のない平坦表面が得られ、その上に金
属配線全形成しても断線の発生などが避けられる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例の方法によって表面を平坦
化した半導体基体の断面図、第２図及び第３図はそれぞ
れ従来の第１及び第２の方法によって表面全平坦化した
半導体基体の断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は凹凸パター
ン（第１の絶縁膜）、（３）はリンガラス膜、（４）は
ポロ／リンガラス膜、（５）は耐湿性絶縁膜（第２の絶
縁膜）であるー なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板上に形成された凹凸パターンの上にリ
    ンガラス膜またはボロンリンガラス膜を形成し所要の熱
    処理を施した後に、更に、その上に耐湿性絶縁膜を形成
    する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  2. （２）耐湿性絶縁膜に酸化膜を用いることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
JP22063485A 1985-10-03 1985-10-03 半導体装置の製造方法 Pending JPS6279629A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0276231A (ja) * 1988-09-13 1990-03-15 Toshiba Corp 化合物半導体装置とその製造方法
US5077238A (en) * 1988-05-18 1991-12-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a semiconductor device with a planar interlayer insulating film
JP4997682B2 (ja) * 2000-06-30 2012-08-08 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法

Cited By (3)

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