JPH0553022B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0553022B2 JPH0553022B2 JP60042558A JP4255885A JPH0553022B2 JP H0553022 B2 JPH0553022 B2 JP H0553022B2 JP 60042558 A JP60042558 A JP 60042558A JP 4255885 A JP4255885 A JP 4255885A JP H0553022 B2 JPH0553022 B2 JP H0553022B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- protective layer
- recording
- layer
- erasing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザ光線等を用いて高速かつ高密
度に光学的な情報を記録・再生する光学情報記録
部材、特に光デイスクに関するものである。
度に光学的な情報を記録・再生する光学情報記録
部材、特に光デイスクに関するものである。
（従来の技術）
従来より、レーザ光線を用いて回転しているデ
イスク上に高密度な情報を高速に記録・再生する
技術は、光デイスク装置として既に幾つもの研究
成果例、商品開発例の報告が有り、情報システム
を構成する上で不可欠なものとなりつつある。
イスク上に高密度な情報を高速に記録・再生する
技術は、光デイスク装置として既に幾つもの研究
成果例、商品開発例の報告が有り、情報システム
を構成する上で不可欠なものとなりつつある。
これら光デイスクに用いる記録材料としては、
穴、泡等の形状変化を生じさせて光の反射率変
化、透過率変化を得るものと、光学的性質（屈折
率ｎ、減衰係数ｋ）を変えて反射率変化、透過率
変化を得るものがある。
穴、泡等の形状変化を生じさせて光の反射率変
化、透過率変化を得るものと、光学的性質（屈折
率ｎ、減衰係数ｋ）を変えて反射率変化、透過率
変化を得るものがある。
このうち、後者のタイプのものは原理的に変化
が可逆的で、情報を繰返し書換えることができる
というメリツトを有しており、今後の光デイスク
の主流になると予想され、デイスク材料としては
Teをベースとするカルコゲナイドガラス薄膜、
TeとTeO2の混合物にGe，Sn等の添加物を加え
た酸化物薄膜等が知られている。
が可逆的で、情報を繰返し書換えることができる
というメリツトを有しており、今後の光デイスク
の主流になると予想され、デイスク材料としては
Teをベースとするカルコゲナイドガラス薄膜、
TeとTeO2の混合物にGe，Sn等の添加物を加え
た酸化物薄膜等が知られている。
この光デイスクはPMMA、ポリカ等の樹脂基
材上に紫外線硬化樹脂を用いて光ガイド用のトラ
ツク溝を形成し、その上に繰返し使用時の基材の
損傷を低減するための保護層を設け、その上に薄
膜記録層、保護層を順次積層し、紫外線硬化樹脂
を用いて基材と同種の樹脂板を貼り合せた構造と
なつていた。
材上に紫外線硬化樹脂を用いて光ガイド用のトラ
ツク溝を形成し、その上に繰返し使用時の基材の
損傷を低減するための保護層を設け、その上に薄
膜記録層、保護層を順次積層し、紫外線硬化樹脂
を用いて基材と同種の樹脂板を貼り合せた構造と
なつていた。
保護層としては、特願昭59−113301号、特願昭
59−125911号に見られるようにGeO2，Al2O3，
Nb2O5等を蒸着、スパツタリング等の方法で作成
していた。
59−125911号に見られるようにGeO2，Al2O3，
Nb2O5等を蒸着、スパツタリング等の方法で作成
していた。
（発明が解決しようとする問題点）
このような従来の光学情報記録部材では、基材
の損傷が低減され繰返し信号を記録、消去するこ
とが可能になつたが、繰返し回数が何万回もの多
くになつてくると、ノイズレベルが上がり、結果
として信号品質が低下し、遂には記録や消去がで
きなくなつてしまう場合があつた。
の損傷が低減され繰返し信号を記録、消去するこ
とが可能になつたが、繰返し回数が何万回もの多
くになつてくると、ノイズレベルが上がり、結果
として信号品質が低下し、遂には記録や消去がで
きなくなつてしまう場合があつた。
この原因としては、薄膜記録層自体の損傷があ
り、それは光吸収による昇温が膜の厚さ方向で大
きい温度差を持つことに起因することが考えられ
る。
り、それは光吸収による昇温が膜の厚さ方向で大
きい温度差を持つことに起因することが考えられ
る。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、簡
単な構成で光照射による記録、消去の繰返し時の
信号品質を低下を防ぎ、繰返し使用回数を高める
ことを目的としている。
単な構成で光照射による記録、消去の繰返し時の
信号品質を低下を防ぎ、繰返し使用回数を高める
ことを目的としている。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記問題点を解決するため、薄膜記録
層の両側の保護層の構造、あるいは構造材料を光
に入射側と反対側とで変え、光の入射側の保護層
への熱の逃げが反対側の保護層への熱の逃げより
大きくし、薄膜記録層の厚さ方向の温度差を低減
すると共に、光の入射側の保護層と薄膜記録層と
の界面付近の過度な温度上昇を抑制しようという
ものである。
層の両側の保護層の構造、あるいは構造材料を光
に入射側と反対側とで変え、光の入射側の保護層
への熱の逃げが反対側の保護層への熱の逃げより
大きくし、薄膜記録層の厚さ方向の温度差を低減
すると共に、光の入射側の保護層と薄膜記録層と
の界面付近の過度な温度上昇を抑制しようという
ものである。
（作用）
本発明によれば薄膜記録層から光の入射側の保
護層へは比較的熱が逃げやすく、反対側は比較的
熱が籠り易いために、薄膜記録層の厚さ方向にお
いて光の入射側と反対側とで温度差が小さくな
り、光に入射側を損傷を受けるほど過度に昇温す
ることなく、照射部全体が十分な温度に達するこ
とができ、従つて、記録、消去を繰返したときに
発生する信号品質の低下を招くことなく、繰返し
回数が増大するものと考えられる。
護層へは比較的熱が逃げやすく、反対側は比較的
熱が籠り易いために、薄膜記録層の厚さ方向にお
いて光の入射側と反対側とで温度差が小さくな
り、光に入射側を損傷を受けるほど過度に昇温す
ることなく、照射部全体が十分な温度に達するこ
とができ、従つて、記録、消去を繰返したときに
発生する信号品質の低下を招くことなく、繰返し
回数が増大するものと考えられる。
（実施例）
以下、図面を参照しつつ本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明による光デイスクの基本的な構
成を示す一実施例の断面図であり、１及び５は樹
脂基材であつて、PMMA、塩化ビニール、ポリ
カーボネイト等のプラステイツクが用いられ、２
及び４は保護層、３は薄膜記録層である。
成を示す一実施例の断面図であり、１及び５は樹
脂基材であつて、PMMA、塩化ビニール、ポリ
カーボネイト等のプラステイツクが用いられ、２
及び４は保護層、３は薄膜記録層である。
ここで、保護層２と４は構造或いは材質が異な
つており、薄膜記録層３からの保護層２側への熱
の逃げは保護層４側への熱の逃げより大きくして
あり、薄膜記録層３の厚さ方向の温度差は低減さ
れると共に、光の入射側の保護層２と薄膜記録層
３との界面付近の過度な温度上昇を抑制すること
ができ、結果としてノイズレベルの増大を防ぎ、
信号品質に低下を招くことなく、記録、消去の繰
返し回数を増大させることができる。
つており、薄膜記録層３からの保護層２側への熱
の逃げは保護層４側への熱の逃げより大きくして
あり、薄膜記録層３の厚さ方向の温度差は低減さ
れると共に、光の入射側の保護層２と薄膜記録層
３との界面付近の過度な温度上昇を抑制すること
ができ、結果としてノイズレベルの増大を防ぎ、
信号品質に低下を招くことなく、記録、消去の繰
返し回数を増大させることができる。
保護材料としてはGeO2，SiO2、Al2O3、TiO2、
ZrO2、Y2O3、Nb2O5、AlN、Si3N4、ZnS等を、
蒸着法、スパツタリング法等の方法にて薄膜形成
して用いることができる。
ZrO2、Y2O3、Nb2O5、AlN、Si3N4、ZnS等を、
蒸着法、スパツタリング法等の方法にて薄膜形成
して用いることができる。
次に、本発明の光学情報記録部材について、更
に、具体例をもつて詳細に説明する。なお、構成
は第１図と全く同様である。
に、具体例をもつて詳細に説明する。なお、構成
は第１図と全く同様である。
樹脂基材１としては1.2t×200φのPMMA樹脂
基材を用い、この樹脂基材上に保護層２として不
活性スパツタガス中に酸素ガスを25容積％混合
し、１×10-2Torr，400W等の条件でスパツタリ
ングにより酸化アルミニユウム薄膜を1000Å形成
した。
基材を用い、この樹脂基材上に保護層２として不
活性スパツタガス中に酸素ガスを25容積％混合
し、１×10-2Torr，400W等の条件でスパツタリ
ングにより酸化アルミニユウム薄膜を1000Å形成
した。
その上に光照射によつて昇温し、その光学定数
が変化する性質を有する厚み1000ÅのTe−Ge−
Sn−Ｏ系（特願昭58−58158号）薄膜記録層３を
電子ビーム法にて形成し、更にその上に保護層４
として、不活性スパツタガス中で１×10-2Torr，
400W等の条件でスパツタリングにより酸化ケイ
素薄膜を1000Å形成した。
が変化する性質を有する厚み1000ÅのTe−Ge−
Sn−Ｏ系（特願昭58−58158号）薄膜記録層３を
電子ビーム法にて形成し、更にその上に保護層４
として、不活性スパツタガス中で１×10-2Torr，
400W等の条件でスパツタリングにより酸化ケイ
素薄膜を1000Å形成した。
その後、樹脂基材１と同種の樹脂基材５を紫外
線硬化樹脂にて張り合わせた。
線硬化樹脂にて張り合わせた。
酸化アルミニウムと二酸化ケイ素では、酸化ア
ルミニウムの方が熱伝導率が大きいため（酸化ア
ルミニウムの熱伝導率は酸化ケイ素の熱伝導率に
比べ、薄膜記録層に達すると考えられる400℃〜
1000℃の温度範囲においておよそ２〜10倍大きい
と考えられる）、光デイスクを前記構成とした場
合、光照射時における薄膜記録層３からの熱の逃
げは、光の入射側である保護層２側の方が反対側
の保護層４側より大きくなる。
ルミニウムの方が熱伝導率が大きいため（酸化ア
ルミニウムの熱伝導率は酸化ケイ素の熱伝導率に
比べ、薄膜記録層に達すると考えられる400℃〜
1000℃の温度範囲においておよそ２〜10倍大きい
と考えられる）、光デイスクを前記構成とした場
合、光照射時における薄膜記録層３からの熱の逃
げは、光の入射側である保護層２側の方が反対側
の保護層４側より大きくなる。
よつて、最も高温に達すると考えられる薄膜記
録層３の光入射側である保護層２近傍と、その反
対側の保護層４近傍の温度差が小さくなり、薄膜
記録層３の光の入射側を損傷することなく照射部
全体が十分な温度に達し、従つて、記録・消去の
繰返し時のＣ／Ｎの低下を防ぐことができるもの
と考えられる。
録層３の光入射側である保護層２近傍と、その反
対側の保護層４近傍の温度差が小さくなり、薄膜
記録層３の光の入射側を損傷することなく照射部
全体が十分な温度に達し、従つて、記録・消去の
繰返し時のＣ／Ｎの低下を防ぐことができるもの
と考えられる。
酸化アルミニウム薄膜の保護層２及び二酸化ケ
イ素を形成するに際し、かなり真空室が高温にな
るが、PMMA樹脂基材の反り及び光ガイド用ト
ラツク溝の損傷や、薄膜記録層の熱劣化等への影
響は殆ど無かつた。
イ素を形成するに際し、かなり真空室が高温にな
るが、PMMA樹脂基材の反り及び光ガイド用ト
ラツク溝の損傷や、薄膜記録層の熱劣化等への影
響は殆ど無かつた。
また比較のため、保護層２及び４として、
どちらも酸化アルミニウムの光デイスク、
どちらも二酸化ケイ素の光デイスク、
２が二酸化ケイ素で４が酸化アルミニウムの
光デイスク、
をそれぞれ作製した。なお、薄膜形成はすべて
150rpmの回転速度で行つた。
150rpmの回転速度で行つた。
前記４種類の光デイスクを用いて、特願昭58−
58158号記載の記録・消去方法により繰返し記
録・消去実験を行つた。なお、光デイスクへのレ
ーザ光線の照射は第１図における基材１側から行
われる。
58158号記載の記録・消去方法により繰返し記
録・消去実験を行つた。なお、光デイスクへのレ
ーザ光線の照射は第１図における基材１側から行
われる。
本実施例では、記録パワー、消去パワーをそれ
ぞれ7mW、12mWとし、消去レーザビーム長は
半値幅で15μmとして同一トラツク上で繰返し記
録・消去を行つた。
ぞれ7mW、12mWとし、消去レーザビーム長は
半値幅で15μmとして同一トラツク上で繰返し記
録・消去を行つた。
第２図は本発明の一実施例における光デイスク
と、従来例及び参考実施例における光デイスクに
ついて、繰返し記録・消去を行つた場合のＣ／Ｎ
の変化を示すグラフであり、記録周波数は5MHz
で、デイスクの周速は15m／ｓで行つたものであ
る。
と、従来例及び参考実施例における光デイスクに
ついて、繰返し記録・消去を行つた場合のＣ／Ｎ
の変化を示すグラフであり、記録周波数は5MHz
で、デイスクの周速は15m／ｓで行つたものであ
る。
図中において、
(イ)は本発明による光デイスク、
(ロ)は第１図中の保護層２と４が共に二酸化ケイ
素である光デイスク、 (ハ)は保護層２と４が共に酸化アルミニウムであ
る光デイスク、 (ニ)は一方の保護層２が二酸化ケイ素、他方の保
護層４が酸化アルミニウムである光デイスク、で
ある光デイスクの結果である。
素である光デイスク、 (ハ)は保護層２と４が共に酸化アルミニウムであ
る光デイスク、 (ニ)は一方の保護層２が二酸化ケイ素、他方の保
護層４が酸化アルミニウムである光デイスク、で
ある光デイスクの結果である。
図から明らかなように、本発明による光デイス
ク(イ)においては最も高い初期Ｃ／Ｎが得られ、か
つ、記録・消去の繰返し特性でもＣ／Ｎの劣化が
最も小さいことが判つた。
ク(イ)においては最も高い初期Ｃ／Ｎが得られ、か
つ、記録・消去の繰返し特性でもＣ／Ｎの劣化が
最も小さいことが判つた。
光デイスク(ロ)においては、記録パワーは十分で
高い初期Ｃ／Ｎがえられるものの、保護層２の熱
伝達率が小さいため、保護層２の近傍の記録薄膜
が必要以上に高温に達するために損傷を受けてい
ると考えられるノイズレベルの上昇が発生し、結
果として記録・消去の繰返しによるＣ／Ｎの劣化
が観察される。
高い初期Ｃ／Ｎがえられるものの、保護層２の熱
伝達率が小さいため、保護層２の近傍の記録薄膜
が必要以上に高温に達するために損傷を受けてい
ると考えられるノイズレベルの上昇が発生し、結
果として記録・消去の繰返しによるＣ／Ｎの劣化
が観察される。
光デイスク(ハ)においては、記録・消去の繰返し
によるＣ／Ｎの劣化は小さいものの初期Ｃ／Ｎが
低くなつている。これは酸化アルミニウムの熱伝
導率が大きいためにレーザ照射による記録時に薄
膜記録層が十分な温度に達しないためと考えられ
る。従つて、記録パワーを8mWとして記録した
場合は十分な初期Ｃ／Ｎは得られたものの、逆に
記録・消去の繰返しによるＣ／Ｎの劣化が大きく
なり、第２図中の(ロ)と同様な特性を示した。
によるＣ／Ｎの劣化は小さいものの初期Ｃ／Ｎが
低くなつている。これは酸化アルミニウムの熱伝
導率が大きいためにレーザ照射による記録時に薄
膜記録層が十分な温度に達しないためと考えられ
る。従つて、記録パワーを8mWとして記録した
場合は十分な初期Ｃ／Ｎは得られたものの、逆に
記録・消去の繰返しによるＣ／Ｎの劣化が大きく
なり、第２図中の(ロ)と同様な特性を示した。
光デイスク(ニ)においては、初期Ｃ／Ｎもあまり
高くなく、かつ記録・消去の繰返しによるＣ／Ｎ
の劣化も大きくなつている。これは、レーザ光の
照射される側の保護層２近傍の薄膜記録層は必要
以上に加熱されて損傷を受け易く、逆に反対側の
保護層４近傍の薄膜記録層は十分な温度までに達
していないためと考えられる。
高くなく、かつ記録・消去の繰返しによるＣ／Ｎ
の劣化も大きくなつている。これは、レーザ光の
照射される側の保護層２近傍の薄膜記録層は必要
以上に加熱されて損傷を受け易く、逆に反対側の
保護層４近傍の薄膜記録層は十分な温度までに達
していないためと考えられる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、極めて
簡単な構成で光デイスク等における光照射による
記録・消去の繰返し時のＣ／Ｎの低下を防ぐこと
ができ、実用的に極めて有用である。
簡単な構成で光デイスク等における光照射による
記録・消去の繰返し時のＣ／Ｎの低下を防ぐこと
ができ、実用的に極めて有用である。
第１図は本発明による光デイスクの基本的な構
成を示す一実施例の断面図、第２図は本発明の一
実施例における光デイスクと、従来例及び参考実
施例における光デイスクについて、繰返し記録・
消去を行つた場合のＣ／Ｎの変化を示すグラフで
ある。 １，５……樹脂基材、２，４……保護層、３…
…薄膜記録層。
成を示す一実施例の断面図、第２図は本発明の一
実施例における光デイスクと、従来例及び参考実
施例における光デイスクについて、繰返し記録・
消去を行つた場合のＣ／Ｎの変化を示すグラフで
ある。 １，５……樹脂基材、２，４……保護層、３…
…薄膜記録層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光照射によつて昇温しその光学定数が変化す
る薄膜記録層を有する光学情報記録部材におい
て、前記薄膜記録層の両側に熱放散層を兼ねた保
護層を設け、更に光を入射する側の保護層の方が
反対側の保護層よりも熱の逃げやすい構造にした
ことを特徴とする光学情報記録部材。 ２ 薄膜記録層へ光を入射する側の保護層の熱伝
導率が、反対側の保護層の熱伝導率よりも大きく
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光学情報記録部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60042558A JPS61202348A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 光学情報記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60042558A JPS61202348A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 光学情報記録部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202348A JPS61202348A (ja) | 1986-09-08 |
| JPH0553022B2 true JPH0553022B2 (ja) | 1993-08-09 |
Family
ID=12639368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60042558A Granted JPS61202348A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 光学情報記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61202348A (ja) |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP60042558A patent/JPS61202348A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61202348A (ja) | 1986-09-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |