JPH0553289A - 位相シフトレチクルの製造方法 - Google Patents
位相シフトレチクルの製造方法Info
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- JPH0553289A JPH0553289A JP20970391A JP20970391A JPH0553289A JP H0553289 A JPH0553289 A JP H0553289A JP 20970391 A JP20970391 A JP 20970391A JP 20970391 A JP20970391 A JP 20970391A JP H0553289 A JPH0553289 A JP H0553289A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】隣接する開口部分を透過する光に位相差を与え
るために用いられる二酸化珪素を、低温で膜厚制御良く
形成可能にする。 【構成】レチクルの位相差を与えるべき透過部以外をレ
ジストパターン５で覆い、レジスト５を残したまま常時
二酸化珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中にレチクル
を浸漬することによって、レジスト膜の無い部分に選択
的に二酸化珪素を形成する。
るために用いられる二酸化珪素を、低温で膜厚制御良く
形成可能にする。 【構成】レチクルの位相差を与えるべき透過部以外をレ
ジストパターン５で覆い、レジスト５を残したまま常時
二酸化珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中にレチクル
を浸漬することによって、レジスト膜の無い部分に選択
的に二酸化珪素を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位相シフトレチクルの製
造方法に関し、特にシフターの製造方法に関する。
造方法に関し、特にシフターの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の位相シフトレチクルは、日経マイ
クロデバイス，１９９０年７月号，Ｎｏ．６１，ｐｐ１
０３−１１４．でも紹介されているように様々な構造が
提案されている。その一例を図２に示す。
クロデバイス，１９９０年７月号，Ｎｏ．６１，ｐｐ１
０３−１１４．でも紹介されているように様々な構造が
提案されている。その一例を図２に示す。
【０００３】レチクルの母材となるガラス１の上に電子
線描画時の帯電防止用として導電性膜２を成膜し、さら
にその上に成膜されたクロム膜３をパターン形成し、図
２（ａ）の形状を得る。
線描画時の帯電防止用として導電性膜２を成膜し、さら
にその上に成膜されたクロム膜３をパターン形成し、図
２（ａ）の形状を得る。
【０００４】ここで示している導電性膜２は電子線描画
時の製造方法によっては不用な場合がある。
時の製造方法によっては不用な場合がある。
【０００５】図２（ａ）でできあがったレチクル上に、
図２（ｂ）に示す様に、化学的気相成長法（以下ＣＶＤ
と略す）やスピン塗布法で二酸化珪素（以下ＳｉＯ2 と
略す）膜を形成する。さらに上記ＳｉＯ2 膜の上にレジ
スト５をスピン塗布法等で塗布、電子線７で所望のパタ
ーンを露光、現像した後、ＳｉＯ2 をエッチングにより
パターニングし、最後にレジスト５を除去すると図２
（ｃ）に示す所望の位相シフター付レチクルが得られ
る。
図２（ｂ）に示す様に、化学的気相成長法（以下ＣＶＤ
と略す）やスピン塗布法で二酸化珪素（以下ＳｉＯ2 と
略す）膜を形成する。さらに上記ＳｉＯ2 膜の上にレジ
スト５をスピン塗布法等で塗布、電子線７で所望のパタ
ーンを露光、現像した後、ＳｉＯ2 をエッチングにより
パターニングし、最後にレジスト５を除去すると図２
（ｃ）に示す所望の位相シフター付レチクルが得られ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の位相シフト
レチクルの製造方法では、このレチクルを波長４３５．
８ｎｍの光で使用する場合、ＳｉＯ2 シフターの膜厚は
約４７０ｎｍ±１０ｎｍすなわち所望の膜厚から約±
０．２％の膜厚制御、均一性が必要である。
レチクルの製造方法では、このレチクルを波長４３５．
８ｎｍの光で使用する場合、ＳｉＯ2 シフターの膜厚は
約４７０ｎｍ±１０ｎｍすなわち所望の膜厚から約±
０．２％の膜厚制御、均一性が必要である。
【０００７】しかし、ＳｉＯ2 シフターをＣＶＤ法を用
いて形成した場合、レチクル面内の均一性は約±２％と
悪く、光の位相をコントロールしきれない。また、スピ
ン塗布法でＳｉＯ2 を形成する場合、塗布したＳｉＯ2
を焼結するのに約４００℃の高温焼結が必用であるた
め、クロムパターンが変形、剥離する等の問題点があ
る。また、スピン塗布法に必ず発生する問題として凹部
の中央と端で膜厚差が大きいと言う問題点もある。
いて形成した場合、レチクル面内の均一性は約±２％と
悪く、光の位相をコントロールしきれない。また、スピ
ン塗布法でＳｉＯ2 を形成する場合、塗布したＳｉＯ2
を焼結するのに約４００℃の高温焼結が必用であるた
め、クロムパターンが変形、剥離する等の問題点があ
る。また、スピン塗布法に必ず発生する問題として凹部
の中央と端で膜厚差が大きいと言う問題点もある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトレチ
クルの製造方法は、ガラス基板にクロムパターンが形成
されているレチクルの上に、薄くＣＶＤ法によりＳｉＯ
2 膜を全面に成膜し、その上に所望のパターンにレジス
トパターンを形成する。そして過飽和状態の二酸化珪素
水溶液中でＳｉＯ2 を液相成長させる手段を有する。
クルの製造方法は、ガラス基板にクロムパターンが形成
されているレチクルの上に、薄くＣＶＤ法によりＳｉＯ
2 膜を全面に成膜し、その上に所望のパターンにレジス
トパターンを形成する。そして過飽和状態の二酸化珪素
水溶液中でＳｉＯ2 を液相成長させる手段を有する。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
る。図１は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
【００１０】図１（ａ）に示す様に、ガラス基板１、導
電性膜２の上にクロム３でパターン形成されているレチ
クルに、全面にＣＶＤ法、例えば低温で成膜のできる低
圧ＣＶＤ法（２００℃程度）や光ＣＶＤ法（１００℃程
度）で約５０ｎｍのＳｉＯ2 膜４を形成する〔図１
（ｂ）〕。
電性膜２の上にクロム３でパターン形成されているレチ
クルに、全面にＣＶＤ法、例えば低温で成膜のできる低
圧ＣＶＤ法（２００℃程度）や光ＣＶＤ法（１００℃程
度）で約５０ｎｍのＳｉＯ2 膜４を形成する〔図１
（ｂ）〕。
【００１１】この上にレジストを塗布し、電子線露光
後、現像によりＳｉＯ2 シフターが必用な場所のみ開口
するようにレジスト５をパターニングする〔図１
（ｃ）〕。
後、現像によりＳｉＯ2 シフターが必用な場所のみ開口
するようにレジスト５をパターニングする〔図１
（ｃ）〕。
【００１２】次に液相成長法により位相シフターとなる
ＳｉＯ2 を成長させる。本実施例の液相成長法は、例え
ば特願平１−２３６５４４で示した様に、約３．５ｍｏ
ｌの珪弗化水素酸化水溶液にシラノール（Ｓｉ（ＯＨ）
4）を１５０℃の低温で焼成して形成した二酸化珪素の
粉末を３０℃の温度で溶解・飽和させた飽和水溶液を用
い、かつ、常時過飽和状態に保つために、濃度が約０．
１ｍｏｌ／ｌのホウ酸水溶液を１０ｃｃ／時の速度で連
続的に添加した。また、この過飽和水溶液は０．２μｍ
のテフロンフィルタを用いて常時循環させ、０．２μｍ
を越える粒子を除去した。
ＳｉＯ2 を成長させる。本実施例の液相成長法は、例え
ば特願平１−２３６５４４で示した様に、約３．５ｍｏ
ｌの珪弗化水素酸化水溶液にシラノール（Ｓｉ（ＯＨ）
4）を１５０℃の低温で焼成して形成した二酸化珪素の
粉末を３０℃の温度で溶解・飽和させた飽和水溶液を用
い、かつ、常時過飽和状態に保つために、濃度が約０．
１ｍｏｌ／ｌのホウ酸水溶液を１０ｃｃ／時の速度で連
続的に添加した。また、この過飽和水溶液は０．２μｍ
のテフロンフィルタを用いて常時循環させ、０．２μｍ
を越える粒子を除去した。
【００１３】上記図１（ｃ）の状態にあるレチクルを、
上述した常時過飽和、かつ、３５℃の一定温度に保たれ
た水溶液にＳｉＯ2 成長速度が４０ｎｍ／時であるため
１１．８時間浸漬することによって、図１（ｄ）に示す
ようにレジストパターン５の間に厚さ約４７２ｎｍの液
相成長ＳｉＯ2 ６を選択的に形成させる。この時の均一
性は±０．０５％と良好であった。
上述した常時過飽和、かつ、３５℃の一定温度に保たれ
た水溶液にＳｉＯ2 成長速度が４０ｎｍ／時であるため
１１．８時間浸漬することによって、図１（ｄ）に示す
ようにレジストパターン５の間に厚さ約４７２ｎｍの液
相成長ＳｉＯ2 ６を選択的に形成させる。この時の均一
性は±０．０５％と良好であった。
【００１４】最後に図１（ｅ）に示すようにレジスト５
を剥離することにより、レチクル上の所望の場所に位相
シフターを形成した位相シフトレチクルが形成される。
を剥離することにより、レチクル上の所望の場所に位相
シフターを形成した位相シフトレチクルが形成される。
【００１５】本実施例では液相成長ＳｉＯ2 の膜厚を４
７２ｎｍとしたが、これは、上述した位相シフトレチク
ルを光源４３５．８ｎｍの光で使用する場合として想定
しているためであり、実際の光源には２４８．４ｎｍ，
３６５ｎｍ等色々な波長があるため、用途別に膜厚を設
定すれば良い。
７２ｎｍとしたが、これは、上述した位相シフトレチク
ルを光源４３５．８ｎｍの光で使用する場合として想定
しているためであり、実際の光源には２４８．４ｎｍ，
３６５ｎｍ等色々な波長があるため、用途別に膜厚を設
定すれば良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、液相成長
法を用いているので高温処理が無いためクロムパターン
の変形、剥離が生じない。また、ＳｉＯ2 の成長速度が
４０ｎｍ／時と遅く、面内均一性が±０．０５％と良い
ため所望の膜厚に制御しやすく、面内全域で所望の膜厚
が得られるという効果を有する。
法を用いているので高温処理が無いためクロムパターン
の変形、剥離が生じない。また、ＳｉＯ2 の成長速度が
４０ｎｍ／時と遅く、面内均一性が±０．０５％と良い
ため所望の膜厚に制御しやすく、面内全域で所望の膜厚
が得られるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す図。
【図２】従来例を示す図。
１ ガラス ２ 導電性膜 ３ クロム ４ ＳｉＯ2 ５ レジスト ６ 液相成長ＳｉＯ２
Claims (1)
- 【請求項１】 隣接する開口部分を透過する光に位相差
を与える位相シフトレチクルの製造方法において、該レ
チクルの位相差を与えるべき透過部以外をレジストパタ
ーンで覆う工程と、該レジスト膜を残したまま常時二酸
化珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中に該レチクルを
浸漬することによって、該レジスト膜の無い部分に選択
的に二酸化珪素を形成する工程と、該レチクル上に残し
たレジスト膜を除去する工程とを有することを特徴とす
る位相シフトレチクルの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20970391A JPH0553289A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
| KR92014958A KR970001517B1 (en) | 1991-08-22 | 1992-08-20 | Preparation process of phase-shifting recticle |
| US07/932,714 US5952127A (en) | 1991-08-22 | 1992-08-20 | Method of fabricating a phase shifting reticle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20970391A JPH0553289A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0553289A true JPH0553289A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16577240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20970391A Pending JPH0553289A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5952127A (ja) |
| JP (1) | JPH0553289A (ja) |
| KR (1) | KR970001517B1 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6334960B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
| US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
| SG142150A1 (en) * | 2000-07-16 | 2008-05-28 | Univ Texas | High-resolution overlay alignment systems for imprint lithography |
| KR100827741B1 (ko) | 2000-07-17 | 2008-05-07 | 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 임프린트 리소그래피 공정을 위한 자동 유체 분배 방법 및시스템 |
| JP2004505273A (ja) | 2000-08-01 | 2004-02-19 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 転写リソグラフィのための透明テンプレートと基板の間のギャップおよび配向を高精度でセンシングするための方法 |
| AU2001286573A1 (en) | 2000-08-21 | 2002-03-04 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flexure based macro motion translation stage |
| CN100365507C (zh) * | 2000-10-12 | 2008-01-30 | 德克萨斯州大学系统董事会 | 用于室温下低压微刻痕和毫微刻痕光刻的模板 |
| US6964793B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
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| US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US6932934B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
| US7442336B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-10-28 | Molecular Imprints, Inc. | Capillary imprinting technique |
| US6916584B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
| US7083880B2 (en) * | 2002-08-15 | 2006-08-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Lithographic template and method of formation and use |
| US7071088B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fabricating bulbous-shaped vias |
| US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US6929762B2 (en) | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| US6871558B2 (en) | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| US7452574B2 (en) | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
| US7122079B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| US7136150B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
| US20050098534A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of conductive templates employing indium tin oxide |
| US20050106321A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Molecular Imprints, Inc. | Dispense geometery to achieve high-speed filling and throughput |
| US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| US7906180B2 (en) * | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7140861B2 (en) * | 2004-04-27 | 2006-11-28 | Molecular Imprints, Inc. | Compliant hard template for UV imprinting |
| US7785526B2 (en) | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
| US7309225B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-18 | Molecular Imprints, Inc. | Moat system for an imprint lithography template |
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
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