JPH0553872B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0553872B2 JPH0553872B2 JP60243663A JP24366385A JPH0553872B2 JP H0553872 B2 JPH0553872 B2 JP H0553872B2 JP 60243663 A JP60243663 A JP 60243663A JP 24366385 A JP24366385 A JP 24366385A JP H0553872 B2 JPH0553872 B2 JP H0553872B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- vacuum chamber
- aluminum
- main body
- cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、CVD装置およびドライ・エツチ
ング装置における真空チヤンバの製造方法に関す
る。
ング装置における真空チヤンバの製造方法に関す
る。
この明細書において、「アルミニウム」という
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。ただし、「アルミニウム元
素」という場合にはアルミニウム合金は含まな
い。
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。ただし、「アルミニウム元
素」という場合にはアルミニウム合金は含まな
い。
従来技術とその問題点
CVD装置の真空チヤンバ内には、CVD法の実
施時に、反応ガスとしてSiCl4，SiH2Cl2，AlCl3，
PCl3，BCl3等の腐食性ガスが導入され、ドラ
イ・エツチング装置の真空チヤンバ内には、ドラ
イ・エツチングの実施時に、エツチング・ガスと
して塩素を含む腐食性ガスが導入されるので、従
来真空チヤンバとしてはステンレス鋼製のものが
用いられていた。ところが、ステンレス鋼製の真
空チヤンバは重量が大きく、しかも熱伝導性が悪
いという問題があつた。熱伝導性が十分でないと
次のような問題がある。すなわち、CVD装置お
よびドライ・エツチング装置の作動時には、まず
真空チヤンバ内面を200〜250℃に加熱することに
よりベーキング処理を施して真空チヤンバの内面
に吸着している水分を除去しているが、熱伝導性
が悪いと、上記ベーキングの時に真空チヤンバ全
体が均一に加熱されるのに時間がかかるのであ
る。
施時に、反応ガスとしてSiCl4，SiH2Cl2，AlCl3，
PCl3，BCl3等の腐食性ガスが導入され、ドラ
イ・エツチング装置の真空チヤンバ内には、ドラ
イ・エツチングの実施時に、エツチング・ガスと
して塩素を含む腐食性ガスが導入されるので、従
来真空チヤンバとしてはステンレス鋼製のものが
用いられていた。ところが、ステンレス鋼製の真
空チヤンバは重量が大きく、しかも熱伝導性が悪
いという問題があつた。熱伝導性が十分でないと
次のような問題がある。すなわち、CVD装置お
よびドライ・エツチング装置の作動時には、まず
真空チヤンバ内面を200〜250℃に加熱することに
よりベーキング処理を施して真空チヤンバの内面
に吸着している水分を除去しているが、熱伝導性
が悪いと、上記ベーキングの時に真空チヤンバ全
体が均一に加熱されるのに時間がかかるのであ
る。
そこで、ステンレス鋼に比較して重量が小さ
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材で真空チヤンバをつくる
ことも考えられているが、アルミニウムはCVD
法やドライ・エツチングの実施時に使用されるガ
スにより腐食させられるという問題があるので、
いまだアルミニウム製の真空チヤンバは実現して
いないのが実情である。
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材で真空チヤンバをつくる
ことも考えられているが、アルミニウムはCVD
法やドライ・エツチングの実施時に使用されるガ
スにより腐食させられるという問題があるので、
いまだアルミニウム製の真空チヤンバは実現して
いないのが実情である。
この発明の目的は、上記の問題を解決した
CVD装置およびドライ・エツチング装置におけ
る真空チヤンバの製造方法を提供することにあ
る。
CVD装置およびドライ・エツチング装置におけ
る真空チヤンバの製造方法を提供することにあ
る。
問題点を解決するための手段
この発明によるCVD装置およびドライ・エツ
チング装置における真空チヤンバの製造方法は、
アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体および蓋
体をつくつた後、これらの内外両面のうち少なく
とも内面に、イオン注入法によつて、アルミニウ
ム元素と反応しかつCVD法に使用される反応ガ
スおよびドライ・エツチングに使用されるエツチ
ング・ガスに対する耐食性を有する化合物をつく
るイオンを注入して、上記化合物からなる被覆層
を形成することを特徴とするものである。
チング装置における真空チヤンバの製造方法は、
アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体および蓋
体をつくつた後、これらの内外両面のうち少なく
とも内面に、イオン注入法によつて、アルミニウ
ム元素と反応しかつCVD法に使用される反応ガ
スおよびドライ・エツチングに使用されるエツチ
ング・ガスに対する耐食性を有する化合物をつく
るイオンを注入して、上記化合物からなる被覆層
を形成することを特徴とするものである。
上記において、アルミニウム元素と反応して
CVD法に使用される反応ガスおよびドライ・エ
ツチングに使用されるエツチング・ガスに対する
耐食性を有する化合物をつくるイオンは、数多く
存在するが、その中でたとえば酸素イオン、チツ
素イオン、炭素イオン等が用いられる。これらの
イオンは、容易にガス化されるN2，O2，Ｃ等か
ら得られる。上記イオンとアルミニウム元素との
反応によりつくられる化合物はAlN，AlC，Al2
O3等である。また、化合物の被覆層の厚さは0.1
〜1μｍの範囲内にあることが好ましい。その理
由は、被覆層の厚さが0.1μｍ未満であると、被覆
層の上記反応ガスに対する耐食性が十分ではな
く、またイオン注入によつては上記厚さを1μｍ
を越えて厚くすることはできないからである。上
記被覆層の厚さの制御は、イオン注入時におけ
る、注入深さに関連する加速電圧および注入量に
関連するイオン注入電流等を制御することによつ
て行なう。上記被覆層の厚さを0.1〜1μｍとする
には、たとえば加速電圧を50〜500KVに制御し、
イオン注入電流を注入量が１×1018〜１×1019
個／cm2となるように制御する。
CVD法に使用される反応ガスおよびドライ・エ
ツチングに使用されるエツチング・ガスに対する
耐食性を有する化合物をつくるイオンは、数多く
存在するが、その中でたとえば酸素イオン、チツ
素イオン、炭素イオン等が用いられる。これらの
イオンは、容易にガス化されるN2，O2，Ｃ等か
ら得られる。上記イオンとアルミニウム元素との
反応によりつくられる化合物はAlN，AlC，Al2
O3等である。また、化合物の被覆層の厚さは0.1
〜1μｍの範囲内にあることが好ましい。その理
由は、被覆層の厚さが0.1μｍ未満であると、被覆
層の上記反応ガスに対する耐食性が十分ではな
く、またイオン注入によつては上記厚さを1μｍ
を越えて厚くすることはできないからである。上
記被覆層の厚さの制御は、イオン注入時におけ
る、注入深さに関連する加速電圧および注入量に
関連するイオン注入電流等を制御することによつ
て行なう。上記被覆層の厚さを0.1〜1μｍとする
には、たとえば加速電圧を50〜500KVに制御し、
イオン注入電流を注入量が１×1018〜１×1019
個／cm2となるように制御する。
作 用
この発明の方法で製造された真空チヤンバの箱
状本体および蓋体がアルミニウム製であるから、
従来のステンレス鋼製の真空チヤンバに比べて軽
量になるとともに熱伝導性が向上し、しかもガス
放出係数が小さくなる。また、本体および蓋体を
アルミニウム材からつくるのであるから、ステン
レス鋼材からつくる場合に比較して加工が容易に
なる。さらに、材料費が安価になる。
状本体および蓋体がアルミニウム製であるから、
従来のステンレス鋼製の真空チヤンバに比べて軽
量になるとともに熱伝導性が向上し、しかもガス
放出係数が小さくなる。また、本体および蓋体を
アルミニウム材からつくるのであるから、ステン
レス鋼材からつくる場合に比較して加工が容易に
なる。さらに、材料費が安価になる。
また、本体および蓋体の内外両面のうち少なく
とも内面に、イオン注入法によつて、アルミニウ
ム元素と反応しかつCVD法に使用される反応ガ
スおよびドライ・エツチングに使用されるエツチ
ング・ガスに対する耐食性を有する化合物をつく
るイオンを注入して、上記化合物からなる被覆層
を形成するので、CVD法およびドライ・エツチ
ングに使用するガスに対する耐食性がステンレス
鋼製のものと同等かそれ以上になる。しかも、形
成された被覆層には、その形成時に水分が吸着す
ることはない。
とも内面に、イオン注入法によつて、アルミニウ
ム元素と反応しかつCVD法に使用される反応ガ
スおよびドライ・エツチングに使用されるエツチ
ング・ガスに対する耐食性を有する化合物をつく
るイオンを注入して、上記化合物からなる被覆層
を形成するので、CVD法およびドライ・エツチ
ングに使用するガスに対する耐食性がステンレス
鋼製のものと同等かそれ以上になる。しかも、形
成された被覆層には、その形成時に水分が吸着す
ることはない。
実施例
以下、この発明の実施例を比較例とともに示
す。
す。
実施例 １
まず、アルミニウム材から真空チヤンバ用箱状
本体および蓋体をつくつた。ついで、この本体お
よび蓋体をターゲツトとし、その内面に加速電圧
300KVという条件でチツ素イオンを１×1019個／
cm2注入した。そして、本体および蓋体の内面に厚
さ1μｍのAlN層を形成した。そして、上記箱状
本体および蓋体を、150℃のSiCl4ガス雰囲気中に
1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調べ
た。その結果、本体および蓋体の内面には腐食は
発生していなかつた。
本体および蓋体をつくつた。ついで、この本体お
よび蓋体をターゲツトとし、その内面に加速電圧
300KVという条件でチツ素イオンを１×1019個／
cm2注入した。そして、本体および蓋体の内面に厚
さ1μｍのAlN層を形成した。そして、上記箱状
本体および蓋体を、150℃のSiCl4ガス雰囲気中に
1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調べ
た。その結果、本体および蓋体の内面には腐食は
発生していなかつた。
実施例 ２
イオン注入のさいの注入イオンとして炭素イオ
ンを使用し、加速電圧100KV、イオン注入量１
×1018個／cm2とした他は上記実施例１と同様にし
て本体および蓋体の内面に厚さ0.5μｍのAlC層を
形成し、同じく上記実施例１と同様にその内面の
耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体の内
面には腐食は認められなかつた。
ンを使用し、加速電圧100KV、イオン注入量１
×1018個／cm2とした他は上記実施例１と同様にし
て本体および蓋体の内面に厚さ0.5μｍのAlC層を
形成し、同じく上記実施例１と同様にその内面の
耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体の内
面には腐食は認められなかつた。
実施例 ３
イオン注入のさいの注入イオンとして酸素イオ
ンを使用し、加速電圧300KV、イオン注入量１
×1019個／cm2とした他は上記実施例１と同様にし
て本体および蓋体の内面に厚さ1μｍのAl2O3層を
形成し、同じく上記実施例１と同様にその内面の
耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体の内
面には腐食は認められなかつた。
ンを使用し、加速電圧300KV、イオン注入量１
×1019個／cm2とした他は上記実施例１と同様にし
て本体および蓋体の内面に厚さ1μｍのAl2O3層を
形成し、同じく上記実施例１と同様にその内面の
耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体の内
面には腐食は認められなかつた。
比較例
まず、アルミニウム材から真空チヤンバ用箱状
本体および蓋体をつくつた。そして、上記箱状本
体および蓋体を、温度150℃のSiCl4ガス雰囲気中
に1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の表面は激しく
腐食していた。
本体および蓋体をつくつた。そして、上記箱状本
体および蓋体を、温度150℃のSiCl4ガス雰囲気中
に1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の表面は激しく
腐食していた。
発明の効果
この発明によるCVD装置およびドライ・エツ
チング装置における真空チヤンバの製造方法によ
れば、上述のように、従来のステンレス鋼製のも
のと比較して軽量で、熱伝導性が良く、さらにガ
ス放出量が少ない真空チヤンバを製造することが
できる。しかも、本体および蓋体をアルミニウム
材からつくるのであるから、ステンレス鋼材から
つくる場合に比較して加工が容易であるととも
に、材料費が安価になる。特に、製造された真空
チヤンバが熱伝導性に優れているので、従来のも
のに比べてCVD装置およびドライ・エツチング
装置の作動時のベーキング処理時間を短縮するこ
とができる。
チング装置における真空チヤンバの製造方法によ
れば、上述のように、従来のステンレス鋼製のも
のと比較して軽量で、熱伝導性が良く、さらにガ
ス放出量が少ない真空チヤンバを製造することが
できる。しかも、本体および蓋体をアルミニウム
材からつくるのであるから、ステンレス鋼材から
つくる場合に比較して加工が容易であるととも
に、材料費が安価になる。特に、製造された真空
チヤンバが熱伝導性に優れているので、従来のも
のに比べてCVD装置およびドライ・エツチング
装置の作動時のベーキング処理時間を短縮するこ
とができる。
また、本体および蓋体の内外両面のうち少なく
とも内面に、イオン注入法によつて、アルミニウ
ム元素と反応しかつCVD法に使用される反応ガ
スおよびドライ・エツチングに使用されるエツチ
ング・ガスに対する耐食性を有する化合物をつく
るイオンを注入して、上記化合物からなる被覆層
を形成するので、CVD法およびドライ・エツチ
ングに使用するガスに対する耐食性がステンレス
鋼製のものと同等かそれ以上になる。しかも、形
成された被覆層には、その形成時に水分が吸着す
ることはないので、このような水分を除去する作
業が不要になる。また、形成された被覆層に水分
が吸着していることはないので、製造された真空
雨チヤンバをCVD装置およびドライ・エツチン
グ装置に使用した場合に、従来から行われている
ベーキング処理を施すだけで、アルミニウムがス
テンレス鋼に比べて表面の放出ガス係数が小さい
ことと相俟つて、CVD装置およびドライ・エツ
チング装置の作動時の真空チヤンバ内の真空度の
低下を防止できる。
とも内面に、イオン注入法によつて、アルミニウ
ム元素と反応しかつCVD法に使用される反応ガ
スおよびドライ・エツチングに使用されるエツチ
ング・ガスに対する耐食性を有する化合物をつく
るイオンを注入して、上記化合物からなる被覆層
を形成するので、CVD法およびドライ・エツチ
ングに使用するガスに対する耐食性がステンレス
鋼製のものと同等かそれ以上になる。しかも、形
成された被覆層には、その形成時に水分が吸着す
ることはないので、このような水分を除去する作
業が不要になる。また、形成された被覆層に水分
が吸着していることはないので、製造された真空
雨チヤンバをCVD装置およびドライ・エツチン
グ装置に使用した場合に、従来から行われている
ベーキング処理を施すだけで、アルミニウムがス
テンレス鋼に比べて表面の放出ガス係数が小さい
ことと相俟つて、CVD装置およびドライ・エツ
チング装置の作動時の真空チヤンバ内の真空度の
低下を防止できる。
Claims (1)
- １ アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体およ
び蓋体をつくつた後、これらの内外両面のうち少
なくとも内面に、イオン注入法によつて、アルミ
ニウム元素と反応しかつCVD法に使用される反
応ガスおよびドライ・エツチングに使用されるエ
ツチング・ガスに対する耐食性を有する化合物を
つくるイオンを注入して、上記化合物からなる被
覆層を形成することを特徴とするCVD装置およ
びドライ・エツチング装置における真空チヤンバ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366385A JPS62103380A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366385A JPS62103380A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103380A JPS62103380A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0553872B2 true JPH0553872B2 (ja) | 1993-08-11 |
Family
ID=17107150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24366385A Granted JPS62103380A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103380A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112006002987T5 (de) | 2005-11-17 | 2008-10-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Aluminiumlegierungselement mit hervorragender Korrosionsbeständigkeit |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383964B1 (en) | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Kyocera Corporation | Ceramic member resistant to halogen-plasma corrosion |
| JP4512603B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2010-07-28 | トーカロ株式会社 | 耐ハロゲンガス性の半導体加工装置用部材 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021382A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24366385A patent/JPS62103380A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112006002987T5 (de) | 2005-11-17 | 2008-10-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Aluminiumlegierungselement mit hervorragender Korrosionsbeständigkeit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62103380A (ja) | 1987-05-13 |
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