JPH0554847A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0554847A JPH0554847A JP3217722A JP21772291A JPH0554847A JP H0554847 A JPH0554847 A JP H0554847A JP 3217722 A JP3217722 A JP 3217722A JP 21772291 A JP21772291 A JP 21772291A JP H0554847 A JPH0554847 A JP H0554847A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ions
- gas
- arc
- arc chamber
- arc chambers
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】加熱・冷却する時間を浪費することなく種々の
イオンを即座に選択し、注入することができる。 【構成】固形物を加熱イオン化するベーパライザー１
ａ，１ｂあるいはソース用ガスボンベ２を連結する複数
のアークチャンバ３ａ，３ｂ，３ｃを鏡筒７内に便宜的
に配置し、イオンを引き出し電極５を対応するアークチ
ャンバ３ａ，３ｂ，３ｃの位置に移動出来るようにす
る。
イオンを即座に選択し、注入することができる。 【構成】固形物を加熱イオン化するベーパライザー１
ａ，１ｂあるいはソース用ガスボンベ２を連結する複数
のアークチャンバ３ａ，３ｂ，３ｃを鏡筒７内に便宜的
に配置し、イオンを引き出し電極５を対応するアークチ
ャンバ３ａ，３ｂ，３ｃの位置に移動出来るようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板に不純物イ
オン注入装置に関する。
オン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種のイオン注入装置は、図面に
は示さないが、例えば、一面側イオンを放出するスリッ
トを有し、熱電子を発生するフィラメントを備えるアー
クチャンバと、放出されたイオンを引き出す引出し電極
と、これらアークチャンバと電極を包む鏡筒と、鏡筒を
取付けるとともに半導体基板を載置するステージを収納
するチャンバとを有していた。
は示さないが、例えば、一面側イオンを放出するスリッ
トを有し、熱電子を発生するフィラメントを備えるアー
クチャンバと、放出されたイオンを引き出す引出し電極
と、これらアークチャンバと電極を包む鏡筒と、鏡筒を
取付けるとともに半導体基板を載置するステージを収納
するチャンバとを有していた。
【０００３】このようなイオン注入装置を使用して、半
導体基板に能動層を形成するには、能動層に応じて、種
々のガスをアークチャンバに供給して、これらガスに熱
電子を衝突させ、ガスイオンを発生させ、発生するイオ
ンを引出し電極から取出し、加速されたイオンを半導体
基板に衝突させてイオンを注入していた。
導体基板に能動層を形成するには、能動層に応じて、種
々のガスをアークチャンバに供給して、これらガスに熱
電子を衝突させ、ガスイオンを発生させ、発生するイオ
ンを引出し電極から取出し、加速されたイオンを半導体
基板に衝突させてイオンを注入していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のイオン
注入装置では、アークチャンバの一個のみが有していな
いので、能動層の種類を換えるときは、アークチャンバ
に供給するガスを入れ換えなければならない。このため
一端高温になったアークチャンバを冷却し、再び加熱す
るという時間を浪費するという問題がある。
注入装置では、アークチャンバの一個のみが有していな
いので、能動層の種類を換えるときは、アークチャンバ
に供給するガスを入れ換えなければならない。このため
一端高温になったアークチャンバを冷却し、再び加熱す
るという時間を浪費するという問題がある。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
く、ガスを切換える時間を浪費することなくガスを切替
えられるイオン注入装置を提供することである。
く、ガスを切換える時間を浪費することなくガスを切替
えられるイオン注入装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、供給されるガス及び加熱される固形物のガスを熱電
子で衝突させイオンを発生させる複数のアークチャンバ
を鏡筒内に配置に移動出来ることを特徴としている。
は、供給されるガス及び加熱される固形物のガスを熱電
子で衝突させイオンを発生させる複数のアークチャンバ
を鏡筒内に配置に移動出来ることを特徴としている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の一実施例を示すイオン注入装置の
断面部分図である。このイオン注入装置は、図１に示す
ように、固体を加熱してガス化するベーパライザー１ａ
及び１ｂが取付けられるアークチャンバ３ｂ及び３ｃ
と、ソース用ガスボンベ２が連結されるアークチャンバ
３ａとを適宜に配置し、発生するイオンを引き出す引出
し電極５を各アークチャンバ３ａ〜３ｃに対応する位置
に移動するようにしたことである。このように、複数の
アークチャンバを備えることにより、種々のガスを供給
し、別々のイオンを発生させることができ引出し電極５
を、必要とするイオンが発生するアークチャンバ３ａ〜
３ｃと相対する位置まで移動させることでイオン種の切
り替えが出来る。
る。図１は、本発明の一実施例を示すイオン注入装置の
断面部分図である。このイオン注入装置は、図１に示す
ように、固体を加熱してガス化するベーパライザー１ａ
及び１ｂが取付けられるアークチャンバ３ｂ及び３ｃ
と、ソース用ガスボンベ２が連結されるアークチャンバ
３ａとを適宜に配置し、発生するイオンを引き出す引出
し電極５を各アークチャンバ３ａ〜３ｃに対応する位置
に移動するようにしたことである。このように、複数の
アークチャンバを備えることにより、種々のガスを供給
し、別々のイオンを発生させることができ引出し電極５
を、必要とするイオンが発生するアークチャンバ３ａ〜
３ｃと相対する位置まで移動させることでイオン種の切
り替えが出来る。
【０００８】また、アークチャンバ３ａ〜３ｃに同一の
ガス供給するようにしておけば、一つのアークチャンバ
のフィラメント４ａ〜４ｃが断線しても、引続き他のア
ークチャンバ３ａ〜３ｃを動作させてイオン注入が出来
る利点がある。
ガス供給するようにしておけば、一つのアークチャンバ
のフィラメント４ａ〜４ｃが断線しても、引続き他のア
ークチャンバ３ａ〜３ｃを動作させてイオン注入が出来
る利点がある。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明はガス又は固
体をイオン化するアークチャンバを複数個備え、イオン
を引き出し電極を各アークチャンバの対応する位置に移
動出来るようにすることによって、冷却・加熱を行う時
間を必要とすることなくイオン種を即座に選択すること
ができるイオン注入装置が得られるという効果がある。
体をイオン化するアークチャンバを複数個備え、イオン
を引き出し電極を各アークチャンバの対応する位置に移
動出来るようにすることによって、冷却・加熱を行う時
間を必要とすることなくイオン種を即座に選択すること
ができるイオン注入装置が得られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すイオン注入装置の断面
部分図である。
部分図である。
１ａ，１ｂ ベーパライザー ２ ソース用ガスボンベ ３ａ，３ｂ，３ｃ アークチャンバ ４ａ，４ｂ，４ｃ フィラメント ５ 引き出し電極 ６ チャンバ ７ 鏡筒
Claims (1)
- 【請求項１】 供給されるガス及び加熱される固形物の
ガスを熱電子で衝突させイオンを発生させる複数のアー
クチャンバを鏡筒内に配置に移動出来ることを特徴とす
るイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3217722A JPH0554847A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3217722A JPH0554847A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0554847A true JPH0554847A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16708717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3217722A Pending JPH0554847A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0554847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101441191B1 (ko) * | 2012-04-04 | 2014-09-17 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 다중 구역식 플라즈마 플러드 건을 이용한 이온 중화 시스템 및 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253558B2 (ja) * | 1986-08-01 | 1987-11-11 | Myoshi Yushi Kk |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3217722A patent/JPH0554847A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253558B2 (ja) * | 1986-08-01 | 1987-11-11 | Myoshi Yushi Kk |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101441191B1 (ko) * | 2012-04-04 | 2014-09-17 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 다중 구역식 플라즈마 플러드 건을 이용한 이온 중화 시스템 및 방법 |
| US9053907B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method of ion neutralization with multiple-zoned plasma flood gun |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980602 |