JPS62274541A - イオン注入装置用超高温金属イオン源 - Google Patents
イオン注入装置用超高温金属イオン源Info
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- JPS62274541A JPS62274541A JP61116227A JP11622786A JPS62274541A JP S62274541 A JPS62274541 A JP S62274541A JP 61116227 A JP61116227 A JP 61116227A JP 11622786 A JP11622786 A JP 11622786A JP S62274541 A JPS62274541 A JP S62274541A
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[産業上の利用分野]
本発明、は、例えばボロンヤハフニウムのような高融点
金属のイオンを生成するのに用いられ1!?るイオン注
入装置用超高温金属イオン源に関するものである。
金属のイオンを生成するのに用いられ1!?るイオン注
入装置用超高温金属イオン源に関するものである。
[従来の技術]
高融点金属のイオンを生成するのに一般には、加熱蒸発
炉をプラズマ生成室に装着したイオン源が利用されてお
り、この種のイオン源としては、例えばカルトロンイオ
ン源、口awtonのイオン源、BOuriantの高
温イオン源、フリーマン型イオン源、N1ejSen型
イオン源、およびDuOplaSIlatrOn型イオ
ン源等が知られている型 置オン源余病イオン源は、熱陰極PIG型イオン源であ
るフリーマン型イオン源に見られるように、加熱用ヒー
タで囲まれた金属容器(ルツボ)の中に金属試料を入れ
て加熱し、これにより生成された金属蒸気をプラズマ生
成室に導き、このプラズマ生成室内において縦方向のに
Ia場に沿って設けられたフィラメントの回りにマグネ
トロン放電を起させ、金属蒸気をイオン化するように構
成されている。
炉をプラズマ生成室に装着したイオン源が利用されてお
り、この種のイオン源としては、例えばカルトロンイオ
ン源、口awtonのイオン源、BOuriantの高
温イオン源、フリーマン型イオン源、N1ejSen型
イオン源、およびDuOplaSIlatrOn型イオ
ン源等が知られている型 置オン源余病イオン源は、熱陰極PIG型イオン源であ
るフリーマン型イオン源に見られるように、加熱用ヒー
タで囲まれた金属容器(ルツボ)の中に金属試料を入れ
て加熱し、これにより生成された金属蒸気をプラズマ生
成室に導き、このプラズマ生成室内において縦方向のに
Ia場に沿って設けられたフィラメントの回りにマグネ
トロン放電を起させ、金属蒸気をイオン化するように構
成されている。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、このような従来の固体蒸発金属イオン源では
、金属蒸気発生炉により真空中および大気圧において加
熱ヒータを用いて金属試料を高温に加熱することは極め
て困難であり、1000℃以上になると、制御やイオン
源の維持が一層困難となる。
、金属蒸気発生炉により真空中および大気圧において加
熱ヒータを用いて金属試料を高温に加熱することは極め
て困難であり、1000℃以上になると、制御やイオン
源の維持が一層困難となる。
またこの種のイオン源においては、金属蒸気発生炉で生
成された金属蒸気を細いバイブを通ってプラズマ生成室
すなわちイオン化室に導かれるため、金属蒸気発生炉と
イオン化室とを結ぶ細いバイブ中で金属蒸気が冷え、バ
イブを詰まらせるという問題もある。
成された金属蒸気を細いバイブを通ってプラズマ生成室
すなわちイオン化室に導かれるため、金属蒸気発生炉と
イオン化室とを結ぶ細いバイブ中で金属蒸気が冷え、バ
イブを詰まらせるという問題もある。
一方、高融点金属のイオンを作るのにホローカソード放
電を利用したイオン源も提案されているが、電子のエミ
ッションが悪いことやカソード面積が大きいため放電に
大きな電力が必要であること、カソードとアノードとの
間の絶縁部材の構造が複雑となりしかも絶縁部材におけ
る蒸発金ぷによる汚染に基因する短絡の問題、さらには
高温安定性が悪いことや排気系の負荷が大ぎくなること
等実用化を妨げる種々の問題を内包している。
電を利用したイオン源も提案されているが、電子のエミ
ッションが悪いことやカソード面積が大きいため放電に
大きな電力が必要であること、カソードとアノードとの
間の絶縁部材の構造が複雑となりしかも絶縁部材におけ
る蒸発金ぷによる汚染に基因する短絡の問題、さらには
高温安定性が悪いことや排気系の負荷が大ぎくなること
等実用化を妨げる種々の問題を内包している。
そこで、本発明の目的は、従来の固体蒸発金属イオン源
を改良して構造が簡単であり、しかも金属試料を180
0℃以上の高温に容易に加熱することのできるイオン注
入装置用超高温金属イオン源を提供することにある。
を改良して構造が簡単であり、しかも金属試料を180
0℃以上の高温に容易に加熱することのできるイオン注
入装置用超高温金属イオン源を提供することにある。
[問題点を解決するための手段1
上記の目的を達成するために、本発明によるイオン注入
装置用超高温金属イオン源は、イオン化すべき金属試料
を封入した金属試料カプセルを収容する試料室と、この
試料室内の金属試料カプセルを電子衝撃で加熱する電子
放出源と、上記試料室に直結され上記電子放出源による
電子衝撃で生成された金属蒸気をイオン化するプラズマ
生成室と、上記試料室内の金属試料カプセルの温度に応
じて上記電子放出源の電子加速電圧をフィードバック制
御する制御装置とを有することを特徴としている。
装置用超高温金属イオン源は、イオン化すべき金属試料
を封入した金属試料カプセルを収容する試料室と、この
試料室内の金属試料カプセルを電子衝撃で加熱する電子
放出源と、上記試料室に直結され上記電子放出源による
電子衝撃で生成された金属蒸気をイオン化するプラズマ
生成室と、上記試料室内の金属試料カプセルの温度に応
じて上記電子放出源の電子加速電圧をフィードバック制
御する制御装置とを有することを特徴としている。
イオン化すべき金属試料を封入した金属試料カプセルを
収容する試料室の内壁には熱シールド部材が設けられ得
る。
収容する試料室の内壁には熱シールド部材が設けられ得
る。
[作 用1
このように構成した本発明によるイオン注入装置用超高
温金属イオン源は、金属試料の昇温にヒータを使用せず
に電子放出源から放出される電子の衝撃によって金属試
料を加熱し、これによって金属試料は1800℃以上に
容易に昇温され得る。また生成された金属蒸気は金属試
料カプセルの放出口から試料室に直結されたプラズマ生
成室に導入されるので、導入過程での金属蒸気の冷えは
実質的に伴わず、導入口の詰りの問題も全く伴なわない
。さらに、試料室内の金属試料カプセルの温度を測定し
て電子放出源の電子加速電源にフィードバックしている
ので、温度制御等、装置の制御を容易に行なうことがで
きる。
温金属イオン源は、金属試料の昇温にヒータを使用せず
に電子放出源から放出される電子の衝撃によって金属試
料を加熱し、これによって金属試料は1800℃以上に
容易に昇温され得る。また生成された金属蒸気は金属試
料カプセルの放出口から試料室に直結されたプラズマ生
成室に導入されるので、導入過程での金属蒸気の冷えは
実質的に伴わず、導入口の詰りの問題も全く伴なわない
。さらに、試料室内の金属試料カプセルの温度を測定し
て電子放出源の電子加速電源にフィードバックしている
ので、温度制御等、装置の制御を容易に行なうことがで
きる。
[実 施 例1
以下、添附図面を参照して本発明の実施例について説明
する。
する。
図面は本発明によるイオン注入装置用超高温金属イオン
源の一実施例を概略的に示し、1は電子放出源で、カソ
ードを成すフィラメント2と、フィラメント2に接続し
た電源3と、電子加速電源4とを備えている。5は試料
室で、その内側には熱シールド部材6が形成され、その
中にイオン化すべぎ金属試料7を封入した金属試料カプ
セル8がliI置される。試料室5は電子放出源1のフ
ィラメント2から放出された電子を通す穴9を電子ビー
ムの軸線上に備えており、金属試料カプセル8は金属蒸
気放出口10を備えている。試料室5に隣接してプラズ
マ生成室11が設けられ、このプラズマ生成室11自体
は公知の装置と同様に構成され得る。プラズマ生成室1
1は図示したように試料室5側に金属蒸気放出口10に
対応して金属蒸気導入口12を、またこの金属蒸気導入
口12の反対側にはイオン引出し口13をそれぞれ備え
、そして内部にはフィラメント14を備えている。15
は試料室5内に挿置された金属試料カプセル8の温度を
測定して電子放出源1の電子加速電源4の電子加速電圧
をフィードバック!If @するidJ all装置で
ある。またプラズマ生成室11の金属蒸気導入口12の
前方にはイオン引出し電極16が示されている。
源の一実施例を概略的に示し、1は電子放出源で、カソ
ードを成すフィラメント2と、フィラメント2に接続し
た電源3と、電子加速電源4とを備えている。5は試料
室で、その内側には熱シールド部材6が形成され、その
中にイオン化すべぎ金属試料7を封入した金属試料カプ
セル8がliI置される。試料室5は電子放出源1のフ
ィラメント2から放出された電子を通す穴9を電子ビー
ムの軸線上に備えており、金属試料カプセル8は金属蒸
気放出口10を備えている。試料室5に隣接してプラズ
マ生成室11が設けられ、このプラズマ生成室11自体
は公知の装置と同様に構成され得る。プラズマ生成室1
1は図示したように試料室5側に金属蒸気放出口10に
対応して金属蒸気導入口12を、またこの金属蒸気導入
口12の反対側にはイオン引出し口13をそれぞれ備え
、そして内部にはフィラメント14を備えている。15
は試料室5内に挿置された金属試料カプセル8の温度を
測定して電子放出源1の電子加速電源4の電子加速電圧
をフィードバック!If @するidJ all装置で
ある。またプラズマ生成室11の金属蒸気導入口12の
前方にはイオン引出し電極16が示されている。
このように構成した図示装置において、試料室中の金属
試料カプセル8およびその中に封入されたイオン化すべ
き金属試料7は電子放出源1のフィラメント2から放出
され電子加速電圧で加速された電子ビームの衝撃によっ
て所要の温度に昇温されて、金属蒸気を発生する。この
場合、金属試料カプセル8の温度は制御装置15と組合
さった適当な温度センサ(図示してない)によって測定
され、その測定値に応じて制御装置15は電子放出源1
の電子加速電[4の電子加速電圧をフィードバック制御
する。これにより電子ビームの衝撃をυ制御して金属試
料カプセル8の昇温潤度は所要のレベルに調節され得る
。こうして生成された金Ii!蒸気は金属試料カプセル
8の金属蒸気放出口10よに放出され、金属蒸気導入口
12を介して隣接した直結のプラズマ生成室11へ導入
され、イオン化される。そして生成されたイオンはイオ
ン引出し口13からイオン引出しTi極16により引出
される。
試料カプセル8およびその中に封入されたイオン化すべ
き金属試料7は電子放出源1のフィラメント2から放出
され電子加速電圧で加速された電子ビームの衝撃によっ
て所要の温度に昇温されて、金属蒸気を発生する。この
場合、金属試料カプセル8の温度は制御装置15と組合
さった適当な温度センサ(図示してない)によって測定
され、その測定値に応じて制御装置15は電子放出源1
の電子加速電[4の電子加速電圧をフィードバック制御
する。これにより電子ビームの衝撃をυ制御して金属試
料カプセル8の昇温潤度は所要のレベルに調節され得る
。こうして生成された金Ii!蒸気は金属試料カプセル
8の金属蒸気放出口10よに放出され、金属蒸気導入口
12を介して隣接した直結のプラズマ生成室11へ導入
され、イオン化される。そして生成されたイオンはイオ
ン引出し口13からイオン引出しTi極16により引出
される。
[発 明 の 効 果]
以上説明してきたように、本発明によるイオン源におい
ては、金属試料を電子放出源から放出される電子の衝撃
によって昇温させているので、加熱用ヒータを設ける必
要がなく、構成を簡単化できるだけでなく、試料を18
00℃以上に容易に昇温させることができる。また試料
室がプラズマ生成室に直結されているため金属蒸気の導
入部分に詰まり問題等が生ぜず、安定した動作を保証す
ることができる。さらに、昇温される金属試料の温度を
測定して電子*撃を制御するように構成しているので、
昇温制御を容易にかつ正確に行なうことができ、装置の
制御性に優れたイオン源を提供することができる。従っ
て、本発明のイオン源はイオン注入装置に用いられてい
るもの全てに応用することができる。
ては、金属試料を電子放出源から放出される電子の衝撃
によって昇温させているので、加熱用ヒータを設ける必
要がなく、構成を簡単化できるだけでなく、試料を18
00℃以上に容易に昇温させることができる。また試料
室がプラズマ生成室に直結されているため金属蒸気の導
入部分に詰まり問題等が生ぜず、安定した動作を保証す
ることができる。さらに、昇温される金属試料の温度を
測定して電子*撃を制御するように構成しているので、
昇温制御を容易にかつ正確に行なうことができ、装置の
制御性に優れたイオン源を提供することができる。従っ
て、本発明のイオン源はイオン注入装置に用いられてい
るもの全てに応用することができる。
図面は本発明の一実施例を示す概略線図である。
図 中
1:1!子放出源、 5:試料室、6:熱シールド
部材、 8:金属試料カプセル、11:プラズマ生成室
、 15:制御装N。 /b
部材、 8:金属試料カプセル、11:プラズマ生成室
、 15:制御装N。 /b
Claims (2)
- (1)イオン化すべき金属試料を封入した金属試料カプ
セルを収容する試料室と、この試料室内の金属試料カプ
セルを電子衝撃で加熱する電子放出源と、上記試料室に
直結され上記電子放出源による電子衝撃で生成された金
属蒸気をイオン化するプラズマ生成室と、上記試料室内
の金属試料カプセルの温度に応じて上記電子放出源の電
子加速電圧をフィードバック制御する制御装置とを有す
ることを特徴とするイオン注入装置用超高温金属イオン
源。 - (2)イオン化すべき金属試料を封入した金属試料カプ
セルを収容する試料室の内壁に熱シールド部材を施した
特許請求の範囲第1項に記載のイオン注入装置用超高温
金属イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61116227A JPS62274541A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | イオン注入装置用超高温金属イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61116227A JPS62274541A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | イオン注入装置用超高温金属イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274541A true JPS62274541A (ja) | 1987-11-28 |
Family
ID=14681977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61116227A Pending JPS62274541A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | イオン注入装置用超高温金属イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274541A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126163A (en) * | 1990-09-05 | 1992-06-30 | Northeastern University | Method for metal ion implantation using multiple pulsed arcs |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP61116227A patent/JPS62274541A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126163A (en) * | 1990-09-05 | 1992-06-30 | Northeastern University | Method for metal ion implantation using multiple pulsed arcs |
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