JPH0555836A - 増幅器 - Google Patents

増幅器

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JPH0555836A
JPH0555836A JP20928891A JP20928891A JPH0555836A JP H0555836 A JPH0555836 A JP H0555836A JP 20928891 A JP20928891 A JP 20928891A JP 20928891 A JP20928891 A JP 20928891A JP H0555836 A JPH0555836 A JP H0555836A
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amplifier
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Tetsuro Itakura
倉 哲 朗 板
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、差動出力タイプの高利得増幅器や
プッシュプル構成の多段増幅器の初段あるいは中間段に
用いて好適な増幅回路を提供することを目的とする。 【構成】 複数段で構成される増幅器1において、少な
くとも初段或いは中間段を構成する増幅段2は、入力信
号の電位変化を差動の電流変化に変換するトランスコン
ダクター2aと、前記トランスコンダクター2aの各々
の出力に接続される(1/gm3)の値を持つ負荷2b及
び2cと、前記トランスコンダクター2aの差動出力を
入力とし正帰還ループを形成するように前記トランスコ
ンダクター2aの差動出力に接続されたgm2のトランス
コンダクタンスを持つ差動入力差動出力のトランスコン
ダクター2dにより構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高利得の増幅器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来差動出力タイプの増幅器は、Sudhir
M. Mallyaらが、“Design Procedu-res for a Fully D
ifferential Folded-Dascode CMOS Operational Amplif
ier”、IEEE JSSC Vol.24, Dec, 1989 のFig. 1(第1
の従来例)に示しているように、1段構成をしており、
高利得を実現するために負荷のトランジスタをカスコー
ド接続の構成にしている。この時、カスコード接続して
いるトランジスタのゲート電位を発生させるバイアス回
路が必要となるだけでなく、最大出力振幅が小さくなる
という欠点を有していた。最大出力振幅は、Rinaldo Ca
stelloらが、“A High-Perrormance Micropower Switch
ed- Capacitor Filter”、IEEE JSSCVol.20, Dec, 1985
のFig. 7及びFig. 8(第2の従来例)で説明している
ようなダイナミック・バイアスの手法を用いて改善され
るが、回路規模が大きくなるという欠点があった。
【0003】また、従来の2段構成の増幅器は、駆動能
力を上げるために、John A. Fisherが、“A High-Perfo
rmance CMOS Power Amplifier ”、IEEE JSSC Vol.20,D
ec, 1985 のFig. 2(a)で説明しているようなAB級
ソース・フォロワを2段目(出力段)に一般的に用いて
いるが、最大出力振幅が小さくなるという欠点があっ
た。これを避けるために、USP4383223のFig. 2(第3の
従来例)に示されるような、プッシュプル構成が提案さ
れている。しかしながら、第3の従来例の回路では、入
力から、第1の出力トランジスタ18までの経路は2段
構成であるが、入力から、第2のトランジスタ16まで
の経路は1段構成であり、完全なプッシュプル構成とは
なっていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の差動出力タイプの高利得増幅器やプッシュプル構成
の増幅器に適した初段或いは中間段に用いて好適な増幅
回路は無く、所望の利得や出力振幅を得るためには回路
規模が大きくなったり、また、疑似的なプッシュプル構
成となっていた。
【0005】よって、本発明は差動出力型の高利得増幅
器やプッシュプル増幅器の初段或いは中間段に適した増
幅回路を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の増幅器は、入力電圧信号のレベルに応じてレベ
ルが相補的に変化する一対の電流出力を正及び負出力端
子から出力するgm1のトランスコンダクタンスを有する
第1トランスコンダクタ2aと、上記第1トランスコン
ダクタの正及び負出力端子と接地間に夫々接続された
(1/gm3)の値を有する第1及び第2負荷2b,2c
と、一対の入力端子が上記記第1トランスコンダクタの
正及び負出力端子に夫々接続されて入力端子間の電圧差
に応じてレベルが相補的に変化する一対の電流出力を発
生するgm2のトランスコンダクタンスを持つ第2トラン
スコンダクタ2dと、上記第2トランスコンダクタの一
対の電流出力の各々を上記第2トランスコンダクタの一
対の入力端子の各々に同相で帰還する正帰還ループとを
備えることを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明によると、トランスコンダクタ2dは正
帰還のループを形成し、トランスコンダクタ2aのトラ
ンスコンダクタンスをgm1とすると、トランスコンダク
タ2aの入力からトランスコンダクタ2dの出力に至る
dcの伝達特性は±gm1/(gm2−gm3)となる。この
(gm2−gm3)を制御することにより、所望利得の差動
出力が得られる。よって、各差動出力端に出力段を付加
することにより回路規模を著しく増大させることなく容
易に差動出力タイプの高利得増幅器を構成することがで
きる。また、一方の出力を反転及びレベルシフトしてP
チャネルFETP1のゲートに、他方の出力をNチャネ
ルFET N1のゲートに接続し、P1とN1のドレイ
ン同士を接続して簡単にプッシュプル構成を実現でき
る。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は、本発明に係る差動出力型の高利得増幅器
のブロック図を示しており、多段増幅器の例えば初段を
構成する増幅段2は、トランスコンダクタ2a及び2
d、負荷2b及び2cによって構成される。各トランス
コンダクタは、供給される差動入力信号の電位変化を差
動の電流変化に変換する電圧信号−電流信号変換器であ
り、例えば電流出力型差動増幅器によって構成される。
トランスコンダクタ2aの正及び負入力端子間には入力
信号Vin- 及びVin+ による差動入力信号が供給され
る。トランスコンダクタ2aの正及び負出力端子には
(1/gm3)の値を持つ負荷2b及び2cが夫々接続さ
れる。トランスコンダクタ2aの正出力端子にはトラン
スコンダクタ2dの負入力端子及び負出力端子が接続さ
れる。トランスコンダクタ2aの負出力端子にはトラン
スコンダクタ2dの正入力端子及び正出力端子が接続さ
れる。従って、トランスコンダクタ2dはトランスコン
ダクタ2aの差動出力を入力とする正帰還ループを形成
する。また、トランスコンダクタ2aの正及び負出力端
子は増幅器2の出力端子となり、次段の出力増幅器3a
及び3bが夫々接続される。 かかる構成において、ト
ランスコンダクタ2aのトランスコンダクタンスを
m1、トランスコンダクタ2dのトランスコンダクタン
スをgm2とすると、増幅器2のdcの伝達特性は後述す
るように±gm1/(gm2−gm3)として表される。よっ
て、(gm2−gm3)を制御することによって所望の利得
の差動出力が得られる。
【0009】トランスコンダクタ2aの両出力に寄生の
コンダクタンスg0があるときは、dcの伝達特性は±
m1/(gm2−gm3−g0 )となるが、同様に(gm2
m3)を制御することにより、利得の調節が可能であ
る。この時はgm2=gm3で利得が最大となる。よって、
出力増幅段3a及び3bを介して増幅段2の差動出力を
取り出すことにより、回路規模を著しく増大させること
なく、また、カスコード接続を用いないので出力振幅を
大きくとれる差動出力タイプの高利得増幅器を構成する
ことが出来る。
【0010】図2は、増幅器2の等価回路を示してお
り、例えば、“Analysis and Designof Analog Integra
ted Circuits"の第3.4.4 章で紹介されているHalfCircu
it Conceptを用いて導出される。図2において、vid
差動入力(=Vin+ −Vin- )、vodを差動出力とする
と、 (vod/2)={(−vidm1/2)+( vidm2/2)} /(
m3+g0 )が成立し、dcゲインは、 vod/vid=−gm1/(gm3−gm2+g0 ) により
求められる。よって、コンダクタンスg0 がないときd
cゲインは、−gm1/(gm3−gm2)となり、gm2=g
m3のとき、ゲインは−gm1/g0 で最大になる。
【0011】図3は、図1に示した実施例の具体例であ
る。同図において電流源i1 とトランジスタM1 及びM
2 はトランスコンダクタ2aを構成し、ゲート・ドレイ
ン間を接続したトランジスタM3 ,M4 は各々(1/g
m3)の値を持つ負荷2b及び2cを構成している。トラ
ンジスタM5及びM6と電流源i2,i4a, i4bはトラン
スコンダクタ2dを構成している。トランジスタM8 と
電流源i3aは出力段3aを構成し、トランジスタM7 と
電流源i3bは出力段3bを構成している。トランジスタ
M7 のゲート・ドレイン間に接続されたコンデンサCc1
及びトランジスタM8 のゲート・ドレイン間に接続され
たコンデンサCc2はいずれも位相補償用のコンデンサで
ある。
【0012】このように図1で説明した通り、回路規模
を著しく増大させることなく容易に差動出力タイプの高
利得増幅器を構成することができる。また、出力段3a
あるいは3bのどちらかを省いて単一出力の増幅器とし
て用いることもできる。また、トランスコンダクタ2d
の電流源i4a,i4bは省略することが可能である。
【0013】更に、負荷2b及び2cのコンダクタンス
m3は、夫々トランジスタM3 及びM4 のgm であり、
トランジスタのチャネルの幅Wと長さLの比であるW/
Lと入力Vin- とVin+とがバランスしたときにトラン
ジスタM3 及びM4 に流れる電流で決定される。トラン
スコンダクタ2dのコンダクタンスgm2はトランジスタ
M5 及びM6 のコンダクタンスgm で、W/Lとトラン
ジスタM5 及びM6 に流れる電流で決定されるので、g
m3とgm2の制御は容易になされる。
【0014】図3の実施例では、トランスコンダクタ2
aを構成しているトランジスタM1及びM2 のドレイン
に付加する出力コンダクタンスや、トランスコンダクタ
2dを構成しているトランジスタM5及びM6のドレイ
ンに付加する出力コンダクタンスがあるので、gm2=g
m3の時に、図1で説明した通り利得は最大となる。
【0015】図4の実施例は、負荷2b及び2cを構成
しているトランジスタM3 、M4 をPチャネルFETで
構成した変形例であり、図3に示された実施例と同様の
効果が得られる。
【0016】図5は、本発明の増幅器をプッシュプル構
成に適用した例を示している。図5において、2つの入
力端子から増幅段2の2つの出力端子に至る2つの信号
経路の利得は等しく、位相は180度異なっている。増
幅段2の一方の出力を反転レベルシフト手段3cを介し
てトランジスタP1 のゲートに接続し、増幅段2の他方
の出力をトランジスタN1 のゲートに接続し、トランジ
スタP1 及びN1 のドレイン同士を接続し、また、トラ
ンジスタP1 及びN1 のソースを各々電源Vdd及びVss
に接続することにより、入力端子からN1 のドレイン
(出力端子)までの経路も、入力端子からP1 のドレイ
ン(出力端子)までの経路も共に2段構成となりプッシ
ュプル構成を容易に実現できる。
【0017】図6に図5で示した実施例の具体例を示
す。図3で説明したように、トランジスタM1 〜M6 及
び電流源i1,i2,i4a及びi4bで増幅段2を構成してい
る。トランジスタM3c1 とM3c2 は反転レベルシフト手
段3cを構成しており、トランジスタP1 とN1 はプッ
シュプルの出力段を構成している。コンデンサCc3は位
相補償用コンデンサである。
【0018】ここで、電流源i1 ,i2 ,i4a及びi4b
により供給される電流I1 ,I2 ,I4a及びI4bを、 I2 /2=I4a=I4b と設定し、また、トランジスタM1 〜M6 (W/L)M1=(W/L)M2 (W/L)M3=(W/L)M4 (W/L)M5=(W/L)M6 で、更に、 [(W/L) M3c1*(W/L) P1/(W/L)M3/(W/L)M3c2]=[(W/L) N1/(W/L)M4] であるので、Vin- =Vin+ の時は、トランジスタM5
,M6 にはI2 /2の等しい電流が流れて電流源i4a
及びi4bに吸入され、トランジスタM1 〜M4 にはI1
/2の等しい電流が流れるので、出力トランジスタN1
及びP1 には、 [(W/L)N1/(W/L)M4]*I1 /2 なる電流が流れている。
【0019】Vin- >>Vin+ のときは、電流源i1 か
らの電流I1 は全てトランジスタM2 側に流れ、このと
きトランジスタM5 のゲート電位がトランジスタM6 の
ゲート電位より低いので、トランジスタM4 には、I1
+I2 /2の電流が流れ、トランジスタM3 には電流は
流れない。トランジスタM3 とカレントミラーの関係に
あるトランジスタM5 にも電流は流れず、トランジスタ
P1 には電流は流れない。一方、トランジスタN1 には
[(W/L)N1/(W/L)M4]*(I1 +I2/2)
の電流の電流が流れる。これはVin- =Vin+であると
きの2倍以上の電流値である。
【0020】同様に、Vin- <<Vin+ のときは、トラ
ンジスタN1 には電流は流れず、トランジスタP1 には (W/L)M3c1*(W/L)P1/(W/L)M3/(W
L)M3c2* (I1 +I2 /2) の電流とVin- =Vin+
のときの2倍以上の電流が流れる。トランスコンダクタ
2dの無い、すなわち、トランジスタM5 及びM6 と電
流源i2 ,i4a及びi4bの無い従来の1段構成の増幅器
の場合は、Vin- <<Vin+ のとき、或いはVin- >>
Vin+ のときに、トランジスタP1 あるいはN1 に流れ
る電流はVin- =Vin+ のときの2倍なので、本実施例
によると利得が増大するだけでなく駆動能力も増大でき
るという利点もある。
【0021】また、Vin- =Vin+ のときに、トランジ
スタP1 あるいはN1 に流れる電流が多くなるが、電流
源i4a及びi4bは、 (I2 /2) >>I4a=I4bとして
良い。また、電流源i4a及びi4bは省略することが可能
である。
【0022】図7は、フォールディッド・カスコード構
成の増幅器に本発明を適用した例を示す。図7におい
て、ゲートが接地されているトランジスタM3 ,M4 の
入力インピーダンスが負荷2a,2bに対応している。
こうした場合は、出力振幅に関しては改善できないが、
増幅段が2段構成となるので、より高利得が得られる。
また、図6で説明したように、 (I1 +I2)/2=I5a=I5b と電流源を設定することにより、駆動能力の増大を可能
とする。図7に示すように、ゲート・ドレイン同士を接
続したトランジスタMNL1 ,MNL2をトランジスタ
M3 及びM4 のソース間に差動振幅制限用に接続するこ
とにより動作点のより一層の安定化を図ることもでき
る。
【0023】図8に他の増幅器の例を示す。これは、Ri
naldo Casterllo 等が提案した、“A High-Performance
Micropower Switched-Capacitor Filter",IEEE JSSC V
ol.20,Dec.1985 のFig.4に示されるAB級増幅器に本
発明を適用した例である。増幅回路の基本的な動作は上
記文献に述べられている通りである。トランジスタMN
1 、MN2 、MP1 、MP2 はトランスコンダクタ2a
を構成しおり、電流の流出方向と電流の吸込方向の両方
向について、差動出力を有している。トランジスタMN
B1 、MNB2 、MPB1 及びMPB2 と電流源iB1及
びiB2はレベルシフト回路を形成する。このレベルシフ
ト回路はトランスコンダクタ2aのトランジスタMN1
及びMN2 のゲートに入力される差動入力電圧をダイオ
ード2個相当のレベルシフトを行ってトランジスタMP
1 及びMP2 のゲートに与える。トランジスタMP3 と
MP4 はトランスコンダクタ2aの電流の吸込方向の差
動出力側の負荷であり、トランジスタMN3 とMN4 は
電流の流出方向の差動出力側の負荷である。トランジス
タMP3 とMP5 は第1電流ミラー回路、トランジスタ
MP4 とMP6 は第2電流ミラー回路、トランジスタM
N3 とMN5 は第3電流ミラー回路、トランジスタMN
4 とMN6 は第4電流ミラー回路を構成する。第1及び
第3電流ミラー回路の出力差はトランスコンダクタ2a
のMP2 出力端子に正帰還される。第2及び第4電流ミ
ラー回路の出力差はトランスコンダクタ2aのMP1 出
力端子に正帰還される。この結果、第1〜第4電流ミラ
ー回路は帰還回路としてトランスコンダクタ2dと同様
の機能を果たす。コンデンサCc1は位相補償用である。
【0024】この実施例の場合、図5の反転レベルシフ
ト手段3cは必要なく、トランスコンダクタ2aの電流
の流出方向と電流の吸込方向の両側の出力をトランジス
タP1 及びN1 のゲートに各々接続すれば良く、前述し
た実施例と同様の効果が得られる。
【0025】図9は、図8に示された実施例において正
帰還用のトランスコンダクタ2d及び2eをトランジス
タMP5 とMP6 と、トランスコンダクタ2aのトラン
ジスタMP1 及びMP2 のゲート入力用のレベルシフト
回路を構成している電流源iB1及びiB2からの電流IB1
及びIB2とを用いて変形した例であり、同様の効果が得
られる。
【0026】なお、上述した各実施例では、FETを用
いた構成で説明しているが、バイポーラトランジスタを
用いても同様に構成することができる。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、多段増幅器の初段
あるいは中間段にトランスコンダクタを用いた正帰還ル
ープを有する増幅段を用いることにより、差動出力タイ
プの高利得増幅器や、プッシュプル構成の増幅器を小さ
な回路規模で実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示すブロック図。
【図2】図1の等価回路を示す回路図。
【図3】図1に示された実施例の具体回路を示す回路
図。
【図4】図1に示された実施例の他の具体回路を示す回
路図。
【図5】本発明をプッシュプル構成の増幅器に適用した
例を示すブロック図。
【図6】図5に示された実施例の具体例回路を示す回路
図。
【図7】本発明をフォールディド・カスコード構成の増
幅器に適用した例を示す回路図。
【図8】本発明の他の実施例を示す回路図。
【図9】本発明の他の実施例を示す回路図。
【符号の説明】
2 増幅段 2a 増幅段を構成するトランスコンダクタ 2b 増幅段を構成する負荷 2c 増幅段を構成する負荷 2d 増幅段を構成する正帰還用のトランスコンダクタ 2f 増幅段に存在する出力コンダクタンス 2g 増幅段に存在する出力コンダクタンス 3a 出力段 3b 出力段 3c 反転レベルシフト手段 P1 プッシュプル構成の出力段を構成するPチャネル
FET N1 プッシュプル構成の出力段を構成するNチャネル
FET P2 プッシュプル構成の出力段を構成するPチャネル
FET N2 プッシュプル構成の出力段を構成するNチャネル
FET Vin+ 正入力端子 Vin- 負入力端子 Vout 出力端子 Vout+ 正出力端子 Vout- 負出力端子 VB バイアス電位

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力電圧信号のレベルに応じてレベルが相
    補的に変化する一対の電流出力を正及び負出力端子から
    出力する第1トランスコンダクタと、 前記第1トランスコンダクタの正及び負出力端子と接地
    間に夫々接続された第1及び第2負荷と、 一対の入力端子が前記第1トランスコンダクタの正及び
    負出力端子に夫々接続されて入力端子間の電圧差に応じ
    てレベルが相補的に変化する一対の電流出力を発生する
    第2トランスコンダクタと、 前記第2トランスコンダクタの一対の電流出力の各々を
    前記第2トランスコンダクタの一対の入力端子の各々に
    同相で帰還する正帰還ループと、 を備えることを特徴とする増幅器。
  2. 【請求項2】前記第1及び第2負荷のコンダクタンス値
    と前記第2トランスコンダクタのコンダクタンス値が異
    なることを特徴とする請求項1記載の増幅器。
  3. 【請求項3】前記第1及び第2トランスコンダクタは差
    動トランジスタ対によって構成されることを特徴とする
    請求項1記載の増幅器。
  4. 【請求項4】第1端子から第4端子に流れる第1電流路
    の電流値と第2端子から第3端子に流れる第2電流路の
    電流値とを入力電圧信号のレベルに応じて相補的に変化
    させる第1トランスコンダクタと、 前記第1トランスコンダクタの第1及び第2端子と接地
    間に夫々接続された第1及び第2負荷と、 前記第1トランスコンダクタの第3及び第4端子と接地
    間に夫々接続された第3及び第4負荷と、 前記第1端子に流入する電流と前記第3端子から流出す
    る電流の差電流を前記第2若しくは前記第4端子に与
    え、前記第2端子に流入する電流と前記第4端子から流
    出する電流の差電流を前記第1若しくは前記第3端子に
    与える帰還回路を備えたことを特徴とする増幅器。
  5. 【請求項5】前記負荷はダイオード接続された能動素子
    あるいは制御端子が接地された能動素子であることを特
    徴とする請求項1または4記載の増幅器。
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