JPH0555923B2 - - Google Patents
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- JPH0555923B2 JPH0555923B2 JP57050585A JP5058582A JPH0555923B2 JP H0555923 B2 JPH0555923 B2 JP H0555923B2 JP 57050585 A JP57050585 A JP 57050585A JP 5058582 A JP5058582 A JP 5058582A JP H0555923 B2 JPH0555923 B2 JP H0555923B2
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- Japan
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- magnetic
- layer
- pole
- thin film
- magnetic pole
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録装置の高周波特性を改善せし
めんとする薄膜磁気ヘツドに関する。
めんとする薄膜磁気ヘツドに関する。
近年、実用に供されている薄膜磁気ヘツドは、
例えば第１図に示す断面図の如く、薄膜磁性体か
ら成る下部磁極１と上部磁極２の間に一端にギヤ
ツプＧを形成する為の間隙を有し、且つ他端、即
ちリアギヤツプＡが直接接続された磁気回路中に
絶縁層を介して電気的に連続な導体から成るコイ
ル３を挟みトランスデユーサーを形成するという
構成を有している。かかる構成の薄膜磁気ヘツド
は、周知の如く下部磁極１及び上部磁極２が高透
磁率の磁性体から成つており、磁気記憶媒体７に
書き込まれたビツト長Ｐを有する磁化Ｍからの漏
洩磁界が一部前述の下部磁性１と上部磁極２から
成る磁気回路を経由することになり、従つて、そ
の際にコイル３に誘導電圧を生じ、即ち、磁気記
憶媒体７の磁化情報を電気信号に変換するもので
ある。しかし、高密度記憶領域においては磁気記
憶媒体７に書き込まれたビツト長Ｐが短かくなる
と同時に動作周波数も高くなり、このため後述の
理由で電気信号に変換すべき磁界信号が弱くなり
ばかりでなく、従来の薄膜磁気ヘツドでは上下各
磁極の周波数特性のために高周波になれば効率が
低下し、電気信号の出力は小さくなるものであつ
た。又、逆に薄膜ヘツドによつて、高周波の電気
信号を磁化情報として磁気記憶媒体７上に書き込
む際にも、充分な書き込みはできず、言わゆる
Ｒ／Ｗ効率の低下が見られるものであつた。
例えば第１図に示す断面図の如く、薄膜磁性体か
ら成る下部磁極１と上部磁極２の間に一端にギヤ
ツプＧを形成する為の間隙を有し、且つ他端、即
ちリアギヤツプＡが直接接続された磁気回路中に
絶縁層を介して電気的に連続な導体から成るコイ
ル３を挟みトランスデユーサーを形成するという
構成を有している。かかる構成の薄膜磁気ヘツド
は、周知の如く下部磁極１及び上部磁極２が高透
磁率の磁性体から成つており、磁気記憶媒体７に
書き込まれたビツト長Ｐを有する磁化Ｍからの漏
洩磁界が一部前述の下部磁性１と上部磁極２から
成る磁気回路を経由することになり、従つて、そ
の際にコイル３に誘導電圧を生じ、即ち、磁気記
憶媒体７の磁化情報を電気信号に変換するもので
ある。しかし、高密度記憶領域においては磁気記
憶媒体７に書き込まれたビツト長Ｐが短かくなる
と同時に動作周波数も高くなり、このため後述の
理由で電気信号に変換すべき磁界信号が弱くなり
ばかりでなく、従来の薄膜磁気ヘツドでは上下各
磁極の周波数特性のために高周波になれば効率が
低下し、電気信号の出力は小さくなるものであつ
た。又、逆に薄膜ヘツドによつて、高周波の電気
信号を磁化情報として磁気記憶媒体７上に書き込
む際にも、充分な書き込みはできず、言わゆる
Ｒ／Ｗ効率の低下が見られるものであつた。
上述の高周波信号磁界領域において、Ｒ／Ｗ効
率が低下するのは、諸種の原因によるものである
が、一つは周知の如く、磁気記憶媒体７の表面と
薄膜磁気ヘツドの浮上面との距離（スペーシン
グ）Ｓや、下部磁極１と上部磁極２とが成すギヤ
ツプＧがビツト長Ｐに比し相対的に大きくなり、
下部及び上部磁極に到達する磁束量が減少するこ
とと、更には、下部及び上部磁極によつて形成さ
れる磁気回路の磁気抵抗が増加することが主であ
る。前者はスペーシングＳやギヤツプＧの大きさ
を変更すれば高周波特性を改善できるが、後者に
おいては、一般に広い周波数域の全域に渡つて、
低い磁気抵抗を有する磁性材料が必要であるが、
このような材料の開発は容易でなく、従つて高周
波特性の優れた薄膜磁気ヘツドを実現するのは困
難であつた。
率が低下するのは、諸種の原因によるものである
が、一つは周知の如く、磁気記憶媒体７の表面と
薄膜磁気ヘツドの浮上面との距離（スペーシン
グ）Ｓや、下部磁極１と上部磁極２とが成すギヤ
ツプＧがビツト長Ｐに比し相対的に大きくなり、
下部及び上部磁極に到達する磁束量が減少するこ
とと、更には、下部及び上部磁極によつて形成さ
れる磁気回路の磁気抵抗が増加することが主であ
る。前者はスペーシングＳやギヤツプＧの大きさ
を変更すれば高周波特性を改善できるが、後者に
おいては、一般に広い周波数域の全域に渡つて、
低い磁気抵抗を有する磁性材料が必要であるが、
このような材料の開発は容易でなく、従つて高周
波特性の優れた薄膜磁気ヘツドを実現するのは困
難であつた。
本発明の目的は前記従来の欠点を解決し、高周
波領域においてＲ／Ｗ効率の優れた薄膜磁気ヘツ
ドを提供することである。
波領域においてＲ／Ｗ効率の優れた薄膜磁気ヘツ
ドを提供することである。
本発明は下部磁極と上部磁極の少くとも一方
が、主磁性層と副磁性層から成る２層膜で形成さ
れ、前記主磁性層は低周波領域において高い透磁
率を有し、前記副磁性層は前記主磁性層より高周
波領域において高い透磁率を有し、かつ下部磁極
と上部磁極に挟まれた導体層（コイル）に面する
側が副磁性層であることを特徴とする。
が、主磁性層と副磁性層から成る２層膜で形成さ
れ、前記主磁性層は低周波領域において高い透磁
率を有し、前記副磁性層は前記主磁性層より高周
波領域において高い透磁率を有し、かつ下部磁極
と上部磁極に挟まれた導体層（コイル）に面する
側が副磁性層であることを特徴とする。
一般に、薄膜磁気ヘツドの上下磁極は高い透磁
率と高周波信号磁界における透磁率の低下が少な
いものが望まれるが、両者を兼ね備えた磁気特性
を有する薄膜磁性体を製作するのは困難である。
例えば、第２図の曲線Ｃに示す如く、下部磁極及
び上部磁極の透磁率は、低周波信号磁界領域で高
い値を示しても信号磁界の周波数が高くなると、
ある程度の周波数から急峻に低下する。これは、
高周波領域における薄膜磁気ヘツドの上下磁極か
ら成る磁気回路の磁気抵抗の増加を意味し、従つ
てＲ／Ｗ効率を低下させるものであつた。第２図
の曲線Ｃは下部磁極及び上部磁極として用いる
Ni82％−Fe18％の組成を持ち厚み2μｍのパーマ
ロイ（メツキ膜）の典型的な透磁率の周波数特性
を示している。第２図の曲線Ｃに示したパーマロ
イの例にも限らず、低周波領域において高い透磁
率を有する磁性薄膜は多くの場合高周波領域で急
峻な透磁率の低下を示す。つまり、高周波信号磁
界領域において前述のスペーシングロス及びギヤ
ツプロス等を改善せしめたとしても、依然、上下
磁極の透磁率の低下、即ち、上下磁極で形成する
磁気回路の磁気抵抗の増加により、Ｒ／Ｗの効率
は低下するものである。
率と高周波信号磁界における透磁率の低下が少な
いものが望まれるが、両者を兼ね備えた磁気特性
を有する薄膜磁性体を製作するのは困難である。
例えば、第２図の曲線Ｃに示す如く、下部磁極及
び上部磁極の透磁率は、低周波信号磁界領域で高
い値を示しても信号磁界の周波数が高くなると、
ある程度の周波数から急峻に低下する。これは、
高周波領域における薄膜磁気ヘツドの上下磁極か
ら成る磁気回路の磁気抵抗の増加を意味し、従つ
てＲ／Ｗ効率を低下させるものであつた。第２図
の曲線Ｃは下部磁極及び上部磁極として用いる
Ni82％−Fe18％の組成を持ち厚み2μｍのパーマ
ロイ（メツキ膜）の典型的な透磁率の周波数特性
を示している。第２図の曲線Ｃに示したパーマロ
イの例にも限らず、低周波領域において高い透磁
率を有する磁性薄膜は多くの場合高周波領域で急
峻な透磁率の低下を示す。つまり、高周波信号磁
界領域において前述のスペーシングロス及びギヤ
ツプロス等を改善せしめたとしても、依然、上下
磁極の透磁率の低下、即ち、上下磁極で形成する
磁気回路の磁気抵抗の増加により、Ｒ／Ｗの効率
は低下するものである。
一方、第２図の曲線ＤはNi82％−Fe18％の組
成を持つ厚み2μｍのパーマロイ（スパツタリン
グ膜）の典型的な透磁率の周波数特性を示すもの
である。曲線Ｃと比較して明らかな様に、曲線Ｄ
は低周波領域における透磁率は小さいものの高周
波における透磁率の低下はほとんど見られず、高
周波領域では曲線Ｄが曲線Ｃよりも高い透磁率を
示す。この特性の違いは、パーマロイの作製手段
の違いによるものではなく、スパツタリングで形
成したパーマロイ薄膜でも、スパツタリング条件
によつては低周波領域においては曲線Ｃと同じく
高い透磁率を示し、高周波領域では急峻な透磁率
の低下を示す膜が得られる。
成を持つ厚み2μｍのパーマロイ（スパツタリン
グ膜）の典型的な透磁率の周波数特性を示すもの
である。曲線Ｃと比較して明らかな様に、曲線Ｄ
は低周波領域における透磁率は小さいものの高周
波における透磁率の低下はほとんど見られず、高
周波領域では曲線Ｄが曲線Ｃよりも高い透磁率を
示す。この特性の違いは、パーマロイの作製手段
の違いによるものではなく、スパツタリングで形
成したパーマロイ薄膜でも、スパツタリング条件
によつては低周波領域においては曲線Ｃと同じく
高い透磁率を示し、高周波領域では急峻な透磁率
の低下を示す膜が得られる。
本発明は、上述の事実に基づいてなされたもの
である。
である。
以下、本発明について実施例を示す図面を用い
て説明する。
て説明する。
第３図は本発明を適用した４ターンのコイルを有
する薄膜磁気ヘツドの断面構造を示す。即ち、第
３図は、薄膜磁気ヘツドのスライダーとなる基板
材６上に絶縁層５を介して主磁性層８、副磁性層
９から成る下部磁極１が形成され、ついで、ギヤ
ツプＧを規定する絶縁層４及び電気的導体より成
るコイル３が形成されている。コイル３は段差解
消及び電気的磁気的絶縁を目的とする絶縁物（例
えばレジスト等）１０で充填され、下部磁極１と
同様に副磁性層１２と主磁性層１１との２層膜か
ら成る上部磁極２で覆われている。副磁性層９及
び１２は主磁性層８及び１１よりも、少なくとも
高周波信号磁界領域では高い透磁率を有する磁性
体から成り、コイル３に面する側に位置してお
り、即ち、ギヤツプＧを成している。主磁性層８
及び１１は、第２図に示す曲線Ｃの如く比較的低
い周波数の信号磁界領域で高い透磁率を有する磁
性体が用いられる。例えば前述した如くメツキ法
によつて作製したパーマロイ薄膜、ある種の特別
の条件下におけるスパツタリング、例えば、低ガ
ス圧雰囲気中でのスパツタリング等によつて作製
したパーマロイ薄膜、更にはある種のアモルフア
ス合金薄膜等が適する。
する薄膜磁気ヘツドの断面構造を示す。即ち、第
３図は、薄膜磁気ヘツドのスライダーとなる基板
材６上に絶縁層５を介して主磁性層８、副磁性層
９から成る下部磁極１が形成され、ついで、ギヤ
ツプＧを規定する絶縁層４及び電気的導体より成
るコイル３が形成されている。コイル３は段差解
消及び電気的磁気的絶縁を目的とする絶縁物（例
えばレジスト等）１０で充填され、下部磁極１と
同様に副磁性層１２と主磁性層１１との２層膜か
ら成る上部磁極２で覆われている。副磁性層９及
び１２は主磁性層８及び１１よりも、少なくとも
高周波信号磁界領域では高い透磁率を有する磁性
体から成り、コイル３に面する側に位置してお
り、即ち、ギヤツプＧを成している。主磁性層８
及び１１は、第２図に示す曲線Ｃの如く比較的低
い周波数の信号磁界領域で高い透磁率を有する磁
性体が用いられる。例えば前述した如くメツキ法
によつて作製したパーマロイ薄膜、ある種の特別
の条件下におけるスパツタリング、例えば、低ガ
ス圧雰囲気中でのスパツタリング等によつて作製
したパーマロイ薄膜、更にはある種のアモルフア
ス合金薄膜等が適する。
本実施例の薄膜磁気ヘツドは、低い周波数信号
磁界領域、即ちビツト長Ｐが、下部磁極１及び上
部磁極２の２つの主磁性層８及び１１とで形成す
る間隔G′より比較的大きい場合には、高い透磁
率を有する主磁性層８及び１１とで成す磁気回路
を主に信号磁界が経由することになる。一方高い
周波数信号磁界領域、即ち、ビツト長Ｐが間隔
G′より小さい場合には、ギヤツプＧを形成し、
かつ高い周波数領域では主磁性層８及び１１より
も高い透磁率を有する副磁性層９及び１２とで形
成される磁気回路を主に信号磁界が経由すること
になる。即ち、低周波領域では主磁性層８及び１
１が、高周波領域では副磁性層９及び１２の信号
磁界の径路の担い手となる。かかる構成で、主磁
性層８及び１１と副磁性層９及び１２の膜厚を適
切な値に選定すれば、下部磁極１と上部磁極２と
で形成する磁気回路は低い周波数信号磁界から高
い周波数信号磁界に渡つて、磁気抵抗の変動の少
ないものが得られ、Ｒ／Ｗ効率の優れた薄膜磁気
ヘツドが得られる。尚、このような、主磁性層と
副磁性層からなる磁極の構成は、下部磁極１又は
上部磁極２のいずれか一方に施されていてもよ
い。この場合上述の例よりも高周波特性に於いて
若千劣るけれども同様の効果が期待される。
磁界領域、即ちビツト長Ｐが、下部磁極１及び上
部磁極２の２つの主磁性層８及び１１とで形成す
る間隔G′より比較的大きい場合には、高い透磁
率を有する主磁性層８及び１１とで成す磁気回路
を主に信号磁界が経由することになる。一方高い
周波数信号磁界領域、即ち、ビツト長Ｐが間隔
G′より小さい場合には、ギヤツプＧを形成し、
かつ高い周波数領域では主磁性層８及び１１より
も高い透磁率を有する副磁性層９及び１２とで形
成される磁気回路を主に信号磁界が経由すること
になる。即ち、低周波領域では主磁性層８及び１
１が、高周波領域では副磁性層９及び１２の信号
磁界の径路の担い手となる。かかる構成で、主磁
性層８及び１１と副磁性層９及び１２の膜厚を適
切な値に選定すれば、下部磁極１と上部磁極２と
で形成する磁気回路は低い周波数信号磁界から高
い周波数信号磁界に渡つて、磁気抵抗の変動の少
ないものが得られ、Ｒ／Ｗ効率の優れた薄膜磁気
ヘツドが得られる。尚、このような、主磁性層と
副磁性層からなる磁極の構成は、下部磁極１又は
上部磁極２のいずれか一方に施されていてもよ
い。この場合上述の例よりも高周波特性に於いて
若千劣るけれども同様の効果が期待される。
尚、下部磁極と上部磁極を主磁性層及び副磁性
層とに分割し形成することは何等、薄膜磁気ヘツ
ドの製造プロセスを煩雑にするのではなく、例え
ば、前述した如くスパツタリング法で上部磁極及
び下部磁極を形成するならば、単にスパツタ条件
を成膜の途中に変更するのみで良い。
層とに分割し形成することは何等、薄膜磁気ヘツ
ドの製造プロセスを煩雑にするのではなく、例え
ば、前述した如くスパツタリング法で上部磁極及
び下部磁極を形成するならば、単にスパツタ条件
を成膜の途中に変更するのみで良い。
以上、説明したように本発明によれば、何等、
製造プロセスを煩雑にすることなく、高周波特性
の優れた薄膜磁気ヘツドを提供できるものであ
る。
製造プロセスを煩雑にすることなく、高周波特性
の優れた薄膜磁気ヘツドを提供できるものであ
る。
第１図は従来の薄膜磁気ヘツドの構成を示す断
面図で、第２図は本発明の上部及び下部磁極を構
成する主磁性層及び副磁性層の透磁率の周波数変
化を示す特性図で、第３図は本発明の薄膜磁気ヘ
ツドの構成を示す断面図である。 図において、１は下部磁極、２は上部磁極、３
はコイル、６は基板材、７は磁気記憶媒体、８及
び１１は主磁性層、９及び１２は副磁性層を示
す。
面図で、第２図は本発明の上部及び下部磁極を構
成する主磁性層及び副磁性層の透磁率の周波数変
化を示す特性図で、第３図は本発明の薄膜磁気ヘ
ツドの構成を示す断面図である。 図において、１は下部磁極、２は上部磁極、３
はコイル、６は基板材、７は磁気記憶媒体、８及
び１１は主磁性層、９及び１２は副磁性層を示
す。
Claims (1)
- １ 下部磁極と上部磁極との間に、導体層からな
るコイルを挟んでなる薄膜磁気ヘツドにおいて、
前記下部磁極と前記上部磁極の少くとも一方は、
主磁性層と副磁性層の２つの磁性層より成り、前
記主磁性層は低周波領域において高い透磁率を有
し、前記副磁性層は前記主磁性層より高周波領域
において高い透磁率を有し、かつ前記導体層に面
する側が副磁性層であることを特徴とする薄膜磁
気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5058582A JPS58166523A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5058582A JPS58166523A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166523A JPS58166523A (ja) | 1983-10-01 |
| JPH0555923B2 true JPH0555923B2 (ja) | 1993-08-18 |
Family
ID=12863045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5058582A Granted JPS58166523A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166523A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724015A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film magnetic head |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP5058582A patent/JPS58166523A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58166523A (ja) | 1983-10-01 |
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