JPS58166523A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS58166523A JPS58166523A JP5058582A JP5058582A JPS58166523A JP S58166523 A JPS58166523 A JP S58166523A JP 5058582 A JP5058582 A JP 5058582A JP 5058582 A JP5058582 A JP 5058582A JP S58166523 A JPS58166523 A JP S58166523A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
Landscapes
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- Electromagnetism (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶媒体の＾鵬波特性を改僑せしめんとす
る薄膜磁気へ、ドＫ１１ｉする。
る薄膜磁気へ、ドＫ１１ｉする。
近ヰ、実用に供されている薄ａａ気へ、ドは、例えは謝
１図に不すｉＩＴ面図の如く、薄換磁性悴から成る）し
誠機ｌと上部磁−２０関に一端にギャップＧをＪ？成す
る為の間隙を有し、且つ他端、即ちす７ギヤツプムがａ
ｍ接続された磁気回路中に結紐−を介して電気的に連続
な導体から成るコイル３を挾みトランスデユーサ−を形
成するという構成を有している。かかる構成のｍ展磁気
へ、ドは、胸知の如く下１ｌｉ１１磁Ｉｋｌ及び上部磁
極２が＾透率の榛性体から成っており、磁気記憶媒体７
に書き込まれたビｙト＆Ｐを有する磁化ＭからＯｔｈ！
洩磁界が−［１述の下１１磁性ｌと上＃＠＊２から成る
磁気回路を経由することになり、従って、その際にコイ
ル３に醜尋電圧を生じ、岬ち、磁気記憶媒体７の磁化情
報を電気信号に東換するものである。
１図に不すｉＩＴ面図の如く、薄換磁性悴から成る）し
誠機ｌと上部磁−２０関に一端にギャップＧをＪ？成す
る為の間隙を有し、且つ他端、即ちす７ギヤツプムがａ
ｍ接続された磁気回路中に結紐−を介して電気的に連続
な導体から成るコイル３を挾みトランスデユーサ−を形
成するという構成を有している。かかる構成のｍ展磁気
へ、ドは、胸知の如く下１ｌｉ１１磁Ｉｋｌ及び上部磁
極２が＾透率の榛性体から成っており、磁気記憶媒体７
に書き込まれたビｙト＆Ｐを有する磁化ＭからＯｔｈ！
洩磁界が−［１述の下１１磁性ｌと上＃＠＊２から成る
磁気回路を経由することになり、従って、その際にコイ
ル３に醜尋電圧を生じ、岬ち、磁気記憶媒体７の磁化情
報を電気信号に東換するものである。
しかし、ｌｌ１１１冒度記憶儀域においては磁気記憶媒
体７Ｋｌｌｉを込まれ九ビ、ト長Ｐが短ｆくなると同時
に劇作周波数も＾くなり、このため妓述の理由で電気信
号に変換すべ會磁界伯号が制くなる社かりでなく、従来
の薄膜磁気ヘッドでは上下各龜橡の鵬Ｉ＆畝特性のため
Ｋ１１ｋｌｌ液になれは効率が低下し、電気信号の出力
拡小さくなるものであった。又、逆に薄膜へ、ドによっ
て、＾周波の電気信号を磁化情報として磁気記憶媒体７
上に書き込む際にも、充分な−き込みはできず、菖わゆ
るＢ・／Ｗ効率の低下が見られるものであった。
体７Ｋｌｌｉを込まれ九ビ、ト長Ｐが短ｆくなると同時
に劇作周波数も＾くなり、このため妓述の理由で電気信
号に変換すべ會磁界伯号が制くなる社かりでなく、従来
の薄膜磁気ヘッドでは上下各龜橡の鵬Ｉ＆畝特性のため
Ｋ１１ｋｌｌ液になれは効率が低下し、電気信号の出力
拡小さくなるものであった。又、逆に薄膜へ、ドによっ
て、＾周波の電気信号を磁化情報として磁気記憶媒体７
上に書き込む際にも、充分な−き込みはできず、菖わゆ
るＢ・／Ｗ効率の低下が見られるものであった。
上述の１１ｂ周波信号磁界領域において、Ｒ／Ｗ効率が
低下するのは、−楓の原因ｃＣよるものであるが、一つ
は周知の如く、磁気記憶媒体７０六面と薄膜磁気へ、ド
の浮上向との距離（スペーシング）Ｓや、下ｅ輯働ｌと
下部磁極２とか成すギヤ、プＵがビｙトｋＰに比し相対
的１ζ大きくｔす、′）部及び上部−機に到趣するｉ束
量が減少することと、爽には、ト部及び上−ｍ棚によっ
て層成される磁気回路の磁気抵抗が増加する仁とが土で
ある。商者はスペーシングＳやギヤ、プＧθ大きさを変
更すれはｌ１ｉ４＋緬教特性を改善できるか、恢孟にお
いては、一般に広いＪ！ＩＩ波ｃ城の全域に渡って、匹
い磁気抵抗を有する磁性材料が心機であるが、このよ５
な剃料Ｖ開尭は容易でなく、従って一周波持社の情れた
薄膜−気へ、ドを実境するのは困難であった・ 本発明の目的は＾Ｕ紀便米の欠点を屏決し、尚胸波餉域
においてｉｌ／ｌ／率の優れたｆ４哄−気へ。
低下するのは、−楓の原因ｃＣよるものであるが、一つ
は周知の如く、磁気記憶媒体７０六面と薄膜磁気へ、ド
の浮上向との距離（スペーシング）Ｓや、下ｅ輯働ｌと
下部磁極２とか成すギヤ、プＵがビｙトｋＰに比し相対
的１ζ大きくｔす、′）部及び上部−機に到趣するｉ束
量が減少することと、爽には、ト部及び上−ｍ棚によっ
て層成される磁気回路の磁気抵抗が増加する仁とが土で
ある。商者はスペーシングＳやギヤ、プＧθ大きさを変
更すれはｌ１ｉ４＋緬教特性を改善できるか、恢孟にお
いては、一般に広いＪ！ＩＩ波ｃ城の全域に渡って、匹
い磁気抵抗を有する磁性材料が心機であるが、このよ５
な剃料Ｖ開尭は容易でなく、従って一周波持社の情れた
薄膜−気へ、ドを実境するのは困難であった・ 本発明の目的は＾Ｕ紀便米の欠点を屏決し、尚胸波餉域
においてｉｌ／ｌ／率の優れたｆ４哄−気へ。
本発明は下部磁極と上Ｓ磁栴の少くとも一方か、主磁性
層と−ｊ磁性層から成る２層膜で形成され、＾１ｊ配副
伍性鳩は釣船主磁性層より一絢波領域において―いａ磁
率を有し、かつ下部磁極と下部磁極に挾まれた尋体−（
コイル）Ｋ面する側が呵磁性虐であることを特徴とする
。 −紋に、博膜蜘気へ、ドの上Ｆａ極は
＾い透磁率と＾鵬ｅ信号−界における透磁率の低下が少
ないものが−まれるが、ＴＩ＃者を兼ね備えた磁気特性
を自する薄膜磁性体を製作するのは困−である。
層と−ｊ磁性層から成る２層膜で形成され、＾１ｊ配副
伍性鳩は釣船主磁性層より一絢波領域において―いａ磁
率を有し、かつ下部磁極と下部磁極に挾まれた尋体−（
コイル）Ｋ面する側が呵磁性虐であることを特徴とする
。 −紋に、博膜蜘気へ、ドの上Ｆａ極は
＾い透磁率と＾鵬ｅ信号−界における透磁率の低下が少
ないものが−まれるが、ＴＩ＃者を兼ね備えた磁気特性
を自する薄膜磁性体を製作するのは困−である。
ｔｙｇえは、第２ｉ１Ｏ曲−Ｃに示す如く、下部磁樹反
ひ上部ｄ１橡のｉｋ磁率は、低周波ｉ＝号蜘界領域で尚
い−をがしても４Ａ号磁界の胸ｉＩＩ［畝が尚くなると
、ある−にの周＃畝から急峻に低−トする。これは、＾
鵬波桐域における薄線磁気へ、トの−Ｅ↑゛磁−から成
る磁気回路の磁気抵抗の増加ｔ！すし、従ってＲ／％ｈ
効率を低下させるものであった。第２−の曲１ＩＩＣは
下ｓｌａ物及び上部磁極として用いるＮｉ８２％−ｐｅ
ｔｓ％のｌｌＩ＆を持ち階み２μｍのパーマロイ（メッ
キ膜）の典型的な透磁率ｏｊＩｉ１波数特性をボしてい
る。第２図の曲ＭＣＫボしたパーマロイの例に限らす、
低周波ｍ域において＾い透磁率ｔ−有する磁性薄膜は多
くの場合＆制波領域で急緩な透磁率の低下を示す、つま
り、＾胸波ＯＩ号磁界領域においては前述のスペーシン
グロス及びギヤ、ブース等を改善せしめたとしても、依
然、上）磁−の透磁率の低下、岬も、上−ト蝉槍で形成
する磁気回路の磁気抵抗の増加により、）ｌ／Ｗの効率
は低下するものである。
ひ上部ｄ１橡のｉｋ磁率は、低周波ｉ＝号蜘界領域で尚
い−をがしても４Ａ号磁界の胸ｉＩＩ［畝が尚くなると
、ある−にの周＃畝から急峻に低−トする。これは、＾
鵬波桐域における薄線磁気へ、トの−Ｅ↑゛磁−から成
る磁気回路の磁気抵抗の増加ｔ！すし、従ってＲ／％ｈ
効率を低下させるものであった。第２−の曲１ＩＩＣは
下ｓｌａ物及び上部磁極として用いるＮｉ８２％−ｐｅ
ｔｓ％のｌｌＩ＆を持ち階み２μｍのパーマロイ（メッ
キ膜）の典型的な透磁率ｏｊＩｉ１波数特性をボしてい
る。第２図の曲ＭＣＫボしたパーマロイの例に限らす、
低周波ｍ域において＾い透磁率ｔ−有する磁性薄膜は多
くの場合＆制波領域で急緩な透磁率の低下を示す、つま
り、＾胸波ＯＩ号磁界領域においては前述のスペーシン
グロス及びギヤ、ブース等を改善せしめたとしても、依
然、上）磁−の透磁率の低下、岬も、上−ト蝉槍で形成
する磁気回路の磁気抵抗の増加により、）ｌ／Ｗの効率
は低下するものである。
一方、第２図の曲線Ｄ ＦｉＮ ｉ ８２ ％ −ｋ”
ｅ １ Ｂ ％の組成を持つノーみ２μｍのパーマロ
イ（スバ、タリング膜）の典麗的な透磁率の周波数特性
を不すものである０曲線Ｃと比較して明らかな橡Ｋ、曲
−りは低周波領域における透磁率は小さいものの鋳周波
における透磁率の低下ははとんど見られず、＾絢波韻域
では曲縁りが曲！ＩＣよりも高い透磁率を示す、この特
性の違いは、パーマロイの作製手段の違いによるもので
はなく、スペーシングで形成したパーマロイ薄膜でも、
スバ、タリング条件によっては低爛波領域においては曲
−〇と同じく＾い透磁率を示し、高周波領域でケよ急峻
な透磁率の低１を示す膜が得られる。
ｅ １ Ｂ ％の組成を持つノーみ２μｍのパーマロ
イ（スバ、タリング膜）の典麗的な透磁率の周波数特性
を不すものである０曲線Ｃと比較して明らかな橡Ｋ、曲
−りは低周波領域における透磁率は小さいものの鋳周波
における透磁率の低下ははとんど見られず、＾絢波韻域
では曲縁りが曲！ＩＣよりも高い透磁率を示す、この特
性の違いは、パーマロイの作製手段の違いによるもので
はなく、スペーシングで形成したパーマロイ薄膜でも、
スバ、タリング条件によっては低爛波領域においては曲
−〇と同じく＾い透磁率を示し、高周波領域でケよ急峻
な透磁率の低１を示す膜が得られる。
本発明は、上述の事実に基づいてなされたもの↑ある。
以）１本発明について集施例を示す１由を用いて説明す
る。
る。
謝３６ＮＪｕ本発明を適用し九４ターンのコイルを有す
る薄膜磁気へ、ド０断面構造を示す、却ち、第３図は、
薄膜磁気へ、ドのスライダーとなる基板材６上に絶に層
５を介して主磁性層８、副磁性層９から成る下部磁−１
が形成され、ついで、ギヤ、ブＧを規定する絶縁層４反
び電気的４体より成るコイル３が形成されている。コイ
ル３は段差解消及び亀気的但気的絶縁を目的とする絶縁
Ｉ＃ｌＪ（例えはレジスト等）１０″′Ｃ充填され、下
部磁極ｌと−ｊ様に−ｊ＠性層１２と主磁性層１１との
２鳩膜から成る上Ｓ磁−２で覆われている。Ｍｌ１ｍ性
層９＆び１２は主磁性層８＆び１１よりも、少なく・と
もＡ崗ｉＩＫ徊号磁界領域でＦｉ＾い透磁率を有する輯
性体から成り、コイル３［ｇする＠に位置しており。
る薄膜磁気へ、ド０断面構造を示す、却ち、第３図は、
薄膜磁気へ、ドのスライダーとなる基板材６上に絶に層
５を介して主磁性層８、副磁性層９から成る下部磁−１
が形成され、ついで、ギヤ、ブＧを規定する絶縁層４反
び電気的４体より成るコイル３が形成されている。コイ
ル３は段差解消及び亀気的但気的絶縁を目的とする絶縁
Ｉ＃ｌＪ（例えはレジスト等）１０″′Ｃ充填され、下
部磁極ｌと−ｊ様に−ｊ＠性層１２と主磁性層１１との
２鳩膜から成る上Ｓ磁−２で覆われている。Ｍｌ１ｍ性
層９＆び１２は主磁性層８＆び１１よりも、少なく・と
もＡ崗ｉＩＫ徊号磁界領域でＦｉ＾い透磁率を有する輯
性体から成り、コイル３［ｇする＠に位置しており。
岬ち、ギヤ、プ０を成している。主磁性ｍｌｔび１１Ｆ
ｉ、１ｉ４２図ＫｔＦす曲−Ｃの如く比較的低い周：Ｉ
Ｌ数のイｈ＠磁界領域で尚い透磁率を有する磁性体が用
いられる０例えば前述し良知（メッキ法によって作製し
たパーマレイ薄膜、ある極の特別の条件下におけるスパ
ッタリング１例えは、低ガス圧祢−気中でのスパッタリ
ング等によって作製したパーマレイ薄膜、史にはある抛
の７セルファス合＊薄験轡が逸する。
ｉ、１ｉ４２図ＫｔＦす曲−Ｃの如く比較的低い周：Ｉ
Ｌ数のイｈ＠磁界領域で尚い透磁率を有する磁性体が用
いられる０例えば前述し良知（メッキ法によって作製し
たパーマレイ薄膜、ある極の特別の条件下におけるスパ
ッタリング１例えは、低ガス圧祢−気中でのスパッタリ
ング等によって作製したパーマレイ薄膜、史にはある抛
の７セルファス合＊薄験轡が逸する。
本実り例の博績畿気へ、ドは、鉱い崗腋釘佃号輯昇４Ｍ
城、呻ちビット長Ｐが、下部−榛ｌ及びＥ部ａ橡２の２
つの主磁性−８及び１１とで形成する間Ｗ４ｕ′より比
較的大きい場合には、鋤い透伽半を有する主磁性層８反
び１１とで成す磁気回ｗＩｔ主に個も磁界が経由すると
とになる。一方＾い鵬波数信号磁界領域、却ち、ビット
擾Ｐが間−Ｇ′より／ｊｓ嘔い場合に鉱、キャップ０を
形成し、かっ＾い周波ＩＩＬ領域では主磁性層８及び１
１よりも＾い透磁率を自する副磁性層９及び１２とで形
成される磁気回路を主に信号磁界が経由することになる
。
城、呻ちビット長Ｐが、下部−榛ｌ及びＥ部ａ橡２の２
つの主磁性−８及び１１とで形成する間Ｗ４ｕ′より比
較的大きい場合には、鋤い透伽半を有する主磁性層８反
び１１とで成す磁気回ｗＩｔ主に個も磁界が経由すると
とになる。一方＾い鵬波数信号磁界領域、却ち、ビット
擾Ｐが間−Ｇ′より／ｊｓ嘔い場合に鉱、キャップ０を
形成し、かっ＾い周波ＩＩＬ領域では主磁性層８及び１
１よりも＾い透磁率を自する副磁性層９及び１２とで形
成される磁気回路を主に信号磁界が経由することになる
。
呻ち、低Ｊ１１１１Ｎ領域では主磁性層８及び１１が、
ハ周ｒＮ−城では副磁性層９及び１２が信号磁界の径路
の担い手となる。かかる構成で、主磁性層８反ひ１１と
開−性４９反び１２のＩＩＪ￥を適切な値にｍ 定ｔ
ｉｔ Ｆ！、下１１１１ｍ１ト１１１１１１Ｌ！２とで
形成する一気１１路祉低い周波ｆＩｉ信号磁界から−い
淘波紅情′＠磁Ｗに震りて、義気抵抗の変動の少ないも
のが得られ、Ｉｔ／Ｗ１１１＄の優れ友薄躾艇気へ、ド
が脅られる。尚、このような、主磁性層と副磁性層から
なる龜橡のＩ＃ＩＩ１．は、下酷磁−１Ｘ會ま上部磁伽
２のいずれか一方に１されていてもよい。この場合上述
の例よりもｉｋ胸波特性に歎いで看干劣るけれども同様
の効果が期待される。
ハ周ｒＮ−城では副磁性層９及び１２が信号磁界の径路
の担い手となる。かかる構成で、主磁性層８反ひ１１と
開−性４９反び１２のＩＩＪ￥を適切な値にｍ 定ｔ
ｉｔ Ｆ！、下１１１１ｍ１ト１１１１１１Ｌ！２とで
形成する一気１１路祉低い周波ｆＩｉ信号磁界から−い
淘波紅情′＠磁Ｗに震りて、義気抵抗の変動の少ないも
のが得られ、Ｉｔ／Ｗ１１１＄の優れ友薄躾艇気へ、ド
が脅られる。尚、このような、主磁性層と副磁性層から
なる龜橡のＩ＃ＩＩ１．は、下酷磁−１Ｘ會ま上部磁伽
２のいずれか一方に１されていてもよい。この場合上述
の例よりもｉｋ胸波特性に歎いで看干劣るけれども同様
の効果が期待される。
尚、下鄭龜物と上５ＷＩｋ−を主磁性漸次び副磁性−と
に分割し形成すること轄Ｎ番、麹換磁気ヘッドの劇造プ
ロセスを煩雑にするものではなく、例えは、前述しえ如
くスパッタリング法で上部ｍ椰及びＴｓａｉ−を形成す
るならは、単にスバ、り条件を地膜の途中に変災するの
みで良い。
に分割し形成すること轄Ｎ番、麹換磁気ヘッドの劇造プ
ロセスを煩雑にするものではなく、例えは、前述しえ如
くスパッタリング法で上部ｍ椰及びＴｓａｉ−を形成す
るならは、単にスバ、り条件を地膜の途中に変災するの
みで良い。
以上、８に明したように本発ＱＩＪＫよれば、何等、製
造プロセスを煩雑にすることなく、１周波特性の優れた
博＊ａ気へ、ドを提供できるものである。
造プロセスを煩雑にすることなく、１周波特性の優れた
博＊ａ気へ、ドを提供できるものである。
謝１図は従来のＩＩ繰伽気へ、ドの構成を暮す断面図で
、第２図は本発明の上部及び＝１１栖を構成する主磁性
Ｊ＊＆び副磁性−の透゛−率の周畝畝敦化を不す特性図
で、第３図は本発明の４−磁気ヘットのｕ＃Ｍｔｋ不す
断面図である。 図において、ｌ＃′ｉ下１１１１ｉ−物、２鉱上齢−徳
、３はコイル、６Ｆｉ！に材、７は一気に一縄体、８茂
び１１は主磁性層、９）ｉび１２ｕ副龜性−を不丁。 四 場 番
、第２図は本発明の上部及び＝１１栖を構成する主磁性
Ｊ＊＆び副磁性−の透゛−率の周畝畝敦化を不す特性図
で、第３図は本発明の４−磁気ヘットのｕ＃Ｍｔｋ不す
断面図である。 図において、ｌ＃′ｉ下１１１１ｉ−物、２鉱上齢−徳
、３はコイル、６Ｆｉ！に材、７は一気に一縄体、８茂
び１１は主磁性層、９）ｉび１２ｕ副龜性−を不丁。 四 場 番
Claims (1)
- 下ｅ１出椰と上部磁極との関に、棒体層からなるコイル
を挾んでなる薄−一気へ、ドにおいて、罰配下Ｓ−機と
繭記上部磁榔の少くとも一方は、主員性層とｍ磁性層の
２つの磁性層より属り、＃紀副蜘性崩Ｆｉ…」配主磁性
増よりＩＩＩＡ周波領域に２いて＾い通磁率を自し、か
つ創紀害体鳩に向する鉤が副磁性層であることを特像と
する薄Ｍ鼻気へ、ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5058582A JPS58166523A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5058582A JPS58166523A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166523A true JPS58166523A (ja) | 1983-10-01 |
| JPH0555923B2 JPH0555923B2 (ja) | 1993-08-18 |
Family
ID=12863045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5058582A Granted JPS58166523A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166523A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724015A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film magnetic head |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP5058582A patent/JPS58166523A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724015A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0555923B2 (ja) | 1993-08-18 |
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