JPH0227382Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は薄膜磁気ヘツド、とくにその磁気ヘ
ツドコア部に組成変化をつけたものに関するもの
である。

従来、薄膜磁気ヘツドのコアは、基板の上にパ
ーマロイ等を電着して作る。第１図は、薄膜磁気
ヘツドの主要部を示す断面図である。図におい
て、１はアルミナチタンカーバイト等の基板、２
は基板１上にスパツタ等で形成されたアルミナ等
の絶縁体、３はこの上に形成された第一磁気ヘツ
ドコア層で、パーマロイ等を電着によりつけたも
のである。

４はアルミナ、樹脂等の絶縁物よりなるギヤツ
プ層、５はギヤツプ層４を介して、第一磁気ヘツ
ドコア層３上に形成された第二磁気ヘツドコア層
で、３と同様、パーマロイ等を電着したものであ
る。６はアルミナ、樹脂等よりなる絶縁層、７は
銅などで形成されたコイルである。矢印Ｔは基板
１上に形成された各層の厚み方向を示す、Ａは媒
体との対向面を示す。次に、このような構成の薄
膜磁気ヘツドの動作について説明する。第一およ
び第二磁気ヘツドコア層３，５の間にまかれたコ
イル７に電流を流すことにより、磁気ヘツドコア
層３，５に磁界が発生し、Ａで示す媒体との対向
面からもれる磁界により媒体に記録される。

また、再生の場合は、すでに記録された媒体か
らのもれ磁束が対向面Ａを通じ磁気ヘツドコア層
３，５に入り、コイル７に誘起電圧が発生するこ
とにより、媒体の信号を電圧として取り出すこと
ができる。

第２図は、従来の薄膜磁気ヘツドのもれ磁界を
示す特性図であり、Ｈはもれ磁界の強さを示す。

従来の薄膜磁気ヘツドのもれ磁界は、第２図に
示すように、第一および第二磁気ヘツドコア層
３，５の間のギヤツプ層４中心で最大、第一およ
び第二磁気ヘツドコア層３，５の、ギヤツプ層４
から遠い端部で、それとは逆向きの強さをもつ。

このような特性をもつた磁気ヘツドで記録再生
を行つた場合、上記のギヤツプ層４から遠い端部
での逆向きのもれ磁界の影響により、再生波形に
歪みが生じる。

このことは磁気ヘツドの歪みの原因となり、再
生波形のピークシフト（ずれ）を増大させるなど
の欠点があつた。またこのことは、高密度記録へ
の障害となつていた。

特開昭55−22276号公報に示される薄膜磁気ヘ
ツドはこのようなピークシフト等の発生を抑えよ
うとするものであり、少なくとも一方のコア層を
複数枚の磁性体薄膜で構成し、各磁性体薄膜の透
磁率をギヤツプ層に近ずくにつれて大きくなるよ
うにしたものである。

しかしこのようにコア層を複数枚の別々の層に
すると層間での磁気特性に段階的不連続が生じ、
再生特性が段階的に変化する。

さらに各層を別工程で形成すれば層間に絶縁層
が形成されやすく、例えばこの不連続層間の絶縁
層を0.01μm程度にしてもその不連続性の影響に
より再生特性は不安定な変化を示すことが知られ
ている。

また、複数の層を形成することはそれに応じて
工程が増えるという欠点を有する。

この考案は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、第一磁気ヘツドコ
ア層及び第二磁気ヘツドコア層は、それぞれギヤ
ツプ層に近い端部の透磁率が高く、ギヤツプ層か
ら遠い端部の透磁率が低くなるように、各コア層
の組成の割合を連続的に変化させて形成すること
により、連続的に磁気特性が変化し、ギヤツプ層
から遠い端部でのもれ磁界の歪みを軽減して、再
生波形のずれを軽減しようとするものである。

以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。

第３図は、この考案の一実施例にかかわる第一
磁気ヘツドコア層の厚み方向の組成を示す特性図
である。

横軸は第一磁気ヘツドコア層３の絶縁層２から
の厚みを示す。縦軸はパーマロイ中のNiの含有
量である。

第４図はこの考案の一実施例にかかわる第一磁
気ヘツドコア層の厚み方向の透磁率を示す特性
図、第５図はパーマロイの電着時のメツキ電流
と、パーマロイの組成の関係の一例を示す特性
図、第６図はパーマロイの組成と透磁率の関係を
示す特性図である。

第３図に示されるような組成の第一磁気ヘツド
コア層３はギヤツプ層４に近い端部（即ちＴが大
きい部分）のNiの含有量がほぼ80％を示し、第
４図および第６図に示されるようにこの部分の透
磁率は高い値を示している。一方、ギヤツプ層４
から遠い端部（即ちＴが小さい部分）のNiの含
有量は90％近くあり、第４図および第６図に示さ
れるように、この部分の透磁率は低い値を示して
いる。従つて、ギヤツプ層４から遠い端部での透
磁率の急激な変化は防止でき、この部分でのもれ
磁界の逆方向磁束はほとんどなくなり、これによ
り、磁気ヘツドの再生波形のずれも軽減される。

このように透磁率に変化をつけた層を電着によ
り形成するには、第５図に示すメツキ電流とNi
の含有量との関係から、第７図に示すようにメツ
キ電流を時間とともに変化させて厚み方向に組成
を変化させてメツキ膜を作成すればよい。第７図
は、この考案の一実施例にかかわる第一磁気ヘツ
ドコア層の作成条件となるメツキ電流の時間変化
を示す曲線である。

また、上記説明は、第一磁気ヘツドコア層３の
場合であるが、第二磁気ヘツドコア層５は、これ
と逆の操作を行つて、ギヤツプ層４に近い端部の
透磁率を高く、即ち、Niの含有量を低く、ギヤ
ツプ層４から遠い端部の透磁率を低く、即ち、
Niの含有量が高くなるように電着条件を変化さ
せて作成することにより、第一磁気ヘツドコア層
３と同様、ギヤツプ層４から遠い端部で、逆方向
のもれ磁界が生じることを防ぐことができる。

以上のようにこの考案によれば、第一磁気ヘツ
ドコア層および第二磁気ヘツドコア層は、それぞ
れギヤツプ層に近い端部の透磁率が高く、ギヤツ
プ層から遠い端部の透磁率が低くなるように、各
コア層の組成の割合を連続的に変化させて形成し
たので、連続的に磁気特性が変化し、ギヤツプ層
から遠い端部の透磁率の急激な変化が防止でき、
もれ磁界の逆方向磁束がほとんど無くなり、それ
によつて、磁気ヘツドの再生波形のずれが軽減さ
れ、高密度記録が可能となる。また、各コア層は
その組成の割合が連続的に変化するように、例え
ば電着等によりメツキ電流を連続的に変化させて
形成でき、簡単な工程で特性の良いものが得られ
るという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜磁気ヘツドの主要部を示す断面
図、第２図は従来の薄膜磁気ヘツドのもれ磁界を
示す特性図、第３図はこの考案の一実施例にかか
わる第一磁気ヘツドコア層の厚み方向の組成を示
す曲線図、第４図はこの考案の一実施例にかかわ
る第一磁気ヘツドコア層の厚み方向の透磁率を示
す特性図、第５図はパーマロイの電着時のメツキ
電流とパーマロイの組成の関係の一例を示す特性
図、第６図はパーマロイの組成と透磁率の関係を
示す特性図、第７図はこの考案の一実施例にかか
わる第一磁気ヘツドコア層の作成条件となるメツ
キ電流の時間変化を示す曲線図である。図におい
て、１は基板、３は第一磁気ヘツドコア層、４は
ギヤツプ層、５は第二磁気ヘツドコア層である。
なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示
す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 基板上に形成された第一磁気ヘツドコア層、お
   よびこの第一磁気ヘツドコア層上にギヤツプ層を
   介して形成された第二磁気ヘツドコア層を備えた
   ものにおいて、上記第一磁気ヘツドコア層および
   第二磁気ヘツドコア層は、それぞれ上記ギヤツプ
   層に近い端部の透磁率が高く、上記ギヤツプ層か
   ら遠い端部の透磁率が低くなるように上記各コア
   層の組成の割合を連続的に変化させて形成したこ
   とを特徴とする薄膜磁気ヘツド。