JPH0556561B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0556561B2 JPH0556561B2 JP58142935A JP14293583A JPH0556561B2 JP H0556561 B2 JPH0556561 B2 JP H0556561B2 JP 58142935 A JP58142935 A JP 58142935A JP 14293583 A JP14293583 A JP 14293583A JP H0556561 B2 JPH0556561 B2 JP H0556561B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- magnetic layer
- thin film
- magnetic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気デイスク装置等に用いられる薄膜
磁気ヘツドに関するものである。この薄膜磁気ヘ
ツドは、周波数特性が優れており、半導体テクノ
ロジーに基づく製造プロセスが適用される為、精
度の高い磁気ヘツドを低価格で生産可能であるな
ど、今後の磁気ヘツドの主流になると考えられ
る。
磁気ヘツドに関するものである。この薄膜磁気ヘ
ツドは、周波数特性が優れており、半導体テクノ
ロジーに基づく製造プロセスが適用される為、精
度の高い磁気ヘツドを低価格で生産可能であるな
ど、今後の磁気ヘツドの主流になると考えられ
る。
第１図は、この様な薄膜磁気ヘツドの概略断面
図を示すものである。ここで、基板１１上に絶縁
層１２を介して、下部磁性体層１３が形成され、
その後、ギヤツプとなる絶縁層１４、コイル１
５、コイルの段差解消層１６が形成され、ついで
上部磁性体層１７およびオーバーコート層１８が
形成されている。
図を示すものである。ここで、基板１１上に絶縁
層１２を介して、下部磁性体層１３が形成され、
その後、ギヤツプとなる絶縁層１４、コイル１
５、コイルの段差解消層１６が形成され、ついで
上部磁性体層１７およびオーバーコート層１８が
形成されている。
ところで、前述の様な構造を有する薄膜磁気ヘ
ツドにおいては従来、同一の軟磁性体材料で上部
および下部磁性体層１７、１３が形成されており
上部磁性体層１７が第１図中、矢印で示したＡ
部、A′部で段差を経験する為、上部磁性体層１
７の磁気特性すなわち保持力Hc、透磁率μが下
部磁性体層１３に比して劣化し、しかもＡ部、
A′部では薄厚が小さくなる為磁気的飽和が前記
上部磁性体層１７中で生じ、書込み／読み出し効
率が大幅に低下することが指摘されていた。
ツドにおいては従来、同一の軟磁性体材料で上部
および下部磁性体層１７、１３が形成されており
上部磁性体層１７が第１図中、矢印で示したＡ
部、A′部で段差を経験する為、上部磁性体層１
７の磁気特性すなわち保持力Hc、透磁率μが下
部磁性体層１３に比して劣化し、しかもＡ部、
A′部では薄厚が小さくなる為磁気的飽和が前記
上部磁性体層１７中で生じ、書込み／読み出し効
率が大幅に低下することが指摘されていた。
その為、従来上部磁性体層１７の膜厚T′を下
部磁性体層１３の膜厚Ｔに比較して少なくても30
〜40％厚くし、Ａ部ないしはA′部での前述した
上部磁性体層１７の磁気特性の劣化の影響を最小
限とした薄膜磁気ヘツドが用いられていた。しか
しながら、この様な薄膜磁気ヘツドにおいては、
その製造方法としてスパツタ法等で上部磁性体層
１７を成す軟磁性体を成膜し、その後ドライエツ
チング法で所定形状の上部磁性体層１７を形成す
る方法の場合においては、その膜厚が厚い為、成
膜およびエツチングに多大の時間を要し、薄膜磁
気ヘツドの作業性、低価格性を大幅に損なうとい
う欠点があつた。更に、エツチング時間が長い
為、フオトレジストパターンの膜厚を厚く形成せ
ざるをえず高アスペクト比のフオトレジストパタ
ーンの形成が必須の条件となつており、プロセス
上大きな問題であつた。又、フオトレジストパタ
ーンの後退現象の影響も顕著となり、特に狭トラ
ツク幅の高記録密度用薄膜磁気ヘツドでは所定の
トラツク幅を精度良く現実するのが困難になるな
どプロセス上の大きな欠点を有していた。
部磁性体層１３の膜厚Ｔに比較して少なくても30
〜40％厚くし、Ａ部ないしはA′部での前述した
上部磁性体層１７の磁気特性の劣化の影響を最小
限とした薄膜磁気ヘツドが用いられていた。しか
しながら、この様な薄膜磁気ヘツドにおいては、
その製造方法としてスパツタ法等で上部磁性体層
１７を成す軟磁性体を成膜し、その後ドライエツ
チング法で所定形状の上部磁性体層１７を形成す
る方法の場合においては、その膜厚が厚い為、成
膜およびエツチングに多大の時間を要し、薄膜磁
気ヘツドの作業性、低価格性を大幅に損なうとい
う欠点があつた。更に、エツチング時間が長い
為、フオトレジストパターンの膜厚を厚く形成せ
ざるをえず高アスペクト比のフオトレジストパタ
ーンの形成が必須の条件となつており、プロセス
上大きな問題であつた。又、フオトレジストパタ
ーンの後退現象の影響も顕著となり、特に狭トラ
ツク幅の高記録密度用薄膜磁気ヘツドでは所定の
トラツク幅を精度良く現実するのが困難になるな
どプロセス上の大きな欠点を有していた。
一方、メツキフレーム法により上部磁性体層１
７を形成する場合においては、メツキフレームと
なるフオトレジストパターンの高さを大きくせね
ばならず、この方法においても、高アスペクト比
のフオトレジストパターンをいかに形成するかが
プロセス上大きな問題となつていた。又、メツキ
に要する時間も長時間となり、作業性にかけると
いう欠点があつた。更に、メツキ時間が長いとい
うことは、メツキ中の組成ズレの可能性が大きく
なることをも意味しており、メツキ中の組成コン
トロールを一層厳密に行なう必要が生じ、製造プ
ロセスに大きな負担をかけるという欠点を有して
いた。
７を形成する場合においては、メツキフレームと
なるフオトレジストパターンの高さを大きくせね
ばならず、この方法においても、高アスペクト比
のフオトレジストパターンをいかに形成するかが
プロセス上大きな問題となつていた。又、メツキ
に要する時間も長時間となり、作業性にかけると
いう欠点があつた。更に、メツキ時間が長いとい
うことは、メツキ中の組成ズレの可能性が大きく
なることをも意味しており、メツキ中の組成コン
トロールを一層厳密に行なう必要が生じ、製造プ
ロセスに大きな負担をかけるという欠点を有して
いた。
以上、述べて来たように、上部磁性体層１７の
膜厚を大きくすることにより、段差部での上部磁
性体層１７の磁気特性劣化の影響を抑制すること
は製造プロセス上、極めて重要な問題であり、プ
ロセスの作業性、再現性等の観点、あるいは、生
産コストの観点から見ると大きな問題であつた。
膜厚を大きくすることにより、段差部での上部磁
性体層１７の磁気特性劣化の影響を抑制すること
は製造プロセス上、極めて重要な問題であり、プ
ロセスの作業性、再現性等の観点、あるいは、生
産コストの観点から見ると大きな問題であつた。
本発明は以上の点に鑑み、前述した製造プロセ
ス上の種々の問題を解決し、安価で、優れた書込
み／読出し効率を有する薄膜磁気ヘツドを提供す
るものである。
ス上の種々の問題を解決し、安価で、優れた書込
み／読出し効率を有する薄膜磁気ヘツドを提供す
るものである。
本発明は軟磁性体より成る下部磁性体層と上部
磁性体層の間に導体より成るコイルを挾んで成る
薄膜磁気ヘツドにおいて、前記下部磁性体層を成
す第１の軟磁性体の保持力Hc、透磁率μおよび
飽和磁束密度Ｂと、前記上部磁性体層を成す第２
の軟磁性体の保持力H′c、透磁率μ′および飽和磁
束密度B′とがHc≧H′c、μ＜μ′およびＢ＜B′なる
関係を有していることを特徴とする薄膜磁気ヘツ
ドであり、このような構成をとることにより製造
の容易なしかも優れた書込み／読出し効率を有す
る薄膜磁気ヘツドが得られる。
磁性体層の間に導体より成るコイルを挾んで成る
薄膜磁気ヘツドにおいて、前記下部磁性体層を成
す第１の軟磁性体の保持力Hc、透磁率μおよび
飽和磁束密度Ｂと、前記上部磁性体層を成す第２
の軟磁性体の保持力H′c、透磁率μ′および飽和磁
束密度B′とがHc≧H′c、μ＜μ′およびＢ＜B′なる
関係を有していることを特徴とする薄膜磁気ヘツ
ドであり、このような構成をとることにより製造
の容易なしかも優れた書込み／読出し効率を有す
る薄膜磁気ヘツドが得られる。
以下、第２図を参照しながら、本発明を説明す
る。第２図において、基板２１上に絶縁層２２を
介して第１の軟磁性体より成る膜厚Ｔの下部磁性
体層２３をフオトエツチング技術等を用いて形成
し、その後ギヤツプとなる絶縁層２４、導体より
成るコイル２５、あるいはコイルの段差解消層２
６を形成した後、第２の軟磁性体より成る膜厚
T′（T′≦Ｔ）なる上部磁性体層２７が形成され、
その後オーバーコート層２８が成膜されている。
ここで前記上部磁性体層２７は前記下部磁性体層
２３を成す、保磁力Hc、透磁率μ、飽和磁束密
度Ｂなる第１の軟磁性体に対して、保持力Hc′、
透磁率μ′および飽和磁束密度B′がHc′≦Hc、μ′＞
μ、B′＞Ｂなる関係を有する第２の軟磁性体に
より構成されている。
る。第２図において、基板２１上に絶縁層２２を
介して第１の軟磁性体より成る膜厚Ｔの下部磁性
体層２３をフオトエツチング技術等を用いて形成
し、その後ギヤツプとなる絶縁層２４、導体より
成るコイル２５、あるいはコイルの段差解消層２
６を形成した後、第２の軟磁性体より成る膜厚
T′（T′≦Ｔ）なる上部磁性体層２７が形成され、
その後オーバーコート層２８が成膜されている。
ここで前記上部磁性体層２７は前記下部磁性体層
２３を成す、保磁力Hc、透磁率μ、飽和磁束密
度Ｂなる第１の軟磁性体に対して、保持力Hc′、
透磁率μ′および飽和磁束密度B′がHc′≦Hc、μ′＞
μ、B′＞Ｂなる関係を有する第２の軟磁性体に
より構成されている。
この様な薄膜磁気ヘツドにおいては、上部磁性
体層２７となる第２の軟磁性体の保磁力H′c、透
磁率μ′が下部磁性体層２３となる第１の軟磁性体
の保磁力Hc、透磁率μに対してH′c≦Hc、μ′＞
μなる関係にある為第２図中矢印で示した段差部
Ｂ部、あるいはB′部では段差により磁気特性は
劣化するものの、上部磁性体層をなす第２の軟磁
性体の平坦部での磁気特性値（保持力や透磁率の
値）が、下部磁性体層をなす第１の軟磁性体の磁
気特性値よりも優れているという本発明の構成を
とることにより、段差部で劣化が生じても劣化後
の磁気特性値を第１の軟磁性体の磁気特性値と同
等以上に維持することが可能であり、特性劣化の
影響は相対的に小さくなる。又飽和磁束密度が
B′＞Ｂなる関係にある為、上部磁性体層２７の
膜厚T′が下部磁性体層２３の膜厚Ｔに対して
T′≦Ｔであつても磁気的飽和が生じにくく、優
れた書込み読出し効率が実現できるという特徴を
有している。しかも前述の様に上部磁性体層２７
の膜厚を大きくする必要が無い為、前述した従来
例の有していた製造プロセス上の諸欠点、すなわ
ち成膜ないしはエツチングに長時間を要するこ
と、高アスペクト比のフオトレジストパターンを
形成することが困難であることなどが解決され、
薄膜磁気ヘツドの製造プロセス上極めて大きな意
義を有していると考えられる。
体層２７となる第２の軟磁性体の保磁力H′c、透
磁率μ′が下部磁性体層２３となる第１の軟磁性体
の保磁力Hc、透磁率μに対してH′c≦Hc、μ′＞
μなる関係にある為第２図中矢印で示した段差部
Ｂ部、あるいはB′部では段差により磁気特性は
劣化するものの、上部磁性体層をなす第２の軟磁
性体の平坦部での磁気特性値（保持力や透磁率の
値）が、下部磁性体層をなす第１の軟磁性体の磁
気特性値よりも優れているという本発明の構成を
とることにより、段差部で劣化が生じても劣化後
の磁気特性値を第１の軟磁性体の磁気特性値と同
等以上に維持することが可能であり、特性劣化の
影響は相対的に小さくなる。又飽和磁束密度が
B′＞Ｂなる関係にある為、上部磁性体層２７の
膜厚T′が下部磁性体層２３の膜厚Ｔに対して
T′≦Ｔであつても磁気的飽和が生じにくく、優
れた書込み読出し効率が実現できるという特徴を
有している。しかも前述の様に上部磁性体層２７
の膜厚を大きくする必要が無い為、前述した従来
例の有していた製造プロセス上の諸欠点、すなわ
ち成膜ないしはエツチングに長時間を要するこ
と、高アスペクト比のフオトレジストパターンを
形成することが困難であることなどが解決され、
薄膜磁気ヘツドの製造プロセス上極めて大きな意
義を有していると考えられる。
尚、本発明の一実施例としては第１の軟磁性体
として、例えば、NiFe合金膜（保磁力Hc
0.5o¨e、10MHzでの透磁率μ2000、飽和磁束密
度Ｂ10000Gauss）を使用した場合には、保磁
力Hc0.05o¨e、10MHzでの透磁率μ3000であ
り、飽和磁束密度Ｂ14000Gaussである
Co90Zr10（wt％）膜を第２の軟磁性体として使用
することが考えられる。
として、例えば、NiFe合金膜（保磁力Hc
0.5o¨e、10MHzでの透磁率μ2000、飽和磁束密
度Ｂ10000Gauss）を使用した場合には、保磁
力Hc0.05o¨e、10MHzでの透磁率μ3000であ
り、飽和磁束密度Ｂ14000Gaussである
Co90Zr10（wt％）膜を第２の軟磁性体として使用
することが考えられる。
第１図は従来例を示す概略断面図であり、第２
図は本発明の実施例を説明する為の概略断面図で
ある。 １１，２１……基板、１２、１４，２２，２４
……絶縁層、１３，２３……下部磁性体層、１
５，２５……コイル、１６，２６……段差解消
層、１７，２７……上部磁性体層、１８，２８…
…オーバーコート層。
図は本発明の実施例を説明する為の概略断面図で
ある。 １１，２１……基板、１２、１４，２２，２４
……絶縁層、１３，２３……下部磁性体層、１
５，２５……コイル、１６，２６……段差解消
層、１７，２７……上部磁性体層、１８，２８…
…オーバーコート層。
Claims (1)
- １ 軟磁性体より成る下部磁性体層と上部磁性体
層の間に、導体より成るコイルを挟んで成る薄膜
磁気ヘツドにおいて、前記下部磁性体層を成す第
１の軟磁性体の保持力Hc、透磁率μおよび飽和
磁束密度Ｂと、前記上部磁性体層を成す第２の軟
磁性体の保持力H′c、透磁率μ′および飽和磁束密
度B′とがHc≧H′c、μ＜μ′およびＢ＜B′なる関係
を有していることを特徴とする薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14293583A JPS6035316A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14293583A JPS6035316A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035316A JPS6035316A (ja) | 1985-02-23 |
| JPH0556561B2 true JPH0556561B2 (ja) | 1993-08-19 |
Family
ID=15327061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14293583A Granted JPS6035316A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035316A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2972226B2 (ja) * | 1989-05-24 | 1999-11-08 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH03241509A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5590008A (en) * | 1991-04-25 | 1996-12-31 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disc unit having a plurality of magnetic heads which include multilayer magnetic films |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150116A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-21 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP14293583A patent/JPS6035316A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6035316A (ja) | 1985-02-23 |
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