JPH0556562B2 - - Google Patents
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- JPH0556562B2 JPH0556562B2 JP138584A JP138584A JPH0556562B2 JP H0556562 B2 JPH0556562 B2 JP H0556562B2 JP 138584 A JP138584 A JP 138584A JP 138584 A JP138584 A JP 138584A JP H0556562 B2 JPH0556562 B2 JP H0556562B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
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-
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- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Magnetic Heads (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は薄膜磁気ヘツドに関し、特に磁性膜か
らなる素子を設けた基板上に接着剤を介して保護
板を接合した薄膜磁気ヘツドに関する。
らなる素子を設けた基板上に接着剤を介して保護
板を接合した薄膜磁気ヘツドに関する。
一般に薄膜磁気ヘツドは、フエライトなどの基
板上にセンダストやパーマロイなどの磁性膜や、
AU、CU、AL等の導電膜をスパツタリングや蒸
着などの薄膜堆積法により形成し、これらの薄膜
をフオトエツチング工程を経て記録再生を行なう
素子を構成する磁気回路及び記録再生信号を導く
電気回路のパターンを形成している。
板上にセンダストやパーマロイなどの磁性膜や、
AU、CU、AL等の導電膜をスパツタリングや蒸
着などの薄膜堆積法により形成し、これらの薄膜
をフオトエツチング工程を経て記録再生を行なう
素子を構成する磁気回路及び記録再生信号を導く
電気回路のパターンを形成している。
そしてこれらの回路パターンを保護すると共に
磁気記録媒体摺動面を形成するためにパターン上
にフエライトやガラス、アルミナなどの保護板を
低融点ガラスやエポキシ系接着剤、水ガラスなど
の接着剤を用いて貼り合わせ、磁気記録媒体摺動
面側を研削して完成した薄膜磁気ヘツドを得てい
る。
磁気記録媒体摺動面を形成するためにパターン上
にフエライトやガラス、アルミナなどの保護板を
低融点ガラスやエポキシ系接着剤、水ガラスなど
の接着剤を用いて貼り合わせ、磁気記録媒体摺動
面側を研削して完成した薄膜磁気ヘツドを得てい
る。
このような薄膜磁気ヘツドを製造する工程の途
中で、基板上のパターンに保護板を貼り合わせる
際、前述したように接着剤を介して保護板を重
ね、十分に加圧しながら加熱し、接着剤の硬化を
行つている。
中で、基板上のパターンに保護板を貼り合わせる
際、前述したように接着剤を介して保護板を重
ね、十分に加圧しながら加熱し、接着剤の硬化を
行つている。
ところで、接着剤を用いて保護板を接着させる
構造を採用すると、接着剤の硬化時の加熱により
接着剤中の溶剤が揮発したり、保護板の貼り合わ
せの際に外気が接着剤中に取り込まれる等の原因
で接着剤中に気泡が生じる。
構造を採用すると、接着剤の硬化時の加熱により
接着剤中の溶剤が揮発したり、保護板の貼り合わ
せの際に外気が接着剤中に取り込まれる等の原因
で接着剤中に気泡が生じる。
また一般的な炉により硬化の加熱を行なうと、
接着剤層の外部と内部で温度勾配が生じ、接着剤
層の外部から硬化が始まるので、上記の原因によ
り発生した気泡接着剤層中に閉じ込められてしま
う。
接着剤層の外部と内部で温度勾配が生じ、接着剤
層の外部から硬化が始まるので、上記の原因によ
り発生した気泡接着剤層中に閉じ込められてしま
う。
このように保護板を接合する接着剤層中に気泡
が存在すると次のような各種の問題が生じる。
が存在すると次のような各種の問題が生じる。
(1) 薄膜磁気ヘツドの磁性膜から形成された素子
部近傍、特に磁気記録媒体摺動面付近に気泡が
存在すると、磁気記録媒体摺動面側を円筒面を
形成するように研削する際に接着剤層に研削だ
れが生じ、スペーシング損失を引き起こす原因
となつたり、接着剤層のクラツクやチツピング
等が発生し、磁気ヘツドの特性を著しく劣化さ
せてしまう。
部近傍、特に磁気記録媒体摺動面付近に気泡が
存在すると、磁気記録媒体摺動面側を円筒面を
形成するように研削する際に接着剤層に研削だ
れが生じ、スペーシング損失を引き起こす原因
となつたり、接着剤層のクラツクやチツピング
等が発生し、磁気ヘツドの特性を著しく劣化さ
せてしまう。
(2) 薄膜磁気ヘツドの基板又は保護板と、接着剤
層の境界面に気泡が発生すると接着面積が減少
し、接着強度が低下し、保護板が剥離してしま
う。
層の境界面に気泡が発生すると接着面積が減少
し、接着強度が低下し、保護板が剥離してしま
う。
(3) 封じ込められた気泡中の気体が温度変化によ
つて膨張あるいは収縮し、磁気ヘツドの信頼性
を低下させる。
つて膨張あるいは収縮し、磁気ヘツドの信頼性
を低下させる。
(4) 磁気記録媒体摺動面側に気泡が存在すると磁
気記録媒体側の磁性粉が凹部となつた気泡の跡
に溜つてしまう。
気記録媒体側の磁性粉が凹部となつた気泡の跡
に溜つてしまう。
(5) 磁気記録媒体摺動面側に存在する気泡の後か
ら水が浸入して磁性膜から成る素子の腐食が発
生し易くなる。
ら水が浸入して磁性膜から成る素子の腐食が発
生し易くなる。
本発明は上記の各問題を解決するためになされ
たもので、上述の保護板を基板上に接合する接着
剤層中に気泡が存在することのないように構成す
ることにより種々の特性および信頼性を向上させ
た薄膜磁気ヘツドの提供を目的とする。
たもので、上述の保護板を基板上に接合する接着
剤層中に気泡が存在することのないように構成す
ることにより種々の特性および信頼性を向上させ
た薄膜磁気ヘツドの提供を目的とする。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳
細に説明する。なおここでは記録再生用の素子と
して磁気抵抗効果素子（以下MR素子と呼ぶ）を
用いた磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘツドに本発明
を適用した例を実施例とする。
細に説明する。なおここでは記録再生用の素子と
して磁気抵抗効果素子（以下MR素子と呼ぶ）を
用いた磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘツドに本発明
を適用した例を実施例とする。
〔第１実施例〕
第１図および第２図は本発明の第１実施例によ
る薄膜磁気ヘツドの構造を示すもので、第１図は
保護板接合前の状態、第２図は保護板接合後の状
態を示している。
る薄膜磁気ヘツドの構造を示すもので、第１図は
保護板接合前の状態、第２図は保護板接合後の状
態を示している。
第１図において符号１で示すものは矩形の平坦
なプレートに形成されたガラス基板で、このガラ
ス基板１上には、磁気記録媒体との摺動面側とな
る図中側縁に寄つた側に細長い矩形の磁性膜から
なる３個のMR素子２が所定間隔で一直線状に並
んで設けられている。
なプレートに形成されたガラス基板で、このガラ
ス基板１上には、磁気記録媒体との摺動面側とな
る図中側縁に寄つた側に細長い矩形の磁性膜から
なる３個のMR素子２が所定間隔で一直線状に並
んで設けられている。
また基板１上には、MR素子２の信号を導く一
直線状の信号電極３が互いに平行に６本設けられ
ており、それぞれの先端は３個のMR素子２の両
端部に一本ずつ接続されており、後端は図中下
側、すなわち摺動面の反対側に導かれている。こ
れらの信号電極は例えばアルミニウム薄膜から形
成される。
直線状の信号電極３が互いに平行に６本設けられ
ており、それぞれの先端は３個のMR素子２の両
端部に一本ずつ接続されており、後端は図中下
側、すなわち摺動面の反対側に導かれている。こ
れらの信号電極は例えばアルミニウム薄膜から形
成される。
また本実施例にあつては基板１上に符号４で示
す略コの字状の発熱用パターンが形成されてい
る。同図に示されるように発熱用パターン４は３
個のMR素子２の上側（摺動面側）近傍および６
本の信号電極３の両側近傍に沿つて設けられてい
る。この発熱用パターン４は例えばアルミニウム
薄膜から形成される。
す略コの字状の発熱用パターンが形成されてい
る。同図に示されるように発熱用パターン４は３
個のMR素子２の上側（摺動面側）近傍および６
本の信号電極３の両側近傍に沿つて設けられてい
る。この発熱用パターン４は例えばアルミニウム
薄膜から形成される。
そして第２図に示すように３個のMR素子１の
全体、６本の信号電極３の上部および発熱用パタ
ーン４の上部を覆つて矩形の保護板５がガラス基
板１上に接着剤を介して接合される。保護板５は
例えばフエライトやガラス、アルミナ等からな
り、また接着剤としては例えば水ガラス等が用い
られる。
全体、６本の信号電極３の上部および発熱用パタ
ーン４の上部を覆つて矩形の保護板５がガラス基
板１上に接着剤を介して接合される。保護板５は
例えばフエライトやガラス、アルミナ等からな
り、また接着剤としては例えば水ガラス等が用い
られる。
本実施例にあつては接着剤により保護板５を接
合する際に接着剤を硬化させるために発熱用パタ
ーン４を発熱させ、それにより接着剤層中に発生
した気泡が閉じこめられない状態で接着剤層を硬
化させる。
合する際に接着剤を硬化させるために発熱用パタ
ーン４を発熱させ、それにより接着剤層中に発生
した気泡が閉じこめられない状態で接着剤層を硬
化させる。
以下にその接合工程も含む薄膜磁気ヘツドの製
造工程を、第３図を参照して詳細に説明する。
造工程を、第３図を参照して詳細に説明する。
同図に示される製造工程における最初のステツ
プS1においては先述のガラス基板１を洗浄する。
プS1においては先述のガラス基板１を洗浄する。
次のステツプS2においてはガラス基板１の表
面上に、後に先述のMR素子２となるパーマロイ
等の磁性膜と、信号電極３および発生用パターン
４になるアルミニウム膜とを、蒸着あるいはスパ
ツタリング等の方法により堆積して形成する。こ
の場合これらの磁性膜とアルミニウム膜は相互に
連続した状態で形成される。
面上に、後に先述のMR素子２となるパーマロイ
等の磁性膜と、信号電極３および発生用パターン
４になるアルミニウム膜とを、蒸着あるいはスパ
ツタリング等の方法により堆積して形成する。こ
の場合これらの磁性膜とアルミニウム膜は相互に
連続した状態で形成される。
次にステツプS3において上記のアルミニウム
膜に対してフオトリソグラフイによりエツチング
を施こすことにより信号電極３および発熱用パタ
ーン４を形成する。
膜に対してフオトリソグラフイによりエツチング
を施こすことにより信号電極３および発熱用パタ
ーン４を形成する。
続いてステツプS4において上記の磁性膜に対
してフオトリングラフイによりエツチングを施こ
すことによりMR素子２を形成する。
してフオトリングラフイによりエツチングを施こ
すことによりMR素子２を形成する。
さらにステツプS5においてMR素子２と信号電
極３を被覆するように基板１上に二酸化ケイ素
（SiO2）をスパツタリングすることにより、MR
素子２と信号電極２とを保護し磁気ヘツドの耐環
境性を向上させるための保護膜を形成する。
極３を被覆するように基板１上に二酸化ケイ素
（SiO2）をスパツタリングすることにより、MR
素子２と信号電極２とを保護し磁気ヘツドの耐環
境性を向上させるための保護膜を形成する。
続いてステツプS6において基板１の表面上の
摺動面側、すなわち第１図中に示す上部で上記の
保護膜と発熱用パターン４の上部を覆うように、
接着剤である水ガラスを適量塗布する。
摺動面側、すなわち第１図中に示す上部で上記の
保護膜と発熱用パターン４の上部を覆うように、
接着剤である水ガラスを適量塗布する。
次にステツプS7でガラス基板１上の上記の水
ガラス塗布部分、すなわち第２図に示す位置に保
護板５を重ね、貼り合わせる。
ガラス塗布部分、すなわち第２図に示す位置に保
護板５を重ね、貼り合わせる。
続くステツプS8においては先のステツプS7で
貼り合わせた保護板５を基板１方向に加圧すると
ともに、発熱用パターン４に通電させ、同パター
ンを発熱させる。
貼り合わせた保護板５を基板１方向に加圧すると
ともに、発熱用パターン４に通電させ、同パター
ンを発熱させる。
この発熱により保護板５と基板１間の水ガラス
の層が内部から硬化させられる。したがつて発熱
により水ガラス中の溶剤が揮発したり、保護板５
の貼り合わせの際に外気が水ガラス層中に取り込
まれたりして水ガラス層中に気泡が発生した場合
には、発生した気泡は水ガラス層中から外部へ逃
げることができ、水ガラス層中に閉じ込められる
ことはない。
の層が内部から硬化させられる。したがつて発熱
により水ガラス中の溶剤が揮発したり、保護板５
の貼り合わせの際に外気が水ガラス層中に取り込
まれたりして水ガラス層中に気泡が発生した場合
には、発生した気泡は水ガラス層中から外部へ逃
げることができ、水ガラス層中に閉じ込められる
ことはない。
従つて続くステツプS9において発熱用パター
ン４の発熱により水ガラス層の硬化が完了し、保
護板５の接合が完了した場合に、硬化した水ガラ
ス層中に気泡が存在することはない。
ン４の発熱により水ガラス層の硬化が完了し、保
護板５の接合が完了した場合に、硬化した水ガラ
ス層中に気泡が存在することはない。
特に発熱用パターン４の一部は摺動面側に沿つ
て設けられているのでこの部分での気泡の存在が
特に防止される。
て設けられているのでこの部分での気泡の存在が
特に防止される。
以上の如くして第２図に示される状態の薄膜磁
気ヘツドが得られる。さらにこの薄膜磁気ヘツド
の磁気記録媒体摺動面側に研削加工、仕上加工を
施すことにより完成品が得られる。
気ヘツドが得られる。さらにこの薄膜磁気ヘツド
の磁気記録媒体摺動面側に研削加工、仕上加工を
施すことにより完成品が得られる。
以上のように本実施例では接着剤の水ガラスは
硬化時に内部側から硬化させられるので硬化完了
後に水ガラス層中に気泡が存在することはない。
また特に重要な摺動面近傍部分の接着剤層中での
気泡の存在が効果的に防止される。
硬化時に内部側から硬化させられるので硬化完了
後に水ガラス層中に気泡が存在することはない。
また特に重要な摺動面近傍部分の接着剤層中での
気泡の存在が効果的に防止される。
なお発熱パターンの形状および配置は上記実施
例のそれに限るものではなく、この点の構成が異
なる実施例を以下に説明する。
例のそれに限るものではなく、この点の構成が異
なる実施例を以下に説明する。
〔第２実施例〕
第４図は本発明の第２実施例を示すものであ
る。同図に示されるように本実施例にあつては符
号６で示す発熱用パターンは、第１実施例の発熱
用パターン４と同じ形状と配置のパターンに、３
個のMR素子２の下側近傍に沿つて一直線状に形
成されたパターン部分６ａが加えられたパターン
として形成されている。
る。同図に示されるように本実施例にあつては符
号６で示す発熱用パターンは、第１実施例の発熱
用パターン４と同じ形状と配置のパターンに、３
個のMR素子２の下側近傍に沿つて一直線状に形
成されたパターン部分６ａが加えられたパターン
として形成されている。
以上の構造によれば発熱用パターン６の成膜お
よびエツチングプロセスは第１実施例に比較して
増加するが、３個のMR素子２全体のごく近傍が
発熱用パターン６によつて包囲される配置となる
ため、上述の製造工程における発熱用パターン６
の発熱による水ガラス層の硬化の際に、MR素子
２の近傍の加熱がより均一に行なわれる。このた
め、加熱時にこのMR素子２周辺部に発生する温
度勾配がより低くなり、特に重要なこの部分で発
泡のない接着をより効率的に行なえる。またより
広い領域で均一な硬化により接着が行なわれるた
め接着強度がより向上する。
よびエツチングプロセスは第１実施例に比較して
増加するが、３個のMR素子２全体のごく近傍が
発熱用パターン６によつて包囲される配置となる
ため、上述の製造工程における発熱用パターン６
の発熱による水ガラス層の硬化の際に、MR素子
２の近傍の加熱がより均一に行なわれる。このた
め、加熱時にこのMR素子２周辺部に発生する温
度勾配がより低くなり、特に重要なこの部分で発
泡のない接着をより効率的に行なえる。またより
広い領域で均一な硬化により接着が行なわれるた
め接着強度がより向上する。
〔第３実施例〕
第５図は本発明の第３実施例の構造を示すもの
である。同図に示されるように本実施例にあつて
は符号７で示される発熱用パターンは形状が第１
実施例と同様に略コの字状に形成されているが、
上側の直線パターン部分は３個のMR素子と重ね
られ、両側の直線パターン部分は６本の信号電極
３の両側近傍に沿うように配置されている。
である。同図に示されるように本実施例にあつて
は符号７で示される発熱用パターンは形状が第１
実施例と同様に略コの字状に形成されているが、
上側の直線パターン部分は３個のMR素子と重ね
られ、両側の直線パターン部分は６本の信号電極
３の両側近傍に沿うように配置されている。
このような構造において、発熱用パターン７は
接着剤硬化の加熱用として用いられるとともに、
完成した薄膜磁気ヘツドの構成においてMR素子
２のバイアス用電極として用いられる。
接着剤硬化の加熱用として用いられるとともに、
完成した薄膜磁気ヘツドの構成においてMR素子
２のバイアス用電極として用いられる。
このように発熱用パターンとバイアス用電極を
一体に形成する構造により、接着剤の硬化時に最
も重要なMR素子２部分での発泡を最大限に防止
できるとともに、第１および第２実施例に比較し
てバイアス用電極形成のための工程を減らすこと
ができる。
一体に形成する構造により、接着剤の硬化時に最
も重要なMR素子２部分での発泡を最大限に防止
できるとともに、第１および第２実施例に比較し
てバイアス用電極形成のための工程を減らすこと
ができる。
なお以上に説明した構成における基板１、MR
素子２、信号電極３、保護板５、接着剤および保
護膜の形成材料、形状数、配置等の構成が上記実
施例のものと異なる薄膜磁気ヘツドについても本
発明を適用できるものは勿論であり、発熱用パタ
ーンの形状材料、形状配置、数等の構成も上記実
施例に限るものではない。
素子２、信号電極３、保護板５、接着剤および保
護膜の形成材料、形状数、配置等の構成が上記実
施例のものと異なる薄膜磁気ヘツドについても本
発明を適用できるものは勿論であり、発熱用パタ
ーンの形状材料、形状配置、数等の構成も上記実
施例に限るものではない。
またMR素子を用いず、磁気コアを構成する磁
性膜とコイルの導体パターンによるインダクテイ
ブ型の薄膜磁気ヘツドについても本発明を適用で
きるのも勿論である。
性膜とコイルの導体パターンによるインダクテイ
ブ型の薄膜磁気ヘツドについても本発明を適用で
きるのも勿論である。
以上の説明から明らかなように本発明の薄膜磁
気ヘツドによれば、素子を構成する磁性膜を形成
した基板上に、保護板の接合時に接着剤を加熱す
る発熱用パターンを形成した構造を採用したの
で、基板と保護板間の接着剤層中の発泡を防止す
ることができ、接着剤層中に気泡が存在した場合
に発生する先述の各問題を解決することができ
る。すなわち、接着剤層の研削だれによるスペー
シング損失、接着剤層のクラツクやチツピングに
よる磁気ヘツドの特性の劣化、接着強度の低下に
よる保護板の剥離、気泡の膨張収縮による磁気ヘ
ツドの信頼性の低下、摺動面の気泡の凹部への磁
性粉等のゴミの付着、水の浸入による素子の腐蝕
等の各問題が解決され、諸特性に優れ、信頼性の
向上した薄膜磁気ヘツドを提供することができ
る。
気ヘツドによれば、素子を構成する磁性膜を形成
した基板上に、保護板の接合時に接着剤を加熱す
る発熱用パターンを形成した構造を採用したの
で、基板と保護板間の接着剤層中の発泡を防止す
ることができ、接着剤層中に気泡が存在した場合
に発生する先述の各問題を解決することができ
る。すなわち、接着剤層の研削だれによるスペー
シング損失、接着剤層のクラツクやチツピングに
よる磁気ヘツドの特性の劣化、接着強度の低下に
よる保護板の剥離、気泡の膨張収縮による磁気ヘ
ツドの信頼性の低下、摺動面の気泡の凹部への磁
性粉等のゴミの付着、水の浸入による素子の腐蝕
等の各問題が解決され、諸特性に優れ、信頼性の
向上した薄膜磁気ヘツドを提供することができ
る。
第１図〜第３図は本発明の第１実施例を説明す
るもので、第１図は保護板接合前の構造を示す平
面図、第２図は保護板接合後の構造を示す平面
図、第３図は製造工程を示す流れ図、第４図は本
発明の第２実施例の構造を示す平面図、第５図は
本発明の第３実施例の構造を示す平面図である。 １……基板、２……MR素子、３……信号電
極、４，６，７……発熱用パターン、５……保護
板。
るもので、第１図は保護板接合前の構造を示す平
面図、第２図は保護板接合後の構造を示す平面
図、第３図は製造工程を示す流れ図、第４図は本
発明の第２実施例の構造を示す平面図、第５図は
本発明の第３実施例の構造を示す平面図である。 １……基板、２……MR素子、３……信号電
極、４，６，７……発熱用パターン、５……保護
板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 素子を構成する磁性膜を形成した基板上に接
着剤を介して保護板を接合した薄膜磁気ヘツドに
おいて、前記接合時に接着剤を加熱する発熱用パ
ターンを前記基板上に形成したことを特徴とする
薄膜磁気ヘツド。 ２ 前記発熱用パターンを前記素子の近傍に配置
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の薄膜磁気ヘツド。 ３ 前記素子近傍を包囲するように前記発熱用パ
ターンを形成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項に記載の薄膜磁気ヘツド。 ４ 前記素子は磁気抵抗効果素子であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項から第３項までの
いずれか１項に記載の薄膜磁気ヘツド。 ５ 前記発熱用パターンを前記磁気抵抗効果素子
のバイアス用電極と一体に形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第４項に記載の薄膜磁気ヘツ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP138584A JPS60145519A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP138584A JPS60145519A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145519A JPS60145519A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0556562B2 true JPH0556562B2 (ja) | 1993-08-19 |
Family
ID=11500014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP138584A Granted JPS60145519A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145519A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267915A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP138584A patent/JPS60145519A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60145519A (ja) | 1985-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |