JPH0556852B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0556852B2 JPH0556852B2 JP61147380A JP14738086A JPH0556852B2 JP H0556852 B2 JPH0556852 B2 JP H0556852B2 JP 61147380 A JP61147380 A JP 61147380A JP 14738086 A JP14738086 A JP 14738086A JP H0556852 B2 JPH0556852 B2 JP H0556852B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- substrate temperature
- trisilane
- silicon film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、経時変化の少ない薄膜トランジス
タ等に用いるシリコン膜の製造方法に関するもの
である。
タ等に用いるシリコン膜の製造方法に関するもの
である。
この発明は、トリシラン以上の高次シランを用
いた熱CVDにより、高品質で安定なアモルフア
スシリコン膜を製造するものである。
いた熱CVDにより、高品質で安定なアモルフア
スシリコン膜を製造するものである。
〔従来の技術〕
プラズマ等の荷電粒子によるダメージのないシ
リコン膜の製造方法に熱CVDがある。
リコン膜の製造方法に熱CVDがある。
従来、水素化アモルフアスシリコン膜を熱
CVD法で成膜する場合、原料ガスにモノシラン
（SiH4）を用いると基板温度を600〜650℃の高温
にする必要があり、膜中の構造欠陥を補償する結
合水素量が極めて少なく膜の特性が良くなかつ
た。ジシラン（Si2H6）を用いた場合、基板温度
400〜500℃で適当に水素を含むアモルフアスシリ
コン膜が形成できるとの報告が、Yoshinori
ASHIDAら（Yoshinori ASHIDA、Yasuyoshi
MISHIMA、Masataka HIROSE、Yukio
OSAKA and Kenichi KOJIMA、J.J.Appl.
Phys.23（1984）129）によりなされている。
CVD法で成膜する場合、原料ガスにモノシラン
（SiH4）を用いると基板温度を600〜650℃の高温
にする必要があり、膜中の構造欠陥を補償する結
合水素量が極めて少なく膜の特性が良くなかつ
た。ジシラン（Si2H6）を用いた場合、基板温度
400〜500℃で適当に水素を含むアモルフアスシリ
コン膜が形成できるとの報告が、Yoshinori
ASHIDAら（Yoshinori ASHIDA、Yasuyoshi
MISHIMA、Masataka HIROSE、Yukio
OSAKA and Kenichi KOJIMA、J.J.Appl.
Phys.23（1984）129）によりなされている。
しかし、従来のジシランによる熱CVD法では
基板加熱以外に、チヤンバーも加熱するホツトウ
オール型の反応装置を用いていた。ホツトウオー
ル型ではデポジシヨンレートは高いもののチヤン
バー内壁の不純物をシリコン膜中にとり込み易く
膜質の向上がむずかしい。また、気相反応により
基板表面にシリコン粒子が堆積し、表面が荒れて
しまうという問題があつた。
基板加熱以外に、チヤンバーも加熱するホツトウ
オール型の反応装置を用いていた。ホツトウオー
ル型ではデポジシヨンレートは高いもののチヤン
バー内壁の不純物をシリコン膜中にとり込み易く
膜質の向上がむずかしい。また、気相反応により
基板表面にシリコン粒子が堆積し、表面が荒れて
しまうという問題があつた。
一方、チヤンバーは加熱せず基板のみを加熱す
るコールドウオール型の反応装置ではデポジシヨ
ンレートが低いという問題があつた。
るコールドウオール型の反応装置ではデポジシヨ
ンレートが低いという問題があつた。
そこで、この発明はコールドウオール型の反応
装置においても低い基板温度で十分なデポジシヨ
ンレートがあり、良好な電気特性をもつ安定なア
モルフアスシリコン膜の形成を目的としている。
装置においても低い基板温度で十分なデポジシヨ
ンレートがあり、良好な電気特性をもつ安定なア
モルフアスシリコン膜の形成を目的としている。
この発明では、原料ガスにトリシラン以上の高
次シランを用い、熱CVDにおける成膜条件とシ
リコン膜の特性の関係を明らかにすることにより
問題を解決した。
次シランを用い、熱CVDにおける成膜条件とシ
リコン膜の特性の関係を明らかにすることにより
問題を解決した。
ジシランに比べトリシラン以上の高次シランは
反応性が高いので、十分なデポジシヨンレートが
あり、膜質に関係する基板温度、反応圧力等の成
膜条件を最適化することができる。
反応性が高いので、十分なデポジシヨンレートが
あり、膜質に関係する基板温度、反応圧力等の成
膜条件を最適化することができる。
まず、この発明に用いる装置例を第１図ａおよ
びｂにより説明する。
びｂにより説明する。
第１図ａにおいて、１はチヤンバーで、内部に
ヒーター等の基板加熱手段２を有し、熱伝導の良
いサセプター３が固定され、加熱される。サセプ
ター３上には石英板、ガラス板、ステンレス板、
シリコンウエハー等の基板４が載せられている
（下向き等の場合には止め金具等で固定される）。
さらに、基板４の近傍にガス吹出部５を形成し、
ガス供給手段６とチヤンバー１内を排気手段７が
チヤンバー１に接続されている。ガス供給手段６
からガス吹出部までの系はヒーター等により原料
ガスの沸点（トリシランでは53.1℃）以上の温度
に保たれている。このほか、必要に応じて、チヤ
ンバー１の側面に真空ゲージ、観察窓等が設けら
れ、冷却のための空冷ないしは水冷パイプが接続
されている。
ヒーター等の基板加熱手段２を有し、熱伝導の良
いサセプター３が固定され、加熱される。サセプ
ター３上には石英板、ガラス板、ステンレス板、
シリコンウエハー等の基板４が載せられている
（下向き等の場合には止め金具等で固定される）。
さらに、基板４の近傍にガス吹出部５を形成し、
ガス供給手段６とチヤンバー１内を排気手段７が
チヤンバー１に接続されている。ガス供給手段６
からガス吹出部までの系はヒーター等により原料
ガスの沸点（トリシランでは53.1℃）以上の温度
に保たれている。このほか、必要に応じて、チヤ
ンバー１の側面に真空ゲージ、観察窓等が設けら
れ、冷却のための空冷ないしは水冷パイプが接続
されている。
第１図ｂは、基板加熱手段２にランプ加熱を用
いた場合で、チヤンバー１は光吸収の少ない石
英、サセプター３は光吸収の良いカーボン等の材
質のものを各々用いる。
いた場合で、チヤンバー１は光吸収の少ない石
英、サセプター３は光吸収の良いカーボン等の材
質のものを各々用いる。
このような装置において基板温度を400℃程度
に加熱し、トリシラン以上の高次シランをチヤン
バー１内に導入すると、熱分解反応により、基板
４表面にアモルフアスシリコン膜を形成すること
ができる。この場合、チヤンバー１の壁面の温度
は200℃前後であるが、さらに冷却する場合は、
空気、N2ガス等をチヤンバー１外から吹きつけ
ればよい。以下にデポジシヨンの詳細な条件を示
す。
に加熱し、トリシラン以上の高次シランをチヤン
バー１内に導入すると、熱分解反応により、基板
４表面にアモルフアスシリコン膜を形成すること
ができる。この場合、チヤンバー１の壁面の温度
は200℃前後であるが、さらに冷却する場合は、
空気、N2ガス等をチヤンバー１外から吹きつけ
ればよい。以下にデポジシヨンの詳細な条件を示
す。
第２図は100％トリシランを用いた石英基板上
へのアモルフアスシリコン膜のデポジシヨンレー
トのデータの一例を示すものである。第３図で横
軸は基板温度Tsubの逆数（１／Ｋ）、縦軸はデポ
ジシヨンレート（Å／min）であり、△、□、
○、◇、▽印はそれぞれ反応圧力が１、２、５、
10、12Torrの場合である。10Torr、420℃で60
Å／minのデポジシヨンレートがあり、半導体素
子を生産するのに十分な値である。
へのアモルフアスシリコン膜のデポジシヨンレー
トのデータの一例を示すものである。第３図で横
軸は基板温度Tsubの逆数（１／Ｋ）、縦軸はデポ
ジシヨンレート（Å／min）であり、△、□、
○、◇、▽印はそれぞれ反応圧力が１、２、５、
10、12Torrの場合である。10Torr、420℃で60
Å／minのデポジシヨンレートがあり、半導体素
子を生産するのに十分な値である。
H2、N2、He、Ar等の雰囲気ガスで希釈した
場合のデポジシヨンは、トリシランの分圧が第３
図の反応圧力と同じなら、デポジシヨンレートも
ほぼ等しくなる。
場合のデポジシヨンは、トリシランの分圧が第３
図の反応圧力と同じなら、デポジシヨンレートも
ほぼ等しくなる。
第３図は100％トリシランを用いて反応圧力
5Torrの場合の光学バンドギヤツプと結合水素量
の基板温度依存性の一例を示したものである。基
板温度が480℃以下では光学バンドギヤツプは約
1.65eV、結合水素量は約7.5％でほぼ一定である。
基板温度が480℃を越える温度では光学バンドギ
ヤツプ、結合水素量ともに減少する。これよりト
リシラン以上の高次シランの熱CVDでは基板温
度480℃を越える温度で水素脱離が起こることが
解つた。
5Torrの場合の光学バンドギヤツプと結合水素量
の基板温度依存性の一例を示したものである。基
板温度が480℃以下では光学バンドギヤツプは約
1.65eV、結合水素量は約7.5％でほぼ一定である。
基板温度が480℃を越える温度では光学バンドギ
ヤツプ、結合水素量ともに減少する。これよりト
リシラン以上の高次シランの熱CVDでは基板温
度480℃を越える温度で水素脱離が起こることが
解つた。
第４図は、100％トリシランを用いて反応圧力
5Torrの場合の暗導電率（●印）とAM１スペク
トラム60ｍＷ／cm2の光照射での光導電率（○印）
の基板温度依存性を示したものである。光導電率
は高くないが、光導電率と暗導電率の比は３桁以
上ある。また、基板温度480℃を越える温度では、
水素脱離により光導電率、暗導電率ともに低下す
る。
5Torrの場合の暗導電率（●印）とAM１スペク
トラム60ｍＷ／cm2の光照射での光導電率（○印）
の基板温度依存性を示したものである。光導電率
は高くないが、光導電率と暗導電率の比は３桁以
上ある。また、基板温度480℃を越える温度では、
水素脱離により光導電率、暗導電率ともに低下す
る。
第５図は、赤外吸収特性の一例を示したもので
ある。一般に2000cm-1付近にピークを持つSiH結
合の伸縮振動と2100cm-1付近にピークを持つ
SiH2結合の伸縮振動が観察されるが、トリシラ
ンの熱CVDによるアモルフアスシリコン膜では
SiH2結合のピークはほとんど観測されず、SiH
結合が主であり良質な膜であるといえる。
ある。一般に2000cm-1付近にピークを持つSiH結
合の伸縮振動と2100cm-1付近にピークを持つ
SiH2結合の伸縮振動が観察されるが、トリシラ
ンの熱CVDによるアモルフアスシリコン膜では
SiH2結合のピークはほとんど観測されず、SiH
結合が主であり良質な膜であるといえる。
以上のデポジシヨンのデータを利用して作成し
た薄膜トランジスタの断面図の一例を第６図に示
す。低抵抗ｐ型シリコン基板を利用したゲート６
と、前記シリコン基板を1100℃、dryO2雰囲気中
で熱酸化した約900Åのゲート絶縁膜７の上に、
トリシラン以上の高次シランの熱CVDによるノ
ンドープアモルフアスシリコン膜８を約500Åデ
ポジシヨンする。さらにn+アモルフアスシリコ
ン層とNi等の金属層の二層よりなるソース９及
びドレイン１０を形成する。
た薄膜トランジスタの断面図の一例を第６図に示
す。低抵抗ｐ型シリコン基板を利用したゲート６
と、前記シリコン基板を1100℃、dryO2雰囲気中
で熱酸化した約900Åのゲート絶縁膜７の上に、
トリシラン以上の高次シランの熱CVDによるノ
ンドープアモルフアスシリコン膜８を約500Åデ
ポジシヨンする。さらにn+アモルフアスシリコ
ン層とNi等の金属層の二層よりなるソース９及
びドレイン１０を形成する。
第７図は実際の薄膜トランジスタの出力特性の
一例である。ゲート・ソース電圧は20〜30Vまで
2Vステツプで変化させ、チヤネル幅Ｗとチヤネ
ル長Ｌの比はＷ／Ｌ＝40である。ソース・ドレイ
ン電圧は０→10→0Vと掃引した場合のヒステリ
シスは非常に小さく安定である。この薄膜トラン
ジスタのON／OFF電流比は６桁以上あり、飽和
領域から求めたしきい値電圧と電子移動度は各々
18V、0.1cm2／Ｖ・Ｓと良好なものであつた。
一例である。ゲート・ソース電圧は20〜30Vまで
2Vステツプで変化させ、チヤネル幅Ｗとチヤネ
ル長Ｌの比はＷ／Ｌ＝40である。ソース・ドレイ
ン電圧は０→10→0Vと掃引した場合のヒステリ
シスは非常に小さく安定である。この薄膜トラン
ジスタのON／OFF電流比は６桁以上あり、飽和
領域から求めたしきい値電圧と電子移動度は各々
18V、0.1cm2／Ｖ・Ｓと良好なものであつた。
ドレイン電流Idの時間変化を、モノシランのプ
ラズマCVDで作製した薄膜トランジスタと比較
して第８図に示す。プラズマCVD試料は熱CVD
と同じチヤンバーを用い、基板温度300℃、反応
圧力0.7Torr、高周波電力10Wで製膜したもので
ある。第８図の横軸は、ドレイン電流を1μA流す
のに必要なバイアスを印加してからの時間、縦軸
のドレイン電流の初期値Id（０）に対する各時間
における値Idの比である。実線が熱CVD、破線
がプラズマCVDによる薄膜トランジスタの場合
である。熱CVDによる薄膜トランジスタの方が、
プラズマCVDによるものよりドレイン電流の時
間変化が小さく安定である。
ラズマCVDで作製した薄膜トランジスタと比較
して第８図に示す。プラズマCVD試料は熱CVD
と同じチヤンバーを用い、基板温度300℃、反応
圧力0.7Torr、高周波電力10Wで製膜したもので
ある。第８図の横軸は、ドレイン電流を1μA流す
のに必要なバイアスを印加してからの時間、縦軸
のドレイン電流の初期値Id（０）に対する各時間
における値Idの比である。実線が熱CVD、破線
がプラズマCVDによる薄膜トランジスタの場合
である。熱CVDによる薄膜トランジスタの方が、
プラズマCVDによるものよりドレイン電流の時
間変化が小さく安定である。
第９図ａ及びｂはそれぞれ実際のデポジシヨン
の手順の一例を示したもので、横軸は時間、縦軸
はチヤンバー圧と基板温度を示している。第９図
ａは100％トリシランの場合で、真空引きしたチ
ヤンバー１にトリシランを導入するとデポジシヨ
ンが始まる。この時、チヤンバー圧が急に増加す
ると基板加熱手段２とサセプター３、及びサセプ
ター３と基板４間の熱伝導が良くなり、基板温度
が20℃程度も上昇する。しばらくすると温度制御
が追従し、基板温度が安定する。チヤンバー圧が
10Torr以上でこの現象は顕著である。このデポ
ジシヨン開始時の基板温度変化は、デポジシヨン
時間が短かい場合、膜厚の制御や膜質の均一性を
悪くする。
の手順の一例を示したもので、横軸は時間、縦軸
はチヤンバー圧と基板温度を示している。第９図
ａは100％トリシランの場合で、真空引きしたチ
ヤンバー１にトリシランを導入するとデポジシヨ
ンが始まる。この時、チヤンバー圧が急に増加す
ると基板加熱手段２とサセプター３、及びサセプ
ター３と基板４間の熱伝導が良くなり、基板温度
が20℃程度も上昇する。しばらくすると温度制御
が追従し、基板温度が安定する。チヤンバー圧が
10Torr以上でこの現象は顕著である。このデポ
ジシヨン開始時の基板温度変化は、デポジシヨン
時間が短かい場合、膜厚の制御や膜質の均一性を
悪くする。
そこで、第９図ｂに示すように、あらかじめ
H2、N2、He、Ar等の希釈ガスを10Torr以上チ
ヤンバー１内に導入しておき、基板温度が安定し
てからトリシランを導入すると、基板温度の変化
は１℃以下におさえることができ、安定なデポジ
シヨンを行うことができる。この安定化効果は
5Torr前後のチヤンバー圧でも認められた。
H2、N2、He、Ar等の希釈ガスを10Torr以上チ
ヤンバー１内に導入しておき、基板温度が安定し
てからトリシランを導入すると、基板温度の変化
は１℃以下におさえることができ、安定なデポジ
シヨンを行うことができる。この安定化効果は
5Torr前後のチヤンバー圧でも認められた。
以上詳細に説明したように、この発明はトリシ
ラン以上の高次シランを用いて基板温度480℃以
下で熱CVDを行つた場合、電気特性の良い安定
なアモルフアスシリコン膜が得られる利点があ
る。
ラン以上の高次シランを用いて基板温度480℃以
下で熱CVDを行つた場合、電気特性の良い安定
なアモルフアスシリコン膜が得られる利点があ
る。
また、雰囲気ガスをあらかじめチヤンバー内に
導入し、基板温度が安定した後に原料ガスを導入
して熱CVDを行うと、成膜時の基板温度変化を
非常に小さくすることができる。
導入し、基板温度が安定した後に原料ガスを導入
して熱CVDを行うと、成膜時の基板温度変化を
非常に小さくすることができる。
さらに、低温でしかも荷電粒子のダメージのな
いプロセスであることから、LSI等のプロセスと
組合せた場合でも、既に形成済みの他の素子に悪
い影響を与えることがないことは明白である。
いプロセスであることから、LSI等のプロセスと
組合せた場合でも、既に形成済みの他の素子に悪
い影響を与えることがないことは明白である。
第１図ａはこの発明に用いるヒーター加熱によ
る装置の断面略図、第１図ｂは同様にランプ加熱
による装置の断面略図、第２図はこの発明の100
％トリシランを用いた熱CVDのデポジシヨンレ
ートの基板温度依存性を示す図、第３図は、この
発明の光学バンドギヤツプと水素含有率の基板温
度依存性を示す図、第４図はこの発明の導電率の
基板温度依存性を示す図、第５図はこの発明のシ
リコン膜の赤外吸収特性図、第６図は第２図から
第５図までのデータを利用して作製した薄膜トラ
ンジスタの断面図、第７図は第６図の薄膜トラン
ジスタの出力特性図、第８図は同じく、ドレイン
電流の時間変化を示す図、第９図ａは100％トリ
シランを用いた場合のデポジシヨンの手順例を示
す図、第９図ｂは同様に雰囲気ガスで希釈した場
合のデポジシヨンの手順例を示す図である。図
中、１はチヤンバー、２は基板加熱手段、３はサ
セプタ、４は基板、５はガス吹出部、６はガス供
給手段、７は排気手段、８はシリコン膜、９はソ
ース、１０はドレインである。
る装置の断面略図、第１図ｂは同様にランプ加熱
による装置の断面略図、第２図はこの発明の100
％トリシランを用いた熱CVDのデポジシヨンレ
ートの基板温度依存性を示す図、第３図は、この
発明の光学バンドギヤツプと水素含有率の基板温
度依存性を示す図、第４図はこの発明の導電率の
基板温度依存性を示す図、第５図はこの発明のシ
リコン膜の赤外吸収特性図、第６図は第２図から
第５図までのデータを利用して作製した薄膜トラ
ンジスタの断面図、第７図は第６図の薄膜トラン
ジスタの出力特性図、第８図は同じく、ドレイン
電流の時間変化を示す図、第９図ａは100％トリ
シランを用いた場合のデポジシヨンの手順例を示
す図、第９図ｂは同様に雰囲気ガスで希釈した場
合のデポジシヨンの手順例を示す図である。図
中、１はチヤンバー、２は基板加熱手段、３はサ
セプタ、４は基板、５はガス吹出部、６はガス供
給手段、７は排気手段、８はシリコン膜、９はソ
ース、１０はドレインである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板加熱手段を内蔵するチヤンバーに排気手
段とガス供給手段とが接続された装置を用い、原
料ガスとしてトリシラン（Si3H8）以上の高次シ
ランを前記チヤンバー内に導入し、基板温度480
℃以下で、かつ前記チヤンバー壁面の温度を前記
基板温度より低く保ち、熱CVDによりシリコン
膜を成長させることを特徴とするシリコン膜の製
造方法。 ２ 雰囲気ガス（H2、N2、He、Ar等）をあら
かじめ前記チヤンバー内に導入し、基板温度が安
定した後に、原料ガスを導入してシリコン膜を成
長させることを特徴とする特許請求範囲第１項記
載のシリコン膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14738086A JPS633414A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | シリコン膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14738086A JPS633414A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | シリコン膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633414A JPS633414A (ja) | 1988-01-08 |
| JPH0556852B2 true JPH0556852B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=15428933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14738086A Granted JPS633414A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | シリコン膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS633414A (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2889924B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1999-05-10 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜電界効果トランジスタの製法 |
| US5614257A (en) * | 1991-08-09 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc | Low temperature, high pressure silicon deposition method |
| JP3121131B2 (ja) * | 1991-08-09 | 2000-12-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低温高圧のシリコン蒸着方法 |
| AU2002306436A1 (en) | 2001-02-12 | 2002-10-15 | Asm America, Inc. | Improved process for deposition of semiconductor films |
| US7026219B2 (en) | 2001-02-12 | 2006-04-11 | Asm America, Inc. | Integration of high k gate dielectric |
| US6815007B1 (en) | 2002-03-04 | 2004-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to solve IMD-FSG particle and increase Cp yield by using a new tougher UFUN season film |
| US7297641B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-11-20 | Asm America, Inc. | Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers |
| US7294582B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-11-13 | Asm International, N.V. | Low temperature silicon compound deposition |
| US7186630B2 (en) | 2002-08-14 | 2007-03-06 | Asm America, Inc. | Deposition of amorphous silicon-containing films |
| US7092287B2 (en) | 2002-12-18 | 2006-08-15 | Asm International N.V. | Method of fabricating silicon nitride nanodots |
| US7629270B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-12-08 | Asm America, Inc. | Remote plasma activated nitridation |
| US7253084B2 (en) | 2004-09-03 | 2007-08-07 | Asm America, Inc. | Deposition from liquid sources |
| US7966969B2 (en) | 2004-09-22 | 2011-06-28 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
| US7674726B2 (en) | 2004-10-15 | 2010-03-09 | Asm International N.V. | Parts for deposition reactors |
| US7427571B2 (en) | 2004-10-15 | 2008-09-23 | Asm International, N.V. | Reactor design for reduced particulate generation |
| US7553516B2 (en) | 2005-12-16 | 2009-06-30 | Asm International N.V. | System and method of reducing particle contamination of semiconductor substrates |
| US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
| US7851307B2 (en) | 2007-08-17 | 2010-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method of forming complex oxide nanodots for a charge trap |
| US9054206B2 (en) | 2007-08-17 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
| US9443730B2 (en) | 2014-07-18 | 2016-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Process for forming silicon-filled openings with a reduced occurrence of voids |
| US9837271B2 (en) | 2014-07-18 | 2017-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Process for forming silicon-filled openings with a reduced occurrence of voids |
| US10460932B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor device with amorphous silicon filled gaps and methods for forming |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126680A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-21 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質シリコン太陽電池およびその製法 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP14738086A patent/JPS633414A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS633414A (ja) | 1988-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0556852B2 (ja) | ||
| JP2954039B2 (ja) | ＳｉＧｅ薄膜の成膜方法 | |
| JP2592238B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH03292741A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04219927A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03289140A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2008177419A (ja) | シリコン薄膜形成方法 | |
| Lim et al. | Structural and electrical properties of low temperature polycrystalline silicon deposited using SiF4 SiH4 H2 | |
| CN101156247A (zh) | 使用透明基板制造多晶硅膜的方法和装置 | |
| JP3214505B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3084395B2 (ja) | 半導体薄膜の堆積方法 | |
| JP3494467B2 (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| JPH04318973A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH0427116A (ja) | 半導体異種接合を形成する方法 | |
| JPH0722330A (ja) | 歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法 | |
| JPH06333822A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06232117A (ja) | 絶縁膜の形成方法とこれによる半導体装置の製法 | |
| JPH04342121A (ja) | 水素化非晶質シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPH0319340A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Ohshita et al. | Reaction of Si2H2 molecule on a silicon surface | |
| JPH0645257A (ja) | 半導体薄膜形成方法 | |
| JPH04257225A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
| JP3461819B2 (ja) | 半導体結晶膜の製造方法 | |
| JP3055158B2 (ja) | 炭化珪素半導体膜の製造方法 | |
| JPH05109630A (ja) | 半導体薄膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |