JPH0556878B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は混成集積回路の製造方法に関する。

(ロ) 従来の技術 従来絶縁フイルムを用いた折曲げ基板は第２図
に示す如く、二枚の金属基板２１，２２と、基板
２１，２２を接続する絶縁フイルム２３と、フイ
ルム２３上に設けた導電路２４と、導電路２４上
に固着した半導体集積回路、チツプ抵抗あるいは
チツプコンデンサー等の複数の回路素子（図示し
ない）とから構成される。

金属基板２１，２２は0.5〜1.0mm厚の良熱伝導
性のアルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の
接着材により基板２１，２２を夫々の厚みだけ離
間させてポリイミド等の絶縁フイルム２３で接続
する。絶縁フイルム２３の反対主面には導電路２
４となる銅箔を貼着しておき、銅箔を選択的にエ
ツチングして所望形状の導電路２４を形成し、そ
の導電路上に回路素子（図示しない）を組込んだ
後、基板２１，２２の離間部分で絶縁フイルム２
３を折曲げて第３図に示す如く、基板２１，２２
の夫々の反対主面をちようど当接させて、外部リ
ード２６を残して全体を樹脂２５でモールドして
一体化する。

上述した技術は特公昭60−11809号公報に記載
されている。

また二枚の金属基板をケース材で離間固着する
混成集積回路は第４図に示す如く、絶縁処理が施
された夫々の金属基板３１，３１に回路素子３
０，３０が固着され、絶縁樹脂で形成されたケー
ス材３２で離間固着して夫々の基板３１，３１を
リード３３で導通し樹脂３４を充填して一体化す
る混成集積回路もある。

この様な混成集積回路は実公昭55−8316号公報
に記載されている。

しかしながら、第２図及び第３図に示した折曲
げ用の混成集積回路は本来小型化を目的としたも
のであり、金属基板が密接しているため発熱を伴
う回路素子を実装するのに不向きで高出力タイプ
の混成集積回路を提供することができない問題点
があつた。

また第４図に示した従来例は二枚の金属基板の
導通をリード線を用いて半田接続していたので作
業性及び信頼性が低下する問題点があつた。

上述の問題点を解決するために第５図の如く、
折曲げ部分の金属基板４０，４１の端部にシリコ
ン樹脂膜４２を設けて金属基板４０，４１間に空
間部４３を設けて、その空間部４３に樹脂４４を
充填してケース材４５と一体化する混成集積回路
を出願した。

(ハ) 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第５図の混成集積回路を製造す
る場合、空間部４３を形成するために金属基板４
０，４１の周端部にシリコン樹脂膜４２を形成す
る程数が増えると共にシリコン樹脂膜４２では確
実に金属基板４０，４１から絶縁フイルム４６を
剥離できない問題点があつた。

(ニ) 問題点を解決するための手段 本発明は上述した問題点に鑑みて為されたもの
であり、先ず第１図Ａに示す如く、金属基板１が
二枚に離間される位置に凹部２を形成し、第１図
Ｂに示す如く、その凹部２の底面を切断して金属
基板１を分離し、第１図Ｃに示す如く、金属基板
１，１′の凹部２が設けられた主面上に絶縁フイ
ルム４を貼着して絶縁フイルム４上に所望の導電
路５を固着し、第１図Ｄに示す如く、導電路５上
に複数の回路素子６を固着し、第１図Ｅに示す如
く、凹部２上の絶縁フイルム４を回路素子６が対
向する様に折曲げ配置しケース材８で金属基板
１，１′を離間固着し凹部２間で形成された空間
９に樹脂１０を充填して解決する。

(ホ) 作用 上述の如く、本発明では金属基板１の離間部分
となる位置に凹部２を形成し、凹部２の底面を切
断して金属基板１，１′を離間させた後、絶縁フ
イルム４を貼着することにより、折曲げ部分の絶
縁フイルム４と凹部２とが離間されるので樹脂１
０を充填する空間部９を確実に形成することがで
きる。

(ヘ) 実施例 以下に第１図Ａ乃至第１図Ｅに示した図面に基
づいて本発明を詳細に説明する。

先ず、第１図Ａに示す如く、金属基板１を二枚
に離間する位置に凹部２を形成する。金属基板１
はアルミニウム基板が用いられ、その表面は陽極
酸化により酸化アルミニウム膜が形成される。金
属基板１に形成される凹部２はプレス打で形成さ
れ、その凹部２の深さは金属基板１の厚みの1/3
〜1/2の厚みが好ましい。凹部２が形成された金
属基板１の反対面はある程度突出するがその突出
した部分はグラインダー等で削り落され平面とな
る様に形成する。

次に第１図Ｂに示す如く、金属基板１の凹部２
の底面をプレスで切断して金属基板１を二枚に分
離する。（以下金属基板１，１′とする。） 次に第１図Ｃに示す如く、二枚に分離された金
属基板１，１′を連結させるため凹部２が設けら
れた金属基板１，１′上にあらかじめ銅箔３と一
体化されたポリイシド樹脂等から成る絶縁フイル
ム４を貼着する。

次に第１図Ｄに示す如く、銅箔３を所望形状に
エツチングして所望形状の導電路５を形成する。
導電路５は絶縁フイルム４上に形成され、導電路
５が延在された二枚の金属基板１，１′の周端部
には導電パツドが形成される。導電路５上には半
導体集積回路、パワー素子、チツプ部品等の回路
素子６を固着し、一部の回路素子６は近傍ので導
電路５に超音波によりワイヤーボンデイング接続
する。

二枚の金属基板１，１′の周端部に設けられた
導電パツドに外部リード７を固着する。

次に第１図Ｅに示す如く、凹部２上の絶縁フイ
ルム４を二枚の金属基板１，１′上に固着した回
路素子６が対向する様に折曲げて回路素子６を密
封するために樹脂等で形成された枠状のケース材
８で金属基板１，１′を離間固着した後、凹部２
曲で形成された空間部９内に折曲げ部分の絶縁フ
イルム４を収納し、その折曲げ部分の絶縁フイル
ム４を密封封止するために空間部９内にエポキシ
樹脂等の樹脂１０を充填させて一体化する。

(ト) 発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、金属基
板の折曲げ部分となる位置に凹部を設け、その凹
部で金属基板を二枚に分離し、絶縁フイルムで連
結することにより、凹部と絶縁フイルムとの間が
離間するために基板を折曲げ配置した際、凹部間
で形成された空間部内に絶縁フイルムが収納でき
るので折曲げ部分の絶縁フイルムを保護すること
ができる。

また、本発明では従来の欠点をすべて解決でき
るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ乃至第１図Ｅは本発明の実施例を示す
断面図、第２図乃至第５図は従来例の示す断面図
である。 １，１′は金属基板、２は凹部、３は銅箔、４
は絶縁フイルム、５は導電路、６は回路素子、７
は外部リード、８はケース材、９は空間部、１０
は樹脂。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 絶縁フイルムによつて二枚の金属基板が離間
   連結され、前記金属基板間の前記絶縁フイルムを
   折曲げ前記二枚の金属基板上に設けられた回路素
   子を対向配置させた混成集積回路において、前記
   金属基板が二枚に離間される位置に凹部を形成
   し、前記凹部の底面を切断して前記金属基板を分
   離し、分離された前記金属基板の前記凹部が設け
   られた主面上に絶縁フイルムを貼着し、前記絶縁
   フイルム上に所望の導電路を形成し、前記導電路
   上に複数の回路素子を固着した後、前記凹部上の
   前記絶縁フイルムを前記回路素子が対向する様に
   折曲げ配置し、ケース材で前記金属基板を離間固
   着することを特徴とする混成集積回路の製造方
   法。