JPH0557586B2 - - Google Patents

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JPH0557586B2
JPH0557586B2 JP61301768A JP30176886A JPH0557586B2 JP H0557586 B2 JPH0557586 B2 JP H0557586B2 JP 61301768 A JP61301768 A JP 61301768A JP 30176886 A JP30176886 A JP 30176886A JP H0557586 B2 JPH0557586 B2 JP H0557586B2
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JP
Japan
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image
toner
fine particles
developer
inorganic fine
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JP61301768A
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JPS63155155A (ja
Inventor
Akitoshi Matsubara
Jiro Takahashi
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP61301768A priority Critical patent/JPS63155155A/ja
Publication of JPS63155155A publication Critical patent/JPS63155155A/ja
Publication of JPH0557586B2 publication Critical patent/JPH0557586B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G9/00Developers
    • G03G9/08Developers with toner particles
    • G03G9/097Plasticisers; Charge controlling agents
    • G03G9/09708Inorganic compounds
    • G03G9/09716Inorganic compounds treated with organic compounds

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Developing Agents For Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
〔産業䞊の利甚分野〕 本発明は、電子写真法、静電蚘録法、静電印刷
法等においお圢成される静電朜像を珟像するため
に甚いられる静電像珟像剀、およびこの静電像珟
像剀を甚いお有機光導電性半導䜓よりなる感光䜓
の衚面に圢成された静電朜像を珟像するための静
電像珟像方法、ならびにこれらの静電像珟像剀お
よび静電像珟像方法を甚いお画像を圢成する画像
圢成方法に関するものであり、特に有機光導電性
半導䜓よりなる感光䜓の衚面に圢成された負の静
電朜像を珟像する堎合に奜適な静電像珟像剀およ
び静電像珟像方法ならびに画像圢成方法に関する
ものである。 〔発明の背景〕 䞀般に、電子写真法においおは、光導電性材料
よりなる感光局を有する感光䜓に均䞀な静電荷を
䞎えた埌、画像露光を行うこずにより圓該感光䜓
の衚面に静電朜像を圢成し、この静電朜像を珟像
剀により珟像しおトナヌ画像が圢成される。埗ら
れたトナヌ画像は玙等の転写材に転写された埌、
加熱あるいは加圧などにより定着されお耇写画像
が圢成される。 感光䜓の感光局の圢成に甚いられる光導電性材
料ずしおは、䟋えばセレン、酞化亜鉛、硫化カド
ミニりム等の無機光導電性材料、ポリビニルカル
バゟヌル等の高分子系化合物もしくは䜎分子量化
合物よりなる有機光導電性材料等が知られおい
る。しかしながら、これらの光導電性材料により
圢成された感光局を有する感光䜓は、静電朜像の
圢成を行う䞊で有利な䞀面を有しおはいるが、反
面各皮感光䜓に特有の欠点を有しおいる。 䟋えば、セレンにより圢成された感光局を有す
る感光䜓においおは、熱、あるいは珟像剀や転写
材に含たれる金属化合物圓等により感光局が容易
に結晶化しおその特性が劣化し、そのため静電朜
像の電䜍が䜎䞋しお画像濃床が䜎䞋したり、ある
いは郚分的な画像ヌケが発生する問題点がある。
たた、高湿の環境条件䞋においおは、感光局の光
導電性が䜎䞋しお感光䜓の非画像郚に静電荷が残
留するようになり、その結果カブリが発生しお鮮
明な画像が埗られず、結局高湿の環境条件䞋にお
いおは倚数回にわたり良奜な画像を圢成するこず
ができず、耐久性が䜎い問題点がある。 たた、硫化カドミりムにより圢成された感光局
を有する感光䜓、あるいは酞化亜鉛により圢成さ
れた感光局を有する感光䜓は、通垞、光導電性材
料すなわち硫化カドミりムあるいは酞化亜鉛がバ
むダヌ暹脂䞭に分散されお感光局が圢成される
が、このような光導電性材料をバむンダヌ暹脂䞭
に埮粒子状に均䞀に分散するこずが盞圓困難であ
り、そのため埗られる感光䜓が感床が䜎くお高速
耇写に䞍適圓なものずなる問題点があり、たた静
電朜像の圢成のために通垞経由するこずずなるコ
ロナ垯電工皋あるいは露光工皋においおは感光局
が早期に劣化しやすく、そのため長期間にわた぀
お良奜な画像を圢成するこずができない問題点が
あり、さらには高湿環境条件䞋においおは湿気に
より感光局の緒特性が倉化し、所望の静電朜像の
電䜍が埗られず、その結果画像濃床が䜎くなる問
題点がある。 䞀方、ポリビニルカルバゟヌルに代衚される高
分子系光導電性材料により圢成された感光局を有
する有機感光䜓は、成膜性が良奜であるため䜎コ
ストで感光䜓を補造するこずができ、たた人䜓に
察しお毒性がない等の利点があり、近幎泚目され
おいるが、反面、感床が䜎く、たたコロナ垯電工
皋あるいは露光工皋においお早期に劣化しやすい
ため耐久性が劣り、たた環境条件によ぀お感床あ
るいは電荷保持胜が倉化しやすいため、無機光導
電性材料よりなる感光局を有する感光䜓に比しお
いただ劣぀おおり、高性胜の光導電性材料の開発
が望たれおいる。 䞀方、䞊蚘の問題点を克服するために、近幎、
有機光導電性材料ずしお䜎分子量のものを甚いる
こずが提案されおいる。䜎分子量の有機光導電性
材料は、䞀般のバむンダヌ暹脂䞭に察する分散性
は良奜であるため、埗られる感光局は圓該有機光
導電性材料が埮粒子状に均䞀に分散されたものず
なり、その結果感床が比范的高い感光䜓を埗るこ
ずができ、たた感光局を有機光導電性材料をバむ
ンダヌ暹脂䞭に分散させお圢成するこずにより、
成膜性が良奜ずなり、そのため高い生産性で感光
䜓を補造するこずができ、そのうえ䜿甚可胜な䜎
分子量の光導電性材料の皮類が倚く、そのため適
宜遞択された䜎分子量の光導電性材料を甚いるこ
ずにより埓来よりも優れた性胜を有する感光䜓を
埗るこずが可胜である。このように、䜎分子量の
有機光導電性材料により圢成された感光局を有す
る有機感光䜓は、埓来の感光䜓に比しお奜たしい
ものである。 しかしお、有機光導電性材料は、通垞、正の電
荷が移動するこずにより光導電性を瀺すものであ
るため、有機光導電性材料により圢成された感光
局を有する有機感光䜓の衚面に圢成する静電朜像
の極性は負であるこずが奜たしい。そしお負の静
電朜像を珟像するためには、正垯電性のトナヌを
有する珟像剀を甚いるこずが必芁である。 しかしながら、埓来においお広く甚いられおい
るセレン等よりなる感光局を有する感光䜓におい
おは、その衚面に圢成される静電朜像の極性が正
ずされるため、圓該静電朜像の珟像には負垯電性
のトナヌを有する珟像剀が甚いられ、そのため負
垯電性をトナヌを有する珟像剀の研究開発は盞圓
になされおいるが、䞊蚘のように有機感光䜓の珟
像に甚いられる正垯電性のトナヌを有する珟像剀
の研究開発は、いただ遅れおいお十分な正垯電性
のトナヌを有する珟像剀が埗られおいないのが実
情である。 䞀方、静電朜像を珟像する方法ずしおは、湿匏
珟像法ず、也匏珟像法ずが知られおいる。前者の
湿匏珟像法は、液䜓珟像剀を甚いるため悪臭を攟
぀問題点があり、たた転写材を也燥するために高
い゚ネルギヌを必芁ずしお高速耇写が困難である
問題点がある。埌者の也匏珟像法は、そのような
問題点を有せず、静電朜像の珟像法ずしお奜たし
く甚いるこずができる。 也匏珟像法に甚いられる珟像剀ずしおは、磁性
䜓を含有しおなる磁性トナヌのみよりなるいわゆ
る成分系珟像剀ず、磁性䜓を含有しない非磁性
トナヌず磁性を有するキダリアずよりなるいわゆ
る成分珟像剀ずが知られおいる。 前者の成分系珟像剀は磁性トナヌのみよりな
りキダリアを有しないため、トナヌ同志による若
干の摩擊垯電およびトナヌず珟像噚内に配眮され
た珟像スリヌブもしくは珟像剀局の高さを芏制す
るための芏制ブレヌド等ずの摩擊垯電によりトナ
ヌを垯電させるこずずなり、その結果正に垯電し
たトナヌず負に垯電したトナヌずが共に存圚し、
しかも摩擊垯電量が小さいため、基本的には珟像
が䞍安定なものずなりやすい問題点がある。具䜓
的には、䟋えば感光䜓䞊の非画像郚にもトナヌが
付着しお、最終定着画像にカブリが発生したり、
あるいは感光䜓䞊の画像郚に付着するトナヌ量が
䞍十分ずな぀お最終定着画像の濃床が䜎くなる問
題点がある。 たた、磁性トナヌに甚いられる磁性䜓は、通垞
芪氎性を有しおおり、この芪氎性の磁性䜓がトナ
ヌ粒子の衚面に露出した状態で含有されるこずが
倚いため、湿気によりトナヌの摩擊垯電電荷がリ
ヌクしやすく、たた高湿雰囲気䞋においおは、転
写工皋においお、転写材ずしお通垞甚いられる転
写玙ぞの静電気的な転写が䞍良ずな぀お転写玙ぞ
のトナヌの転写率が䜎くなり、その結果最終定着
画像の濃床が䜎䞋したり画像ヌケが発生する問題
点がある。たた、磁性トナヌに甚いられる磁性䜓
は、通垞負垯電性を有するため、磁性トナヌを適
正な垯電量で正に垯電させるこずが困難であり、
そのため逆極性のトナヌの割合が倚く存圚し、結
局最終定着画像においお濃床が䜎䞋し、たた画像
ムラおよび画像ヌケが生ずる問題点がある。 これに察しお埌者の成分系珟像剀は、トナヌ
ず、キダリアずにより構成され、キダリアはトナ
ヌを所望の極性に垯電させる機胜を有するもので
あるため、トナヌに適正な極性でしかも適正な垯
電量で摩擊垯電電荷を付䞎するこずができ、䞊蚘
成分系珟像剀に比しお栌段に優れた摩擊垯電性
を有する珟像剀を埗るこずが可胜である。たた、
キダリアずしお所望の特性を有するものを遞択す
るこずにより、トナヌの垯電量を盞圓皋床制埡す
るこずが可胜ずなる。 しかしながら、最終定着画像を良奜なものずす
るためには、珟像剀の摩擊垯電性が良奜であるの
みでは䞍十分であり、珟像噚内においお摩擊垯電
電荷が付䞎された珟像剀の粒子が凝集せずに良奜
な状態で珟像空間に搬送されるこずが必芁であ
る。 䟋えば磁気ブラシ珟像法においおは、珟像噚内
においお攪拌されるこずにより摩擊垯電電荷が付
䞎された珟像剀が、珟像スリヌブ䞊においお均䞀
なブラシ状に䞊ぶ薄い局状の圢態で担持され、し
かもこのような圢態の珟像剀局がそのような圢態
を保持したたた安定に珟像空間に搬送されるこず
が必芁である。 䟋えば成分系珟像剀においおは、磁性トナヌ
のみよりなりキダリアを有しないため、圓該磁性
トナヌは、磁気的凝集力および静電気的凝集力が
匷く、そのため磁性トナヌ同志が凝集しお塊状化
するこずにより珟像剀の流動性が䜎䞋し、その結
果磁性トナヌを珟像スリヌブ䞊に均䞀なブラシ状
に䞊ぶ薄い局状の圢態で担持させるこずが困難ず
なる問題点がある。たた、磁性トナヌが塊状化し
やすいため、珟像噚内においおは、磁性トナヌ同
志、あるいは磁性トナヌず珟像噚内の噚壁、芏制
ブレヌド、珟像スリヌブ等ずの摩擊垯電が良奜に
なされないようになり、その結果最終定着画像に
おいおはカブリの倚い䞍鮮明なものずなる問題点
がある。 たた、䟋えば成分系珟像剀においおは、トナ
ヌが静電気的凝集力により凝集しお塊状化しやす
いものである堎合には、トナヌ粒子をキダリア粒
子䞭に均䞀な濃床で分散するこずが困難ずなり、
その結果トナヌずキダリアずの摩擊垯電性が䜎䞋
しお摩擊垯電量の䜎いトナヌの割合が増倧し、珟
像工皋においおは感光䜓䞊の非画像郚にトナヌが
付着しお最終定着画像においおカブリが発生し、
たた匱垯電量トナヌが倚く存圚しお、トナヌずキ
ダリアずの静電気的な付着力が小さくなり、その
ため磁気ブラシ珟像法においお、キダリア粒子を
磁気力により自転させながら圓該キダリア粒子に
付着したトナヌ粒子を珟像空間に搬送する堎合
に、キダリア粒子の自転による遠心力によりトナ
ヌ粒子が飛散するようになり、その結果耇写機内
に配眮された垯電噚、露光光孊系等の各機噚を汚
染しお、最終定着画像に画像ムラおよび画像ヌケ
等の画像䞍良が発生する問題点がある。 しかしお、埓来の負垯電性のトナヌにおいお
は、トナヌ粒子よりも小埄のシリカ埮粒子を、ト
ナヌ粒子ず混合するこずにより、トナヌ粒子の衚
面にシリカ埮粒子を付着させ、これによりトナヌ
の塊状化を防止しお高い流動性を埗るこずがなさ
れおいる。 しかしながら、埓来甚いられおいるシリカ埮粒
子は負垯電性が匷いため、正垯電性のトナヌを埗
る堎合、圓該トナヌにシリカ埮粒子を混合しおト
ナヌ粒子の衚面に付着させるず、埗られるトナヌ
は負垯電性のものずなり、その結果感光䜓䞊に圢
成された負の静電朜像ず同極性にな぀お、静電気
的な珟像を行うこずができない問題点がある。 このような問題点を解決するための技術ずし
お、䞋蚘のような技術が開瀺されおいる。 (1) シランカツプリング剀で凊理された正垯電性
の埮粒子を甚いる技術特開昭53−66235号公
報、同56−123550号公報、特公昭53−22477号
公報参照。 (2) シリコヌンオむルで凊理された正垯電性の埮
粒子を甚いる技術特開昭58−60754号公報、
同59−187359号公報参照。 〔発明が解決しようずする問題点〕 しかしながら、䞊蚘技術(1)および(2)のようにシ
ランカツプリング剀もしくはシリコヌンオむルで
凊理された正垯電性の埮粒子を甚い、これをトナ
ヌに混合しおトナヌ粒子の衚面に付着させるよう
にしおも、珟像噚内においお攪拌等の物理的な力
を受けるず、圓該埮粒子がトナヌ粒子の衚面から
飛散するようになり、その結果トナヌが適正な垯
電量で正に摩擊垯電せず、たた飛散した埮粒子
が、珟像噚の内壁、珟像噚内に配眮された珟像ス
リヌブ、芏制ブレヌド、キダリア粒子衚面等に物
理的もしくは静電気的に付着するようになり、ト
ナヌの摩擊垯電性が阻害され、たた埮粒子の付着
による蓄積が過倧になるず、埮粒子ずトナヌ粒子
ずが摩擊垯電しお圓該トナヌ粒子が逆極性すなわ
ち負に垯電するようになり、その結果トナヌが飛
散しお装眮内を汚染するようになり、たた最終定
着画像においおは、カブリが発生したり、画像濃
床が䜎䞋しお、䞍鮮明な画像ずなる問題点があ
る。たた画像の圢成を倚数回にわたり繰り返す堎
合には、画像の䞍鮮明さが次第に増倧し、早期に
䞍良画像ずなり耐久性が䜎い問題点がある。 特に、シランカツプリング剀により凊理された
埮粒子を甚いる堎合には、シランカツプリング剀
により埮粒子の衚面を完党に芆うこずが困難であ
り、その結果埮粒子の負垯電性サむトおよび芪氎
性サむトが残存し、残存した負垯電性サむトに起
因しおトナヌの正垯電性が䜎䞋し、さらにはトナ
ヌが負垯電性のものずな぀お最終定着画像におい
おカブリが倚く発生し、たた残存した芪氎性サむ
ドに起因しお湿床の圱響を受けやすくなり、その
ため環境条件が倉化するず摩擊垯電胜が䞍安定な
ものずなり、その結果トナヌの飛散により装眮内
が汚染されたり、最終定着画像においおはカブリ
が発生し、たた転写工皋における転写率の䜎䞋に
より画像濃床が䜎䞋し、たたトナヌの飛散に起因
しお画像ムラが生じ、画像が䞍鮮明ずなる問題点
がある。 たた、特にシリコヌンオむルにより凊理された
埮粒子を甚いる堎合においおは、圓該埮粒子の衚
面が粘着性のオむル状物質により芆われた状態ず
なるため、このような埮粒子をトナヌに混合しお
トナヌ粒子の衚面に付着させおも、トナヌの流動
性を改善するこずが困難であり、たたシリコヌン
オむルに起因しお物理的な凝集が生じたり、たた
埮粒子が珟像噚の内壁、珟像スリヌブ、芏制ブレ
ヌド等に付着しおトナヌの正垯電胜を䜎䞋させ、
その結果珟像性が䜎䞋し、たたトナヌの飛散によ
る汚染が発生し、最終定着画像が、カブリが倚く
たた画像ヌケのある䞍鮮明なものずなる問題点が
ある。 たた、画像圢成プロセスにおいおは、珟像工皋
を経お感光䜓の衚面に圢成されたトナヌ画像が転
写工皋に付され、この転写工皋においお、通垞玙
等よりなる転写材に転写されるこずずなるが、転
写手段ずしおは静電気力を利甚した静電転写手段
を甚いるこずが奜たしい。 しかしながら、䞊蚘(1)および(2)の技術のよう
に、シランカツプリング剀もしくはシリコヌンオ
むルにより凊理された埮粒子を甚いお構成された
トナヌによ぀お珟像されお感光䜓の衚面に圢成さ
れたトナヌ画像は、垯電量が䞍足したた感光䜓の
衚面ぞの付着力が倧きいこずにより、静電転写手
段によ぀おは良奜に転写するこずが困難であり、
その結果最終定着画像においお画像ムラおよび画
像ヌケが発生したた画像濃床が䜎䞋する問題点が
ある。 たた、転写工皋においおトナヌ画像の転写が終
了した感光䜓は、次いでクリヌニング工皋に付さ
れ、このクリヌニング工皋においお、転写工皋を
経た埌に感光䜓の衚面に残留したトナヌが陀去さ
れ、感光䜓の衚面がクリヌニングされる。しかし
ながら、䞊蚘(1)および(2)の技術のように、シラン
カツプリング剀もしくはシリコヌンオむルにより
凊理された埮粒子を甚いお構成されたトナヌは、
感光䜓の衚面に察する物理的・静電的な付着力が
倧きいため、残留トナヌを完党にクリヌニングす
るこずが困難であり、その結果トナヌの䞀郚が感
光䜓䞊に残存しお次の画像圢成に悪圱響を䞎え、
画像が䞍鮮明ずなる問題点がある。 たた、転写工皋においおトナヌ画像が転写され
た転写材は、定着工皋に付され、トナヌ画像が熱
ロヌラにより加熱もしくは加圧されるこずにより
転写材に定着されお、最終定着画像が圢成され
る。しかしながら、䞊蚘(1)および(2)の技術のよう
に、シランカツプリング剀もしくはシリコヌンオ
むルにより凊理された埮粒子を甚いお構成された
トナヌは、熱ロヌラの衚面に転移しお付着しやす
く、このため熱ロヌラに付着しおいたトナヌが次
に送られお来る転写材に再転移しお画像を汚すず
いういわゆるオフセツト珟象が発生し、たた熱ロ
ヌラに付着したトナヌが固化したずきにはこれに
より熱ロヌラの衚面が損傷され、熱ロヌラの耐久
性が著しく䜎䞋する問題点がある。 〔発明の目的〕 本発明は以䞊の劂き事情に基いおなされたもの
であ぀お、その目的は、 (1) 良奜な正垯電性を有し、しかも耐湿性の優れ
た静電像珟像剀を提䟛するこず、 (2) 有機光導電性感光䜓に圢成された負の静電朜
像を珟像剀粒子の飛散を䌎わずに良奜に珟像す
るこずができる静電像珟像方法を提䟛するこ
ず、 (3) 環境条件の圱響を受けるこずなく、画像濃床
が高くおカブリのない良奜な画質の画像を倚数
回にわたり安定に圢成するこずができる画像圢
成方法を提䟛するこず、 にある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の静電像珟像剀は、 䞀般匏(1) はアルキレン基もしくはプニレン基を衚
し、はそれぞれ以䞊の敎数を衚す。 で瀺される゚ポキシ圓量が20〜1000025℃にお
ける粘床が40〜20000cpsの゚ポキシ基を有するシ
リコヌンオむルにより衚面が凊理されたうえ、曎
にアミノ化合物により凊理されたシリカ埮粒子か
らなり、次粒子の平均粒埄が〜500mΌ
BET法による比衚面積が20〜500m2である無
機埮粒子以䞋「特定の無機埮粒子」ずもいう。
を、トナヌに0.1〜重量混合しおなるこずを
特城ずする。 本発明の静電像珟像方法は、有機光電導性半導
䜓よりなる感光䜓以䞋「有機感光䜓」ずもい
う。の衚面に圢成された負の静電朜像を、前蚘
特定の無機埮粒子を混合しおなる静電像珟像剀に
より珟像するこずを特城ずする。 本発明の画像圢成方法は、前蚘有機感光䜓の衚
面に負の静電朜像を圢成する朜像圢成工皋ず、こ
の静電朜像を前蚘特定の無機埮粒子を混合しおな
る静電像珟像剀により珟像する珟像工皋ず、珟像
により埗られたトナヌ画像を静電気的に転写材ぞ
転写する転写工皋ず、転写工皋埌においお前蚘有
機感光䜓の衚面に残留した珟像剀をクリヌニング
ブレヌドによりクリヌニングするクリヌニング工
皋ず、フツ玠系暹脂もしくはシリコヌン系暹脂を
被芆しおなる熱ロヌラを有しおなる熱ロヌラ定着
噚により前蚘転写材䞊のトナヌ画像を加熱定着す
る定着工皋ずを含むこずを特城ずする。 〔発明の䜜甚効果〕 本発明の静電像珟像剀によれば、特定の無機埮
粒子を混合しおなるので、良奜な正垯電性を有
し、しかも耐湿性が優れたものである。すなわ
ち、無機埮粒子の衚面が゚ポキシ基を有するシリ
コヌンオむルにより凊理されるこずにより、圓該
無機埮粒子の衚面の芪氎性サむトおよび負垯電性
サむトに゚ポキシ基を有するシリコヌンオむルが
結合しおこれが圓該衚面に匷固に保持されるよう
になり、しかも゚ポキシ基が存圚するこずにより
シリコヌンオむルの粘着性が䜎く抑制され、その
結果゚ポキシ基を有するシリコヌンオむルにより
無機埮粒子に良奜な状態で疎氎性が付䞎され、そ
しおこの無機埮粒子の衚面がさらにアミノ化合物
により凊理されるこずにより、圓該無機埮粒子に
正垯電性が付䞎され、結局高湿環境条件䞋におい
おも、無機埮粒子による正垯電性が安定に発揮さ
れ、優れた正垯電性の珟像剀を埗るこずができ
る。 たた、䞊蚘特定の無機埮粒子は、珟像剀に察す
る付着性が良奜であ぀お珟像剀粒子に匷固に保持
されるようになり、埓぀お珟像噚内においお珟像
剀が攪拌されるずきに、圓該特定の無機埮粒子が
珟像噚の内壁、珟像スリヌブ、芏制ブレヌド等ぞ
転移しお付着するこずが防止され、その結果倚数
回にわたる画像圢成プロセスを遂行する堎合にも
珟像剀が安定した正垯電性を瀺すようになる。そ
しお圓該特定の無機埮粒子により珟像剀に高い流
動性が付䞎されるので、珟像剀粒子同志が凝集せ
ずに安定な状態で摩擊垯電されるようになる。 本発明の静電像珟像方法によれば、䞊蚘特定の
無機埮粒子を含有しおなる静電像珟像剀により、
有機光導電性半導䜓よりなる感光䜓の衚面に圢成
された負の静電朜像を珟像するため、生産コスト
が䜎くおしかも毒性がないずいう有機感光䜓の利
点を損なうこずなく、圓該有機感光䜓に圢成され
た負の静電朜像を珟像剀粒子の飛散を䌎わずに良
奜に珟像するこずができる。すなわち、䞊蚘珟像
剀は優れた正垯電性を有しおいるので、適正な垯
電量で正に垯電されるようになり、そのため珟像
剀粒子が珟像スリヌブに安定に保持された状態で
珟像空間ぞ搬送されるようになり、珟像剀粒子の
飛散による汚染の発生を防止するこずができる。
たた䞊蚘のように珟像剀の流動性が優れおいるの
で、珟像スリヌブ䞊に均䞀で揃぀た珟像剀の磁気
ブラシを圢成するこずができ、このため磁気ブラ
シ珟像法を甚いお良奜な珟像を達成するこずが可
胜ずなる。 本発明の画像圢成方法によれば、静電像珟像剀
が前蚘特定の無機埮粒子を含有しおなり、優れた
正垯電性を有するものであるため、珟像工皋にお
いおは、有機感光䜓の非画像郚ぞの珟像剀粒子の
付着が防止され、その結果最終定着画像においお
はカブリにない鮮明な画像を埗るこずが可胜ずな
る。たた、前蚘特定の無機埮粒子により珟像剀に
奜適な離型性が付䞎されるため、有機感光䜓の衚
面に察する物理的な付着力が小さく、このため転
写工皋においおは静電気的な転写手段により良奜
な転写を行うこずができ、画像濃床が高くお画像
ムラのない鮮明な画像を圢成するこずが可胜ずな
る。たた、䞊蚘のように珟像剀の転写性が良奜で
あるこずから、転写工皋を経た埌に有機感光䜓に
残留する珟像剀が少量ずなり、埓぀おクリヌニン
グ工皋においおは、残留した珟像剀のクリヌニン
グが容易ずなり、しかも䞊蚘のように珟像剀が奜
適な離型性を有しおいるため、珟像剀の有機感光
䜓ぞの付着力が小さく、その結果クリヌニングブ
レヌドを甚いお容易に珟像剀をクリヌニングする
こずが可胜ずなる。たたさらに、珟像剀のクリヌ
ニング性が良奜であるため、クリヌニングブレヌ
ドの感光䜓ぞの圧接力を小さくした状態で良奜な
クリヌニングを達成するこずができ、埓぀おクリ
ヌニングブレヌドによ぀お有機感光䜓の衚面が摩
耗しお圓該有機感光䜓の特性が早期に劣化するこ
ずが防止され、有機感光䜓の䜿甚寿呜を著しく長
くするこずができる。たた、定着工皋においお
は、熔融した珟像剀の衚面ず熱ロヌラずの間に前
蚘特定の無機埮粒子が介圚するこずにより、圓該
特定の無機埮粒子による離型䜜甚が埗られお珟像
剀の熱ロヌラぞの転移付着が防止され、たた熱ロ
ヌラの埮小な溝ぞの珟像剀の蓄積が防止され、そ
しお熱ロヌラがフツ玠系暹脂もしくはシリコヌン
系暹脂を被芆しおなるため、珟像剀の熱ロヌラぞ
の転移付着が䞀局防止され、その結果オフセツト
珟象に起因する画像汚れを防止するこずができ
る。たた前蚘特定の無機埮粒子は衚面が゚ポキシ
基を有するシリコヌンオむルにより芆われさらに
アミノ化合物により芆われるこずずなるため、圓
該特定の無機埮粒子により熱ロヌラの衚面が損傷
されるおそれが小さく、熱ロヌラの䜿甚寿呜を著
しく長くするこずが可胜ずなるず共に、優れた耐
オフセツト性が長期間にわたり安定に埗られる。 〔発明の具䜓的構成〕 本発明の静電像珟像剀は、その衚面ぱポキシ
基を有するシリコヌンオむルにより凊理されたう
え、さらにアミノ化合物により凊理された無機埮
粒子を含有しおなる。 前蚘゚ポキシ基を有するシリコヌンオむルずし
おは、䟋えば䞋蚘の䞀般匏(1)で瀺されるものを甚
いるこずができる。 䞀般匏(1) はアルキレン基もしくはプニレン基を衚
し、はそれぞれ以䞊の敎数を衚す。 たた、前蚘゚ポキシ基を有するシリコヌンオむ
ルずしおは、゚ポキシ圓量が200〜10000の範囲内
にあり、たた25℃における粘床が40〜20000cpsの
範囲内にあるものが甚いられる。圓該゚ポキシ圓
量が過小のずきには安定した正の摩擊垯電性が埗
られず、カブリが発生したりたた耐久性が䜎䞋す
る堎合があり、䞀方圓該゚ポキシ圓量が過倧のず
きには耐湿性、耐久性が䜎䞋する堎合がある。た
た圓該粘床が過小のずきには粘着性が増加するた
め耐久性が䜎䞋する堎合があり、䞀方圓該粘床が
過倧のずきには無機埮粒子の衚面凊理が䞍良ずな
り、その結果正の摩擊垯電性が䞍安定ずな぀お耐
久性が䜎䞋する堎合がある。 前蚘゚ポキシ基を有するシリコヌンオむルの具
䜓的物質ずしおは、䟋えば䞋蚘第衚に瀺す垂販
品を奜たしく甚いるこずができる。
〔具䜓的実斜䟋〕
以䞋、本発明の具䜓的実斜䟋および比范䟋に぀
いお説明するが、本発明がこれらの実斜䟋に限定
されるものではない。 無機埮粒子の補造 (1) 無機埮粒子本発明甚 ゚ポキシ基を有するシリコヌンオむルである、
「−22−342」信越化孊工業瀟補20重量郚を
ヘキサン80重量郚に溶解しお、第の凊理液を調
補した。 次に、シリカ埮粒子「ア゚ロゞル200」日本ア
゚ロゞル瀟補の100重量郚をミキサヌに入れお
回転しながら、これに䞊蚘第の凊理液100重量
郚を埐々に滎䞋しお加え、滎䞋終了埌、これらを
フラスコに入れ、攪拌しながら時間にわたり加
熱也燥し、これにより゚ポキシ基を有するシリコ
ヌンオむルにより衚面が凊理された無機埮粒子を
埗た。 そしお、アミノ化合物であるヘキサメチレンゞ
アミン20重量郚をヘキサン80重量郚に溶解しお、
第の凊理液を調補した。 䞊蚘゚ポキシ基を有するシリコヌンオむルによ
り衚面が凊理された無機埮粒子100重量郚を、䞊
蚘第の凊理液100重量郚を甚いお䞊蚘ず同様の
方法により凊理し、その衚面がさらにアミノ化合
物により凊理された無機埮粒子を埗た。これを
「無機埮粒子」ずする。この無機埮粒子は、
次粒子の平均粒埄が12mΌBET法により比衚
面積が90m2であ぀た。 (2) 無機埮粒子本発明甚 ゚ポキシ基を有するシリコヌンオむルである、
「SF−8411」トヌレ・シリコヌン瀟補15重量
郚をトル゚ン85重量郚に溶解しお、第の凊理液
を調補した。 次に、この第の凊理液100重量郚を甚いたほ
かは無機埮粒子の補造ず同様に凊理しお゚ポキ
シ基を有するシリコヌンオむルにより衚面が凊理
された無機埮粒子を埗た。 そしお、アミノ化合物であるゞ゚チレントリア
ミン10重量郚をヘキサン90重量郚に溶解しお、第
の凊理液を調補した。 䞊蚘゚ポキシ基を有するシリコヌンオむルによ
り衚面が凊理された無機埮粒子100重量郚を、䞊
蚘第の凊理液100重量郚を甚いお䞊蚘ず同様の
方法により凊理し、その衚面がさらにアミノ化合
物により凊理された無機埮粒子を埗た。これを
「無機埮粒子」ずする。この無機埮粒子は、
次粒子の平均粒埄が7mΌBET法により比衚
面積が122m2であ぀た。 (3) 無機埮粒子本発明甚 ゚ポキシ基を有するシリコヌンオむルである、
「SF−8413」トヌレ・シリコヌン瀟補10重量
郚をトル゚ン90重量郚に溶解しお、第の凊理液
を調補した。 次に、䞊蚘第の凊理液100重量郚ず、シリカ
埮粒子「ア゚ロゞル300」日本ア゚ロゞル瀟補
100重量郚ずを甚いたほかは、無機埮粒子の補
造ず同様に凊理しお゚ポキシ基を有するシリコヌ
ンオむルにより衚面が凊理された無機埮粒子を埗
た。 そしお、アミノ化合物であるトリ゚チレンテト
ラミン15重量郚をヘキサン85重量郚に溶解しお、
第の凊理液を調補した。 䞊蚘゚ポキシ基を有するシリコヌンオむルによ
り衚面が凊理された無機埮粒子100重量郚を、䞊
蚘第の凊理液100重量郚を甚いお䞊蚘ず同様の
方法により凊理し、その衚面がさらにアミノ化合
物により凊理された無機埮粒子を埗た。これを
「無機埮粒子」ずする。この無機埮粒子は、
次粒子の平均粒埄が13mΌBET法により比衚
面積が72m2であ぀た。 (4) 無機埮粒子比范甚 シリカ埮粒子「ア゚ロゞル200」日本ア゚ロゞ
ル瀟補を100℃に加熱した密閉型ヘンシ゚ルミ
キサヌに入れ、このシリカ埮粒子に察しお、アミ
ノ基含有シリコヌンオむルをむ゜プロピルアルコ
ヌルに溶解した溶液粘床1200cps、アミノ圓量
3500を、圓該アミノ基含有シリコヌンオむルの
凊理量が2.0重量ずなるような割合で噎霧しな
がら高速で攪拌凊理し、次いで枩床150℃で也燥
し、アミノ基含有シリコヌンオむルにより衚面が
凊理された比范甚の無機埮粒子を埗た。これを
「無機埮粒子」ずする。 (5) 無機埮粒子比范甚 シリカ埮粒子「ア゚ロゞル200」日本ア゚ロゞ
ル瀟補を70℃に加熱した密閉型ヘンシ゚ルミキ
サヌに入れ、このシリカ埮粒子に察しお、アミノ
基含有シランカツプリング剀であるγ−アミノプ
ロピルトリ゚トキシシランをアルコヌルに溶解し
た溶液を、圓該アミノ基含有シランカツプリング
剀の凊理量が5.0重量ずなるような割合で噎霧
しながら高速で攪拌凊理し、次いで枩床120℃で
也燥し、アミノ基含有シランカツプリング剀によ
り衚面が凊理された比范甚の無機埮粒子を埗た。
これを「無機埮粒子」ずする。 (6) 無機埮粒子比范甚 無機埮粒子の補造における゚ポキシ基を有す
るシリコヌンオむル20重量郚およびヘキサメチレ
ンゞアミン20重量郚をヘキサン160重量郚に溶解
しお凊理液を調補し、この凊理液を、シリカ埮粒
子「ア゚ロゞル200」日本ア゚ロゞル瀟補の
100重量郚に無機埮粒子ず同様の方法により凊
理しお比范甚の無機埮粒子を埗た。これを「無機
埮粒子」ずする。 〈実斜䟋 〉 (1) トナヌの補造 ポリスチレン−−ブチルアクリレヌト共重合
䜓共重合重量比8218の100重量郚ず、カ
ヌボンブラツク「モヌガル」キダボツト瀟補
の10重量郚ず、含金属染料の重量郚ずを型ブ
レンダヌにより混合した埌、二本ロヌルにより熔
融混緎し、その埌冷华し、ハンマヌミルにより粗
粉砕し、さらにゞ゚ツトミルにより埮粉砕し、次
いで颚力分玚機により分玚しお、平均粒埄が
11.0ÎŒmの非磁性トナヌを埗た。これを「トナヌ
」ずする。 (2) 珟像剀の補造 䞊蚘トナヌの50重量郚に、前蚘無機埮粒子
の0.5重量郚を加え、これらをヘンシ゚ルミキサ
ヌにより混合するこずにより、トナヌ粒子の衚面
に無機埮粒子を付着させもしくは打ち蟌んで保持
させ、これらにさらに鉄粉「DSP138」日本鉄
粉工業瀟補よりなるキダリアの950重量郚を混
合し、も぀お成分系珟像剀である本発明の静電
像珟像剀を埗た。これを「珟像剀」ずする。 (3) 実写テスト Γ テスト垞湿環境条件䞋における実写テス
ト 負の静電朜像を圢成するための有機感光䜓ず、
接觊型磁気ブラシ珟像噚ず、亀流のコロナ攟電を
生じさせるコロナ転写噚ず、衚局がテフロンデ
ナポン瀟補ポリテトラフルオロ゚チレンにより
圢成された盎埄20φの熱ロヌラおよび衚局がシリ
コヌンゎム「KE−1300RTV」信越化孊工業瀟
補により圢成されたバツクアツプロヌラよりな
る熱ロヌラ定着噚ず、りレタンゎムよりなるクリ
ヌニングブレヌドを有しおなるクリヌニング噚ず
を備えおなる電子写真耇写機「−Bix1500MR」
小西六写真工業瀟補の改造機により、枩床20
℃、盞察湿床60の垞枩環境条件䞋においお、䞊
蚘珟像剀を甚いお連続しお䞇回にわたり耇写
画像を圢成する実写テストを行い、䞋蚘の項目に
぀いおそれぞれ評䟡した。結果を埌述の第衚に
瀺す。 なお、䞊蚘有機感光䜓は、キダリア発生物質ず
しおアントアントロン系顔料を甚い、キダリア茞
送物質ずしおカルバゟヌル誘導䜓を甚いお圢成さ
れた負垯電性局構造の感光局を、回転ドラム状
のアルミニりム補導電性支持䜓䞊に積局しお構成
されたものである。 そしお、有機感光䜓の垯電時における衚面電䜍
最高電䜍が−700V、珟像空間における感光䜓
ず珟像スリヌブずの間隙Dsdは0.9mm、芏制
ブレヌドの先端ず珟像スリヌブずの間の距離
Hcutは0.6mm、磁石䜓は固定型で珟像スリヌ
ブの衚面における磁束密床は800ガりス、珟像ス
リヌブに印加するバむアス電圧は盎流電圧で−
100Vである。 カブリ 「サクラデンシトメヌタヌ」小西六写真工業
瀟補を甚いお、原皿濃床が0.0の癜地郚分の耇
数画像に察する盞察濃床を枬定しお刀定した。な
お癜地反射濃床を0.0ずした、評䟡は、盞察濃床
が0.01未満の堎合を「○」ずし、0.01以䞊で0.03
未満の堎合を「△」ずし、0.03以䞊の堎合を
「×」ずした。 画像濃床 「サクラデンシトメヌタヌ」小西六写真工業
瀟補を甚いお、原皿濃床が0.0の癜地郚分の耇
数画像に察する盞察濃床を枬定した。 画質 耇写画像を、画像ヌケ、画像ムラ、鮮明性の
぀の点から目芖により刀定した。評䟡は、䞍良で
実甚的には問題のある堎合を「×」、若干䞍良で
はあるが実甚レベルにある堎合を「△」、良奜で
ある堎合を「○」ずした。 トナヌ飛散 耇写機内および耇写画像を目芖により芳察し、
トナヌ飛散がほずんど認められず良奜である堎合
を「○」、トナヌ飛散が若干認められるが実甚レ
ベルにある堎合を「△」、トナヌ飛散が倚く認め
られ実甚的には問題のある堎合を「×」ずした。 クリヌニング性 画像の圢成を繰り返しお行぀た埌、クリヌニン
グブレヌドによりクリヌニングされた盎埌の有機
感光䜓の衚面を目芖により芳察し、圓該有機感光
䜓の衚面ぞの付着物の有無により刀定した。評䟡
は、付着物がほずんど認められず良奜である堎合
を「○」、付着物が若干認められるが実甚レベル
にある堎合を「△」、付着物が倚く認められ実甚
的には問題のある堎合を「×」ずした。 定着噚の耐久性 定着噚を構成する熱ロヌラおよびバツクアツプ
ロヌラの汚れに起因しお生ずる、オフセツト珟象
の発生、玙づたりの発生、転写玙の裏面汚れによ
り刀定した。評䟡は、䞍良で実甚的には問題のあ
る堎合を「×」、若干䞍良ではあるが実甚レベル
にある堎合を「△」、良奜である堎合を「○」ず
した。 Γテスト高湿環境条件䞋における実写テスト 環境条件を、枩床30℃、盞察湿床80の高湿環
境条件ずしたほか、同様にしお実写テストを行
い、䞊蚘の項目に぀いおそれぞれ評䟡した。結果
を埌述の第衚に瀺す。 〈実斜䟋 〉 実斜䟋の珟像剀の補造においお、無機埮粒子
の代わりに、無機埮粒子の0.4重量郚を甚い
たほかは、実斜䟋ず同様にしお珟像剀を埗た。
これを「珟像剀」ずする。 この珟像剀を甚いたほかは実斜䟋ず同様に
しお実写テストを行い、同様にしお評䟡した。結
果を埌述の第衚および第衚に瀺す。 〈実斜䟋 〉 実斜䟋の珟像剀の補造においお、無機埮粒子
の代わりに、比范甚の無機埮粒子の0.6重量
郚を甚いたほかは、実斜䟋ず同様にしお珟像剀
を埗た。これを「珟像剀」ずする。 この珟像剀を甚いたほかは実斜䟋ず同様に
しお実写テストを行い、同様にしお評䟡した。結
果を埌述の第衚および第衚に瀺す。 〈比范䟋 〉 実斜䟋の珟像剀の補造においお、無機埮粒子
の代わりに、比范甚の無機埮粒子の0.4重量
郚を甚いたほかは、実斜䟋ず同様にしお珟像剀
を埗た。これを「比范珟像剀」ずする。 この比范珟像剀を甚いたほかは実斜䟋ず同
様にしお実写テストを行い、同様にしお評䟡し
た。結果を埌述の第衚および第衚に瀺す。 〈比范䟋 〉 実斜䟋の珟像剀の補造においお、無機埮粒子
の代わりに、比范甚の無機埮粒子の0.4重量
郚を甚いたほかは、実斜䟋ず同様にしお珟像剀
を埗た。これを「比范珟像剀」ずする。 この比范珟像剀を甚いたほかは実斜䟋ず同
様にしお実写テストを行い、同様にしお評䟡し
た。結果を埌述の第衚および第衚に瀺す。 〈比范䟋 〉 実斜䟋の珟像剀の補造における、無機埮粒子
の代わりに比范甚の無機埮粒子の0.4重量郹
を甚いたほかは、実斜䟋ず同様にしお珟像剀を
埗た。これを「比范珟像剀」ずする。 この比范珟像剀を甚いたほかは実斜䟋ず同
様にしお実写テストを行い、同様にしお評䟡し
た。結果を埌述の第衚および第衚に瀺す。
【衚】
【衚】
【衚】 第衚および第衚の結果からも、理解される
ように、本発明の珟像剀〜によれば、トナヌ
の摩擊垯電性および流動性が良奜であり、埓぀お
珟像工皋においおは、磁気ブラシ珟像法により有
機感光䜓に圢成された負の静電朜像をトナヌ飛散
を䌎わずに良奜に珟像するこずができ、そしお転
写工皋においおは、静電転写手段により高い転写
率で転写するこずができ、たたクリヌニング工皋
においおは、簡単な構造のクリヌニングブレヌド
により良奜にクリヌニングするこずができ、たた
定着工皋においおは、熱ロヌラ定着噚によりオフ
セツト珟象の発生を䌎わずに良奜に定着するこず
ができ、これらの結果カブリ、画像ヌケ、画像ム
ラのない鮮明な画質で、しかも画像濃床が高くお
良奜な画像を圢成するこずができる。 そしお、倚数回にわたる画像圢成プロセスを遂
行する堎合においおも、熱ロヌラ定着噚においお
熱ロヌラおよびバツクアツプロヌラの汚れが発生
せず、圓該ロヌラの䜿甚寿呜が著しく長くなり、
しかも高湿環境条件䞋においおも良奜な画像を安
定に圢成するこずができる。 これに察しお、比范珟像剀によれば、アミノ
基含有シリコヌンオむルにより衚面が凊理された
比范甚の無機埮粒子を甚いおいるため、トナヌ
の摩擊垯電性が劣り、その結果カブリが倚くしか
も画像濃床の䜎い䞍鮮明な画像ずなる。たた、倚
数回にわたる画像圢成プロセスを遂行する堎合に
は、画像の䞍鮮明さが次第に増加し、早期に䞍良
画像ずなる。 たた、比范珟像剀によれば、アミノ基含有シ
ランカツプリング剀により衚面が凊理された比范
甚の無機埮粒子を甚いおいるため、圓該無機埮
粒子の衚面をアミノ基含有シランカツプリング剀
により完党に芆うこずが困難であり、そのため無
機埮粒子の負垯電性サむトおよび芪氎性サむトが
残存し、その結果トナヌの摩擊垯電性が䞍良ずな
り、結局カブリが倚くしかも画像濃床の䜎い䞍鮮
明な画像ずなる。たた、湿床の圱響を受けお摩擊
垯電性が䞍安定なものずなり、そのため高湿環境
条件䞋においおは、カブリが著しく発生し、たた
画像濃床が盞圓に䜎䞋し、画像の䞍鮮明さが著し
くなる。 たた、比范珟像剀によれば、゚ポキシ基を有
するシリコヌンオむルずアミノ化合物を同時に凊
理するため、゚ポキシ基ずアミンずの反応が優先
しお生じお氎酞基を有する反応生成物が生じ、無
機埮粒子の衚面には氎酞基が倚く存圚するこず
ずなり、正垯電性の䜎䞋および湿床の圱響を受け
易くなり、その結果トナヌの摩擊垯電性が䞍良ず
なり、結局カブリが倚くしかも画像濃床の䜎い䞍
鮮明な画像ずなる。たた、湿床の圱響を受けお摩
擊垯電性が急激に䞍安定に䜎䞋し、そのため高湿
環境条件䞋においおは、カブリが著しく発生し、
たた、画像濃床が盞圓に䜎䞋し、画像の䞍鮮明さ
が著しくなる。曎に、反応生成物は汚染を発生し
やすくなり、感光䜓衚面や定着ロヌラ衚面を汚染
しおクリヌニング性や定着噚の耐久性を䜎䞋せし
めおしたう。 さらに、本発明に係る珟像剀〜を甚い、本
発明に係る珟像方法を適甚しお連続䞇回にわた
る実写テストを行぀たずころ、第衚および第
衚ず同様の良奜な結果が埗られた。 たた、本発明に係る珟像剀〜を甚い、本発
明に係る画像圢成方法を適甚しお連続䞇回にわ
たる実写テストを行぀たずころ、第衚および第
衚ず同様の良奜な結果が埗られた。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明の静電像珟像方法を遂行するた
めに奜適に甚いるこずができる静電像珟像装眮の
䞀䟋を瀺す説明図、第図は本発明の画像圢成方
法を遂行するために奜適に甚いるこずができる画
像圢成装眮の䞀䟋を瀺す説明図である。   有機感光䜓、  導電性支持
䜓、  感光局、  珟像スリヌブ、
  磁石䜓、  芏制ブレヌド、 
 珟像剀局磁気ブラシ、  珟像空間、
  キダビネツト、  原皿、  
原皿茉眮台、  転写玙、  有機感光
䜓、  コロナ垯電噚、  露光光孊
系、  磁気ブラシ珟像噚、  静電転
写噚、  ブレヌド匏クリヌニング噚、
  熱ロヌラ定着噚。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  䞀般匏(1) はアルキレン基もしくはプニレン基を衚
    し、はそれぞれ以䞊の敎数を衚す。 で瀺される゚ポキシ圓量が200〜1000025℃にお
    ける粘床が40〜20000cpsの゚ポキシ基を有するシ
    リコヌンオむルにより衚面が凊理されたうえ、曎
    にアミノ化合物により凊理されたシリカ埮粒子か
    らなり、次粒子の平均粒埄が〜500mΌ、
    BET法による比衚面積が20〜500m2である無
    機埮粒子を、トナヌに0.1〜重量混合しおな
    るこずを特城ずする静電像珟像剀。  有機光導電性半導䜓よりなる感光䜓の衚面に
    圢成された負の静電朜像を、 䞀般匏(1) はアルキレン基もしくはプニレン基を衚
    し、はそれぞれ以䞊の敎数を衚す。 で瀺される゚ポキシ等量が200〜1000025℃にお
    ける粘床が40〜20000cpsの゚ポキシ基を有するシ
    リコヌンオむルにより衚面が凊理されたうえ、曎
    にアミノ化合物により凊理されたシリカ埮粒子か
    らなり、次粒子の平均粒埄が〜500mΌ、
    BET法による比衚面積が20〜500m2である無
    機埮粒子を、トナヌに0.1〜重量混合しおな
    る静電像珟像剀により珟像するこずを特城ずする
    静電像珟像方法。  有機光導電性半導䜓よりなる感光䜓の衚面に
    負の静電朜像を圢成する朜像圢成工皋ず、 この静電朜像を、 䞀般匏(1) はアルキレン基もしくはプニレン基を衚
    し、はそれぞれ以䞊の敎数を衚す。 で瀺される゚ポキシ圓量が200〜1000025℃にお
    ける粘床が40〜20000cpsの゚ポキシ基を有するシ
    リコヌンオむルにより衚面が凊理されたうえ、曎
    にアミノ化合物により凊理されたシリカ埮粒子か
    らなり、次粒子の平均粒埄が〜500mΌ、
    BET法による比衚面積が20〜500m2である無
    機埮粒子を、トナヌに0.1〜重量混合しおな
    る静電像珟像剀により珟像する珟像工皋ず、 珟像により埗られたトナヌ画像を静電気的に転
    写材ぞ転写する転写工皋ず、転写工皋埌においお
    前蚘感光䜓の衚面に残留した珟像剀をクリヌニン
    グブレヌドによりクリヌニングするクリヌニング
    工皋ず、フツ玠系暹脂もしくはシリコヌン系暹脂
    を被芆しおなる熱ロヌラを有しおなる熱ロヌラ定
    着噚により前蚘転写材䞊のトナヌ画像を加熱定着
    する定着工皋ずを含むこずを特城ずする画像圢成
    方法。
JP61301768A 1986-12-19 1986-12-19 静電像珟像剀および静電像珟像方法ならびに画像圢成方法 Granted JPS63155155A (ja)

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WO1997012835A1 (fr) * 1995-10-02 1997-04-10 Mitsubishi Materials Corporation Poudre hydrophobe d'oxyde de metal et son utilisation
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