JPH0557951A - 静電潜像形成装置 - Google Patents
静電潜像形成装置Info
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- JPH0557951A JPH0557951A JP24428291A JP24428291A JPH0557951A JP H0557951 A JPH0557951 A JP H0557951A JP 24428291 A JP24428291 A JP 24428291A JP 24428291 A JP24428291 A JP 24428291A JP H0557951 A JPH0557951 A JP H0557951A
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Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】第３の電極の形成が容易であり、コストダウン
が可能のであるとともに、潜像形成密度を高密度化した
場合でもイオン導出用開口部の形成が容易且つ高精度に
行うことができ、更に、イオンの放出を効率良く行うこ
とが可能な静電潜像形成装置を提供することを目的とす
る。 【構成】第３の電極を、前記第２の絶縁層上に導電性材
料を印刷した後、焼成することにより形成するととも
に、前記第２の絶縁層及び第３の電極の開口部を、リフ
トオフ法により形成し、前記第２の絶縁層及び第３の電
極の開口部の開口幅を第２の電極の開口部の開口幅と同
等あるいは順次開口幅を小さくするように構成した。
が可能のであるとともに、潜像形成密度を高密度化した
場合でもイオン導出用開口部の形成が容易且つ高精度に
行うことができ、更に、イオンの放出を効率良く行うこ
とが可能な静電潜像形成装置を提供することを目的とす
る。 【構成】第３の電極を、前記第２の絶縁層上に導電性材
料を印刷した後、焼成することにより形成するととも
に、前記第２の絶縁層及び第３の電極の開口部を、リフ
トオフ法により形成し、前記第２の絶縁層及び第３の電
極の開口部の開口幅を第２の電極の開口部の開口幅と同
等あるいは順次開口幅を小さくするように構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はプリンタやファクシミ
リ等に使用される静電潜像形成装置に関し、特に、荷電
粒子（イオン）を発生させ、このイオンによって静電潜
像の形成を行なうための静電潜像形成装置に関するもの
である。
リ等に使用される静電潜像形成装置に関し、特に、荷電
粒子（イオン）を発生させ、このイオンによって静電潜
像の形成を行なうための静電潜像形成装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の静電潜像形成装置として
は、次に示すようなものがある。これは、図１３及び図
１４に示すように、絶縁基板５７の表面に、複数の駆動
電極５１、５１…を互いに平行に設けるとともに、これ
らの上に絶縁層５０を介して駆動電極５１、５１…と交
差するように複数の制御電極５２、 ５２…を設け、両
電極５１、５１…及び５２、５２…によってマトリクス
を構成する。そして、上記制御電極５２、５２…には、
駆動電極５１、５１…と交差する位置に開口部５３、５
３…を形成する。
は、次に示すようなものがある。これは、図１３及び図
１４に示すように、絶縁基板５７の表面に、複数の駆動
電極５１、５１…を互いに平行に設けるとともに、これ
らの上に絶縁層５０を介して駆動電極５１、５１…と交
差するように複数の制御電極５２、 ５２…を設け、両
電極５１、５１…及び５２、５２…によってマトリクス
を構成する。そして、上記制御電極５２、５２…には、
駆動電極５１、５１…と交差する位置に開口部５３、５
３…を形成する。
【０００３】また、上記制御電極５２、５２…の下面に
は、図１４に示すように、絶縁層５４を介してスクリー
ン電極５５を設ける。これらの絶縁層５４及びスクリー
ン電極５５には、図１５に示すように、制御電極５２、
５２…の開口部５３、５３…と対応した位置に、円形状
の開口部５６、５６…及びイオン導出用の開口部５８、
５８…を形成する。
は、図１４に示すように、絶縁層５４を介してスクリー
ン電極５５を設ける。これらの絶縁層５４及びスクリー
ン電極５５には、図１５に示すように、制御電極５２、
５２…の開口部５３、５３…と対応した位置に、円形状
の開口部５６、５６…及びイオン導出用の開口部５８、
５８…を形成する。
【０００４】そして、上記静電潜像形成装置は、図１４
に示すように、駆動電極５１、５１…とスクリーン電極
５５との間に高周波高電圧を印加するとともに、スクリ
ーン電極５５に直流電圧を印加する。また、制御電極５
２、５２…に画像情報に応じたパルス電圧を選択的に印
加する。
に示すように、駆動電極５１、５１…とスクリーン電極
５５との間に高周波高電圧を印加するとともに、スクリ
ーン電極５５に直流電圧を印加する。また、制御電極５
２、５２…に画像情報に応じたパルス電圧を選択的に印
加する。
【０００５】このように、選択的に電圧が印加された駆
動電極５１、５１…と制御電極５２、５２…との間にお
ける開口部５３、５３…に、図１６に示すように、沿面
コロナ放電Ｒを生起させ、この沿面コロナ放電Ｒによっ
て発生したイオン流Ｓを制御電極５２、５２…とスクリ
ーン電極５５との間に形成される電界によって加速もし
くは吸収し、イオンＩの放出の制御を行なって、潜像担
持体５９上に画像信号に応じたイオンＩによる静電潜像
の形成を行なうように構成されている。
動電極５１、５１…と制御電極５２、５２…との間にお
ける開口部５３、５３…に、図１６に示すように、沿面
コロナ放電Ｒを生起させ、この沿面コロナ放電Ｒによっ
て発生したイオン流Ｓを制御電極５２、５２…とスクリ
ーン電極５５との間に形成される電界によって加速もし
くは吸収し、イオンＩの放出の制御を行なって、潜像担
持体５９上に画像信号に応じたイオンＩによる静電潜像
の形成を行なうように構成されている。
【０００６】ところで、この静電潜像形成装置は、次の
ようにして製造される。すなわち、絶縁性材料からなる
絶縁基板５７上に、駆動電極５１、５１…を導電性イン
クにより所定のパターンに印刷した後、この駆動電極５
１、５１…が形成された絶縁基板５０を焼成する。次
に、駆動電極５１、５１…が形成された絶縁基板５７上
に絶縁層５０を積層して焼成した後、この絶縁層５０上
に制御電極５２、５２…を、駆動電極５１、５１…と交
差するように導電性インクにより所定のパターンに印刷
焼成する。その後、この制御電極５２、５２…が形成さ
れた絶縁層５０上に、さらに絶縁層５４を積層して形成
された材料を高温で焼成し、一体化する。そして、最後
に、上記絶縁層５４上に予め薄い金属板等によって形成
されたスクリーン電極５５を接着等の手段によって固着
して製造される。
ようにして製造される。すなわち、絶縁性材料からなる
絶縁基板５７上に、駆動電極５１、５１…を導電性イン
クにより所定のパターンに印刷した後、この駆動電極５
１、５１…が形成された絶縁基板５０を焼成する。次
に、駆動電極５１、５１…が形成された絶縁基板５７上
に絶縁層５０を積層して焼成した後、この絶縁層５０上
に制御電極５２、５２…を、駆動電極５１、５１…と交
差するように導電性インクにより所定のパターンに印刷
焼成する。その後、この制御電極５２、５２…が形成さ
れた絶縁層５０上に、さらに絶縁層５４を積層して形成
された材料を高温で焼成し、一体化する。そして、最後
に、上記絶縁層５４上に予め薄い金属板等によって形成
されたスクリーン電極５５を接着等の手段によって固着
して製造される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記静電潜像形成装置においては、第３電極の電極
であるスクリーン電極５５を接着等の手段によって絶縁
層５４上に固着して製造している。そのため、スクリー
ン電極５５を薄い金属板等にイオン導出用の開口部５
８、５８…を穿設することによって形成し、このスクリ
ーン電極５５を接着等の手段によって絶縁層５４上に固
着しなければならず、スクリーン電極５５の形成及び取
り付けが面倒であり、コスト高及び製造プロセスが複雑
となるという問題点があった。また、静電潜像形成装置
の潜像形成密度を高密度化するに伴い、スクリーン電極
５５には、駆動電極５１、５１…及び制御電極５２、５
２…によって形成されるマトリクスに対応した位置に、
イオン導出用の開口部５８、５８…を穿設しなければな
らない。そのため、スクリーン電極５５へのイオン導出
用開口部５８、５８…の穿設が困難であり、イオン導出
用開口部５８、５８…を精度良く形成することができな
いという問題点があった。さらに、上記スクリーン電極
５５を固着する絶縁層５４に、制御電極５２、５２…の
開口部５３、５３…と対応した位置に穿設される開口部
５６、５６…は、スクリーン電極５５のイオン導出用開
口部５８、５８…との位置ずれ等も考慮して、当該イオ
ン導出用開口部５８、５８…よりも大きく形成されてい
る。そのため、制御電極５２、５２…の開口部５３、５
３…に生成するイオンＩが、絶縁層５４の開口部５６、
５６…とスクリーン電極５５のイオン導出用開口部５
８、５８…との段差部で導出が妨げられ、イオンＩを効
率良く放出することができないという問題点もあった。
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記静電潜像形成装置においては、第３電極の電極
であるスクリーン電極５５を接着等の手段によって絶縁
層５４上に固着して製造している。そのため、スクリー
ン電極５５を薄い金属板等にイオン導出用の開口部５
８、５８…を穿設することによって形成し、このスクリ
ーン電極５５を接着等の手段によって絶縁層５４上に固
着しなければならず、スクリーン電極５５の形成及び取
り付けが面倒であり、コスト高及び製造プロセスが複雑
となるという問題点があった。また、静電潜像形成装置
の潜像形成密度を高密度化するに伴い、スクリーン電極
５５には、駆動電極５１、５１…及び制御電極５２、５
２…によって形成されるマトリクスに対応した位置に、
イオン導出用の開口部５８、５８…を穿設しなければな
らない。そのため、スクリーン電極５５へのイオン導出
用開口部５８、５８…の穿設が困難であり、イオン導出
用開口部５８、５８…を精度良く形成することができな
いという問題点があった。さらに、上記スクリーン電極
５５を固着する絶縁層５４に、制御電極５２、５２…の
開口部５３、５３…と対応した位置に穿設される開口部
５６、５６…は、スクリーン電極５５のイオン導出用開
口部５８、５８…との位置ずれ等も考慮して、当該イオ
ン導出用開口部５８、５８…よりも大きく形成されてい
る。そのため、制御電極５２、５２…の開口部５３、５
３…に生成するイオンＩが、絶縁層５４の開口部５６、
５６…とスクリーン電極５５のイオン導出用開口部５
８、５８…との段差部で導出が妨げられ、イオンＩを効
率良く放出することができないという問題点もあった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、この発明は、上
記従来技術の問題点を解決するためになされたもので、
その目的とするところは、第３の電極の形成が容易であ
り、コストダウンが可能のであるとともに、潜像形成密
度を高密度化した場合でもイオン導出用開口部の形成が
容易且つ高精度に行うことができ、更に、イオンの放出
を効率良く行うことが可能な静電潜像形成装置を提供す
ることにある。
記従来技術の問題点を解決するためになされたもので、
その目的とするところは、第３の電極の形成が容易であ
り、コストダウンが可能のであるとともに、潜像形成密
度を高密度化した場合でもイオン導出用開口部の形成が
容易且つ高精度に行うことができ、更に、イオンの放出
を効率良く行うことが可能な静電潜像形成装置を提供す
ることにある。
【０００９】すなわち、この発明は、絶縁性基板と、第
１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、第１の絶縁
層と、第２の絶縁層を具備し、前記第１の電極と第２の
電極は、前記第１の絶縁層を挟んで前記絶縁性基板上に
マトリクス状に設けられ、前記第２の電極は、前記第１
の電極と第２の電極との間に電圧を印加することにより
沿面コロナ放電を生起する空間領域を有し、前記第３の
電極は、前記第２の電極との間に第２の絶縁層を介在さ
せて設けられ、イオン導出用の開口部を有する静電潜像
形成装置において、前記第３の電極を、前記第２の絶縁
層上に導電性材料を印刷した後、焼成することにより形
成するとともに、前記第２の絶縁層及び第３の電極の開
口部を、リフトオフ法により形成し、前記第２の絶縁層
及び第３の電極の開口部の開口幅を第２の電極の開口部
の開口幅と同等あるいは順次開口幅を小さくするように
構成されている。
１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、第１の絶縁
層と、第２の絶縁層を具備し、前記第１の電極と第２の
電極は、前記第１の絶縁層を挟んで前記絶縁性基板上に
マトリクス状に設けられ、前記第２の電極は、前記第１
の電極と第２の電極との間に電圧を印加することにより
沿面コロナ放電を生起する空間領域を有し、前記第３の
電極は、前記第２の電極との間に第２の絶縁層を介在さ
せて設けられ、イオン導出用の開口部を有する静電潜像
形成装置において、前記第３の電極を、前記第２の絶縁
層上に導電性材料を印刷した後、焼成することにより形
成するとともに、前記第２の絶縁層及び第３の電極の開
口部を、リフトオフ法により形成し、前記第２の絶縁層
及び第３の電極の開口部の開口幅を第２の電極の開口部
の開口幅と同等あるいは順次開口幅を小さくするように
構成されている。
【００１０】
【作用】この発明においては、第３の電極を、前記第２
の絶縁層上に導電性材料を印刷した後、焼成することに
より形成するように構成されているので、第３の電極
を、第１の電極及び第２の電極と同様に印刷及び焼成工
程により形成することができ、第３の電極を容易にしか
も精度良く形成することができる。また、前記第２の絶
縁層及び第３の電極の開口部を、リフトオフ法により形
成し、前記第２の絶縁層及び第３の電極の開口部の開口
幅を第２の電極の開口部の開口幅と同等あるいは順次開
口幅を小さくするように構成されているので、第３の電
極の開口部を容易に精度良く形成することができるとと
もに、イオンの導出を効率良く行なうことができる。
の絶縁層上に導電性材料を印刷した後、焼成することに
より形成するように構成されているので、第３の電極
を、第１の電極及び第２の電極と同様に印刷及び焼成工
程により形成することができ、第３の電極を容易にしか
も精度良く形成することができる。また、前記第２の絶
縁層及び第３の電極の開口部を、リフトオフ法により形
成し、前記第２の絶縁層及び第３の電極の開口部の開口
幅を第２の電極の開口部の開口幅と同等あるいは順次開
口幅を小さくするように構成されているので、第３の電
極の開口部を容易に精度良く形成することができるとと
もに、イオンの導出を効率良く行なうことができる。
【００１１】
【実施例】以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説
明する。
明する。
【００１２】図２及び図３はこの発明に係る静電潜像形
成装置の一実施例を示すものである。図において、１は
静電潜像形成装置としての記録ヘッドを示すものであ
り、この記録ヘッド１は、セラミックス等からなる平面
矩形状の絶縁性基板２を備えている。この絶縁性基板２
の表面には、図３に示すように、第１の電極として複数
且つ直線状の駆動電極３、３…が互いに平行に設けられ
ているとともに、これらの駆動電極３、３…上には、絶
縁層１６を介して駆動電極３、３…と交差するように第
２の電極として複数の制御電極４、４…が設けられてお
り、両電極３、３…及び４、４…によってマトリクスが
形成されている。上記制御電極４、４…には、図３及び
図４に示すように、駆動電極３、３…と交差する位置
に、沿面コロナ放電を生じる空間領域としての円形の開
口部５、５…が設けられている。これらの絶縁性基板
２、絶縁層１６、駆動電極３及び制御電極４によって、
図３に示すように、イオン生成部６が構成されている。
成装置の一実施例を示すものである。図において、１は
静電潜像形成装置としての記録ヘッドを示すものであ
り、この記録ヘッド１は、セラミックス等からなる平面
矩形状の絶縁性基板２を備えている。この絶縁性基板２
の表面には、図３に示すように、第１の電極として複数
且つ直線状の駆動電極３、３…が互いに平行に設けられ
ているとともに、これらの駆動電極３、３…上には、絶
縁層１６を介して駆動電極３、３…と交差するように第
２の電極として複数の制御電極４、４…が設けられてお
り、両電極３、３…及び４、４…によってマトリクスが
形成されている。上記制御電極４、４…には、図３及び
図４に示すように、駆動電極３、３…と交差する位置
に、沿面コロナ放電を生じる空間領域としての円形の開
口部５、５…が設けられている。これらの絶縁性基板
２、絶縁層１６、駆動電極３及び制御電極４によって、
図３に示すように、イオン生成部６が構成されている。
【００１３】また、上記イオン生成部６の制御電極４の
下面には、図２に示すように、絶縁層としてのスペーサ
層７を介在させて、第３の電極としてのスクリーン電極
８が設けられている。スペーサ層７は、図５に示すよう
に、絶縁性基板２と長さが略等しく、幅がやや狭い平面
矩形状に形成されており、接着等の手段によって第１の
絶縁性基板２に固着されている。このスペーサ層７に
は、制御電極３、３…の開口部５、５…に対応した位置
に、同開口部５、５…と同じ大きさの開口部９、９…が
設けられている。また、スクリーン電極８には、制御電
極３、３…の開口部５、５…に対応した位置に、同開口
部５、５…と同じ径のイオン導出領域としての開口部１
０、１０…が設けられている。
下面には、図２に示すように、絶縁層としてのスペーサ
層７を介在させて、第３の電極としてのスクリーン電極
８が設けられている。スペーサ層７は、図５に示すよう
に、絶縁性基板２と長さが略等しく、幅がやや狭い平面
矩形状に形成されており、接着等の手段によって第１の
絶縁性基板２に固着されている。このスペーサ層７に
は、制御電極３、３…の開口部５、５…に対応した位置
に、同開口部５、５…と同じ大きさの開口部９、９…が
設けられている。また、スクリーン電極８には、制御電
極３、３…の開口部５、５…に対応した位置に、同開口
部５、５…と同じ径のイオン導出領域としての開口部１
０、１０…が設けられている。
【００１４】上記の如く構成される記録ヘッド１は、図
２に示すように、潜像担持体としての誘電体ドラム１１
と所定の距離Ｌを隔てて対向するように配設される。上
記距離Ｌは、例えば１５０〜３５０μｍ程度に設定され
る。この誘電体ドラム１１は、導電性基板１２の表面に
誘電体層１３を形成して構成されている。
２に示すように、潜像担持体としての誘電体ドラム１１
と所定の距離Ｌを隔てて対向するように配設される。上
記距離Ｌは、例えば１５０〜３５０μｍ程度に設定され
る。この誘電体ドラム１１は、導電性基板１２の表面に
誘電体層１３を形成して構成されている。
【００１５】そして、上記記録ヘッド１は、図２に示す
ように、駆動電極３、３…とスクリーン電極８との間に
交流電源１７が接続されており、この交流電源１７によ
って両電極３、８間に高周波高電圧が印加されるように
なっている。一方、制御電極４、４…には、イオン制御
電源１８により選択的にパルス電圧が、スクリーン電極
８には、直流電源１９により直流電圧が、それぞれ印加
されるようになっている。
ように、駆動電極３、３…とスクリーン電極８との間に
交流電源１７が接続されており、この交流電源１７によ
って両電極３、８間に高周波高電圧が印加されるように
なっている。一方、制御電極４、４…には、イオン制御
電源１８により選択的にパルス電圧が、スクリーン電極
８には、直流電源１９により直流電圧が、それぞれ印加
されるようになっている。
【００１６】こうすることによって、選択的に電圧が印
加された駆動電極３と制御電極４との間の電位差によ
り、図６に示すように、開口部５において沿面コロナ放
電Ｒを生起させ、この沿面コロナ放電Ｒによって発生し
たイオンＩを、制御電極４とスクリーン電極８との間に
選択的に形成される電界によって加速若しくは吸収し、
スクリーン電極８の開口部１０からイオン流Ｓを制御し
て放出し、誘電体ドラム１１上に画像信号に応じた静電
潜像の形成を行なうようになっている。
加された駆動電極３と制御電極４との間の電位差によ
り、図６に示すように、開口部５において沿面コロナ放
電Ｒを生起させ、この沿面コロナ放電Ｒによって発生し
たイオンＩを、制御電極４とスクリーン電極８との間に
選択的に形成される電界によって加速若しくは吸収し、
スクリーン電極８の開口部１０からイオン流Ｓを制御し
て放出し、誘電体ドラム１１上に画像信号に応じた静電
潜像の形成を行なうようになっている。
【００１７】ところで、この実施例では、前記第３の電
極が、前記第２の絶縁層上に導電性材料を印刷した後、
焼成することにより形成されている。
極が、前記第２の絶縁層上に導電性材料を印刷した後、
焼成することにより形成されている。
【００１８】すなわち、上記記録ヘッドは、図１及び図
７に示すように、次のようにして製造される。
７に示すように、次のようにして製造される。
【００１９】まず、アルミナやジルコニア等のセラミク
スによって形成された絶縁性基板２上に、図７（ａ）に
示すように、タングステンや銀等からなる導電性材料を
溶媒中にペースト状に分散させた導電性インクにより、
駆動電極３、３…を所定の形状に印刷した後、この駆動
電極３、３…が印刷形成された絶縁性基板２を焼成す
る。
スによって形成された絶縁性基板２上に、図７（ａ）に
示すように、タングステンや銀等からなる導電性材料を
溶媒中にペースト状に分散させた導電性インクにより、
駆動電極３、３…を所定の形状に印刷した後、この駆動
電極３、３…が印刷形成された絶縁性基板２を焼成す
る。
【００２０】次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁性の
高いガラス等を溶媒中にペースト状に分散させた絶縁性
インクにより絶縁層１６を印刷し、焼成する。
高いガラス等を溶媒中にペースト状に分散させた絶縁性
インクにより絶縁層１６を印刷し、焼成する。
【００２１】その後、上記絶縁層１６上に、図７（ｃ）
に示すように、フォトレジストをスピンコートし、この
フォトレジスト２０に所定のマスクを介して露光硬化さ
せた後、フォトレジスト２０の未硬化部分をエッチング
により除去し、制御電極４、４…の円形の開口部５、５
…に対応した位置に、フォトレジスト２０を残置する。
に示すように、フォトレジストをスピンコートし、この
フォトレジスト２０に所定のマスクを介して露光硬化さ
せた後、フォトレジスト２０の未硬化部分をエッチング
により除去し、制御電極４、４…の円形の開口部５、５
…に対応した位置に、フォトレジスト２０を残置する。
【００２２】さらに、上記の如くフォトレジスト２０が
形成された絶縁層１６上に、図７（ｄ）に示すように、
ニッケル等からなる導電性インクにより制御電極４、４
…を所定の形状に形成した後、図７（ｅ）に示すよう
に、フォトレジスト２０上に残置した導電性インクを削
り取る。
形成された絶縁層１６上に、図７（ｄ）に示すように、
ニッケル等からなる導電性インクにより制御電極４、４
…を所定の形状に形成した後、図７（ｅ）に示すよう
に、フォトレジスト２０上に残置した導電性インクを削
り取る。
【００２３】次に、同様な手法により制御電極４、４…
が形成された絶縁層１６上に、図７（ｆ）に示すよう
に、ガラスペーストによりスペーサ層７と、導電性材料
によりスクリーン電極８とを積層させて、焼成する。
が形成された絶縁層１６上に、図７（ｆ）に示すよう
に、ガラスペーストによりスペーサ層７と、導電性材料
によりスクリーン電極８とを積層させて、焼成する。
【００２４】こうすることによって、図７（ｇ）に示す
ように、絶縁性基板２上に、駆動電極３、３…と、絶縁
層１６と、制御電極４、４…と、スペーサ層７と、スク
リーン電極８とを、順次積層させた状態に形成する。
ように、絶縁性基板２上に、駆動電極３、３…と、絶縁
層１６と、制御電極４、４…と、スペーサ層７と、スク
リーン電極８とを、順次積層させた状態に形成する。
【００２５】このように、スクリーン電極８が、スペー
サ層７上に導電性材料を印刷した後、焼成することによ
り形成するように構成されているので、スクリーン電極
８を、駆動電極３、３…や制御電極４、４…と同様に印
刷及び焼成工程により形成することができ、スクリーン
電極８を容易にしかも精度良く形成することができる。
また、スクリーン電極８が、スペーサ層７上に導電性材
料を印刷した後、焼成することにより形成するように構
成されているので、潜像形成密度を高密度化した場合で
もイオン導出用開口部１０、１０…の形成が容易且つ高
精度に行うことができる。さらに、スクリーン電極８を
積層形成するスペーサ層７の開口部９、９…は、スクリ
ーン電極８のイオン導出用開口部１０、１０…と同じ径
に形成することができるので、イオンの放出を効率良く
行うことができる。
サ層７上に導電性材料を印刷した後、焼成することによ
り形成するように構成されているので、スクリーン電極
８を、駆動電極３、３…や制御電極４、４…と同様に印
刷及び焼成工程により形成することができ、スクリーン
電極８を容易にしかも精度良く形成することができる。
また、スクリーン電極８が、スペーサ層７上に導電性材
料を印刷した後、焼成することにより形成するように構
成されているので、潜像形成密度を高密度化した場合で
もイオン導出用開口部１０、１０…の形成が容易且つ高
精度に行うことができる。さらに、スクリーン電極８を
積層形成するスペーサ層７の開口部９、９…は、スクリ
ーン電極８のイオン導出用開口部１０、１０…と同じ径
に形成することができるので、イオンの放出を効率良く
行うことができる。
【００２６】第二実施例 図８はこの発明の第二の実施例を示すものであり、前記
実施例と同一の部分には同一の符号を付して説明する
と、この実施例では、制御電極４、４…に形成される開
口部５、５…と、スペーサ層７に形成される開口部９、
９…と、スクリーン電極８に形成されるイオン導出領域
としての開口部１０、１０…が、図８に示すように、先
端側が開口幅が狭くなるように設定されている。こうす
ることによって、上記スクリーン電極８のイオン導出用
開口部１０、１０…から放出されるイオンＩを集中させ
ることができ、高密度且つ高解像度の静電潜像を形成す
ることができる。
実施例と同一の部分には同一の符号を付して説明する
と、この実施例では、制御電極４、４…に形成される開
口部５、５…と、スペーサ層７に形成される開口部９、
９…と、スクリーン電極８に形成されるイオン導出領域
としての開口部１０、１０…が、図８に示すように、先
端側が開口幅が狭くなるように設定されている。こうす
ることによって、上記スクリーン電極８のイオン導出用
開口部１０、１０…から放出されるイオンＩを集中させ
ることができ、高密度且つ高解像度の静電潜像を形成す
ることができる。
【００２７】この実施例では、上記絶縁層１６上に形成
されるフォトレジスト２０の形状を、露光条件及び乾燥
条件を制御することにより、図９及び図１０に示すよう
に、先端側の開口幅が徐々に狭くなるような凸形状に形
成する。
されるフォトレジスト２０の形状を、露光条件及び乾燥
条件を制御することにより、図９及び図１０に示すよう
に、先端側の開口幅が徐々に狭くなるような凸形状に形
成する。
【００２８】その他の構成及び作用は前記第一の実施例
と同一であるので、その説明を省略する。
と同一であるので、その説明を省略する。
【００２９】第三実施例 図１１はこの発明の第三の実施例を示すものであり、前
記実施例と同一の部分には同一の符号を付して説明する
と、この実施例では、制御電極４、４…に形成される開
口部５、５…と、スペーサ層７に形成される開口部９、
９…と、スクリーン電極８に形成されるイオン導出領域
としての開口部１０、１０…が、図１１に示すように、
制御電極４、４…に形成される開口部５、５…の開口径
が小さく設定されており、この制御電極４、４…上に形
成されるスペーサ層７の開口部９、９…とスクリーン電
極８のイオン導出用開口部１０、１０…は、先端側が開
口幅が狭くなるように設定されている。こうすることに
よって、開口径が小さく設定された制御電極４、４…の
開口部５、５…によって沿面コロナ放電Ｒを効率良く発
生させることができるとともに、スクリーン電極８のイ
オン導出用開口部１０、１０…から放出されるイオンＩ
を集中させることができ、高密度且つ高解像度の静電潜
像を形成することができる。
記実施例と同一の部分には同一の符号を付して説明する
と、この実施例では、制御電極４、４…に形成される開
口部５、５…と、スペーサ層７に形成される開口部９、
９…と、スクリーン電極８に形成されるイオン導出領域
としての開口部１０、１０…が、図１１に示すように、
制御電極４、４…に形成される開口部５、５…の開口径
が小さく設定されており、この制御電極４、４…上に形
成されるスペーサ層７の開口部９、９…とスクリーン電
極８のイオン導出用開口部１０、１０…は、先端側が開
口幅が狭くなるように設定されている。こうすることに
よって、開口径が小さく設定された制御電極４、４…の
開口部５、５…によって沿面コロナ放電Ｒを効率良く発
生させることができるとともに、スクリーン電極８のイ
オン導出用開口部１０、１０…から放出されるイオンＩ
を集中させることができ、高密度且つ高解像度の静電潜
像を形成することができる。
【００３０】この実施例では、絶縁性基板２上に形成さ
れるフォトレジスト２０が、図１２に示すように、制御
電極４、４…の開口部５、５…に対応した径の小さな基
端部２０ａと、この基端部２０ａより径の大きな上部２
０ｂとから構成されている。
れるフォトレジスト２０が、図１２に示すように、制御
電極４、４…の開口部５、５…に対応した径の小さな基
端部２０ａと、この基端部２０ａより径の大きな上部２
０ｂとから構成されている。
【００３１】その他の構成及び作用は前記第一の実施例
と同一であるので、その説明を省略する。
と同一であるので、その説明を省略する。
【００３２】
【発明の効果】この発明は以上の構成及び作用よりなる
もので、第３の電極の形成が容易であり、コストダウン
が可能のであるとともに、潜像形成密度を高密度化した
場合でもイオン導出用開口部の形成が容易且つ高精度に
行うことができ、更に、イオンの放出を効率良く行うこ
とが可能な静電潜像形成装置を提供することができる。
もので、第３の電極の形成が容易であり、コストダウン
が可能のであるとともに、潜像形成密度を高密度化した
場合でもイオン導出用開口部の形成が容易且つ高精度に
行うことができ、更に、イオンの放出を効率良く行うこ
とが可能な静電潜像形成装置を提供することができる。
【図１】 図１はこの発明に係る静電潜像形成装置の一
実施例を示す要部断面図である。
実施例を示す要部断面図である。
【図２】 図２はこの発明に係る静電潜像形成装置の一
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図３】 図３はイオン生成部を示す断面図である。
【図４】 図４は同装置の電極を形成した絶縁基板を示
す平面図である。
す平面図である。
【図５】 図５は同装置のスクリーン電極を形成した絶
縁基板を示す平面図である。
縁基板を示す平面図である。
【図６】 図６はこの発明に係る静電潜像形成装置の一
実施例の動作を示す断面説明図である。
実施例の動作を示す断面説明図である。
【図７】 図７（ａ）〜（ｇ）は同装置の製造工程をそ
れぞれ示す断面図である。
れぞれ示す断面図である。
【図８】 図８はこの発明に係る静電潜像形成装置の第
二の実施例を示す要部断面図である。
二の実施例を示す要部断面図である。
【図９】 図９は同実施例の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１０】 図１０は同実施例の製造工程を示す断面図
である。
である。
【図１１】 図１１はこの発明に係る静電潜像形成装置
の第三の実施例を示す要部断面図である。
の第三の実施例を示す要部断面図である。
【図１２】 図１２は同実施例の製造工程を示す断面図
である。
である。
【図１３】 図１３は従来の静電潜像形成装置を示す要
部平面図である。
部平面図である。
【図１４】 図１４は同断面図である。
【図１５】 図１５はスクリーン電極を取り付けた状態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１６】 図１６は同断面図である。
２…絶縁性基板、３…駆動電極、４…制御電極、５…開
口部、７…スペーサ層、８…スクリーン電極、１０…開
口部、
口部、７…スペーサ層、８…スクリーン電極、１０…開
口部、
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、第１の電極と、第２の電
極と、第３の電極と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層を
具備し、前記第１の電極と第２の電極は、前記第１の絶
縁層を挟んで前記絶縁性基板上にマトリクス状に設けら
れ、前記第２の電極は、前記第１の電極と第２の電極と
の間に電圧を印加することにより沿面コロナ放電を生起
する空間領域を有し、前記第３の電極は、前記第２の電
極との間に第２の絶縁層を介在させて設けられ、イオン
導出用の開口部を有する静電潜像形成装置において、前
記第３の電極を、前記第２の絶縁層上に導電性材料を印
刷した後、焼成することにより形成するとともに、前記
第２の絶縁層及び第３の電極の開口部を、リフトオフ法
により形成し、前記第２の絶縁層及び第３の電極の開口
部の開口幅を第２の電極の開口部の開口幅と同等あるい
は順次開口幅を小さくしたことを特徴とする静電潜像形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24428291A JP2887974B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 静電潜像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24428291A JP2887974B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 静電潜像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0557951A true JPH0557951A (ja) | 1993-03-09 |
| JP2887974B2 JP2887974B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=17116428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24428291A Expired - Lifetime JP2887974B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 静電潜像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2887974B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6350703B2 (ja) | 2016-05-10 | 2018-07-04 | Toto株式会社 | 大型セラミック板およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP24428291A patent/JP2887974B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2887974B2 (ja) | 1999-05-10 |
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