JPH01628A - 蛍光表示管における蛍光面形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、蛍光ドツトアレイ管やバーコード表示管な
どのような蛍光表示管における蛍光面形成方法に関する
。

（従来の技術） 第５図に示すように、蛍光表示管１は、ガラス。

セラミック、樹脂等から成る基板２と、基板２上に紙面
に鉛直方向に列設されたセグメント電極（アノード）３
と、基板２とで真空の閉空間を形成するガラス等の透明
な材料からなるフェイスガラス４と、個々のセグメント
電極３に形成された蛍光面５と、蛍光面５の配列の両側
に絶縁層６，６を介して配設′されていて、低融点ガラ
ス等の絶縁材料７．７で固定されたグリッド電極８，８
と、熱陰極（カソード）としてのタングステンワイヤ９
゜９とからなっている。タングステンワイヤ９からの放
出熱電子は、グリッド電極６によって制御されて、特定
のセグメント電極３に導かれ、蛍光面に衝突して蛍光面
を発光させる。

従来の蛍光表示管における蛍光面５の形成方法を第６図
と第７図に基づいて説明する。

セグメント電極形成工程（第７図（１））において、ガ
ラスプレートからなる基板２の一面にアルミニウムから
なるセグメント電極３を例えばフォトエツチング法によ
り形成する。このセグメント電極３は、幅約５０μｍの
短冊状であって、相隣る電極の間隔約３５μｍで基板長
手方向（紙面に対して鉛直）に−列に形成され、各電極
の図示しないリード部は、一つおきに基板の左右側縁に
引き出されている。

絶縁層形成工程（第７図（２））において、セグメント
電極３の基板２の幅方向側縁がわを覆うように、換言す
ると、セグメント電極３の中央部を露出させるように、
厚膜用絶縁ガラス例えば鉛ガラスとカーボンとからなる
厚さｌＯ〜２０μｌ程度の絶縁層６を基板２の上面に形
成する。絶縁層６は、例えばスクリーン印刷法で形成さ
れたのち、５００〜６００℃で焼成される。フォトレジ
スト層形成工程（第７図（３））において、絶縁体層６
．セグメント電極３を、スピンナーやディッピング法に
よりフォトレジスト層１０で全面被覆する６そして、セ
グメント電極露出工程（第７図（４））において、フォ
トレジスト層１０にマスク１１を重合させて、フォトレ
ジスト層１０を露光したのち、これを現像して該層の一
部を除去し、セグメント電極３の一部３ａを露出させる
。次に、蛍光面形成工程（第７図（５））において、上
記露出部３ａに蛍光面５を形成する。

蛍光面５の形成は、露出部３ａを形成され九基板を、蛍
光体粒子を分散させた液中に対向電極と所定間隔をおい
て対峙させて浸漬し、セグメント電極３の列と対向電極
との間に電圧を印加して１分散液中の蛍光体粒子を両極
間に形成された電界によってセグメント電極３に向けて
移動させて、露出部３ａに付着させる電気泳動法や、蛍
光体粒子を分散させて攪拌した液中に基板を定置し、分
散された蛍光体粒子が露出部３ａに沈降して付着する沈
降法などの適宜の方法によって形成される。

この蛍光面５を乾燥定着したのち、フォトレジスト層除
去工程において、フォトレジスト層１０を例えば酸素プ
ラズマで焼成して除去すると、第７図（６）に示すよう
に、蛍光面５が残される。こののち、第７図（７）に示
すように、グリッド電極８，８を形成する。

ところで、蛍光表示管には、蛍光面５のドツトサイズの
均一な精度が要求される。従来の蛍光面形成方法におい
ては、精度のよいドツトサイズが得られないという問題
があった。蛍光面５のドツトサイズを決定するのは、第
７図（４）に示すように、セグメント電極露出工程にお
ける露出部３ａの形成である。第７図（３）に示すよう
に、フォトレジスト層１０を塗布して形成したとき、絶
縁層６とセグメント電極３との間に段差Ａが生じている
。

そして、第７図（４）に示すように、フォトレジスト層
１０にマスク１１を重合すると１両者の間には段差Ａに
よる密着不良が発生している。かかる状態において、フ
ォトレジスト層１０を露光すると、マスク１１と露光す
べきフォトレジスト層１０との間の光学的距離が増大し
、フォトレジスト層１０へのマスク面での回折光の影響
が大きくなり、所望のセグメント電極の露出部３ａのサ
イズが得られない。

従って、露出部３ａに付着して形成される蛍光面５のサ
イズは所望のものとは異なったものとなる。

また、第７図（５）に示す蛍光面形成工程においては、
基板２は、蛍光体粒子分散液中に浸漬されるのであるが
、このとき、露出部３ａのみならず、フォトレジスト層
１０の表面にも蛍光体粒子が付着する。この付着粒子は
、焼成によってフォトレジスト層を除去するとき、基板
や電極上に残留してしまうため、研磨等の手段によって
除去しなければならない、フォトレジスト層への付着防
止対策としては、露出部３ａのみを露呈するマスクをフ
ォトレジスト層１０に重合させればよいのであるが。

上記したように１段差Ａが存在しているため１．両者の
密着性が悪く、第７図（４）に符号Ａで示す段差に分散
液が浸入してしまう。

（目　的） この発明は、従来技術の上記問題点を解決するためにな
されたものであって、その目的とするところは、ドツト
サイズの精度の良い蛍光面を形成することのできる蛍光
面形成方法を提供することにある。

（構　成） 上記目的を達成するために、この発明は、セグメント電
極形成工程において、基板上に導電性材料からなる短冊
状のセグメント電極を少なくとも一列設け、フォトレジ
スト層形成工程において。

上記セグメント電極列をフォトレジスト層で全面被覆し
、セグメント電極露出工程において、上記フォトレジス
ト層にマスクを密着させておいて、該フォトレジスト層
を露光・現像して該フォトレジスト層を部分的に除去し
て上記セグメント電極をドツト状に露出させ、蛍光面形
成工程において。

上記マスクを密着させた惚まで、ドツト状に露出してい
る上記セグメント電極に蛍光体粒子を付着させて蛍光面
を形成し、フォトレジスト層除去工程において、マスク
とフォトレジスト層を除去し。

絶縁層形成工程において、上記セグメント電極の配列方
向に沿って、グリッド電極とセグメント電極とを絶縁す
る絶縁層を形成することを特徴とする。

以下、図示の実施例につき詳細に説明する。

第１図は本発明を実施するためのフローチャートを、第
２図は蛍光面形成の工程を断面図でそれぞれ示している
。以下、工程順に説明する。

セグメント電極形成工程 第２図（１）に示すように、例えばガラスプレートから
なる基板２の一面にアルミニウムからなるセグメント電
極３をフォトエツチング法により形成する。この工程は
従来と同じである。

フォトレジスト層形成工程 第２図（２）に示すように、セグメント電極３をフォト
レジスト層１０で被覆する。フォトレジスト層１０とし
ては、例えば微細加工用ネガ型フォトレジストＯＭＲ−
８５（東京応化工業社製商品名）や微細加工用ポジ型フ
ォトレジストＯＦ　Ｐ　Ｒ−８００（同商品名）が用い
られる。このフォトレジスト層１０は、スピンナーやデ
ィッピングにより形成されたのち、適宜の温度でプリベ
イクされる。

セグメント電極露出工程 第２図（３）に示すように、フォトレジスト層１０にマ
スク１１を重合させる。マスク１１としては、ポジ型フ
ォトレジストを用いる場合、第４図に示すように、光を
通すスリットｌｌａを形成されたものが用いられる。ス
リットｌｌａは、セグメント電極３の配列方向に伸びて
形成されていて、その幅が蛍光面のドツトの一辺を決定
するものである。ネガ型フォトレジストを用いる場合の
マスクは、第４図に示すスリットｌｌａの部分が光を通
さない形式のものが用いられる。後述する蛍光面形成工
程において、電気泳動法が用いられる場合には、第４図
に示すようなライン状のスリットを有するマスクが用い
られ、沈降法で蛍光面を形成する場合には、ドツト状の
スルーホールを有するマスクが用いられる。

次いで、第２図（４）に示すように、マスク１１ごしに
矢印で示す露光を行なったのち、現像してフォトレジス
ト層を部分的に除去し、セグメント電極３の一部３ａ（
以下「露出部」と称す）を露出させる。このとき、マス
ク１１とフォトレジスト層１０とは、密着しているので
、露光時の回折光の影響がなく、露出部３ａは精度の良
いドツトとなる。

蛍光面形成工程 第２図（５）に示すように、マスク１１を密着させたま
まの状態の基板２を蛍光体粒子分散溶液中に浸漬し、電
気泳動法によって、蛍光体粒子を露出部３ａに付着させ
て蛍光面５を形成する。沈降法で蛍光面を形成する場合
には、スリットｌｌａではなく、スルーホールを有する
マスクが用いられるので、蛍光体粒子は露出部３ａにの
み付着する。蛍光面５を乾燥定着したのち、第２図（６
）に示すように、マスク１１を外す。このとき、マスク
１１に付着していた蛍光体粒子が除去される。

フォトレジスト層除去工程 第２図（７）に示すように、セグメント電極３を覆って
いたフォトレジスト層１０を焼成などの適宜の手段によ
って除去する。この工程を終了した段階で基板２を見る
と、列設された各セグメント電極３のそれぞれにドツト
状の蛍光面５が整然と並んでいるのがｗｉ察される。

絶縁層形成工程 第２図（８）に示すように、セグメント電極３の基板２
の幅方向側縁がわを覆うように、厚膜用絶縁ガラス例え
ば鉛ガラスとカーボンとからなる厚さｌＯ〜２０μＩ程
度の絶縁層６，６を基板２の上面に形成する。絶縁層６
，６は、例えばスクリーン印刷法によって形成される。

なお、絶縁層６，６を単独で直接基板２上に形成するの
が困難な場合には、第３図に余すように、予めグリッド
電極８゜８の基板側の面に一体的に形成しておき、この
組立体を基板２に載置してもよい、この組立体は、第５
図に示すように、基板２に重合されたのち。

絶縁材料７，７で固着される。

こののち、基板２には、第５図に示すように、熱陰極９
，９が張設され、フェイスガラス８が重合されて閉空間
を形成する。最後に上記閉空間を排気すると、第５図に
示すような蛍光表示管１が得られる。

（発明の効果） 以上の説明で明らかなように１本発明によれば。

セグメント電極をドツト状に露出させるためのマスクを
フォトレジスト層に重合させたままで蛍光面を付着させ
るから、狙い目通りの蛍光面ドツトサイズが安定して得
られる。また、ドツト以外の部分に付着した蛍光体粒子
がマスクと共に除かれるから、正規の蛍光面以外の部分
に蛍光体粒子が残らず、鮮明な蛍光面輝度が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による蛍光表示管の蛍光面形成方法の工
程を示すフローチャート、第２図は上記工程を示す断面
図、第３図は絶縁層形成の一例を示す断面図、第４図は
マスクの一例を示す斜視図。 第５図は蛍光表示管の一例を示す概略断面図、第６図は
従来の蛍光面形成工程を示すフローチャート、第７図は
同上の工程を示す断面図である。 １・・・蛍光表示管、２・・・基板、３・・・セグメン
ト電極、５・・・蛍光面、６・・・絶縁層、９・・・グ
リッド電極、１０・・・磁フォトレジスト層、１１・・
・マスク。 第１図　　第６図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 セグメント電極形成工程において、基板上に導電性材料
   からなる短冊状のセグメント電極を少なくとも一列設け
   、 フォトレジスト層形成工程において、上記セグメント電
   極列をフォトレジスト層で全面被覆し、セグメント電極
   露出工程において、上記フォトレジスト層にマスクを密
   着させておいて、該フォトレジスト層を露光・現像して
   該フォトレジスト層を部分的に除去して上記セグメント
   電極をドット状に露出させ、 蛍光面形成工程において、上記マスクを密着させたまま
   で、ドット状に露出している上記セグメント電極に蛍光
   体粒子を付着させて蛍光面を形成してマスクを外し、 フォトレジスト層除去工程において、フォトレジスト層
   を除去し、 絶縁層形成工程において、上記セグメント電極の配列方
   向に沿って、グリッド電極とセグメント電極とを絶縁す
   る絶縁層を形成することを特徴とする蛍光表示管におけ
   る蛍光面形成方法。