JPH0558273B2 - - Google Patents

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JPH0558273B2
JPH0558273B2 JP12795784A JP12795784A JPH0558273B2 JP H0558273 B2 JPH0558273 B2 JP H0558273B2 JP 12795784 A JP12795784 A JP 12795784A JP 12795784 A JP12795784 A JP 12795784A JP H0558273 B2 JPH0558273 B2 JP H0558273B2
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JP
Japan
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leads
lead
lead frame
thin metal
semiconductor element
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Expired - Lifetime
Application number
JP12795784A
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English (en)
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JPS617673A (ja
Inventor
Shizuo Tsuru
Kazufumi Isomichi
Takashi Nishimoto
Shuichi Kitano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP59127957A priority Critical patent/JPS617673A/ja
Publication of JPS617673A publication Critical patent/JPS617673A/ja
Publication of JPH0558273B2 publication Critical patent/JPH0558273B2/ja
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
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    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Led Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置、特に複数の半導体素子
が、樹脂で一体的に封止されて成る半導体装置の
組立てに用いられるリードフレームに関する。
従来例の構成とその問題点 一般にプラスチツクモールド型のセグメント式
数字発光ダイオード表示装置は、第1図aに斜視
構造で示したように、発光素子1を所定の形状に
加工したリードフレーム2の各リード先端部に載
置し、金属細線3で電極接続し、その後、第1図
bのように、樹脂ケース6とエポキシ樹脂7で一
体的に封止し、外部リードを連結しているフレー
ム2を切断することで完成される。この場合のリ
ードフレームは、第2図に示したように、コモン
電極側となる主リード21に0.2〜0.3mmと近接し
て、独立端子となる個々リード22が複雑に配置
されている。
しかしながら、従来の半導体装置におけるリー
ドフレームは、外部リートとなる部分だけをフレ
ーム23で連結しているため、リードフレームの
曲げ加工,マウント工程,ワイヤボンデイング工
程などの組立工程で、自由端をもつ内部リード、
すなわちインナーリードが変形し、コモン電極側
と独立端子側のリード間及び、独立端子リード相
互間の短絡や、ワイヤボンデイング工程での金属
細線の断線がしばしば発生した。こうした不良発
生を防ぐため、各組立工程におけるリードフレー
ムの送り機構や取り扱いには注意を要し、量産性
や歩留りなどの製造面では、多くの問題があつ
た。
発明の目的 本発明は、上述の問題点を解消するリードフレ
ームを提供するものである。
発明の構成 本発明のリードフレームは、半導体素子を載置
するための主リードと、半導体素子の電極から引
き出した金属細線を接続するための複数の個々リ
ードとが最終的には樹脂で埋め込まれる範囲内で
部分的に接続され、前記主リードの所定位置に半
導体素子を載置し、かつ、前記個々のリードに金
属細線をワイヤボンデイングで接続した後、前記
部分的接続部を切断可能となしたものであり、こ
れにより、成型ならびに樹脂で一体的に封止され
て成る半導体装置の製造性,品質の格段の向上が
達成できる。
実施例の説明 以下、本発明を実施例により図面を参照しなが
ら説明する。第3図は、本発明によるリードフレ
ームであり、半導体素子載置部となる主リード2
1と金属細線接続部となる個々リード22とが互
いのインナーリード間の接続部51でで部分的に
接続されている。この接続部51の大きさは、各
組立工程でのリードの変形に耐え得るだけの面積
でよく、本発明による実施例では、1mm2以下に
設定し、とりわけ、この部分は薄肉化して切断容
易な構造にした。また、このリードフレームは、
リン青銅や鉄ニツケルなどの銅系,鉄系の各種合
金を母材として、エツチング加工やプレス加工で
容易に得られる。
第4図は、ワイヤボンデイング完成後の部分的
接続部打ち抜き工程の要部断面図を示すもので、
図中41は半導体発光素子、42は導電性接着
剤、43は金線、45はリードフレームの主リー
ド側である。打ち抜き型の下型46にリードフレ
ーム45を設置し、打ち抜き型の上型47が矢印
48の方向の下降してリードフレーム45を固定
する。また、上型47には、半導体発光素子41
及び金線43を保護すべく空間49と接続部打ち
抜き用ピン50が配置されている。この打ち抜き
用ピン50の大きさは、0.5mmφ〜1.0mmφで、接
続部51より大きく設定している。
部分的接続部を打ち抜いた後、樹脂で一体的に
封止し、各リードを連結していたフレームを切断
して、発光ダイオード表示装置が完成する。
発明の効果 以上の実施例によつて詳しく述べたように、本
発明のリードフレームによれば、0.2mm〜0.3mmで
近接するインナーリードが、ワイヤボンデイング
までの組立工程によつて短絡することもなく、ワ
イヤボンデイング工程時での、金属細線の断線が
未然に防げる。本発明によつて、組立歩留は95%
になり、従来例による75%から大幅に向上した。
また、半導体素子載置部と金属細線接続部のリ
ード間隔及びリードフレーム内の配置が、終始所
定の寸法を保持しているため、自動組立装置に適
合し、組立工程の自動化や合理化が容易となり量
産性が飛躍的に改善されるなど、本発明による効
果は大きい。
本発明におけるリードフレームでは、発光ダイ
オード表示装置のコモン側と独立端子側の各リー
ドを部分的に接続した例を示したが、近接する独
立端子側同士のリード間や、二個以上の複数のリ
ードを同じ部分で接続してもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図a,bおよび第2図は従来の発光ダイオ
ード表示素子とそのリードフレームとを概略的に
示す斜視図および平面図、第3図および第4図は
本発明にかかるリードフレームと、接続部打ち抜
き工程を示す平面図および要部断面図である。 41……発光素子、23……フレーム、43…
…金属細線、45……リードフレーム、21……
コモンリード、22……独立端子側のリード、4
2……導電性接着剤、46……打ち抜き型の下
型、47……打ち抜き型の上型、49……半導体
素子の保護用空間、50……打ち抜きピン、51
……リードの部分的接続部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体素子を載置するための主リードと前記
    半導体素子の端子電極に金属細線を接続するため
    の複数の個々リードとを有し、前記主リードと前
    記個々リードとが、最終的には封止樹脂で埋め込
    まれる範囲内のインナーリード間を互いに固定す
    る部分接続部で結合されたリードフレーム。
JP59127957A 1984-06-21 1984-06-21 リ−ドフレ−ム Granted JPS617673A (ja)

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JP59127957A JPS617673A (ja) 1984-06-21 1984-06-21 リ−ドフレ−ム

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JP59127957A JPS617673A (ja) 1984-06-21 1984-06-21 リ−ドフレ−ム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS617673A JPS617673A (ja) 1986-01-14
JPH0558273B2 true JPH0558273B2 (ja) 1993-08-26

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ID=14972836

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JP59127957A Granted JPS617673A (ja) 1984-06-21 1984-06-21 リ−ドフレ−ム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0217082A1 (de) * 1985-09-30 1987-04-08 Siemens Aktiengesellschaft Bauelementeträger und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit einem solchen Bauelementeträger
JP2535651B2 (ja) * 1990-07-24 1996-09-18 株式会社東芝 半導体装置
JPH056142A (ja) * 1991-06-27 1993-01-14 Rohm Co Ltd 数字表示器及びその製造方法
JP2009016794A (ja) * 2007-06-05 2009-01-22 Mitsubishi Electric Corp キャップレスパッケージ及びその製造方法
US9748164B2 (en) 2013-03-05 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor device
JP7704323B1 (ja) * 2024-11-18 2025-07-08 三菱電機株式会社 リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法

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JPS617673A (ja) 1986-01-14

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