JPH0558487B2 - - Google Patents
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- JPH0558487B2 JPH0558487B2 JP61119838A JP11983886A JPH0558487B2 JP H0558487 B2 JPH0558487 B2 JP H0558487B2 JP 61119838 A JP61119838 A JP 61119838A JP 11983886 A JP11983886 A JP 11983886A JP H0558487 B2 JPH0558487 B2 JP H0558487B2
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- Japan
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Signal Processing Not Specific To The Method Of Recording And Reproducing (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、記録メデイアにたとえば磁気的に
記録されたスケールなどを表わす記録パターンを
非接触で電気的に検出するセンサーに係り、特
に、記録メデイアとの間に生じたギヤツプ変動の
補償に関する。
記録されたスケールなどを表わす記録パターンを
非接触で電気的に検出するセンサーに係り、特
に、記録メデイアとの間に生じたギヤツプ変動の
補償に関する。
円板状または棒状の記録メデイアにスケールな
どを磁化などの手段によつて書き込んだ記録パタ
ーンの検出には、磁気抵抗素子、ホール素子、静
電容量検出素子および光学素子などからなるセン
サー用いられている。
どを磁化などの手段によつて書き込んだ記録パタ
ーンの検出には、磁気抵抗素子、ホール素子、静
電容量検出素子および光学素子などからなるセン
サー用いられている。
従来、このセンサーは、第１１図に示すよう
に、記録メデイア２に磁化などによつて記録され
た記録パターン４に対して、一定のギヤツプｄを
設けて検出素子６を設置し、記録メデイア２の記
録パターン４を検出している。したがつて、記録
メデイア２の変位量は、記録パターン４の検出に
よつて行うことができる。
に、記録メデイア２に磁化などによつて記録され
た記録パターン４に対して、一定のギヤツプｄを
設けて検出素子６を設置し、記録メデイア２の記
録パターン４を検出している。したがつて、記録
メデイア２の変位量は、記録パターン４の検出に
よつて行うことができる。
ところで、このように記録メデイア２の記録パ
ターン４を非接触で電気的に検出する場合、記録
メデイア２の加工精度や取付精度によつて、記録
メデイア２と検出素子６とのギヤツプｄが変動す
ると、そのギヤツプ変動が出力に表れ、SN比の
低下や検出精度を低下させる原因になる。たとえ
ば、磁気抵抗素子を検出素子６として用いた場合
では、動作点の設定によつて出力波形の歪や出力
レベルの変動を生じる。
ターン４を非接触で電気的に検出する場合、記録
メデイア２の加工精度や取付精度によつて、記録
メデイア２と検出素子６とのギヤツプｄが変動す
ると、そのギヤツプ変動が出力に表れ、SN比の
低下や検出精度を低下させる原因になる。たとえ
ば、磁気抵抗素子を検出素子６として用いた場合
では、動作点の設定によつて出力波形の歪や出力
レベルの変動を生じる。
そこで、この発明は、記録メデイアの記録パタ
ーンを非接触で電気的に検出する場合、記録メデ
イアと検出素子とのギヤツプ変動の影響を原理的
に解消したセンサーを提供しようとするものであ
る。
ーンを非接触で電気的に検出する場合、記録メデ
イアと検出素子とのギヤツプ変動の影響を原理的
に解消したセンサーを提供しようとするものであ
る。
この発明のセンサーは、第１図に例示するよう
に、記録メデイアの上下面の同一位置で各々記録
パターン４を非接触で電気的に検出する複数対の
検出素子（磁気抵抗素子８，１０）を上記記録メ
デイアの記録信号の２分の１の波長の整数倍の位
置に設置し、上記記録メデイアの上下面の同相出
力を生じる上記検出素子を直列に接続した検出素
子組を二辺とするブリツジ回路を構成したことを
特徴とする。
に、記録メデイアの上下面の同一位置で各々記録
パターン４を非接触で電気的に検出する複数対の
検出素子（磁気抵抗素子８，１０）を上記記録メ
デイアの記録信号の２分の１の波長の整数倍の位
置に設置し、上記記録メデイアの上下面の同相出
力を生じる上記検出素子を直列に接続した検出素
子組を二辺とするブリツジ回路を構成したことを
特徴とする。
このように構成すると、検出素子（磁気抵抗素
子８，１０）と記録メデイア２との間のギヤツプ
ｄが変動した場合、その変動量が検出素子（磁気
抵抗素子８，１０）の検出出力に互いに電気的な
変動として表れるが、その変動方向が互いに逆方
向であるため、各検出出力を合成した場合、変動
量が相殺されてギヤツプ変動に無関係に記録パタ
ーン４を表わす検出出力が得られる。
子８，１０）と記録メデイア２との間のギヤツプ
ｄが変動した場合、その変動量が検出素子（磁気
抵抗素子８，１０）の検出出力に互いに電気的な
変動として表れるが、その変動方向が互いに逆方
向であるため、各検出出力を合成した場合、変動
量が相殺されてギヤツプ変動に無関係に記録パタ
ーン４を表わす検出出力が得られる。
そして、この発明のセンサーにおいて、記録メ
デイア２の下面側および上面側にそれぞれ一対以
上の検出素子（磁気抵抗素子８Ａ，８Ｂ，１０
Ａ，１０Ｂ）を設置し、上下面の同相出力を生じ
る検出素子６を直列に接続した検出素子組をブリ
ツジ回路の二辺とすれば、各検出素子（磁気抵抗
素子８Ａ，８Ｂ，１０Ａ，１０Ｂ）と記録メデイ
ア２とのギヤツプ変動による影響を回避できると
ともに、検出精度の向上を図ることができる。
デイア２の下面側および上面側にそれぞれ一対以
上の検出素子（磁気抵抗素子８Ａ，８Ｂ，１０
Ａ，１０Ｂ）を設置し、上下面の同相出力を生じ
る検出素子６を直列に接続した検出素子組をブリ
ツジ回路の二辺とすれば、各検出素子（磁気抵抗
素子８Ａ，８Ｂ，１０Ａ，１０Ｂ）と記録メデイ
ア２とのギヤツプ変動による影響を回避できると
ともに、検出精度の向上を図ることができる。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
（第１実施例）
第２図は、この発明のセンサーの第１実施例を
示す。
示す。
記録メデイア２は、強磁性体円板で構成されて
おり、その面内に同心円状にたとえばスケールを
表わすパターンが磁化によつて記録されている。
この場合、記録パターン４は記録メデイア２の上
下面から検出可能に記録メデイア２の上下面に貫
通する形で磁化する垂直磁化方式または表裏面の
同一パターンの磁化方式によつて記録されてい
る。そして、記録メデイア２は、回転軸１２によ
つて必要に応じて回転し、記録パターン４を非接
触で電気的に検出する検出素子として設置された
磁気抵抗素子８，１０との相対的な位置関係が変
化する。
おり、その面内に同心円状にたとえばスケールを
表わすパターンが磁化によつて記録されている。
この場合、記録パターン４は記録メデイア２の上
下面から検出可能に記録メデイア２の上下面に貫
通する形で磁化する垂直磁化方式または表裏面の
同一パターンの磁化方式によつて記録されてい
る。そして、記録メデイア２は、回転軸１２によ
つて必要に応じて回転し、記録パターン４を非接
触で電気的に検出する検出素子として設置された
磁気抵抗素子８，１０との相対的な位置関係が変
化する。
各磁気抵抗素子８，１０は、第３図に示すよう
に、記録メデイア２の上下面側の同一位置に配置
されて、記録メデイア２から等しい幅のギヤツプ
ｄを設けて固定されている。
に、記録メデイア２の上下面側の同一位置に配置
されて、記録メデイア２から等しい幅のギヤツプ
ｄを設けて固定されている。
そして、磁気抵抗素子８，１０の端子ｏ，ｑは
電気的に接続されて各磁気抵抗素子８，１０は直
列に接続されているとともに、端子ｒ，ｐ間には
一定の電圧Ｖが加えられている。
電気的に接続されて各磁気抵抗素子８，１０は直
列に接続されているとともに、端子ｒ，ｐ間には
一定の電圧Ｖが加えられている。
したがつて、第３図に示すように、記録メデイ
ア２と磁気抵抗素子８，１０の検出面とのギヤツ
プｄが等しい場合、記録メデイア２の回転に対し
てその記録パターン４に応じて各磁気抵抗素子
８，１０の抵抗値が変化し、記録パターン４は抵
抗変化で検出される。ここで、記録パターン４に
よる磁界が０のときの磁気抵抗素子８，１０の抵
抗値をＲ、記録パターン４の検出抵抗変化率を±
４％とすると、磁気抵抗素子８，１０の抵抗値変
化は、0.96R〜1.04Rとなり、各磁気抵抗素子８，
１０の抵抗値変化を合成したものが検出出力とな
る。したがつて、第４図に示すように、磁気抵抗
素子８，１０の抵抗値Ｒの変化に対する検出出力
をVrとすると、その合成された検出出力として
の抵抗値変化はV0（＝2Vr）として取り出される。
ア２と磁気抵抗素子８，１０の検出面とのギヤツ
プｄが等しい場合、記録メデイア２の回転に対し
てその記録パターン４に応じて各磁気抵抗素子
８，１０の抵抗値が変化し、記録パターン４は抵
抗変化で検出される。ここで、記録パターン４に
よる磁界が０のときの磁気抵抗素子８，１０の抵
抗値をＲ、記録パターン４の検出抵抗変化率を±
４％とすると、磁気抵抗素子８，１０の抵抗値変
化は、0.96R〜1.04Rとなり、各磁気抵抗素子８，
１０の抵抗値変化を合成したものが検出出力とな
る。したがつて、第４図に示すように、磁気抵抗
素子８，１０の抵抗値Ｒの変化に対する検出出力
をVrとすると、その合成された検出出力として
の抵抗値変化はV0（＝2Vr）として取り出される。
ところで、記録メデイア２の加工精度などによ
つて、記録メデイア２と磁気抵抗素子８，１０の
検出面とのギヤツプｄが変動した場合、たとえ
ば、記録メデイア２の上面側のギヤツプｄがΔd
だけ減少し、記録メデイア２の下面側のギヤツプ
ｄが△ｄだけ増加したものとすると、記録メデイ
ア２の上面側のギヤツプはｄ−△ｄ、記録メデイ
ア２の下面側のギヤツプはｄ＋△ｄとなる。
つて、記録メデイア２と磁気抵抗素子８，１０の
検出面とのギヤツプｄが変動した場合、たとえ
ば、記録メデイア２の上面側のギヤツプｄがΔd
だけ減少し、記録メデイア２の下面側のギヤツプ
ｄが△ｄだけ増加したものとすると、記録メデイ
ア２の上面側のギヤツプはｄ−△ｄ、記録メデイ
ア２の下面側のギヤツプはｄ＋△ｄとなる。
ここで、ギヤツプｄの最大変位量△dnaxに対す
る磁気抵抗素子８，１０のの抵抗値変化を
ΔRnax、記録パターン４の検出抵抗変化率を±４
％とすると、ギヤツプｄが増加した側の磁気抵抗
素子８の抵抗値変化は、0.96（Ｒ−ΔRnax）〜1.04
（Ｒ−ΔRnax）、ギヤツプｄが減少した側の磁気抵
抗素子１０の抵抗値変化は、0.96（Ｒ＋ΔRnax）
〜1.04（Ｒ＋ΔRnax）となり、各磁気抵抗素子８，
１０の抵抗値変化を合成したものが検出出力とし
て取り出されるため、ギヤツプ変動による影響を
互いに相殺してギヤツプ変動に無関係に一定の出
力を取り出すことができる。この場合の磁気抵抗
素子８の抵抗値値変化をRA、磁気抵抗素子１０
の抵抗値変化をRBとし、第４図に示すように、
この抵抗値変化に対応する検出出力をVa，Vbと
すると、その合成出力V0は、ギヤツプ変動がな
い場合の検出出力と同様の振幅が得られる。
る磁気抵抗素子８，１０のの抵抗値変化を
ΔRnax、記録パターン４の検出抵抗変化率を±４
％とすると、ギヤツプｄが増加した側の磁気抵抗
素子８の抵抗値変化は、0.96（Ｒ−ΔRnax）〜1.04
（Ｒ−ΔRnax）、ギヤツプｄが減少した側の磁気抵
抗素子１０の抵抗値変化は、0.96（Ｒ＋ΔRnax）
〜1.04（Ｒ＋ΔRnax）となり、各磁気抵抗素子８，
１０の抵抗値変化を合成したものが検出出力とし
て取り出されるため、ギヤツプ変動による影響を
互いに相殺してギヤツプ変動に無関係に一定の出
力を取り出すことができる。この場合の磁気抵抗
素子８の抵抗値値変化をRA、磁気抵抗素子１０
の抵抗値変化をRBとし、第４図に示すように、
この抵抗値変化に対応する検出出力をVa，Vbと
すると、その合成出力V0は、ギヤツプ変動がな
い場合の検出出力と同様の振幅が得られる。
（第２実施例）
第５図は、この発明のセンサーの第２実施例を
示す。
示す。
この実施例のセンサーは、記録メデイア２の下
面側に一対の検出素子対８１，８２が設置されて
いるとともに、記録メデイア２の上面側に一対の
検出素子対１０１，１０２が設置されている。こ
の場合、検出素子対８１，１０１と、検出素子対
８２，１０２は、記録メデイア２の上下面の同一
位置に設定されて記録パターン４を表わす記録信
号のλ/4だけ変位した位置関係を持つている。し
たがつて、検出素子対８１，１０１をsin検出側
とすると、検出素子対８２，１０２はcos検出側
となる。
面側に一対の検出素子対８１，８２が設置されて
いるとともに、記録メデイア２の上面側に一対の
検出素子対１０１，１０２が設置されている。こ
の場合、検出素子対８１，１０１と、検出素子対
８２，１０２は、記録メデイア２の上下面の同一
位置に設定されて記録パターン４を表わす記録信
号のλ/4だけ変位した位置関係を持つている。し
たがつて、検出素子対８１，１０１をsin検出側
とすると、検出素子対８２，１０２はcos検出側
となる。
そして、sin検出側の検出素子対８１，１０１
を例に取つて、その具体的な構成例を説明する
と、各検出素子対８１，１０１は、第６図に示す
ように、磁気抵抗素子８Ａ，８Ｂ，１０Ａ，１０
Ｂを以て構成されており、記録メデイア２の上下
面の同位置に設置された磁気抵抗素子８Ａと磁気
抵抗素子１０Ａ、磁気抵抗素子８Ｂと磁気抵抗素
子１０Ｂをそれぞれ直列に接続するとともに、純
抵抗素子１４，１６を付加して、第７図に示すよ
うなブリツジ回路を構成している。このブリツジ
回路には、端子１８に駆動電圧Ｖが印加されると
ともに、個別に検出出力を取り出す出力端子２０
ａ，２０ｂが設けられている。
を例に取つて、その具体的な構成例を説明する
と、各検出素子対８１，１０１は、第６図に示す
ように、磁気抵抗素子８Ａ，８Ｂ，１０Ａ，１０
Ｂを以て構成されており、記録メデイア２の上下
面の同位置に設置された磁気抵抗素子８Ａと磁気
抵抗素子１０Ａ、磁気抵抗素子８Ｂと磁気抵抗素
子１０Ｂをそれぞれ直列に接続するとともに、純
抵抗素子１４，１６を付加して、第７図に示すよ
うなブリツジ回路を構成している。このブリツジ
回路には、端子１８に駆動電圧Ｖが印加されると
ともに、個別に検出出力を取り出す出力端子２０
ａ，２０ｂが設けられている。
そして、各磁気抵抗素子８Ａ，８Ｂ，１０Ａ，
１０Ｂは、第８図に示すように、記録メデイア２
の記録パターン４に対して、検出信号のλ/2だけ
変位させて設置し、第９図のＡは磁気抵抗素子８
Ａ，１０Ａの検出出力、Ｂは磁気抵抗素子８Ｂ，
１０Ｂの検出出力を示す。
１０Ｂは、第８図に示すように、記録メデイア２
の記録パターン４に対して、検出信号のλ/2だけ
変位させて設置し、第９図のＡは磁気抵抗素子８
Ａ，１０Ａの検出出力、Ｂは磁気抵抗素子８Ｂ，
１０Ｂの検出出力を示す。
このようなセンサーにおいて、記録パターン４
による磁界が０の場合の磁気抵抗素子８Ａ，８
Ｂ，１０Ａ，１０Ｂの抵抗値をＲ、記録メデイア
２とのギヤツプの最大変位量に対する抵抗値変化
をΔRnax、記録パターン４の記録信号の検出によ
る抵抗値変化率を±４％、純抵抗素子１４，１６
の抵抗値を2Rとし、磁気抵抗素子８Ａ，８Ｂの
側のギヤツプが最小、磁気抵抗素子１０Ａ，１０
Ｂの側が最大になつた場合を想定すると、磁気抵
抗素子８Ａの抵抗値は1.04（Ｒ＋ΔRnax）、磁気抵
抗素子８Ｂの抵抗値は0.96（Ｒ＋ΔRnax）、磁気抵
抗素子１０Ａの抵抗値は1.04（Ｒ−ΔRnax）、磁気
抵抗素子１０Ｂの抵抗値は0.96（Ｒ−ΔRnax）と
なる。
による磁界が０の場合の磁気抵抗素子８Ａ，８
Ｂ，１０Ａ，１０Ｂの抵抗値をＲ、記録メデイア
２とのギヤツプの最大変位量に対する抵抗値変化
をΔRnax、記録パターン４の記録信号の検出によ
る抵抗値変化率を±４％、純抵抗素子１４，１６
の抵抗値を2Rとし、磁気抵抗素子８Ａ，８Ｂの
側のギヤツプが最小、磁気抵抗素子１０Ａ，１０
Ｂの側が最大になつた場合を想定すると、磁気抵
抗素子８Ａの抵抗値は1.04（Ｒ＋ΔRnax）、磁気抵
抗素子８Ｂの抵抗値は0.96（Ｒ＋ΔRnax）、磁気抵
抗素子１０Ａの抵抗値は1.04（Ｒ−ΔRnax）、磁気
抵抗素子１０Ｂの抵抗値は0.96（Ｒ−ΔRnax）と
なる。
ゆえに、ブリツジ回路において、磁気抵抗素子
８Ａ，１０Ａ間に発生する電圧をV1、純抵抗素
子１４の端子間に発生する電圧をV2とすると、
電圧V1、V2は、 V1＝2.08R・V/4Ｒ＝0.52V …(1) V2＝2R・V/4Ｒ＝0.5V …(2) となり、出力端子２０ａ，２０ｂ間に発生する検
出出力VOUTは、 VOUT＝V1−V2＝0.02V …(3) となる。すなわち、検出出力VOUTは、電圧Ｖの
みに依存し、ギヤツプ変動の影響を受けないこと
が判る。
８Ａ，１０Ａ間に発生する電圧をV1、純抵抗素
子１４の端子間に発生する電圧をV2とすると、
電圧V1、V2は、 V1＝2.08R・V/4Ｒ＝0.52V …(1) V2＝2R・V/4Ｒ＝0.5V …(2) となり、出力端子２０ａ，２０ｂ間に発生する検
出出力VOUTは、 VOUT＝V1−V2＝0.02V …(3) となる。すなわち、検出出力VOUTは、電圧Ｖの
みに依存し、ギヤツプ変動の影響を受けないこと
が判る。
（第３実施例）
第１０図に示すように、磁気抵抗素子８Ａ，８
Ｂ，１０Ａ，１０Ｂでブリツジ回路を構成して、
端子１８に駆動電圧Ｖを印加することにより、出
力端子２０ａ，２０ｂから検出出力VOUTを取り
出すようにしてもよい。この場合、磁気抵抗素子
８Ａ，１０Ａと、磁気抵抗素子８Ｂ，１０Ｂと
は、記録メデイア２の記録信号の波長（λ）を基
準にしてλ/2の変位を持たせるものとする。
Ｂ，１０Ａ，１０Ｂでブリツジ回路を構成して、
端子１８に駆動電圧Ｖを印加することにより、出
力端子２０ａ，２０ｂから検出出力VOUTを取り
出すようにしてもよい。この場合、磁気抵抗素子
８Ａ，１０Ａと、磁気抵抗素子８Ｂ，１０Ｂと
は、記録メデイア２の記録信号の波長（λ）を基
準にしてλ/2の変位を持たせるものとする。
なお、各実施例においては、円板状の記録メデ
イア２について説明したが、この発明は、棒状ま
たは帯状の記録メデイアを用いた場合のギヤツプ
変動を補償することもできる。
イア２について説明したが、この発明は、棒状ま
たは帯状の記録メデイアを用いた場合のギヤツプ
変動を補償することもできる。
また、各実施例では検出素子を磁気抵抗素子で
構成した場合について説明したが、この発明は、
ホール素子、静電容量検出素子および光学素子な
どの検出素子を用いた場合にも適用できる。
構成した場合について説明したが、この発明は、
ホール素子、静電容量検出素子および光学素子な
どの検出素子を用いた場合にも適用できる。
以上説明したように、この発明によれば、記録
メデイアの上下面の同一位置で各々記録パターン
を非接触で電気的に検出する検出素子を記録メデ
イアの異なる位置に複数対設置し、上下面の同相
出力を生じる検出素子を直列に接続した直列回路
同士を直列接続の二辺とするブリツジ回路を構成
したので、ブリツジ回路によつて各検出素子の検
出出力を合成して取り出すことができ、各検出素
子の検出面と記録メデイアとのギヤツプ変動によ
る抵抗変化分は直列接続によつて相殺されてギヤ
ツプ変動の影響を受けない検出出力を得ることが
でき、検出精度を高めることができる。
メデイアの上下面の同一位置で各々記録パターン
を非接触で電気的に検出する検出素子を記録メデ
イアの異なる位置に複数対設置し、上下面の同相
出力を生じる検出素子を直列に接続した直列回路
同士を直列接続の二辺とするブリツジ回路を構成
したので、ブリツジ回路によつて各検出素子の検
出出力を合成して取り出すことができ、各検出素
子の検出面と記録メデイアとのギヤツプ変動によ
る抵抗変化分は直列接続によつて相殺されてギヤ
ツプ変動の影響を受けない検出出力を得ることが
でき、検出精度を高めることができる。
第１図はこの発明のセンサーの基本的な構成を
示す図、第２図はこの発明のセンサーの第１実施
例を示す図、第３図は記録メデイアと検出素子と
のギヤツプ関係を示す図、第４図は第２図に示し
たセンサーの検出出力を示す図、第５図はこの発
明のセンサーの第２実施例を示す図、第６図は第
５図に示したセンサーの具体的な構成例を示す
図、第７図は第６図に示したセンサーの等価回路
を示す回路図、第８図は第６図に示したセンサー
の磁気抵抗素子の配置を示す図、第９図は第８図
に示した磁気抵抗素子の配置関係によつて得られ
る出力を示す図、第１０図はこの発明のセンサー
の第３実施例を示す図、第１１図は従来のセンサ
ーを示す図である。 ２…記録メデイア、４…記録パターン、８，１
０，８Ａ，８Ｂ，１０Ａ，１０Ｂ…検出素子とし
ての磁気抵抗素子、８１，８２，１０１，１０２
…検出素子対。
示す図、第２図はこの発明のセンサーの第１実施
例を示す図、第３図は記録メデイアと検出素子と
のギヤツプ関係を示す図、第４図は第２図に示し
たセンサーの検出出力を示す図、第５図はこの発
明のセンサーの第２実施例を示す図、第６図は第
５図に示したセンサーの具体的な構成例を示す
図、第７図は第６図に示したセンサーの等価回路
を示す回路図、第８図は第６図に示したセンサー
の磁気抵抗素子の配置を示す図、第９図は第８図
に示した磁気抵抗素子の配置関係によつて得られ
る出力を示す図、第１０図はこの発明のセンサー
の第３実施例を示す図、第１１図は従来のセンサ
ーを示す図である。 ２…記録メデイア、４…記録パターン、８，１
０，８Ａ，８Ｂ，１０Ａ，１０Ｂ…検出素子とし
ての磁気抵抗素子、８１，８２，１０１，１０２
…検出素子対。
Claims (1)
- １ 記録メデイアの上下面の同一位置で各々記録
パターンを非接触で電気的に検出する複数対の検
出素子を上記記録メデイアの記録信号の２分の１
の波長の整数倍の位置に設置し、上記記録メデイ
アの上下面の同相出力を生じる上記検出素子を直
列に接続した検出素子組を二辺とするブリツジ回
路を構成したことを特徴とするセンサー。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119838A JPS62276410A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | センサ− |
| DE8686810603T DE3686330T2 (de) | 1985-12-28 | 1986-12-18 | Kontaktloser markierungssensor. |
| EP86810603A EP0242492B1 (en) | 1985-12-28 | 1986-12-18 | An improved non-contact type pattern sensor |
| KR1019860011227A KR910006670B1 (ko) | 1985-12-28 | 1986-12-24 | 개량된 비 접촉형 패턴 센서 |
| US07/271,388 US4944028A (en) | 1985-12-28 | 1988-11-10 | Non-contact type pattern sensor with variable clearance compensation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119838A JPS62276410A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | センサ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62276410A JPS62276410A (ja) | 1987-12-01 |
| JPH0558487B2 true JPH0558487B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=14771507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61119838A Granted JPS62276410A (ja) | 1985-12-28 | 1986-05-23 | センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62276410A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0214016U (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-29 | ||
| JPH02118216U (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-21 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5647580U (ja) * | 1979-09-18 | 1981-04-27 |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP61119838A patent/JPS62276410A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62276410A (ja) | 1987-12-01 |
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