JPH0559576B2 - - Google Patents
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- JPH0559576B2 JPH0559576B2 JP19088190A JP19088190A JPH0559576B2 JP H0559576 B2 JPH0559576 B2 JP H0559576B2 JP 19088190 A JP19088190 A JP 19088190A JP 19088190 A JP19088190 A JP 19088190A JP H0559576 B2 JPH0559576 B2 JP H0559576B2
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- G—PHYSICS
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- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
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- H02N2/02—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors
- H02N2/028—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors along multiple or arbitrary translation directions, e.g. XYZ stages
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体デバイスの製造においてリソ
グラフイのレベル間で位置ずれを起こす、誘発性
ウエーハ拡大エラー（magrfication error）を修
正するシステムに関するものである。
グラフイのレベル間で位置ずれを起こす、誘発性
ウエーハ拡大エラー（magrfication error）を修
正するシステムに関するものである。
具体的には、本発明は導電性Ｘ線リソグラフイ
マスク基板上に施される圧電膜の寸法を制限する
ために、横方向に電界をかけることに関する。
マスク基板上に施される圧電膜の寸法を制限する
ために、横方向に電界をかけることに関する。
半導体デバイスの製造において、デバイスの線
幅をサブミクロンにするための技術として、Ｘ線
リソグラフイの研究がなされてきた。リソグラフ
イ技術は、マスクから半導体ウエーハ上に施され
た様々な種類の層に所定のパターンを複製する技
術である。異なるマスクが、異なるウエーハのプ
ロセスで使用される。パターンの微細化（サブミ
クロン）が要求されると、ウエーハに対する各マ
スクの整合をしつかりと制御公差範囲内で行なう
ことが非常に重要となる。
幅をサブミクロンにするための技術として、Ｘ線
リソグラフイの研究がなされてきた。リソグラフ
イ技術は、マスクから半導体ウエーハ上に施され
た様々な種類の層に所定のパターンを複製する技
術である。異なるマスクが、異なるウエーハのプ
ロセスで使用される。パターンの微細化（サブミ
クロン）が要求されると、ウエーハに対する各マ
スクの整合をしつかりと制御公差範囲内で行なう
ことが非常に重要となる。
この種のエラーの一例として、プロセス誘発性
ウエーハ拡大エラーがある。このようなエラー
は、様々なリソグラフイのレベル間、即ちウエー
ハ及び様々なマスク間で位置ずれを起こす。マス
ク整合の制御は、このようなエラーを削減される
重要なパラメータである。圧電薄膜をＸ線基板上
に施し、電界をかけることによつてマスクの位置
決めを行なう提案がなされてきた。圧電薄膜の寸
法を直接制御するために、基板平面に沿つて（横
方向に）かけられる電界が有効であると考えられ
る。なぜなら、電界が縦方向に（即ち膜の厚さ方
向に）かけられる時には、平面内の横方向の寸法
変化は膜の結晶構造の関数となるからである。即
ち、いくつかの場合では、寸法変化は非結晶また
は多結晶の物質に対して等方性となるのである。
加えて、横方向の寸法変化は、物質のポアツソン
比の関数としてかなり小さくなる。
ウエーハ拡大エラーがある。このようなエラー
は、様々なリソグラフイのレベル間、即ちウエー
ハ及び様々なマスク間で位置ずれを起こす。マス
ク整合の制御は、このようなエラーを削減される
重要なパラメータである。圧電薄膜をＸ線基板上
に施し、電界をかけることによつてマスクの位置
決めを行なう提案がなされてきた。圧電薄膜の寸
法を直接制御するために、基板平面に沿つて（横
方向に）かけられる電界が有効であると考えられ
る。なぜなら、電界が縦方向に（即ち膜の厚さ方
向に）かけられる時には、平面内の横方向の寸法
変化は膜の結晶構造の関数となるからである。即
ち、いくつかの場合では、寸法変化は非結晶また
は多結晶の物質に対して等方性となるのである。
加えて、横方向の寸法変化は、物質のポアツソン
比の関数としてかなり小さくなる。
従つて、誘電体マスク基板上に施される圧電膜
には、横方向の電界の使用が好ましい。圧電膜が
誘電性基板上に施される場合、横方向の電界は均
一ではない。なぜなら、等電位底面の存在と組み
合わさつて、膜の上面及び底面間で大きな電圧降
下が生じるからである。放射線損傷の影響を最小
にするために、導電性マスク基板が必要である。
現行の技術において、導電性基板を用いた場合、
横方向の電界をかけて圧電膜を制御し、位置決め
エラーを修正する満足な技術はない。
には、横方向の電界の使用が好ましい。圧電膜が
誘電性基板上に施される場合、横方向の電界は均
一ではない。なぜなら、等電位底面の存在と組み
合わさつて、膜の上面及び底面間で大きな電圧降
下が生じるからである。放射線損傷の影響を最小
にするために、導電性マスク基板が必要である。
現行の技術において、導電性基板を用いた場合、
横方向の電界をかけて圧電膜を制御し、位置決め
エラーを修正する満足な技術はない。
この技術分野において、リソグラフイマスクを
整合するための別の様々な技術が提案されてき
た。しかしながら、位置決めエラーを修正するた
めに圧電薄膜を用いるという技術を扱つた者はい
ない。例えば、米国特許第4694477号では、Ｘ線
リソグラフイマスクが使用されている。位置決め
は、マスクの外部に位置する圧電変換素子によつ
て行なわれる。この提案に従つて、マスク及びフ
レームは６つの自由度を有するステージ板に取り
付けられる。ステージ板の位置決めは、圧電変換
器を用いることによつて行なわれる。マスクを整
合しながら、マスク自体の寸法制御はできない。
整合するための別の様々な技術が提案されてき
た。しかしながら、位置決めエラーを修正するた
めに圧電薄膜を用いるという技術を扱つた者はい
ない。例えば、米国特許第4694477号では、Ｘ線
リソグラフイマスクが使用されている。位置決め
は、マスクの外部に位置する圧電変換素子によつ
て行なわれる。この提案に従つて、マスク及びフ
レームは６つの自由度を有するステージ板に取り
付けられる。ステージ板の位置決めは、圧電変換
器を用いることによつて行なわれる。マスクを整
合しながら、マスク自体の寸法制御はできない。
圧電技術を用いて光電陰極マスクを、整合する
別の技術は、米国特許第3887811号に開示されて
いる。前出の第4694477号とは異なり、米国特許
第3887811号は、光電陰極マスク及びウエーハの
間で相対的な回転を引き起こす電圧素子の使用に
よる角度の整合を与える。従つて、外部で発生し
た力を使用することによつてマスクを回転させ、
物理的移動を起こす。
別の技術は、米国特許第3887811号に開示されて
いる。前出の第4694477号とは異なり、米国特許
第3887811号は、光電陰極マスク及びウエーハの
間で相対的な回転を引き起こす電圧素子の使用に
よる角度の整合を与える。従つて、外部で発生し
た力を使用することによつてマスクを回転させ、
物理的移動を起こす。
温度変化を用いた寸法制御は、米国特許第
4256829号及び欧州特許第054641号において開示
されている。米国特許第4256829号では、基板及
びマスクのエラーを局所的温度変化によつて調整
し、各プロセス間で存在する平らな寸法的ゆがみ
を説明している。欧州特許第054641号では、一連
のスルーホール又はバイアを有するシヤドウマス
クの製造について開示している。マスク及びウエ
ーハを室温において故意に位置ずれさせて製造す
るのだが、マスクが動作温度に達した時バイアス
整合させる。マスク及びウエーハの熱膨張の差を
見積ることによつて、整合ずれを補償するのであ
る。あらかじめ計算される温度が様々であれば、
位置決めは達成されない。
4256829号及び欧州特許第054641号において開示
されている。米国特許第4256829号では、基板及
びマスクのエラーを局所的温度変化によつて調整
し、各プロセス間で存在する平らな寸法的ゆがみ
を説明している。欧州特許第054641号では、一連
のスルーホール又はバイアを有するシヤドウマス
クの製造について開示している。マスク及びウエ
ーハを室温において故意に位置ずれさせて製造す
るのだが、マスクが動作温度に達した時バイアス
整合させる。マスク及びウエーハの熱膨張の差を
見積ることによつて、整合ずれを補償するのであ
る。あらかじめ計算される温度が様々であれば、
位置決めは達成されない。
本発明の目的は、Ｘ線マスクと関連のある拡大
エラーを修正するシステムを与えることである。
エラーを修正するシステムを与えることである。
そして、本発明のもう１つの目的は、横方向の
電界を用いて拡大エラーを修正する圧電気膜を制
御する薄膜構造体を規定することである。
電界を用いて拡大エラーを修正する圧電気膜を制
御する薄膜構造体を規定することである。
さらに本発明の目的は、圧電膜に施したすだれ
状電極を与え、横方向の電界をかけてＸ線リソグ
ラフイ構造における拡大エラーを修正する方法を
提供することである。
状電極を与え、横方向の電界をかけてＸ線リソグ
ラフイ構造における拡大エラーを修正する方法を
提供することである。
本発明の目的を達成するために、高誘電率の圧
電膜を付着させる前に導電性基板上に比較的低い
誘電率の薄膜を付着させた合成構造体を用いる。
低誘電率の膜は、高誘電率の圧電物質の厚さ方向
の電圧降下を低くするために設ける。従属的に、
この低誘電率の膜は導電性基板から圧電膜の底面
を分離する。このことによつて、圧電膜内のすだ
れ状電極のギヤツプを横切る比較的均一な電界が
達成される。
電膜を付着させる前に導電性基板上に比較的低い
誘電率の薄膜を付着させた合成構造体を用いる。
低誘電率の膜は、高誘電率の圧電物質の厚さ方向
の電圧降下を低くするために設ける。従属的に、
この低誘電率の膜は導電性基板から圧電膜の底面
を分離する。このことによつて、圧電膜内のすだ
れ状電極のギヤツプを横切る比較的均一な電界が
達成される。
さらに本発明に従つて、電圧膜上にすだれ状電
極を配置する。
極を配置する。
本発明の第１の具体例では、圧電膜及び電極
は、Ｘ線露光部分から離れた位置に、基板の上
面、底面のいずれか又は両面に置かれる。電極配
置は、Ｘ−Ｙ拡大エラーの修正を行なうために、
互いに直角に置かれる。加えて、電極配置は露光
部分のまわりを囲むように置かれる。
は、Ｘ線露光部分から離れた位置に、基板の上
面、底面のいずれか又は両面に置かれる。電極配
置は、Ｘ−Ｙ拡大エラーの修正を行なうために、
互いに直角に置かれる。加えて、電極配置は露光
部分のまわりを囲むように置かれる。
第２の具体例において、低いＸ線吸収を有する
すだれ状電極は、寸法変化を大きくするためにＸ
線露光部分の内に置かれる。直接、露光部分に電
極を置くことによつて、適切にアドレスされた電
極配列を用いた基板の区分を、独立して調節する
ことができる。
すだれ状電極は、寸法変化を大きくするためにＸ
線露光部分の内に置かれる。直接、露光部分に電
極を置くことによつて、適切にアドレスされた電
極配列を用いた基板の区分を、独立して調節する
ことができる。
第１図を参照するに、本発明に従う薄膜構造の
斜視図が示されている。この構造は、比較的近い
誘電率の薄膜１２をその上に有する導電性基板１
０からなる。この薄膜物質の誘電率はε＜10であ
り、代表的には酸化シリコン（SiO2）、窒化シリ
コン、窒化ホウ素（BN）又はポリイミドであ
る。比較的低い誘電率の薄膜１２の付着後、その
上に高誘電率の圧電膜１４を付着させる。このよ
うな膜は、この技術分野では周知である。例え
ば、チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛及
びジルコン酸チタン酸ランタニウム鉛、又は他の
圧電物質を薄膜の形状で付着できる。この膜の誘
電率は、一般的にε＞500とすべきである。
斜視図が示されている。この構造は、比較的近い
誘電率の薄膜１２をその上に有する導電性基板１
０からなる。この薄膜物質の誘電率はε＜10であ
り、代表的には酸化シリコン（SiO2）、窒化シリ
コン、窒化ホウ素（BN）又はポリイミドであ
る。比較的低い誘電率の薄膜１２の付着後、その
上に高誘電率の圧電膜１４を付着させる。このよ
うな膜は、この技術分野では周知である。例え
ば、チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛及
びジルコン酸チタン酸ランタニウム鉛、又は他の
圧電物質を薄膜の形状で付着できる。この膜の誘
電率は、一般的にε＞500とすべきである。
電圧膜層１４の上には、すだれ状電極配列１６
を施す。この技術分野では周知の方法で、金属の
電極をパターニングすることができる。第１図に
示すように、配列１６は組んだ指のごとく互いに
かみ合わされる。図示させていないが、選択され
た電極を作動させるために外部導電体がある。
を施す。この技術分野では周知の方法で、金属の
電極をパターニングすることができる。第１図に
示すように、配列１６は組んだ指のごとく互いに
かみ合わされる。図示させていないが、選択され
た電極を作動させるために外部導電体がある。
低誘電率の膜１２は、高誘電率の圧電膜１４の
厚さ方向に低い電圧降下を与える。誘電膜１２
は、導電性基板１０から圧電膜１４を分離する作
用もある。従つて、圧電膜１４内のすだれ状電極
間のギヤツプを横切る比較的均一な電界が達成さ
れる。もし、低誘電率の膜１２がなければ、圧電
物質１４内の内部電界は不均一になりやすい。電
極に電圧わかける時、誘電膜１２の絶縁破壊が起
こらないように電圧を調節しなければならない。
厚さ方向に低い電圧降下を与える。誘電膜１２
は、導電性基板１０から圧電膜１４を分離する作
用もある。従つて、圧電膜１４内のすだれ状電極
間のギヤツプを横切る比較的均一な電界が達成さ
れる。もし、低誘電率の膜１２がなければ、圧電
物質１４内の内部電界は不均一になりやすい。電
極に電圧わかける時、誘電膜１２の絶縁破壊が起
こらないように電圧を調節しなければならない。
第２図を参照すると、本発明の第１の具体例が
示されている。第２図は、Ｘ線マスクの平面図で
ある。導電性基板１０は、ウエーハ３０上にＸ線
露光部分２０を有する。第２図に示されるよう
に、この部分２０には圧電膜はない。すだれ状電
極１６は、図示されるように、互いに直角に置か
れ、Ｘ−Ｙ拡大修正を可能にする。従つて、第２
図のように、すだれ状電極１６は４つのセツトの
形をとり、各セツトは第１図に示されるような電
極対からなる。セツト２２及び２４が作動される
と、Ｘ−Ｙ方向の修正を行ない、同時に、セツト
２６及び２８はＸ方向の修正を行なう。各電極の
端子は図示されている。プロセス工程を最小にす
るために、第２図に示されたすだれ状電極を伴う
構造体は、吸収器をパターニングすると同時に製
造できる。
示されている。第２図は、Ｘ線マスクの平面図で
ある。導電性基板１０は、ウエーハ３０上にＸ線
露光部分２０を有する。第２図に示されるよう
に、この部分２０には圧電膜はない。すだれ状電
極１６は、図示されるように、互いに直角に置か
れ、Ｘ−Ｙ拡大修正を可能にする。従つて、第２
図のように、すだれ状電極１６は４つのセツトの
形をとり、各セツトは第１図に示されるような電
極対からなる。セツト２２及び２４が作動される
と、Ｘ−Ｙ方向の修正を行ない、同時に、セツト
２６及び２８はＸ方向の修正を行なう。各電極の
端子は図示されている。プロセス工程を最小にす
るために、第２図に示されたすだれ状電極を伴う
構造体は、吸収器をパターニングすると同時に製
造できる。
一般的に、マスク及びウエーハ間には40μmオ
ーダの狭いギヤツプがある。このギヤツプを通つ
て、マスクの側面又は背面からきている導電性電
極によつて、すだれ状電極の電気的接続は達成さ
れる。
ーダの狭いギヤツプがある。このギヤツプを通つ
て、マスクの側面又は背面からきている導電性電
極によつて、すだれ状電極の電気的接続は達成さ
れる。
各すだれ状電極２２，２４，２６，２８に独立
した動作を与える制御電子機器は、ここには図示
されていない。このような電極のセツトを個々に
動作させる方法は、この技術分野では周知であ
る。これらの電極パターンのいくつかに選択的に
電圧をかけることによつて、電圧膜が変化し、結
果として拡大エラーのＸ−Ｙ修正を行なう。すだ
れ状電極の使用によつて、圧電膜内に横方向の電
界が生じるが、電界は圧電膜の内側に存在し、す
だれ状電極を横切つて均一である。この均一性
は、低い誘電率の薄膜１２の存在によつて達成さ
れる。
した動作を与える制御電子機器は、ここには図示
されていない。このような電極のセツトを個々に
動作させる方法は、この技術分野では周知であ
る。これらの電極パターンのいくつかに選択的に
電圧をかけることによつて、電圧膜が変化し、結
果として拡大エラーのＸ−Ｙ修正を行なう。すだ
れ状電極の使用によつて、圧電膜内に横方向の電
界が生じるが、電界は圧電膜の内側に存在し、す
だれ状電極を横切つて均一である。この均一性
は、低い誘電率の薄膜１２の存在によつて達成さ
れる。
第２図では基板１０上面に置かれるように示さ
れているが、圧電膜及び電極は、基板１０の底
面、又は適当であれば基板１０の上面及び底面の
どちらにも置くことができる。配置の決定は、拡
大エラーを起こすこともあるので、必要な補正を
与えるために複数のすだれ状電極配列が要求され
る。
れているが、圧電膜及び電極は、基板１０の底
面、又は適当であれば基板１０の上面及び底面の
どちらにも置くことができる。配置の決定は、拡
大エラーを起こすこともあるので、必要な補正を
与えるために複数のすだれ状電極配列が要求され
る。
従つて、圧電膜構造を基板１０の両面にサンド
イツチのように配置することによつて、膜の応力
を最小にできる。このような構造では、互いに直
角に置かれたすだれ状電極を有する基板１０の両
面に、相称的に圧電膜を付着させる。
イツチのように配置することによつて、膜の応力
を最小にできる。このような構造では、互いに直
角に置かれたすだれ状電極を有する基板１０の両
面に、相称的に圧電膜を付着させる。
本発明の第２の具体例において、すだれ状電極
構造１６は、低いＸ線吸収物質を用いて形成で
き、Ｘ線露光部分２０内に置くことができる。こ
の構造は、実行される寸法変化を大きくすること
ができる。この例では、すだれ状電極は約1000Å
のアルミニウムを用いて作られ、非常に低いＸ線
吸収のパターンを与える。このような例では、要
求される寸法変化を達成させるために圧電膜１４
の厚さは十分薄く、すだれ状電極パターンにかけ
る電圧は制限される。もし圧電物質のＸ線吸収が
十分に小さく、かけられる放射損傷が最小であれ
ば、これは達成できる。
構造１６は、低いＸ線吸収物質を用いて形成で
き、Ｘ線露光部分２０内に置くことができる。こ
の構造は、実行される寸法変化を大きくすること
ができる。この例では、すだれ状電極は約1000Å
のアルミニウムを用いて作られ、非常に低いＸ線
吸収のパターンを与える。このような例では、要
求される寸法変化を達成させるために圧電膜１４
の厚さは十分薄く、すだれ状電極パターンにかけ
る電圧は制限される。もし圧電物質のＸ線吸収が
十分に小さく、かけられる放射損傷が最小であれ
ば、これは達成できる。
このような構造において、適切にアドレスされ
た電極の配列を有する基板部分を、独立して調節
することができる。これは、直接Ｘ線露光部分２
０の拡大エラーに対する配置補正にも適応でき
る。
た電極の配列を有する基板部分を、独立して調節
することができる。これは、直接Ｘ線露光部分２
０の拡大エラーに対する配置補正にも適応でき
る。
さて第３図を参照すると、本発明の第３の具体
例が示されている。パターニングされるウエーハ
は、取り付けリング４２に固定されたウエーハフ
レーム４０の上に置かれる。第２図の具体例のよ
うに、基板１０はパターニングを行なうＸ線露光
部分２０を有する。しかしながらこの例では、一
連の独立してアドレスされた修正圧電膜区分４４
は、パターニング部分２０のまわりに円形に置か
れる。この位置は、Ｘ軸及びＹ軸に沿つて向い合
う区分の動作による直角修正だけでなく、マスク
寸法における斜め方向の制御をするために、他方
向の修正も可能にする。即ち、どのような方向の
位置ずれをも修正するために、円形の修正膜４４
をいくつか組み合わせて動作させることによつ
て、達成させる。図示されているように、この例
では、それぞれが独立してアドレスされた修正膜
４４に対するすだれ状電極パターンは、パターニ
ング部分の基本軸に対してバイアスの方向に向け
られる。このことによつて、基本線に沿つて膜１
０に変形の力を与え、構造体に与える応力を最小
にする。修正膜４４を選択的に動作させることに
よつて、選択された平面のパターンの変形が達成
されることが理解されるであろう。
例が示されている。パターニングされるウエーハ
は、取り付けリング４２に固定されたウエーハフ
レーム４０の上に置かれる。第２図の具体例のよ
うに、基板１０はパターニングを行なうＸ線露光
部分２０を有する。しかしながらこの例では、一
連の独立してアドレスされた修正圧電膜区分４４
は、パターニング部分２０のまわりに円形に置か
れる。この位置は、Ｘ軸及びＹ軸に沿つて向い合
う区分の動作による直角修正だけでなく、マスク
寸法における斜め方向の制御をするために、他方
向の修正も可能にする。即ち、どのような方向の
位置ずれをも修正するために、円形の修正膜４４
をいくつか組み合わせて動作させることによつ
て、達成させる。図示されているように、この例
では、それぞれが独立してアドレスされた修正膜
４４に対するすだれ状電極パターンは、パターニ
ング部分の基本軸に対してバイアスの方向に向け
られる。このことによつて、基本線に沿つて膜１
０に変形の力を与え、構造体に与える応力を最小
にする。修正膜４４を選択的に動作させることに
よつて、選択された平面のパターンの変形が達成
されることが理解されるであろう。
第２の具体例の場合のように、各修正膜区分４
４は、独立してアドレスできる。この例では、ｎ
−放射（ｎは円周の区分の数）の線に沿つて放射
状に圧電膜を動かすことができる。
４は、独立してアドレスできる。この例では、ｎ
−放射（ｎは円周の区分の数）の線に沿つて放射
状に圧電膜を動かすことができる。
本発明は、好ましい例に関して記述してきた
が、本発明の範囲に反しないならば、Ｘ線マスク
が非導電性である時に低誘電物質を削除する等の
修正も可能である。
が、本発明の範囲に反しないならば、Ｘ線マスク
が非導電性である時に低誘電物質を削除する等の
修正も可能である。
本発明は、導電性基板上に比較的低い誘電率の
膜及びその上に高い誘電率の圧電膜をそれぞれ付
着させることによつて、Ｘ線リソグラフイマスク
と関連のある拡大エラーを修正するシステムを与
えることができる。
膜及びその上に高い誘電率の圧電膜をそれぞれ付
着させることによつて、Ｘ線リソグラフイマスク
と関連のある拡大エラーを修正するシステムを与
えることができる。
第１図は、本発明の膜構造の斜視図である。第
２図は、第１図の膜構造を用いたＸ線マスク構造
体の平面図である。第３図は、独立してアドレス
される修正膜の取り付けリングを用いたＸ線マス
ク構造体の平面図である。 １０……導電性基板、１２……低誘電率の薄
膜、１４……圧電膜、１６，２２，２４，２６，
２８……すだれ状電極、２０……Ｘ線露光部分、
３０……ウエーハ、４０……ウエーハフレーム、
４２……取り付けリング、４４……修正膜区分。
２図は、第１図の膜構造を用いたＸ線マスク構造
体の平面図である。第３図は、独立してアドレス
される修正膜の取り付けリングを用いたＸ線マス
ク構造体の平面図である。 １０……導電性基板、１２……低誘電率の薄
膜、１４……圧電膜、１６，２２，２４，２６，
２８……すだれ状電極、２０……Ｘ線露光部分、
３０……ウエーハ、４０……ウエーハフレーム、
４２……取り付けリング、４４……修正膜区分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 導電性基板と、 (b) 前記基板の一つの表面に付着させた低誘電率
の薄膜と、 (c) 前記低誘電率の薄膜に付着させた圧電膜と、 (d) 前記圧電膜の電極配列を横切つて比較的均一
な電界を与えるために、前記圧電膜上に置かれ
た電極配列からなる、Ｘ線リソグラフイ構造体
における拡大エラーを修正するための薄膜構造
体。 ２ 前記低誘電率の膜の誘電率がε＜10である請
求項１記載のＸ線リソグラフイ用薄膜構造体。 ３ 前記低誘電率の膜が酸化シリコン、窒化シリ
コン及び窒化ホウ素からなる群から選択される請
求項２記載のＸ線リソグラフイ用薄膜構造体。 ４ 前記低誘電率の膜がポリイミドからなる請求
項２記載のＸ線リソグラフイ用薄膜構造体。 ５ 前記圧電膜の誘電率がε＞500である請求項
１記載のＸ線リソグラフイ用薄膜構造体。 ６ 前記低誘電率の膜及び前記圧電膜を、それぞ
れ前記基板の反対側に付着させる請求項１記載の
Ｘ線リソグラフイ用薄膜構造体。 ７ 前記電極配列が一対の間隔をあけたすだれ状
電極からなり、それによつてすだれ状電極間にギ
ヤツプが存在し、前記圧電膜を位置的変化させる
電界を設定する請求項１記載のＸ線リソグラフイ
用薄膜構造体。 ８ 前記電極配列が２セツトの配列からなり、各
セツトは互いに一定の間隔をあけて置かれ、１セ
ツトの配列は他のセツトの配列と直角に置かれる
請求項１記載のＸリソグラフイ用薄膜構造体。 ９ 前記配列のセツトがＸ線露光部分の外側に置
かれる請求項８記載のＸ線リソグラフイ用薄膜構
造体。 １０ 前記電極配列がＸ線電光部分の外側のまわ
りに置かれた、独立してアドレスできる薄膜区分
の輪からなる請求項１記載のＸ線リソグラフイ用
薄膜構造体。 １１ (a) 導電性基板と、 (b) 前記基板の一つの表面に付着させた、低誘電
率の膜及びその上の高誘電率の圧電膜からなる
２層の合成薄膜と、 (c) 前記圧電膜上に付着させた電極配列を横切つ
て均一な電界をかけることによつて前記圧電膜
を位置的変化させ、ウエーハにマスクの位置を
合わせるための電極配列からなる、サブミクロ
ンリソグラフイにおけるマスク及びウエーハ間
の位置ずれをなくすためのエラー修正薄膜構造
体。 １２ 前記低誘電率の膜α誘電率がε＜10である
請求項１１記載のＸ線リソグラフイ用薄膜構造
体。 １３ 前記低誘電率の膜が酸化シリコン、窒化シ
リコン及び窒化ホウ素からなる群から選択される
請求項１２記載のＸ線リソグラフイ用薄膜構造
体。 １４ 前記低誘電率の膜が窒化ホウ素からなる請
求項１２記載のＸ線リソグラフイ用薄膜構造体。 １５ 前記圧電膜の誘電率がε＞500である請求
項１１記載のＸ線リソグラフイ用薄膜構造体。 １６ 前記低誘電率の膜及び前記圧電膜をそれぞ
れ前記基板の反対側に付着させる請求項１１記載
のＸ線リソグラフイ用薄膜構造体。 １７ 前記電極配列が一対の間隔をあけたすだれ
状電極からなり、それによつてすだれ状電極間の
ギヤツプが存在し、前記圧電膜を位置的変化させ
る電界を設定する請求項１１記載のＸ線リソグラ
フイ用薄膜構造体。 １８ 前記電極配列が２セツトの配列からなり、
各セツトは互いに一定の間隔をあけて置かれ、１
セツトの配設は他のセツトの配列を直角に置かれ
る請求項１１記載のＸ線リソグラフイ用薄膜構造
体。 １９ 前記配列のセツトがＸ線露光部分の外側に
置かれる請求項１８記載のＸ線リソグラフイ用薄
膜構造体。 ２０ 前記電極配列がＸ線露光部分の外側のまわ
りに置かれた、独立してアドレスできる薄膜区分
の輪からなる請求項１１記載のＸ線リソグラフイ
用薄膜構造体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/383,519 US4964145A (en) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | System for magnification correction of conductive X-ray lithography mask substrates |
| US383519 | 1989-07-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360013A JPH0360013A (ja) | 1991-03-15 |
| JPH0559576B2 true JPH0559576B2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=23513527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2190881A Granted JPH0360013A (ja) | 1989-07-24 | 1990-07-20 | Ｘ線リソグラフイ用薄膜構造体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4964145A (ja) |
| EP (1) | EP0410106B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0360013A (ja) |
| DE (1) | DE69012695T2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920013558A (ko) * | 1990-12-22 | 1992-07-29 | 김정배 | 새도우마스크의 안티도우밍재 증착방법 |
| US5155749A (en) * | 1991-03-28 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Variable magnification mask for X-ray lithography |
| JP3012069B2 (ja) * | 1991-12-04 | 2000-02-21 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 |
| US5504793A (en) * | 1995-02-17 | 1996-04-02 | Loral Federal Systems Company | Magnification correction for 1-X proximity X-Ray lithography |
| US6162564A (en) * | 1997-11-25 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask blank and method of producing mask |
| US5958631A (en) * | 1998-02-17 | 1999-09-28 | International Business Machines Corporation | X-ray mask structure |
| US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US6929762B2 (en) | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| JP2004183044A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Seiko Epson Corp | マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器 |
| US6871558B2 (en) | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| US7122079B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7136150B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
| US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US20050270516A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing |
| US7785526B2 (en) | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
| US7292326B2 (en) | 2004-11-30 | 2007-11-06 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices |
| US7630067B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices |
| US20070231421A1 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced Multi Channel Alignment |
| US7696676B2 (en) * | 2006-12-18 | 2010-04-13 | Lockheed Martin Corporation | Piezoelectric composite apparatus and related methods |
| FR2911992A1 (fr) * | 2007-01-30 | 2008-08-01 | St Microelectronics Sa | Inductance multiniveaux |
| ITTO20150046U1 (it) * | 2015-04-10 | 2016-10-10 | Guido Maisto | Dispositivo per la rilevazione di deformazioni e la trasmissione dei dati rilevati |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4592081A (en) * | 1984-02-10 | 1986-05-27 | Varian Associates, Inc. | Adaptive X-ray lithography mask |
| US4887283A (en) * | 1988-09-27 | 1989-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and exposure method employing the same |
-
1989
- 1989-07-24 US US07/383,519 patent/US4964145A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-05-22 EP EP90109762A patent/EP0410106B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-22 DE DE69012695T patent/DE69012695T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-20 JP JP2190881A patent/JPH0360013A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0410106B1 (en) | 1994-09-21 |
| DE69012695D1 (de) | 1994-10-27 |
| DE69012695T2 (de) | 1995-03-30 |
| EP0410106A3 (en) | 1991-10-23 |
| EP0410106A2 (en) | 1991-01-30 |
| JPH0360013A (ja) | 1991-03-15 |
| US4964145A (en) | 1990-10-16 |
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