JPH0559582B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0559582B2
JPH0559582B2 JP57226608A JP22660882A JPH0559582B2 JP H0559582 B2 JPH0559582 B2 JP H0559582B2 JP 57226608 A JP57226608 A JP 57226608A JP 22660882 A JP22660882 A JP 22660882A JP H0559582 B2 JPH0559582 B2 JP H0559582B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
semiconductor chip
tape
semiconductor
collet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP57226608A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59119737A (ja
Inventor
Akihiro Kubota
Junichi Kasai
Toshuki Yoda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57226608A priority Critical patent/JPS59119737A/ja
Publication of JPS59119737A publication Critical patent/JPS59119737A/ja
Publication of JPH0559582B2 publication Critical patent/JPH0559582B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • H10W70/417—Bonding materials between chips and die pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は半導体装置の製造方法に関するもので
あり、特に半導体チツプを移送しダイス付けを行
なうことを含む半導体装置の製造方法に関するも
のである。
(2) 技術の背景 半導体の組立工程で主体となる半導体チツプの
組込み法については電子機器の高度化、複雑化に
伴つてICの集積度がSSIからMSI，LSIへと拡大
されるにつれて手動式では生産性が低くなり、自
動化が推進され始めた。このような半導体の組立
工程においては半導体チツプをパツケージ、又は
リードフレーム上にダイス付することが必要であ
る。このダイス付けの工程を行なう場合半導体チ
ツプをトレイ上からある一定の位置に移送させ、
更にダイス付けのためにパツケージやリードフレ
ーム上に移送する必要がある。
(3) 従来技術と問題点 半導体チツプの移送方法として従来は第１図に
示すように中空部を有するダイコレツト２を用い
て矢印３方向に真空吸引することによつて半導体
チツプ１を溝４内に吸い付けて移送する方法があ
る。
半導体チツプの大きさ、形状は約１mmないし７
mmの辺長を有する正方形又は矩形が主であるが、
該半導体チツプを吸引によつてダイコレツト２に
吸い付けるためには半導体チツプの大きさ、形状
に対応した溝４を有するダイコレツト２をその都
度変更しなければならなかつた。従つて大きさ、
形状が種々変更する場合はコレツトの変更のため
に時間をロスし処理能率を低下せしめていた。
更に第１図のような方法でダイコレツトに半導
体チツプを吸い付けると半導体チツプの角部５が
破損したり、傷ついたりして半導体チツプの信頼
性を損ねる。
(4) 発明の目的 上記欠点を鑑み本発明は半導体チツプの移送能
率を向上させる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
更に、本発明は半導体チツプに損傷等を与えず
に半導体チツプを移送する半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
(5) 発明の構成 上記の目的は、本発明によれば、半導体チツプ
の表面中央部に該チツプの面積の30〜80％の大き
さのテープを貼付する工程、該テープ表面を表面
が平坦で吸引口を有するコレツトを用いて吸引す
ることによつて該半導体チツプを移送し、該半導
体チツプの取付を行う工程を含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法によつて達成される。
(6) 発明の実施例 以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
第２図は本発明に係る、半導体チツプの吸引コ
レツトへの吸引方法を示す図であり、第３図は本
発明に係るダイス付けを行なうための半導体チツ
プの移送経路を概略的に示した針視図である。
第２図によれば一辺がほゞ1.5mmの正方形のチ
ツプ１１の表面に例えばポリイミドフイルム＋シ
リコーン接着剤、又はポリイミドフイルム＋アク
リル系接着剤、ポリイミドフイルム＋ポリイミド
系接着剤等からなるテープ材１４を貼付した後、
該チツプ１１を吸引コレツト１２によつて矢印１
３方向に吸引した状態が示されている。尚、上記
テープ材１４はウエハ状態の時に貼付しておくの
が望しい。
上記のようにチツプ１１上にテープ材１４が貼
付けされているので該テープ材は硬質のコレツト
が直接チツプに接触するのを防止する緩衝材とし
ての役割を果たし、チツプの破損、損傷等が防止
されるのである。更に、本発明は従来のようにチ
ツプを直接チツプの形状、大きさに対応したダイ
コレツトの溝又は額縁内に収納した状態で吸引す
る必要がなく第２図に示すようにチツプ吸引側端
部表面Ａを平坦にしておけば種々の形状、大きさ
を有するチツプはテープを介して吸引せしめられ
る。従つて、本発明においては種々のサイズ、大
きさを有するコレツトを用意することが不要とな
りコレツト交換の時間を省略することが出来る。
第３図によればあらかじめチツプ１１を専用の
トレイ１５に配列しておき、吸引コレツト１２で
１つのチツプを吸引しこれをいつたん位置出し用
の装置１６に移送して正確に位置出しした後、更
にこれを吸引して又はリードフレーム１８のチツ
プステージ等に移送して例えば銀ペースト等でダ
イス付けがなされる。
本発明によれば、チツプに貼付するテープの大
きさはチツプ面積の30〜80％とする。
一般的に、半導体チツプは周辺部にボンデイン
グパツドが設けられている。本発明のテープ貼付
はこのボンデイングパツドを汚染しないように行
う必要があるため、ボンデイングパツドが設けら
れていないチツプ中央部に貼付する。このテープ
貼付に適したチツプ中央部はチツプ面積の30〜80
％に相当するので、貼付するテープの大きさもこ
の範囲に限定する。
なおチツプにテープを貼付する方法はテープ貼
り付け機は等によつて行なわれる。
(7) 発明の効果 以上説明したように本発明によれば半導体チツ
プ吸引コレツトを該半導体チツプに対応させて考
案する必要がないので稼動率が向上し、更にテー
プがストレス緩和材となるため半導体チツプの破
損、損傷が防止され信頼性の高い半導体装置を得
ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の方法を説明するための概略断面
図であり、第２図及び第３図は本発明の実施例を
説明する概略断面図である。 １……半導体チツプ、２……ダイコレツト、３
……吸引方向、４……溝又は額縁、５……半導体
チツプの角部、１１，１１ａ……チツプ、１２…
…吸引コレツト、１３……吸引方向、１４……テ
ープ、１５……チツプトレイ、１６……位置出し
装置、１７……チツプステージ、１８……リード
フレーム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体チツプの表面中央部に該チツプの面積
    の30〜80％の大きさのテープを貼付する工程、該
    テープ表面を表面が平坦で吸引口を有するコレツ
    トを用いて吸引することによつて該半導体チツプ
    を移送し、該半導体チツプの取付を行う工程を含
    むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP57226608A 1982-12-27 1982-12-27 半導体装置の製造方法 Granted JPS59119737A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57226608A JPS59119737A (ja) 1982-12-27 1982-12-27 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57226608A JPS59119737A (ja) 1982-12-27 1982-12-27 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59119737A JPS59119737A (ja) 1984-07-11
JPH0559582B2 true JPH0559582B2 (ja) 1993-08-31

Family

ID=16847859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57226608A Granted JPS59119737A (ja) 1982-12-27 1982-12-27 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59119737A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0312430U (ja) * 1989-06-23 1991-02-07

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5727039A (en) * 1980-07-24 1982-02-13 Nec Home Electronics Ltd Mounting method for semiconductor pellet

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59119737A (ja) 1984-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW569355B (en) Ablation means for adhesive tape, ablation device for adhesive tape, ablation method for adhesive tape, pick-up device for semiconductor chip, pick-up method for semiconductor chips, manufacturing method and device for semiconductor device
CN101276781B (zh) 用于ic封装的组合倒置
JP2000164534A (ja) ウェ―ハの分離装置及び方法
JP2003234359A (ja) 半導体装置の製造方法
US5270260A (en) Method and apparatus for connecting a semiconductor chip to a carrier system
JP2000182995A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004072037A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0559582B2 (ja)
JPS61180442A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000091403A (ja) ダイピックアップ方法およびそれを用いた半導体製造装置ならびに半導体装置の製造方法
JP2006351848A (ja) コレット、角錐コレット、ダイボンディング装置、及びダイボンディング方法
JPH0689912A (ja) 半導体チップ剥離治具及び半導体チップの剥離方法
JPH10313045A (ja) 半導体チップの保持具
JP2003086612A (ja) ダイボンディング方法
JPH09330992A (ja) 半導体装置実装体とその製造方法
JP2000195878A (ja) ウェーハ搬送・固定治具及び半導体装置の製造方法
JPH06275664A (ja) 半導体チップピックアップ装置
JPH05211268A (ja) 半導体装置
JPH08139166A (ja) 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2924254B2 (ja) ダイボンディング方法
JP2004172356A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001332591A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0966519A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59139645A (ja) ウエ−ハ支持装置
JP2702328B2 (ja) ダイボンダーの半導体素子分離機構