JPH055993A - 感光性組成物 - Google Patents
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Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液に
対する親和性あるいは溶解性が増加する性質を有する化
合物とオニウム化合物の芳香族スルホン酸塩を含む事を
特徴とする化学増幅系感光性組成物。 【効果】 感度、解像力及び残膜率が高い。
対する親和性あるいは溶解性が増加する性質を有する化
合物とオニウム化合物の芳香族スルホン酸塩を含む事を
特徴とする化学増幅系感光性組成物。 【効果】 感度、解像力及び残膜率が高い。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平版印刷版やフォトレジ
ストの製造に適する感光性組成物に関するものである。
更に詳しくは、高い感度と高コントラストの画像を与え
る感光性組成物に関するものである。
ストの製造に適する感光性組成物に関するものである。
更に詳しくは、高い感度と高コントラストの画像を与え
る感光性組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ポジ型感光性組成物としては、一般にア
ルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジ
ド化合物とを含む組成物が用いられている。しかし、最
近ナフトキノンジアジド以外の感光物を用いたポジ型感
光性組成物に関する特許が多く出願されている。
ルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジ
ド化合物とを含む組成物が用いられている。しかし、最
近ナフトキノンジアジド以外の感光物を用いたポジ型感
光性組成物に関する特許が多く出願されている。
【0003】例えば、米国特許第3,984,253 号明細書
は、ポジ型の像を形成するために、ジアゾニウム塩の如
き酸を生じる化合物を加えることにより、ポリフタルア
ルデヒドを紫外線、電子ビームおよびX線に対し感応せ
しめることを示している。米国特許第4,311,782 号明細
書は、酸を形成する化合物と、周期的に存在するオルト
カルボン酸エステルを有する重合性化合物とを含むポジ
型のレリーフ像を形成するための、放射線に対して感応
する混合物を示している。
は、ポジ型の像を形成するために、ジアゾニウム塩の如
き酸を生じる化合物を加えることにより、ポリフタルア
ルデヒドを紫外線、電子ビームおよびX線に対し感応せ
しめることを示している。米国特許第4,311,782 号明細
書は、酸を形成する化合物と、周期的に存在するオルト
カルボン酸エステルを有する重合性化合物とを含むポジ
型のレリーフ像を形成するための、放射線に対して感応
する混合物を示している。
【0004】特開昭59−45439号公報は、酸に対
して不安定な反復的に存在する枝分かれした基を有する
重合体と、放射線にさらされたときに酸を生じる光重合
開始剤とを含むレジスト組成物を示している。さらに、
SPIE Vol. 920 Advances in Resist Technology and
ProcessingV (1988)33頁は、トリフェニルホ
スホニウムやジフェニルヨードニウム化合物の金属ハロ
ゲン塩とノボラック樹脂とからなる二成分系のポジ型感
光性組成物を示している。
して不安定な反復的に存在する枝分かれした基を有する
重合体と、放射線にさらされたときに酸を生じる光重合
開始剤とを含むレジスト組成物を示している。さらに、
SPIE Vol. 920 Advances in Resist Technology and
ProcessingV (1988)33頁は、トリフェニルホ
スホニウムやジフェニルヨードニウム化合物の金属ハロ
ゲン塩とノボラック樹脂とからなる二成分系のポジ型感
光性組成物を示している。
【0005】感応波長の長波化に関しては、特開昭59
−45439号公報の2頁にポジ型感光性組成物が遠紫
外線から可視光線迄の種々の波長に対して感応するよう
にされることが記載されている。即ちジアリールヨード
ニウム塩およびトリアリールスルホニウム塩の場合には
増感剤の添加により、紫外線から可視光線迄のより広い
波長域に於けるパターン化が可能になることを示してい
る。また、米国特許第4,760,013 号明細書にはオニウム
化合物の構造を変化させることにより感応波長を長波化
することが記載されている。
−45439号公報の2頁にポジ型感光性組成物が遠紫
外線から可視光線迄の種々の波長に対して感応するよう
にされることが記載されている。即ちジアリールヨード
ニウム塩およびトリアリールスルホニウム塩の場合には
増感剤の添加により、紫外線から可視光線迄のより広い
波長域に於けるパターン化が可能になることを示してい
る。また、米国特許第4,760,013 号明細書にはオニウム
化合物の構造を変化させることにより感応波長を長波化
することが記載されている。
【0006】しかし、いずれの従来技術も広い波長域に
感光性を有し、かつ感度の高い感光性組成物を開示して
いない。
感光性を有し、かつ感度の高い感光性組成物を開示して
いない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高い感度と高コントラストの画像を与え、かつ紫外
線、可視光線、電子ビームまたはX線に対して感応す
る、すなわち、広い波長域に感光性を有する感光性組成
物を提供することである。
は、高い感度と高コントラストの画像を与え、かつ紫外
線、可視光線、電子ビームまたはX線に対して感応す
る、すなわち、広い波長域に感光性を有する感光性組成
物を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸を触媒とす
る反応によりアルカリ水溶液に対する親和性あるいは溶
解性が増加する性質を有する化合物(好ましくは分子量
50〜100,000 )とオニウム化合物の芳香族スルホン酸
塩を含む事を特徴とする化学増幅系感光性組成物であ
る。
る反応によりアルカリ水溶液に対する親和性あるいは溶
解性が増加する性質を有する化合物(好ましくは分子量
50〜100,000 )とオニウム化合物の芳香族スルホン酸
塩を含む事を特徴とする化学増幅系感光性組成物であ
る。
【0009】すなわち、本発明に於ける特定の芳香族ス
ルホン酸をオニウム化合物の対アニオンとして組み合わ
せることにより、芳香族スルホン酸が有する吸収波長域
にまで、組成物の感光域が拡大することを見出し、本発
明を完成するに至った。本発明は、酸を触媒とする反応
によりアルカリ水溶液に対する親和性あるいは溶解性が
増加する性質を有する化合物(好ましくは分子量50〜
100,000 )とジアリールヨードニウム、またはトリアリ
ールスルホニウム等のオニウム化合物の芳香族スルホン
酸塩とを組み合わせることにより、現像剤を適切に選択
することによってポジ型あるいはネガ型の画像形成材料
として働く、紫外線、可視光線、電子ビームまたはX線
に対して感応する感光性組成物を提供するものである。
上記オニウム化合物の芳香族スルホン酸塩と酸を触媒と
する反応によりアルカリ水溶液に対する親和性あるいは
溶解性が増加する性質を有する化合物(好ましくは分子
量50〜100,000 )とを含む組成物を基板上に薄い被膜
として被覆し、制御された条件の下でベークし、活性光
線により画像露光し、そして場合によっては制御された
条件の下でポストベークしたのち、露光領域をアルカリ
現像剤で処理して選択的に除去することにより画像が得
られる。
ルホン酸をオニウム化合物の対アニオンとして組み合わ
せることにより、芳香族スルホン酸が有する吸収波長域
にまで、組成物の感光域が拡大することを見出し、本発
明を完成するに至った。本発明は、酸を触媒とする反応
によりアルカリ水溶液に対する親和性あるいは溶解性が
増加する性質を有する化合物(好ましくは分子量50〜
100,000 )とジアリールヨードニウム、またはトリアリ
ールスルホニウム等のオニウム化合物の芳香族スルホン
酸塩とを組み合わせることにより、現像剤を適切に選択
することによってポジ型あるいはネガ型の画像形成材料
として働く、紫外線、可視光線、電子ビームまたはX線
に対して感応する感光性組成物を提供するものである。
上記オニウム化合物の芳香族スルホン酸塩と酸を触媒と
する反応によりアルカリ水溶液に対する親和性あるいは
溶解性が増加する性質を有する化合物(好ましくは分子
量50〜100,000 )とを含む組成物を基板上に薄い被膜
として被覆し、制御された条件の下でベークし、活性光
線により画像露光し、そして場合によっては制御された
条件の下でポストベークしたのち、露光領域をアルカリ
現像剤で処理して選択的に除去することにより画像が得
られる。
【0010】本発明に用いられる酸を触媒とする反応に
よりアルカリ水溶液に対する親和性あるいは溶解性が増
加する性質を有する化合物(好ましくは分子量50〜10
0,000 )としては、ポリ(p−,t−ブトキシカルボニ
ルオキシスチレン〔Polym. Eng. Sci., 23、1012(198
3)〕、ポリ(p−ビニル安息香酸エステル)類、ポリメ
タクリル酸エステル類〔Proc. of SPIE, 771 、24(198
7)、Macromolecules, 21、1475(1988)〕、メタクリル酸
α,α′−ジメチルベンジルとα−メチルスチレンの共
重合体〔ACS (1989)、P57 〕、t−ブトキシカルボニル
マレイミド−スチレン共重合体、t−ブトキシカルボニ
ルフェニルマレイミド−スチレン共重合体〔Proc. SPI
E, 631 、68(1986)〕、ポリ(p−ヒドロキシスチレ
ン)などのアルカリ可溶性フェノール樹脂をトリアルキ
ルシリル基、テトラヒドロピラニル基、フラニル基等で
保護した高分子化合物〔Polym. Eng. Sci., 29、856(19
89) 、ACS Division PMSE, 61、417(1989) 〕、ポリ
(α−アセトキシスチレン)〔J. Photopolym. Sci. Te
chnol., 3、335(1990) 〕、ポリ(4−メチレン−4H
−1,3−ベンゾジオキシ−2−オン)〔Macromolecul
es, 23、2885(1990)〕等の高分子化合物、ポリフタルア
ルデヒド〔ACS(1984) 、P11 〕、ポリ(4−クロルフタ
ルアルデヒド)〔J. Electrochem. Soc., 136 :241(198
9)〕、ポリカーボネート〔ACS 、(1989)、P.100 〕、ポ
リ(4−トリメチルシリルフタルアルデヒド)〔J. Ele
ctrochem. Soc., 136 、245(1988)〕等の酸により解重
合を起こす高分子化合物を用いることができる。これら
の高分子化合物は単独で使用することができるが、他の
アルカリ可溶性樹脂、例えばフェノール性ノボラック樹
脂と混合して使用することもできる。この場合、例示し
た高分子化合物類は、アルカリ可溶性樹脂のアルカリへ
の溶解抑制剤として作用する。また、本発明では、芳香
族化合物類のt−ブチルエステル、t−ブチルカーボネ
ート、t−ブチルエーテル類〔Proc. SPIE、920 、60(1
988)、Polym. Eng. Sci., 29、846(1989) 〕、テトラヒ
ドロピラニル基で保護したポリヒドロキシ化合物類〔特
開平1−67500号〕、その他アセタール化合物類
〔Polym. Eng. Sci., 29、874(1989)〕等の低分子の溶
解性抑制剤を使用することができる。
よりアルカリ水溶液に対する親和性あるいは溶解性が増
加する性質を有する化合物(好ましくは分子量50〜10
0,000 )としては、ポリ(p−,t−ブトキシカルボニ
ルオキシスチレン〔Polym. Eng. Sci., 23、1012(198
3)〕、ポリ(p−ビニル安息香酸エステル)類、ポリメ
タクリル酸エステル類〔Proc. of SPIE, 771 、24(198
7)、Macromolecules, 21、1475(1988)〕、メタクリル酸
α,α′−ジメチルベンジルとα−メチルスチレンの共
重合体〔ACS (1989)、P57 〕、t−ブトキシカルボニル
マレイミド−スチレン共重合体、t−ブトキシカルボニ
ルフェニルマレイミド−スチレン共重合体〔Proc. SPI
E, 631 、68(1986)〕、ポリ(p−ヒドロキシスチレ
ン)などのアルカリ可溶性フェノール樹脂をトリアルキ
ルシリル基、テトラヒドロピラニル基、フラニル基等で
保護した高分子化合物〔Polym. Eng. Sci., 29、856(19
89) 、ACS Division PMSE, 61、417(1989) 〕、ポリ
(α−アセトキシスチレン)〔J. Photopolym. Sci. Te
chnol., 3、335(1990) 〕、ポリ(4−メチレン−4H
−1,3−ベンゾジオキシ−2−オン)〔Macromolecul
es, 23、2885(1990)〕等の高分子化合物、ポリフタルア
ルデヒド〔ACS(1984) 、P11 〕、ポリ(4−クロルフタ
ルアルデヒド)〔J. Electrochem. Soc., 136 :241(198
9)〕、ポリカーボネート〔ACS 、(1989)、P.100 〕、ポ
リ(4−トリメチルシリルフタルアルデヒド)〔J. Ele
ctrochem. Soc., 136 、245(1988)〕等の酸により解重
合を起こす高分子化合物を用いることができる。これら
の高分子化合物は単独で使用することができるが、他の
アルカリ可溶性樹脂、例えばフェノール性ノボラック樹
脂と混合して使用することもできる。この場合、例示し
た高分子化合物類は、アルカリ可溶性樹脂のアルカリへ
の溶解抑制剤として作用する。また、本発明では、芳香
族化合物類のt−ブチルエステル、t−ブチルカーボネ
ート、t−ブチルエーテル類〔Proc. SPIE、920 、60(1
988)、Polym. Eng. Sci., 29、846(1989) 〕、テトラヒ
ドロピラニル基で保護したポリヒドロキシ化合物類〔特
開平1−67500号〕、その他アセタール化合物類
〔Polym. Eng. Sci., 29、874(1989)〕等の低分子の溶
解性抑制剤を使用することができる。
【0011】上記化合物の分子量が50より低いと膜形
成性が悪くなり、また100,000 より高いと塗布溶媒に対
する溶解性が悪くなる傾向がある。上記化合物は、全感
光性組成物(塗布溶媒は含まず)の重量を基準として、
5〜98重量%、好ましくは20〜95重量%の量で使
用される。これら例示した化合物は、アルカリ可溶性樹
脂と併用する事により本発明の効果はさらに顕著にな
る。
成性が悪くなり、また100,000 より高いと塗布溶媒に対
する溶解性が悪くなる傾向がある。上記化合物は、全感
光性組成物(塗布溶媒は含まず)の重量を基準として、
5〜98重量%、好ましくは20〜95重量%の量で使
用される。これら例示した化合物は、アルカリ可溶性樹
脂と併用する事により本発明の効果はさらに顕著にな
る。
【0012】本発明に用いることのできるアルカリ可溶
性樹脂としては、ノボラック樹脂、アセトン−ピロガロ
ール樹脂やポリヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙
げることができる。これらの中で、特にノボラック樹脂
が好ましく、所定のモノマーを主成分として、酸性触媒
の存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得
られる。
性樹脂としては、ノボラック樹脂、アセトン−ピロガロ
ール樹脂やポリヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙
げることができる。これらの中で、特にノボラック樹脂
が好ましく、所定のモノマーを主成分として、酸性触媒
の存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得
られる。
【0013】所定のモノマーとしては、フェノール、m
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等
のキシレノール類、m−エチルフェノール、p−エチル
フェノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフ
ェノール等のアルキルフェノール類、p−メトキシフェ
ノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジメトキシ
フェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノール、m
−エトキシフェノール、p−エトキシフェノール、m−
プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノール、m
−ブトシキフェノール、p−ブトキシフェノール等のア
ルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソプロピル
フェノール等のビスアルキルフェノール類、m−クロロ
フェノール、p−クロロフェノール、o−クロロフェノ
ール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、フ
ェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒ
ドロキシ芳香族化合物を単独もしくは2種以上混合して
使用することができるが、これらに限定されるものでは
ない。
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等
のキシレノール類、m−エチルフェノール、p−エチル
フェノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフ
ェノール等のアルキルフェノール類、p−メトキシフェ
ノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジメトキシ
フェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノール、m
−エトキシフェノール、p−エトキシフェノール、m−
プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノール、m
−ブトシキフェノール、p−ブトキシフェノール等のア
ルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソプロピル
フェノール等のビスアルキルフェノール類、m−クロロ
フェノール、p−クロロフェノール、o−クロロフェノ
ール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、フ
ェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒ
ドロキシ芳香族化合物を単独もしくは2種以上混合して
使用することができるが、これらに限定されるものでは
ない。
【0014】アルデヒト類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒト、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒト、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。
【0015】これらのアルデヒド類は、単独でもしくは
2種以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては塩
酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシュウ酸等を使用することが
できる。こうして得られたノボラック樹脂の重量平均分
子量は、2000〜30000の範囲であることが好ま
しい。2000未満では未露光部の現像後の膜減りが大
きく、30000を越えると現像速度が小さくなってし
まう。特に好適なのは6000〜20000の範囲であ
る。
2種以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては塩
酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシュウ酸等を使用することが
できる。こうして得られたノボラック樹脂の重量平均分
子量は、2000〜30000の範囲であることが好ま
しい。2000未満では未露光部の現像後の膜減りが大
きく、30000を越えると現像速度が小さくなってし
まう。特に好適なのは6000〜20000の範囲であ
る。
【0016】ここで、重量平均分子量はゲルパーミエー
ションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもっ
て定義される。本発明において、アルカリ可溶性樹脂の
含有量は、感光性組成物の全重量(塗布溶媒は含まず)
を基準として0〜80重量%、好ましくは20〜60重
量%が適当である。
ションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもっ
て定義される。本発明において、アルカリ可溶性樹脂の
含有量は、感光性組成物の全重量(塗布溶媒は含まず)
を基準として0〜80重量%、好ましくは20〜60重
量%が適当である。
【0017】また、本発明に感光物として用いられるオ
ニウム化合物の芳香族スルホン酸塩は、下記一般式の
(1)また(2)で示される。
ニウム化合物の芳香族スルホン酸塩は、下記一般式の
(1)また(2)で示される。
【0018】
【化1】
【0019】ここで式中Ar1 、Ar2 は同一でも相異
していてもよく、置換又は無置換の芳香族基を示す。好
ましい置換基としては、アルキル、ハロアルキル、シク
ロアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、カルボニ
ル、アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、メルカプト基
及びハロゲン原子であり、更に好ましくは炭素数1〜8
個のアルキル、炭素数1〜8個のアルコキシ、ニトロ基
及び塩素原子である。R1 、R2 、R3 は同一でも相異
していてもよく、置換又は無置換のアルキル基または芳
香族基を示す。好ましくは6〜14個のアリール基、炭
素数1〜8個のアルキル基及びそれらの置換誘導体であ
る。好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭
素数1〜8個のアルコキシ、炭素数1〜8個のアルキ
ル、ニトロ、カルボニル、ヒドロキシ基及びハロゲン原
子であり、アルキル基に対して炭素数1〜8個のアルコ
キシ、カルボニル、アルコキシカルボニル基である。ま
たR 1 、R2 、R3 のうちの2つ及びAr1 、Ar2 は
それぞれ単結合又は置換基を介して結合してもよい。X
- は芳香族スルホン酸アニオンを示す。より好ましく
は、縮合多環芳香族スルホン酸あるいは芳香環を2つ以
上有するスルホン酸が挙げられる。具体的には、ナフタ
レン−1−スルホン酸、ナフタレン−2−スルホン酸、
アントラセン−1−スルホン酸、9−ニトロアントラセ
ン−1−スルホン酸、9,10−ジクロロアントラセン
−2−スルホン酸、9,10−ジメトキシアントラセン
−2−スルホン酸、9,10−ジエトキシアントラセン
−2−スルホン酸、アントラセン−2−スルホン酸、フ
ェナンスレン−2−スルホン酸、9−ブロモフェナンス
レン−3−スルホン酸、1−メチル−7−イソプロピル
フェナンスレン−3−スルホン酸、ピレン−2−スルホ
ン酸、ベンズ〔a〕アントラセン−4−スルホン酸、ト
リフェニレン−2−スルホン酸、クリセン−6−スルホ
ン酸、5,6−ジクロロアントラセン−3−スルホン
酸、6−ニトロアセテフテン−5−スルホン酸、2−t
−ブチルナフタレン−7−スルホン酸等の縮合多核芳香
族スルホン酸アニオン、9、10−ジオキソ−9,10
−ジヒドロアントラセン−2−スルホン酸、1−ブロモ
−9,10−ジオキソ−9,10−ジヒドロアントラセ
ン−2−スルホン酸、2−クロロ−9、10−ジオキソ
−9,10−ジヒドロアントラセン−2−スルホン酸、
9、10−ジオキソ−9,10−ジヒドロフェナンスレ
ン−3−スルホン酸等のアントラキノンスルホン酸、フ
ェナントラキノンスルホン酸アニオン、1,2−ナフト
キノン−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸等のナフトキノンスルホン酸のアニオ
ン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−5
−スルホン酸、フェノールレッド、メチルオレンジ、ア
リザリンS、インジゴカルミン、パテントブルー、クロ
ルフェノールレッド、クリソフェニン等のスルホン酸基
含有染料などが挙げられるがこれに限定されるものでは
ない。
していてもよく、置換又は無置換の芳香族基を示す。好
ましい置換基としては、アルキル、ハロアルキル、シク
ロアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、カルボニ
ル、アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、メルカプト基
及びハロゲン原子であり、更に好ましくは炭素数1〜8
個のアルキル、炭素数1〜8個のアルコキシ、ニトロ基
及び塩素原子である。R1 、R2 、R3 は同一でも相異
していてもよく、置換又は無置換のアルキル基または芳
香族基を示す。好ましくは6〜14個のアリール基、炭
素数1〜8個のアルキル基及びそれらの置換誘導体であ
る。好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭
素数1〜8個のアルコキシ、炭素数1〜8個のアルキ
ル、ニトロ、カルボニル、ヒドロキシ基及びハロゲン原
子であり、アルキル基に対して炭素数1〜8個のアルコ
キシ、カルボニル、アルコキシカルボニル基である。ま
たR 1 、R2 、R3 のうちの2つ及びAr1 、Ar2 は
それぞれ単結合又は置換基を介して結合してもよい。X
- は芳香族スルホン酸アニオンを示す。より好ましく
は、縮合多環芳香族スルホン酸あるいは芳香環を2つ以
上有するスルホン酸が挙げられる。具体的には、ナフタ
レン−1−スルホン酸、ナフタレン−2−スルホン酸、
アントラセン−1−スルホン酸、9−ニトロアントラセ
ン−1−スルホン酸、9,10−ジクロロアントラセン
−2−スルホン酸、9,10−ジメトキシアントラセン
−2−スルホン酸、9,10−ジエトキシアントラセン
−2−スルホン酸、アントラセン−2−スルホン酸、フ
ェナンスレン−2−スルホン酸、9−ブロモフェナンス
レン−3−スルホン酸、1−メチル−7−イソプロピル
フェナンスレン−3−スルホン酸、ピレン−2−スルホ
ン酸、ベンズ〔a〕アントラセン−4−スルホン酸、ト
リフェニレン−2−スルホン酸、クリセン−6−スルホ
ン酸、5,6−ジクロロアントラセン−3−スルホン
酸、6−ニトロアセテフテン−5−スルホン酸、2−t
−ブチルナフタレン−7−スルホン酸等の縮合多核芳香
族スルホン酸アニオン、9、10−ジオキソ−9,10
−ジヒドロアントラセン−2−スルホン酸、1−ブロモ
−9,10−ジオキソ−9,10−ジヒドロアントラセ
ン−2−スルホン酸、2−クロロ−9、10−ジオキソ
−9,10−ジヒドロアントラセン−2−スルホン酸、
9、10−ジオキソ−9,10−ジヒドロフェナンスレ
ン−3−スルホン酸等のアントラキノンスルホン酸、フ
ェナントラキノンスルホン酸アニオン、1,2−ナフト
キノン−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸等のナフトキノンスルホン酸のアニオ
ン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−5
−スルホン酸、フェノールレッド、メチルオレンジ、ア
リザリンS、インジゴカルミン、パテントブルー、クロ
ルフェノールレッド、クリソフェニン等のスルホン酸基
含有染料などが挙げられるがこれに限定されるものでは
ない。
【0020】次に、本発明に用いられる一般式(1)で
示される化合物の具体例を示すが、これらに限定される
ものではない。
示される化合物の具体例を示すが、これらに限定される
ものではない。
【0021】
【化2】
【0022】
【化3】
【0023】
【化4】
【0024】
【化5】
【0025】
【化6】
【0026】
【化7】
【0027】
【化8】
【0028】
【化9】
【0029】
【化10】
【0030】
【化11】
【0031】
【化12】
【0032】
【化13】
【0033】
【化14】
【0034】
【化15】
【0035】
【化16】
【0036】
【化17】
【0037】
【化18】
【0038】本発明に於いて用いられにオニウム化合物
の芳香族スルホン酸塩の量は、感光性組成物の全重量
(塗布溶媒を含まず)を基準として約2〜60重量%、
より好ましくは5〜40重量%である。一般式(1)ま
たは(2)で示される上記化合物は、例えば、J. W. Kn
apczykら著、J. Am. Chem. Soc.,第91巻、第145頁
(1969年)、A. L. Maycock ら著、J. Org. Chem.,
第35巻、第2532頁(1970年)、E. Goethals
ら著、Bull. Soc. Chem. Belg., 第73巻、第546頁
(1964年)、H. W. Leicester 著、J. Am. Chem. S
oc.,第51巻、第3587頁(1929年)、J. V. Cr
ivelloら著、J. Polym. Soc. Polym. Chem. Ed.,第18
巻、第2677頁(1980年)、米国特許第2,807,64
8 号及び同第4,247,473 号明細書、F. M. Beringerら
著、J. Am. Chem. Soc.,第75巻、第2705頁(19
53年)、特開昭53−101331号公報などに示さ
れた手順により製造されたオニウム化合物のハロゲン、
ビサルフェートあるいは過塩素酸塩の水溶液あるいはア
ルコール溶液に、芳香族スルホン酸またはそのナトリウ
ウム塩水溶液あるいはアルコール溶液を添加し、生成し
た沈澱を濾取することにによって得られる。
の芳香族スルホン酸塩の量は、感光性組成物の全重量
(塗布溶媒を含まず)を基準として約2〜60重量%、
より好ましくは5〜40重量%である。一般式(1)ま
たは(2)で示される上記化合物は、例えば、J. W. Kn
apczykら著、J. Am. Chem. Soc.,第91巻、第145頁
(1969年)、A. L. Maycock ら著、J. Org. Chem.,
第35巻、第2532頁(1970年)、E. Goethals
ら著、Bull. Soc. Chem. Belg., 第73巻、第546頁
(1964年)、H. W. Leicester 著、J. Am. Chem. S
oc.,第51巻、第3587頁(1929年)、J. V. Cr
ivelloら著、J. Polym. Soc. Polym. Chem. Ed.,第18
巻、第2677頁(1980年)、米国特許第2,807,64
8 号及び同第4,247,473 号明細書、F. M. Beringerら
著、J. Am. Chem. Soc.,第75巻、第2705頁(19
53年)、特開昭53−101331号公報などに示さ
れた手順により製造されたオニウム化合物のハロゲン、
ビサルフェートあるいは過塩素酸塩の水溶液あるいはア
ルコール溶液に、芳香族スルホン酸またはそのナトリウ
ウム塩水溶液あるいはアルコール溶液を添加し、生成し
た沈澱を濾取することにによって得られる。
【0039】本発明の感光性組成物には必要に応じて、
更に染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、増感剤などを含
有させることができる。好適な染料としては油溶性染料
及び塩基性染料がある。具体的にはオイルイエロー#1
01、オイルイエロー#103、オイルピンク#31
2、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS、オイル
ブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラック
BS、オイルブラックT−505(以上、オリエント化
学工業株式会社製)、クリスタルバイオレット(CI4
2555)、メチルバイオレット(CI42535)、
ローダミンB(CI45170B)、マラカイトグリー
ン(CI42000)、メチレンブルー(CI5201
5)などを挙げることができる。
更に染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、増感剤などを含
有させることができる。好適な染料としては油溶性染料
及び塩基性染料がある。具体的にはオイルイエロー#1
01、オイルイエロー#103、オイルピンク#31
2、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS、オイル
ブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラック
BS、オイルブラックT−505(以上、オリエント化
学工業株式会社製)、クリスタルバイオレット(CI4
2555)、メチルバイオレット(CI42535)、
ローダミンB(CI45170B)、マラカイトグリー
ン(CI42000)、メチレンブルー(CI5201
5)などを挙げることができる。
【0040】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、メチ
ルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メト
キシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エ
チル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシドなどが好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混
合して使用する。
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、メチ
ルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メト
キシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エ
チル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシドなどが好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混
合して使用する。
【0041】また、上記溶媒に界面活性剤を加えること
もできる。上記感光性組成物を精密集積回路素子の製造
に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコ
ン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像するこ
とにより良好なレジストを得ることができる。
もできる。上記感光性組成物を精密集積回路素子の製造
に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコ
ン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像するこ
とにより良好なレジストを得ることができる。
【0042】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアル
カリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記ア
ルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量
添加して使用することもできる。
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアル
カリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記ア
ルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量
添加して使用することもできる。
【0043】
【発明の効果】本発明の感光性組成物は、広い波長域に
感光性を有し、高感度で解像力に優れたポジ型レジスト
組成物を与える。
感光性を有し、高感度で解像力に優れたポジ型レジスト
組成物を与える。
【0044】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 〔合成例1〕例示化合物(1−3)の合成 ジフェニルヨードニウム過塩素酸塩36重量部を水50
0重量部に溶解した水溶液に、撹拌下、9,10−ジメ
トキシアントラセン−2−スルホン酸ナトリウム34重
量部を水500重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下し
た。次いで、混合物を2時間撹拌して、生成物の沈澱を
生ぜしめた。生成物を濾過し、水200部で洗浄した。
次いで塩を40℃で減圧下に乾燥した。かくして51.3
部、89.4%の収率で目的物ジフェニルヨードニウム・
9,10−ジメトキシアントラセン−2−スルホン酸塩
を得た。 〔合成例2〕例示化合物(2−5)の合成 トリフェニルスルホニウムクロライド30重量部を水1
00重量部に溶解した水溶液に、撹拌下、2−ヒドロキ
シ−4−メトキシベンゾフェノン−5−スルホン酸31
重量部を水500重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下
した。滴下終了後、混合物を2時間撹拌して生成物の沈
澱を生ぜしめた。生成物を濾過し、水200部で洗浄し
た。次いで塩を40℃で減圧下に乾燥した。かくして4
5.8部、80.4%の収率で目的物トリフェニルスルホニ
ウム・2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−
5−スルホン酸塩を得た。 〔実施例1〜3〕本発明の化合物の種類を変えて、3種
類の感光液〔A〕−1〜〔A〕−3を調製した。
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 〔合成例1〕例示化合物(1−3)の合成 ジフェニルヨードニウム過塩素酸塩36重量部を水50
0重量部に溶解した水溶液に、撹拌下、9,10−ジメ
トキシアントラセン−2−スルホン酸ナトリウム34重
量部を水500重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下し
た。次いで、混合物を2時間撹拌して、生成物の沈澱を
生ぜしめた。生成物を濾過し、水200部で洗浄した。
次いで塩を40℃で減圧下に乾燥した。かくして51.3
部、89.4%の収率で目的物ジフェニルヨードニウム・
9,10−ジメトキシアントラセン−2−スルホン酸塩
を得た。 〔合成例2〕例示化合物(2−5)の合成 トリフェニルスルホニウムクロライド30重量部を水1
00重量部に溶解した水溶液に、撹拌下、2−ヒドロキ
シ−4−メトキシベンゾフェノン−5−スルホン酸31
重量部を水500重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下
した。滴下終了後、混合物を2時間撹拌して生成物の沈
澱を生ぜしめた。生成物を濾過し、水200部で洗浄し
た。次いで塩を40℃で減圧下に乾燥した。かくして4
5.8部、80.4%の収率で目的物トリフェニルスルホニ
ウム・2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−
5−スルホン酸塩を得た。 〔実施例1〜3〕本発明の化合物の種類を変えて、3種
類の感光液〔A〕−1〜〔A〕−3を調製した。
【0045】 表−1 ─────────────────────────────────── 〔A〕−1 〔A〕−2 〔A〕−3 ─────────────────────────────────── 本発明の化合物 (1-2) 0.50g (1-3) 0.50g (1-11) 0.50g ─────────────────────────────────── ポリ(p−,t−ブトキシカ 2g 1g − ルボニルオキシスチレン) (重量平均分子量;25,000) ─────────────────────────────────── ポリ(p−トリメチルシリル − − 1g オキシスチレン) (重量平均分子量;10,000) ─────────────────────────────────── m−,p−クレゾールノボラ − 1g 1g ック樹脂(m/p=40/60 モル比) (重量平均分子量; 7,000) ─────────────────────────────────── 溶剤(ジグライム) 10g 10g 10g ─────────────────────────────────── 次に比較例として下記の感光液〔B〕を調製した。
【0046】 表−2 ────────────────────────────────── 〔B〕−1 〔B〕−2 ────────────────────────────────── ジフェニルヨードニウム・ヘキサ 0.50g 0.50g フルオロホスフェート塩 ────────────────────────────────── ポリ(p−,t−ブトキシカルボ 2g ニルオキシスチレン) (重量平均分子量;25,000) ────────────────────────────────── ポリ(p−トリメチルシリル 1g オキシスチレン) (重量平均分子量;10,000) ────────────────────────────────── m−,p−クレゾールノボラ − 1g ック樹脂(m/p=40/60 モル比) (重量平均分子量; 7,000) ────────────────────────────────── 溶剤(ジグライム) 10g 10g ────────────────────────────────── 〔レジストの調製と評価〕表−1及び表−2に示す感光
液をスピナーを用いてシリコンウエハーに塗布し、窒素
雰囲気下、対流オーブンで90℃、30分間乾燥して膜
厚1.2μmのレジスト膜を得た。この膜に縮少投影露光
装置(キャノン社製i線ステッパー)を用いテストチャ
ートマスクを介して露光した後、2.38%のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で1分間現像し、3
0秒間水洗して乾燥した。このようにして得られたシリ
コンウエハーのレジストパターンを走査型電子顕微鏡で
観察し、レジストを評価した。その結果を表−3に示
す。
液をスピナーを用いてシリコンウエハーに塗布し、窒素
雰囲気下、対流オーブンで90℃、30分間乾燥して膜
厚1.2μmのレジスト膜を得た。この膜に縮少投影露光
装置(キャノン社製i線ステッパー)を用いテストチャ
ートマスクを介して露光した後、2.38%のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で1分間現像し、3
0秒間水洗して乾燥した。このようにして得られたシリ
コンウエハーのレジストパターンを走査型電子顕微鏡で
観察し、レジストを評価した。その結果を表−3に示
す。
【0047】感度は0.70μmのマスクパターンを再現
する露光量の逆数をもって定義し、実施例1の感度の相
対値で示した。残膜率は未露光部(ポジ)の現像前後の
比(百分率)で表した。解像力は0.70μmのマスクパ
ターンを再現する露光量における限界解像力を表す。
する露光量の逆数をもって定義し、実施例1の感度の相
対値で示した。残膜率は未露光部(ポジ)の現像前後の
比(百分率)で表した。解像力は0.70μmのマスクパ
ターンを再現する露光量における限界解像力を表す。
【0048】 表−3 ───────────────────────────────── 感光液 相対感度 解像力(μm) 残膜率(%) ───────────────────────────────── 実施例1 〔A〕−1 1.0 0.37 99 2 〔A〕−2 1.5 0.37 100 3 〔A〕−3 1.3 0.37 99 比較例1 〔B〕−1 画像得られず − 0 2 〔B〕−2 画像得られず − 0 ───────────────────────────────── これから判るように、本発明のオニウム化合物の芳香族
スルホン酸塩を用いた感光性組成物は、感度、解像力及
び残膜率において優れた性能を示す。 〔実施例4〜6〕本発明の化合物の種類を変えて、表−
4に示す3種類の感光液〔A〕−4〜〔A〕−6を調製
した。
スルホン酸塩を用いた感光性組成物は、感度、解像力及
び残膜率において優れた性能を示す。 〔実施例4〜6〕本発明の化合物の種類を変えて、表−
4に示す3種類の感光液〔A〕−4〜〔A〕−6を調製
した。
【0049】 表−4 ─────────────────────────────────── 〔A〕−4 〔A〕−5 〔A〕−6 ─────────────────────────────────── 本発明の化合物 (1-1) 0.10g (1-16)0.20g (2-4) 0.20g ─────────────────────────────────── ポリ(p−,t−ブトキシカ 2g − − ルボニルオキシスチレン) (重量平均分子量;25,000) ─────────────────────────────────── ポリ(p−トリメチルシリル − 1.2g − オキシスチレン) (重量平均分子量;10,000) ─────────────────────────────────── t−ブトキシカルボニルフェ − − 1g ニルマレイミド−スチレン 共重合体 (重量平均分子量;32,000) ─────────────────────────────────── m−,p−クレゾールノボラ − 0.8g 1g ック樹脂(m/p=50/50 モル比) (重量平均分子量; 8,000) ─────────────────────────────────── 溶剤(ジグライム) 10g 10g 10g ─────────────────────────────────── 次に比較例として、表−5に示す感光液〔B〕を調製し
た。
た。
【0050】 表−5 ────────────────────────────────── 〔B〕−3 〔B〕−4 ────────────────────────────────── ジフェニルヨードニウム・ヘキサ 0.20g − フルオロホスフェート塩 ────────────────────────────────── トリフェニルスルホニウム・ − 0.20g テトラフロロボレート塩 ────────────────────────────────── ボリ(p−,t−ブトキシカルボ 2g − ニルオキシスチレン) (重量平均分子量;25,000) ────────────────────────────────── t−ブトキシカルボニルフェ − 1g ニルマレイミド−スチレン 共重合体 (重量平均分子量;32,000) ────────────────────────────────── m−,p−クレゾールノボラ − 1g ック樹脂(m/p=50/50 モル比) (重量平均分子量; 8,000) ────────────────────────────────── 溶剤(ジグライム) 10g 10g ────────────────────────────────── 表−4及び表−5に示す感光液をスピナーを用いてシリ
コンウェハーに塗布し、100℃のホットプレートで8
0秒間乾燥して膜厚1.0μmのレジスト膜を得た。露光
は、低圧水銀灯を用い、これに、干渉フィルターを取り
つけて、254nmの単一波長の光を露光光とした。露光
面での光強度は平均で約1.5mW/cm2 であった。最小
線巾が0.5μmである石英製クロムテストマスクを通し
て所望パターンの露光を行なった。
コンウェハーに塗布し、100℃のホットプレートで8
0秒間乾燥して膜厚1.0μmのレジスト膜を得た。露光
は、低圧水銀灯を用い、これに、干渉フィルターを取り
つけて、254nmの単一波長の光を露光光とした。露光
面での光強度は平均で約1.5mW/cm2 であった。最小
線巾が0.5μmである石英製クロムテストマスクを通し
て所望パターンの露光を行なった。
【0051】露光後直ちに、100℃のホットプレート
で60秒間加熱し、次いで、2.38%のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で1分間現像し、30秒
間水洗して乾燥した。このようにして得られたシリコン
ウェハーのレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察
し、レジストを評価した。評価は実施例1〜3と同様に
行ない、表−6に示す結果を得た。なお相対感度は比較
例−3の感度の相対値で示した。
で60秒間加熱し、次いで、2.38%のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で1分間現像し、30秒
間水洗して乾燥した。このようにして得られたシリコン
ウェハーのレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察
し、レジストを評価した。評価は実施例1〜3と同様に
行ない、表−6に示す結果を得た。なお相対感度は比較
例−3の感度の相対値で示した。
【0052】 表−6 ─────────────────────────────────── 感光液 相対感度 解像力 残膜率 レジスト (μm) (%) プロファイル ─────────────────────────────────── 実施例4 〔A〕−4 2.0 0.50 100 (イ) 5 〔A〕−5 1.8 0.50 98 (イ) 6 〔A〕−6 1.6 0.50 99 (イ) 比較例3 〔B〕−3 1.0 0.55 93 (ロ) 4 〔B〕−4 0.9 0.60 94 (ロ) ───────────────────────────────────
【外1】
【0053】これから判るように、本発明のオニウム化
合物の芳香族スルホン酸塩を用いた感光性組成物は、感
度、解像力及びレジストプロファイル(レジスト(線
画)の断面)において優れた性能を示す。
合物の芳香族スルホン酸塩を用いた感光性組成物は、感
度、解像力及びレジストプロファイル(レジスト(線
画)の断面)において優れた性能を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山岡 亜夫 千葉県船橋市本中山3−22−7
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶
液に対する親和性あるいは溶解性が増加する性質を有す
る化合物とオニウム化合物の芳香族スルホン酸塩を含む
事を特徴とする化学増幅系感光性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159093A JP2655369B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159093A JP2655369B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 感光性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055993A true JPH055993A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2655369B2 JP2655369B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=15686086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3159093A Expired - Fee Related JP2655369B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2655369B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5916729A (en) * | 1993-07-15 | 1999-06-29 | Jsr Corporation | Chemically amplified resist composition |
| JP2009008788A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| JP2014010255A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 厚膜用ポジ型レジスト組成物、厚膜レジストパターンの製造方法、接続端子の製造方法 |
| KR20200135230A (ko) * | 2019-05-24 | 2020-12-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 오늄 염, 화학 증폭 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 |
| US12313970B2 (en) | 2019-12-12 | 2025-05-27 | Xsys Germany Gmbh | Photopolymerizable relief precursor having adjustable surface properties |
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| JPS5945439A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-03-14 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | レジスト組成物 |
| JPH02296801A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-07 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
| JPH03152544A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高感度の乾式現像可能な深uv光用ホトレジスト |
| JPH03167249A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-07-19 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 陽画作用フォトレジスト組成物 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3159093A patent/JP2655369B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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