JPH0560676B2 - - Google Patents

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JPH0560676B2
JPH0560676B2 JP24168086A JP24168086A JPH0560676B2 JP H0560676 B2 JPH0560676 B2 JP H0560676B2 JP 24168086 A JP24168086 A JP 24168086A JP 24168086 A JP24168086 A JP 24168086A JP H0560676 B2 JPH0560676 B2 JP H0560676B2
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light emitting
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Shogo Takahashi
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、端面発光素子の形状に関し、特に端
面発光LEDの形状に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の端面発光LEDを示す斜視図で
ある。第２図において、１はInP基板、２はｎ型
InPクラツド層、３はｐ型InGaAsP活性層、４は
ｐ型InPクラツド層、５はｐ型InGaAsPキヤツプ
層、６は絶縁膜、７は金属電極、８は光出力であ
り、２〜７は発光領域を構成する。このような素
子において、金属電極７から流入した電流は活性
層３で再結合し、光出力８として端面から取り出
される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の端面発光素子では、活性層３内での光の
吸収による損失や発熱などにより、発光領域長、
電流値が制限され、高出力化にも限界があつた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、高出力であり、
フアイバと高結合効率である端面発光素子を得る
ことにある。
〔問題点を解決するための手段〕
このような目的を達成するために本発明は、半
導体基板の主面上に発光領域を有しこの発光領域
の端面から光を出力する端面発光素子において、
発光領域と半導体基板との間に光導波層を形成し
て発光領域を２段以上の階段形状とするようにし
たものである。
〔作用〕
本発明の素子においては、２個以上の端面発光
素子を重ねたのと等価な光出力を得ることができ
る。
〔実施例〕
本発明に係わる端面発光素子の一実施例を第１
図に示す。同図においては、発光領域が、最上段
の段部９および最下段の段部１０の２段の階段形
状をなしている。第１図において、１１はInP基
板、１２はｎ型InPクラツド層、１３は段部９を
構成するｐ型InGaAsP活性層、１４は段部１０
を構成するｐ型InGaAsP活性層、１５はｐ型InP
クラツド層、１６はｐ型InGaAsPキヤツプ層、
１７は絶縁膜、１８は金属電極、１９はｎ型
InGaAsP光導波層、２０は段部９の活性層１３
からの光出力、２１は段部１０の活性層１４から
の光出力である。本実施例においては、光導波層
１９のバンドギヤツプは活性層１３のバンドギヤ
ツプよりも大きいものとする。
次に、発光領域の形成方法について説明する。
InP基板１１上に光導波層を結晶成長により形成
し、光取出し面（第１図において右側面）に対し
て後方部となる光導波層の半面をエツチングによ
り除去し、段部９を構成する光導波層１９を形成
し、基板１１上に段差を設ける。この段差の上に
ｎ型InPクラツド層１２、ｐ型InGaAsP活性層１
３，１４、ｐ型InPクラツド層１５、キヤツプ層
１６を結晶成長により形成し、上下に段差の設け
られた発光領域を形成する。
このように構成された素子においては、上下方
向に２段以上に分離された発光領域を持つことに
より２個以上の端面発光素子を重ねたのと等価な
光出力を得ることができると共に、発光端面が同
一面上で上下方向に極めて隣接して重ねられてい
るためにフアイバに対する結合効率も高いものが
得られる。この素子において、段部１０の活性層
１４における光出力２１は光導波層１９を通して
取り出され、段部９の活性層１３における光出力
２０は発光領域の端面から取り出される。
なお上記実施例では段差を１段とした２段の階
段形状としたが、段差を２段以上とした３段以上
の階段形状とすれば、さらに大きな光出力を得る
ことができる。また上記実施例ではInP系の材料
を用いたが、GaAs系など他の材料を用いて同様
の構成としても同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、発光領域を２段
以上の階段形状に形成したことにより、２個以上
の端面発光素子を重ねたのと等価な光出力を得る
ことができるので、高出力な端面発光素子を得る
ことができる効果がある。また、発光端面を同一
面上で上下方向に極めて隣接し重ねて形成すれ
ば、フアイバに対して高結合効率となるという効
果もある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係わる端面発光素子の一実施
例を示す斜視図、第２図は従来の端面発光素子を
示す斜視図である。 ９，１０……段部、１１……InP基板、１２…
…ｎ型InPクラツド層、１３，１４……ｐ型
InGaAsP活性層、１５……ｐ型InPクラツド層、
１６……ｐ型InGaAsPキヤツプ層、１７……絶
縁膜、１８……金属電極、１９……ｎ型
InGaAsP光導波層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の主面上に発光領域を有しこの発
    光領域の端面から光を出力する端面発光素子にお
    いて、前記発光領域の下段の層を２段以上の階段
    状に形成することによつて前記発光領域を２段以
    上の階段状としたことを特徴とする端面発光素
    子。 ２ 半導体基板の主面上に発光領域を有しこの発
    光領域の端面から光を出力する端面発光素子にお
    いて、前記発光領域の下段の層を２段以上の階段
    状に形成することによつて前記発光領域を２段以
    上の階段状とし、前記発光領域と半導体基板との
    間に光導電層を形成したことを特徴とする端面発
    光素子。
JP61241680A 1986-10-09 1986-10-09 端面発光素子 Granted JPS6395682A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61241680A JPS6395682A (ja) 1986-10-09 1986-10-09 端面発光素子
US07/106,461 US4912533A (en) 1986-10-09 1987-10-09 End face light emitting element

Applications Claiming Priority (1)

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JP61241680A JPS6395682A (ja) 1986-10-09 1986-10-09 端面発光素子

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Publication Number Publication Date
JPS6395682A JPS6395682A (ja) 1988-04-26
JPH0560676B2 true JPH0560676B2 (ja) 1993-09-02

Family

ID=17077919

Family Applications (1)

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JP61241680A Granted JPS6395682A (ja) 1986-10-09 1986-10-09 端面発光素子

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JPS6395682A (ja) 1988-04-26

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