JPH02260681A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH02260681A JPH02260681A JP8310689A JP8310689A JPH02260681A JP H02260681 A JPH02260681 A JP H02260681A JP 8310689 A JP8310689 A JP 8310689A JP 8310689 A JP8310689 A JP 8310689A JP H02260681 A JPH02260681 A JP H02260681A
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- laser
- oscillation
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- laser oscillation
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置に関する。
（ロ）従来の技術
複数のビームを発振でき、各ビームが異なる波長を持つ
半導体レーザ装置は、例えば相変化型光デイスク装置に
おける情報書込み、消去用光源として有用である。
半導体レーザ装置は、例えば相変化型光デイスク装置に
おける情報書込み、消去用光源として有用である。
先行技術としてのＡｐｐｊ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、
Ｖｏｊ、４３゜Ｎｏ、 １０．１５ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ
１９８３ （第９０３頁乃至第９０５頁）には、単一
のＧａＡｓ基板の表面にリッジ形状部とテラス形状部と
を設け、それら各部分の上にレーザ発振層を成長形成さ
せることにより、各レーザ発振層から互いに異なる波長
のレーザビームを発生することのできるレーザ装置が開
示されている。
Ｖｏｊ、４３゜Ｎｏ、 １０．１５ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ
１９８３ （第９０３頁乃至第９０５頁）には、単一
のＧａＡｓ基板の表面にリッジ形状部とテラス形状部と
を設け、それら各部分の上にレーザ発振層を成長形成さ
せることにより、各レーザ発振層から互いに異なる波長
のレーザビームを発生することのできるレーザ装置が開
示されている。
しかし、斯る構造によれば、基板表面に、互いに異なる
形状加工を施さねばならず、その製造が煩雑である。
形状加工を施さねばならず、その製造が煩雑である。
（ハ）発明が解決しようとする課題
本発明は、互いに異なる波長のビームを複数発生するこ
とができ、かつ製造の容易な半導体レーザ装置を提供す
るものである。
とができ、かつ製造の容易な半導体レーザ装置を提供す
るものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明の半導体レーザ装置は、単一の半導体基板上に、
少なくとも第１、第２のレーザ発振層を隣接して成長形
成させた構造であって、上記第１、第２のレーザ発振層
下にある、上記基板の各表面部分は互いに同一平面内に
ないことを特徴とする。
少なくとも第１、第２のレーザ発振層を隣接して成長形
成させた構造であって、上記第１、第２のレーザ発振層
下にある、上記基板の各表面部分は互いに同一平面内に
ないことを特徴とする。
（ホ）作用
例えば、ＧａＡｓ基板の（１００）面上にＡＩＧａＩｎ
Ｐ系のレーザ発振層を成長形成した場合と、ＧａＡｓ基
板の（１００）面を＜０１１＞方向に傾けた面上に同様
のＡＪ！Ｇａ Ｉ ｎＰ系のレーザ発振層を成長形成し
た場合とでは、前者の発振層における発振波長に対し、
後者のそれの方が短波長側にシフトする。上記方向への
傾斜角と発光波長との関係を７オトルミネツセンス測定
の結果として第５図に示す。尚、これは、上記基板上に
ＧａｌｎＰ層を７１０℃の温度でＭ ＯＣＶ Ｄにより
成長させたものを、室温で測定したものである。
Ｐ系のレーザ発振層を成長形成した場合と、ＧａＡｓ基
板の（１００）面を＜０１１＞方向に傾けた面上に同様
のＡＪ！Ｇａ Ｉ ｎＰ系のレーザ発振層を成長形成し
た場合とでは、前者の発振層における発振波長に対し、
後者のそれの方が短波長側にシフトする。上記方向への
傾斜角と発光波長との関係を７オトルミネツセンス測定
の結果として第５図に示す。尚、これは、上記基板上に
ＧａｌｎＰ層を７１０℃の温度でＭ ＯＣＶ Ｄにより
成長させたものを、室温で測定したものである。
従って、単一の半導体基板に、この様に互いに同一平面
内にない部分を設けておけば、−回のレーザ発振層形成
過程で、互いに異なる発振波長をもつ各レーザ発振層を
得ることができる。
内にない部分を設けておけば、−回のレーザ発振層形成
過程で、互いに異なる発振波長をもつ各レーザ発振層を
得ることができる。
又、発振層をＡＪ！Ｇａ Ｉ ｎＰ系で構成することに
より、各発振波長を可視光領域に設定することもできる
。この点、上記先行技術の構造では７８０ｎｍより長い
長波長のものとなる。
より、各発振波長を可視光領域に設定することもできる
。この点、上記先行技術の構造では７８０ｎｍより長い
長波長のものとなる。
（へ）実施例
第１図において、本発明実施例としての半導体レーザ装
置（１）を示す。この装置は、単一のＧａＡｓ基板（２
）の第１表面部分（２ａ）と第２表面部分（２ｂ）とに
、夫々ＡＪｔＧａ Ｉ ｎＰ系からなる第ル−ザ発振層
（３）と第２レーザ発振層（４）とを隣接して形成した
ものである。
置（１）を示す。この装置は、単一のＧａＡｓ基板（２
）の第１表面部分（２ａ）と第２表面部分（２ｂ）とに
、夫々ＡＪｔＧａ Ｉ ｎＰ系からなる第ル−ザ発振層
（３）と第２レーザ発振層（４）とを隣接して形成した
ものである。
ＧａＡｓ基板（２）はｎ型であり、第１表面部分（２ａ
）は（１００）面を、又第２表面部分（２ｂ）は（１０
０）面から＜０１１＞方向に５度傾いた面を持つ。
）は（１００）面を、又第２表面部分（２ｂ）は（１０
０）面から＜０１１＞方向に５度傾いた面を持つ。
第１、第２レーザ発振層（３）（４）は、共に、ｎ側バ
ッファ層（５）を介して基板（２）上に波長形成されて
おり、下から順に、ｎ側クラッド層（６）、活性層（７
）、ｐ側りラッド層（８）の積層体からなる。更に、ｐ
側りラッド層（８）の上面は電流集中のためにメサ形状
をもち、その上に、ｐ側バッファ層（９）及びキャップ
層（１０）が積層されている。これら各層の組成は下表
の通りである。尚、各レーザ発振層の共振器長は３００
μｍである。
ッファ層（５）を介して基板（２）上に波長形成されて
おり、下から順に、ｎ側クラッド層（６）、活性層（７
）、ｐ側りラッド層（８）の積層体からなる。更に、ｐ
側りラッド層（８）の上面は電流集中のためにメサ形状
をもち、その上に、ｐ側バッファ層（９）及びキャップ
層（１０）が積層されている。これら各層の組成は下表
の通りである。尚、各レーザ発振層の共振器長は３００
μｍである。
以下余白
ｐ側りラッド層（８）の露出表面及びｐ側バッファ層（
９）とキャップ層（１ｏ）との側面をＡ ｌ ＊ Ｏｓ
からなる絶縁膜（１１）が覆い、更にキャップ層（１ｏ
）の露出表面にＣｒ−Ａｕ合金からなるｐ側電極（１２
）が被着されている。又Ｃｒ−５ｎ−Ａｕ合金からなる
ｎ側電極（１３）が基板（２）の裏面に被着されている
。
９）とキャップ層（１ｏ）との側面をＡ ｌ ＊ Ｏｓ
からなる絶縁膜（１１）が覆い、更にキャップ層（１ｏ
）の露出表面にＣｒ−Ａｕ合金からなるｐ側電極（１２
）が被着されている。又Ｃｒ−５ｎ−Ａｕ合金からなる
ｎ側電極（１３）が基板（２）の裏面に被着されている
。
第１及び第２レーザ発振層（３）（４）の発振スペクト
ルを第２図Ａ及びＢに、又電流−光出力特性を第３図Ａ
及びＢに、夫々示す。これらから判る様に、第ル−ザ発
振層（３）は６９５ｎｍの発振波長と約７０ｍＡの発振
しきい値を、又第２レーザ発振層（４）は６６０ｎｍの
発振波長と約７０ｍＡの発振しきい値を有する。
ルを第２図Ａ及びＢに、又電流−光出力特性を第３図Ａ
及びＢに、夫々示す。これらから判る様に、第ル−ザ発
振層（３）は６９５ｎｍの発振波長と約７０ｍＡの発振
しきい値を、又第２レーザ発振層（４）は６６０ｎｍの
発振波長と約７０ｍＡの発振しきい値を有する。
第４図に本実施例装置（１）の製造工程を示す。
第４図Ａの工程では、Ｇ５Ａｓ基板（２）を準備する。
この基板は（１００）面の１部を＜０１１＞方向に５度
傾斜させ、第２表面部分（２ｂ）とし、残りの（１００
）面を第１表面部分（２ａ）としたものである。
傾斜させ、第２表面部分（２ｂ）とし、残りの（１００
）面を第１表面部分（２ａ）としたものである。
第４図Ｂの工程では、基板（２）上にＭＯＣＶＤ法を用
いてｎ側バッファ層（５）からキャップ層（１０）まで
を順次成長形成する。
いてｎ側バッファ層（５）からキャップ層（１０）まで
を順次成長形成する。
第４図Ｃの工程では、ｐ型クラッド層（８）に達するメ
サエッチを第１、第２表面部分（２ａ）（２ｂ）の上方
に設けると共に、エツチング表面に絶縁膜（１１）を被
着し、更に露出されたキャップ層（１０）上にｎ側電極
（１２）を設ける。
サエッチを第１、第２表面部分（２ａ）（２ｂ）の上方
に設けると共に、エツチング表面に絶縁膜（１１）を被
着し、更に露出されたキャップ層（１０）上にｎ側電極
（１２）を設ける。
第４図りの工程では、王水系のエツチング液を用いて、
ｎ側電極（１２）表面からｎ側バッファ層（５）に達す
る分離溝（１４）を、第１表面部分（２ａ）と第２表面
部分（２ｂ）との境界位置に設け、第１レーザ発振層（
３）と第２レーザ発振層（４）と分離形成する。次いで
、ｎ側電極（１３）形成後、共振器長が３−００μｍに
なる様、へき関し、装置（１）が完成される。
ｎ側電極（１２）表面からｎ側バッファ層（５）に達す
る分離溝（１４）を、第１表面部分（２ａ）と第２表面
部分（２ｂ）との境界位置に設け、第１レーザ発振層（
３）と第２レーザ発振層（４）と分離形成する。次いで
、ｎ側電極（１３）形成後、共振器長が３−００μｍに
なる様、へき関し、装置（１）が完成される。
上記装置において、第１、第２表面部分（２ａ）（２ｂ
）の他に、更に傾斜角の興なる面を作り、３以上の互い
に異なる波長のビームを発振可能にすることもできる。
）の他に、更に傾斜角の興なる面を作り、３以上の互い
に異なる波長のビームを発振可能にすることもできる。
（ト）発明の効果
本発明によれば、基板の各表面部分を互いに同一平面内
からずらしておくだけで、互いに異なる波長のビームを
複数発生し得る半導体レーザ装置を得ることができ、又
それらの波長を可視光領域に設定することも可能となる
。
からずらしておくだけで、互いに異なる波長のビームを
複数発生し得る半導体レーザ装置を得ることができ、又
それらの波長を可視光領域に設定することも可能となる
。
図は本発明を示すもので、第１図は装置の側面図、第２
図及Ｖ第３図は特性曲線図、第４図Ａ乃至りは上記装置
製造のための工程別側面図、第５図は基板面の傾斜角と
発光波長との関係を示す曲線図である。
図及Ｖ第３図は特性曲線図、第４図Ａ乃至りは上記装置
製造のための工程別側面図、第５図は基板面の傾斜角と
発光波長との関係を示す曲線図である。
Claims (1)
- （１）単一の半導体基板上に、少なくとも第１、第２の
レーザ発振層を隣接して成長形成させた構造であって、
上記第１、第２のレーザ発振層下にある、上記基板の各
表面部分は互いに同一平面内にないことを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8310689A JPH02260681A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8310689A JPH02260681A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260681A true JPH02260681A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13792949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8310689A Pending JPH02260681A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260681A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04297023A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-10-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8310689A patent/JPH02260681A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04297023A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-10-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
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