JPH0561688B2 - - Google Patents
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- JPH0561688B2 JPH0561688B2 JP58185094A JP18509483A JPH0561688B2 JP H0561688 B2 JPH0561688 B2 JP H0561688B2 JP 58185094 A JP58185094 A JP 58185094A JP 18509483 A JP18509483 A JP 18509483A JP H0561688 B2 JPH0561688 B2 JP H0561688B2
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- JP
- Japan
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- layer
- magneto
- optical recording
- transition metal
- rare earth
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73927—Polyester substrates, e.g. polyethylene terephthalate
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73937—Substrates having an organic polymer comprising a ring structure
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザーを用いて情報の記録・再生を
行う光磁気記録媒体に関するものであり、特に、
消去−再記録すなわち追記可能なＥ−DRAW用
記録材料として希土類−遷移金属の非晶質層をプ
ラスチツク基盤上に形成した光磁気記録媒体に関
するものである。
行う光磁気記録媒体に関するものであり、特に、
消去−再記録すなわち追記可能なＥ−DRAW用
記録材料として希土類−遷移金属の非晶質層をプ
ラスチツク基盤上に形成した光磁気記録媒体に関
するものである。
希土類−遷移金属アモルフアス層を真空蒸着、
スパツタリングあるいはイオンプレーテイング等
の手段で基盤上に形成し、このアモルフアス層に
レーザービームを当てて熱磁気効果により情報の
書込みおよび消去を行い、磁気光学効果により情
報の読み取りを行う光磁気記録方法は公知であ
り、上記アモルフアス層を形成する基盤としては
ガラス板、アルミのような金属板あるいはアクリ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂のようなプラスチ
ツク板が提案されている。しかし、従来は主とし
てガラス板上にアモルフアス層を形成することを
中心に研究が進められてきており、このガラス基
盤の場合には垂直磁化可能なアモルフアス層を形
成することが可能であるが、プラスチツク盤に垂
直磁化アモルフアス層を安定な状態で形成する技
術は今日でもまだ確立していない。すなわち、ガ
ラス基盤の場合にはカー回転角が0.3度以上のも
のが得られるが、プラスチツク基盤の場合のカー
回転角は0.1度程度しか得られず、まれに0.2度以
上のものが得られても長期安定性が悪く、再現性
も悪い。従つて、従来のガラス、アルミニウムの
基盤に代つて、取り扱いの容易なプラスチツク基
盤に安定な垂直磁化アモルフアスを形成する技術
の確立が強く要求されている。
スパツタリングあるいはイオンプレーテイング等
の手段で基盤上に形成し、このアモルフアス層に
レーザービームを当てて熱磁気効果により情報の
書込みおよび消去を行い、磁気光学効果により情
報の読み取りを行う光磁気記録方法は公知であ
り、上記アモルフアス層を形成する基盤としては
ガラス板、アルミのような金属板あるいはアクリ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂のようなプラスチ
ツク板が提案されている。しかし、従来は主とし
てガラス板上にアモルフアス層を形成することを
中心に研究が進められてきており、このガラス基
盤の場合には垂直磁化可能なアモルフアス層を形
成することが可能であるが、プラスチツク盤に垂
直磁化アモルフアス層を安定な状態で形成する技
術は今日でもまだ確立していない。すなわち、ガ
ラス基盤の場合にはカー回転角が0.3度以上のも
のが得られるが、プラスチツク基盤の場合のカー
回転角は0.1度程度しか得られず、まれに0.2度以
上のものが得られても長期安定性が悪く、再現性
も悪い。従つて、従来のガラス、アルミニウムの
基盤に代つて、取り扱いの容易なプラスチツク基
盤に安定な垂直磁化アモルフアスを形成する技術
の確立が強く要求されている。
希土類−遷移金属アモルフアスの垂直磁化特性
はアモルフアス中の歪みに依存するとされており
（H.Takagi et al，J.Appl，physics50(3)p1642−
1644参照）、従つて、アモルフアス層を形成する
基盤の表面特性が重要なフアクターになつてい
る。ガラス板上では垂直磁化可能な希土類−遷移
金属アモルフアス層ができるがガラス板上では安
定にできないという理由は不明であるが、本発明
者はその原因は基本的に次の２つであると考え
た。すなわち、 (1) 一般にプラスチツク基盤として用いられてい
るアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂はガラ
スに比べて表面エネルギーが小さく、希土類−
遷移金属アモルフアスとの密着性が低く、その
結果アモルフアス層内に歪みが発生しにくい。
はアモルフアス中の歪みに依存するとされており
（H.Takagi et al，J.Appl，physics50(3)p1642−
1644参照）、従つて、アモルフアス層を形成する
基盤の表面特性が重要なフアクターになつてい
る。ガラス板上では垂直磁化可能な希土類−遷移
金属アモルフアス層ができるがガラス板上では安
定にできないという理由は不明であるが、本発明
者はその原因は基本的に次の２つであると考え
た。すなわち、 (1) 一般にプラスチツク基盤として用いられてい
るアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂はガラ
スに比べて表面エネルギーが小さく、希土類−
遷移金属アモルフアスとの密着性が低く、その
結果アモルフアス層内に歪みが発生しにくい。
(2) プラスチツク板中には酸素、水分、モノマー
等が残留しており、これらが希土類−遷移金属
アモルフアスを劣化させ、垂直磁化特性を失わ
せる。
等が残留しており、これらが希土類−遷移金属
アモルフアスを劣化させ、垂直磁化特性を失わ
せる。
この中、(2)の問題点を解決するためにSiO2，
CaF2等の無機質保護層を形成して防湿する方法
が提案（例えば特開昭57−27451号、特開昭58−
32238号）されているが、この保護層だけでは(1)
の問題点を解決することができない。すなわち安
定した垂直磁化特性を有する希土類−遷移金属ア
モルフアス層を形成することができない。
CaF2等の無機質保護層を形成して防湿する方法
が提案（例えば特開昭57−27451号、特開昭58−
32238号）されているが、この保護層だけでは(1)
の問題点を解決することができない。すなわち安
定した垂直磁化特性を有する希土類−遷移金属ア
モルフアス層を形成することができない。
従つて、本発明の目的は長期間安定な垂直磁化
可能な希土類−遷移金属アモルフアス層をプラス
チツク基盤上に形成する方法を提供することにあ
る。
可能な希土類−遷移金属アモルフアス層をプラス
チツク基盤上に形成する方法を提供することにあ
る。
本発明の特徴はプラスチツク基盤上にこのプラ
スチツク基盤との密着性の良いポリマー層を形成
し、このポリマー層の上に希土類−遷移金属アモ
ルフアス膜を形成する点にある。
スチツク基盤との密着性の良いポリマー層を形成
し、このポリマー層の上に希土類−遷移金属アモ
ルフアス膜を形成する点にある。
本発明で用いられるプラスチツク基盤と密着性
の良いポリマーとしては無機、有機の任意のポリ
マーが使用可能であるが、特に架橋性ポリマーが
好ましく、この架橋性ポリマーは常温硬化型のも
のでも熱硬化型のものでもよい。架橋性ポリマー
の材料としてはポリアクリル化合物、多官能性ア
クリル化合物、通常の熱硬化性樹脂、アルキルシ
リケート加水分解物、オルガノポリシロキサン等
があるが、要はプラスチツク基盤との密着性が強
いポリマーであればよい。
の良いポリマーとしては無機、有機の任意のポリ
マーが使用可能であるが、特に架橋性ポリマーが
好ましく、この架橋性ポリマーは常温硬化型のも
のでも熱硬化型のものでもよい。架橋性ポリマー
の材料としてはポリアクリル化合物、多官能性ア
クリル化合物、通常の熱硬化性樹脂、アルキルシ
リケート加水分解物、オルガノポリシロキサン等
があるが、要はプラスチツク基盤との密着性が強
いポリマーであればよい。
これらのポリマーはプレポリマーを後硬化させ
る方法、溶媒に溶かして塗布する方法等のウエツ
ト法が一般的であるがイオンプレーテイングによ
るデポジシヨン法等のドライ法でプラスチツク基
盤上に形成することもできる。要はプラスチツク
基盤上に均一なポリマー層が形成できる方法であ
ればよい。ウエツト法の場合にはスピンコート、
ロールコート、バーコート、デイツピング等の任
意の手段を用いることができる。このポリマー層
の厚さはプラスチツク基盤と密着した均一なガス
バリヤー層が形成できるような厚さでよく、一般
には0.01〜10μ、好ましくは0.1〜5μが好ましい。
る方法、溶媒に溶かして塗布する方法等のウエツ
ト法が一般的であるがイオンプレーテイングによ
るデポジシヨン法等のドライ法でプラスチツク基
盤上に形成することもできる。要はプラスチツク
基盤上に均一なポリマー層が形成できる方法であ
ればよい。ウエツト法の場合にはスピンコート、
ロールコート、バーコート、デイツピング等の任
意の手段を用いることができる。このポリマー層
の厚さはプラスチツク基盤と密着した均一なガス
バリヤー層が形成できるような厚さでよく、一般
には0.01〜10μ、好ましくは0.1〜5μが好ましい。
本発明が適用可能な光磁気記録媒体は公知の任
意の希土類−遷移金属アモルフアス合金でよく、
例えばTb−Fe系合金（特公昭57−20691号）、Dy
−Fe系合金（特公昭57−20692号）、Gd−Tb−
Fe系合金（特開昭56−126907号）、Gd−Tb−Dy
−Fe系合金（特開昭57−94978号）、Gd−Co（特
開昭54−121719号）Tb−Fe−Co系等があげられ
る。これらの希土類−遷移金属アモルフアス層は
蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイン等の
方法で本発明のポリマー層上に形成するのが好ま
しい。このアモルフアス層の厚さは一般に500〜
1500Åである。
意の希土類−遷移金属アモルフアス合金でよく、
例えばTb−Fe系合金（特公昭57−20691号）、Dy
−Fe系合金（特公昭57−20692号）、Gd−Tb−
Fe系合金（特開昭56−126907号）、Gd−Tb−Dy
−Fe系合金（特開昭57−94978号）、Gd−Co（特
開昭54−121719号）Tb−Fe−Co系等があげられ
る。これらの希土類−遷移金属アモルフアス層は
蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイン等の
方法で本発明のポリマー層上に形成するのが好ま
しい。このアモルフアス層の厚さは一般に500〜
1500Åである。
本発明によるポリマー中間層の他に、公知の他
の中間層および／または保護層をさらに追加する
ことも可能である。すなわち、希土類−遷移金属
アモルフアス層の上方にSiO，SiO2等の誘電物質
の層を形成してＳ／Ｎ比を高め且つ保護層の役目
を兼ねさせたり（例特開昭56−74843、特開昭56
−156943）、Au，Ag等の反射膜をさらに追加し
てＳ／Ｎ比を向上させる（例、特開昭56−74844
号、特開昭57−12428号）ことも可能である。
の中間層および／または保護層をさらに追加する
ことも可能である。すなわち、希土類−遷移金属
アモルフアス層の上方にSiO，SiO2等の誘電物質
の層を形成してＳ／Ｎ比を高め且つ保護層の役目
を兼ねさせたり（例特開昭56−74843、特開昭56
−156943）、Au，Ag等の反射膜をさらに追加し
てＳ／Ｎ比を向上させる（例、特開昭56−74844
号、特開昭57−12428号）ことも可能である。
本発明により製造される光磁気記録媒体担体デ
イスクはカー効果を利用する反射型記録・再生方
式にも、フアラデー効果を利用する透過型記録・
再生方式にも適用することができる。これら各方
式に関しては岩村総一編「ビデオデイスクと
DAD入門」株式会社コロナ社（昭57−11−１）
発行、第108〜150頁を参照されたい。
イスクはカー効果を利用する反射型記録・再生方
式にも、フアラデー効果を利用する透過型記録・
再生方式にも適用することができる。これら各方
式に関しては岩村総一編「ビデオデイスクと
DAD入門」株式会社コロナ社（昭57−11−１）
発行、第108〜150頁を参照されたい。
また本発明で用いられるプラスチツク基盤は円
盤（デイスク）状でもカード状でもよく、さらに
はフイルム状、テープ状あるいはベルト状でもよ
い。
盤（デイスク）状でもカード状でもよく、さらに
はフイルム状、テープ状あるいはベルト状でもよ
い。
プラスチツク基盤の材料としては透明な合成樹
脂であれば任意のものでもよく、例えばアクリル
系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、PETのよう
なポリエステル樹脂等が上げられる。これら樹脂
は任意の成形方法、例えば射出成形、圧縮成形、
2p法（photo−polymerization）等で成形するこ
とができる。プラスチツク基盤上にはトラツク用
ガイド溝、その他の信号用凹凸溝が形成されてい
ても、形成されていなくてもよい。
脂であれば任意のものでもよく、例えばアクリル
系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、PETのよう
なポリエステル樹脂等が上げられる。これら樹脂
は任意の成形方法、例えば射出成形、圧縮成形、
2p法（photo−polymerization）等で成形するこ
とができる。プラスチツク基盤上にはトラツク用
ガイド溝、その他の信号用凹凸溝が形成されてい
ても、形成されていなくてもよい。
第１図は本発明による光磁気記録担体の基本構
成を示す概念図で、１はアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂等の透明プラスチツク基盤、２は
TbFe，GdTbFe，GdTbDyFeのような希土類−
遷移金属のアモルフアス記録媒体層、３は本発明
によるポリマー層、４は誘電物質および／または
反射性物質等によつて構成される保護層および／
または増感層である。
成を示す概念図で、１はアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂等の透明プラスチツク基盤、２は
TbFe，GdTbFe，GdTbDyFeのような希土類−
遷移金属のアモルフアス記録媒体層、３は本発明
によるポリマー層、４は誘電物質および／または
反射性物質等によつて構成される保護層および／
または増感層である。
本発明によるポリマー層３の材料は上記プラス
チツク基盤と密着する性質を有するものであれば
よいが、例としては以下のものがあげられる。
チツク基盤と密着する性質を有するものであれば
よいが、例としては以下のものがあげられる。
１） ポリアリルモノマー：例えばジエチレング
リコールビスアリルカーボネート、トリアリル
シアヌレート、ジアリルオキシアルキルマレー
ト、 ２） 多官能性アクリルモノマー：例えばエチレ
ングリコールジ（メタ）アクリレート；ジ、ト
リ、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリ
レート；アルカンデイオールジ（メタ）アクリ
レート；オリゴエステルジ（メタ）アクリレー
ト；アリル、ビニルメタクリレート；（メタ）
アクリル酸；グリシジルメタクリレート；（メ
タ）アクリルアミド、 ３） 熱硬化性樹脂：例えば不飽和ポリエステ
ル、メラミン、ポリウレタン、 ４） アルキルシリケート加水分解物：例えばエ
チルシリケートの加水分解物、 ５） オルガノポリシロキサン：例えばシリコー
ンオキサイド；テトラクロロシラン；メチル、
フエニールトリアルコキシシラン。
リコールビスアリルカーボネート、トリアリル
シアヌレート、ジアリルオキシアルキルマレー
ト、 ２） 多官能性アクリルモノマー：例えばエチレ
ングリコールジ（メタ）アクリレート；ジ、ト
リ、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリ
レート；アルカンデイオールジ（メタ）アクリ
レート；オリゴエステルジ（メタ）アクリレー
ト；アリル、ビニルメタクリレート；（メタ）
アクリル酸；グリシジルメタクリレート；（メ
タ）アクリルアミド、 ３） 熱硬化性樹脂：例えば不飽和ポリエステ
ル、メラミン、ポリウレタン、 ４） アルキルシリケート加水分解物：例えばエ
チルシリケートの加水分解物、 ５） オルガノポリシロキサン：例えばシリコー
ンオキサイド；テトラクロロシラン；メチル、
フエニールトリアルコキシシラン。
本発明によるポリマー層３は希土類−遷移金属
アモルフアス記録媒体層２の垂直磁化特性を保証
すると同時にプラスチツク基盤１側からの酸素、
水分および／またはモノマーから記録媒体２を保
護する役目をも兼ねている。
アモルフアス記録媒体層２の垂直磁化特性を保証
すると同時にプラスチツク基盤１側からの酸素、
水分および／またはモノマーから記録媒体２を保
護する役目をも兼ねている。
アモルフアス記録媒体層２を外気からの酸素お
よび／または水分から保護するために記録媒体層
２の外側には保護層４を形成する。この保護層は
上記ポリマー層３と同一材料にすることができる
が、その他のポリマー、例えばエポキシ樹脂、ポ
リエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニ
リデン樹脂、合成ゴム等のポリマー層の他に、
SiO，CaF2等の無機防湿膜を使用することもでき
る。この保護層４の他にＳ／Ｎ比を大きくするた
めの反射膜（図示せず）を設けることもできる。
この反射膜はAl，Ag，Au，Cu，Zn，Sn等の金
属で構成され、上記保護層４の内側あるいは外側
に設けることができる。この反射層を形成すると
カー回転角、Ｓ／Ｎ比誘電体保護層の膜厚とも関
連するが、数倍程度大きくなる。
よび／または水分から保護するために記録媒体層
２の外側には保護層４を形成する。この保護層は
上記ポリマー層３と同一材料にすることができる
が、その他のポリマー、例えばエポキシ樹脂、ポ
リエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニ
リデン樹脂、合成ゴム等のポリマー層の他に、
SiO，CaF2等の無機防湿膜を使用することもでき
る。この保護層４の他にＳ／Ｎ比を大きくするた
めの反射膜（図示せず）を設けることもできる。
この反射膜はAl，Ag，Au，Cu，Zn，Sn等の金
属で構成され、上記保護層４の内側あるいは外側
に設けることができる。この反射層を形成すると
カー回転角、Ｓ／Ｎ比誘電体保護層の膜厚とも関
連するが、数倍程度大きくなる。
以下、本発明によるポリマーの実施例を説明す
る。各実施例において使用したプラスチツク基盤
はアクリル樹脂（MFR２）を射出成形（各機製
作所の商標「ダイナメルター」使用）したもので
あり、アモルフアス記録媒体はスパツタリング
（日本真空(株)社製）によつて形成した。
る。各実施例において使用したプラスチツク基盤
はアクリル樹脂（MFR２）を射出成形（各機製
作所の商標「ダイナメルター」使用）したもので
あり、アモルフアス記録媒体はスパツタリング
（日本真空(株)社製）によつて形成した。
実施例 １
（熱硬化性樹脂−ポリウレタン樹脂）
２モルのεカプロラクトンと１モルのヒドロキ
シエチルメタクリレートとを反応させ、プリポリ
マー（FM−２）を作る。このFM−231.9重量％
とメチルメタクリレート、ブチルアクリレート及
びメタアクリルアミドの混合アクリルモノマー
68.1wt％とを混合したものに硬化剤として下記構
造のもの（商品名ジユラネート24A−100旭化成
工業(株)製） をNCO基とFM−２のOH基とがモル比で１／１
になるよう添加し、アクリル樹脂製基板上にスピ
ンコーターを用いて3μの膜を形成し、オーブン
中で70℃に保持し、硬化皮膜を形成した。
シエチルメタクリレートとを反応させ、プリポリ
マー（FM−２）を作る。このFM−231.9重量％
とメチルメタクリレート、ブチルアクリレート及
びメタアクリルアミドの混合アクリルモノマー
68.1wt％とを混合したものに硬化剤として下記構
造のもの（商品名ジユラネート24A−100旭化成
工業(株)製） をNCO基とFM−２のOH基とがモル比で１／１
になるよう添加し、アクリル樹脂製基板上にスピ
ンコーターを用いて3μの膜を形成し、オーブン
中で70℃に保持し、硬化皮膜を形成した。
この硬化皮膜上に10-3Torrの真空下で日本真
空(株)製マグネトロンスパツタリング装置により
Tb／Fe組成比（原子比）23／77を1000Åの厚さ
で付着させ、更に保護層としてSiO2を1000Å形
成させて光磁気記録デイスクを製作した。ポーラ
ーカーローテーシヨン測定装置で、カー回転角
Θkを測定したところ、カー回転角（Θk）は0.26゜
であり、この値はガラス基板上にTb／Fe層を形
成した場合と同じである。
空(株)製マグネトロンスパツタリング装置により
Tb／Fe組成比（原子比）23／77を1000Åの厚さ
で付着させ、更に保護層としてSiO2を1000Å形
成させて光磁気記録デイスクを製作した。ポーラ
ーカーローテーシヨン測定装置で、カー回転角
Θkを測定したところ、カー回転角（Θk）は0.26゜
であり、この値はガラス基板上にTb／Fe層を形
成した場合と同じである。
得られた記録担体は６ケ月後でも同じΘkを維
持した。Tb／Fe層が酸化劣化していないことは
オージエ電子分光分析装置により確認された。
持した。Tb／Fe層が酸化劣化していないことは
オージエ電子分光分析装置により確認された。
実施例 ２
（オルガノシロキサン）
ダイセル化学工業(株)製GRコート液（ポリオル
ガノシロキサン）即ち特開昭57−38863の実施例
１に記載されている処方に従つて、試薬１級エタ
ノール27部と脱イオン水３部を混合し、これにメ
チルトリエトキシシラン加水分解縮合物の固体フ
レーク30部を加え、激しく撹拌しながら約40分で
完溶し、50％溶液を調製した。
ガノシロキサン）即ち特開昭57−38863の実施例
１に記載されている処方に従つて、試薬１級エタ
ノール27部と脱イオン水３部を混合し、これにメ
チルトリエトキシシラン加水分解縮合物の固体フ
レーク30部を加え、激しく撹拌しながら約40分で
完溶し、50％溶液を調製した。
別に試薬１級エタノール23部1.8ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７のフエノール塩
より成る硬化触媒0.45部、炭化フツ素鎖を有する
アニオン系界面活性剤0.1部、試薬１級氷酢酸17
部をこの順序で加え良く混合して触媒溶液を調製
した。先の50％溶液と触媒溶液を混合しメチルト
リエトキシシラン加水分解縮合物のフレーク30
部、水３部を含有するコーテイング液を調製し
た。
ロ（５，４，０）ウンデセン−７のフエノール塩
より成る硬化触媒0.45部、炭化フツ素鎖を有する
アニオン系界面活性剤0.1部、試薬１級氷酢酸17
部をこの順序で加え良く混合して触媒溶液を調製
した。先の50％溶液と触媒溶液を混合しメチルト
リエトキシシラン加水分解縮合物のフレーク30
部、水３部を含有するコーテイング液を調製し
た。
次に、メチルメタクリル樹脂製300mmφ、厚さ
1.2mmの基板を良く洗浄し上記のGRコート液に浸
漬してから10mm／分〜500mm／分の引上げ速度で
引き上げ、直ちに70℃に調節した熱風乾燥機に入
れ５時間乾燥とキユアリングをした。コーテイン
グされた塗膜の厚さは0.06〜4μであつた。他の皮
膜形成方法として同じGRコート液をスピンコー
ター上に載せたメチルメタクリル樹脂基板に滴下
し、200〜6000rpmの回転速度でスピンコートし
た。この後直ちに70℃の熱風乾燥機中に入れ５時
間乾燥とキユアリングを行つた。得られた塗膜の
厚さは0.04〜3μであつた。
1.2mmの基板を良く洗浄し上記のGRコート液に浸
漬してから10mm／分〜500mm／分の引上げ速度で
引き上げ、直ちに70℃に調節した熱風乾燥機に入
れ５時間乾燥とキユアリングをした。コーテイン
グされた塗膜の厚さは0.06〜4μであつた。他の皮
膜形成方法として同じGRコート液をスピンコー
ター上に載せたメチルメタクリル樹脂基板に滴下
し、200〜6000rpmの回転速度でスピンコートし
た。この後直ちに70℃の熱風乾燥機中に入れ５時
間乾燥とキユアリングを行つた。得られた塗膜の
厚さは0.04〜3μであつた。
以上得られた硬化皮膜上に５×10-3Torrの真
空下で日本真空技術(株)製マグネトロン式スパツタ
リング装置によりTb−Fe（原子組成比Tb：Fe＝
22：78）を約1000Åの厚さに形成し更に保護層と
してSiO2を同一装置で約1000Åの厚さに形成し
た。得られた光磁気記録デイスク表面にセロハン
テープ（日東電気工業(株)製No.29、巾24mm）を貼り
つけ約45゜の角度で密着性をテストしたところ全
く剥離しなかつた。次ぎにpolarkerr Rotation
Angle測定装置で、カー回転角Θkを測定したと
ころ0.25〜0.27゜であり、ガラス上にTbFb層を形
成した場合と同じであつた。
空下で日本真空技術(株)製マグネトロン式スパツタ
リング装置によりTb−Fe（原子組成比Tb：Fe＝
22：78）を約1000Åの厚さに形成し更に保護層と
してSiO2を同一装置で約1000Åの厚さに形成し
た。得られた光磁気記録デイスク表面にセロハン
テープ（日東電気工業(株)製No.29、巾24mm）を貼り
つけ約45゜の角度で密着性をテストしたところ全
く剥離しなかつた。次ぎにpolarkerr Rotation
Angle測定装置で、カー回転角Θkを測定したと
ころ0.25〜0.27゜であり、ガラス上にTbFb層を形
成した場合と同じであつた。
得られた記録担体は６ケ月後でも同じΘkを維
持し、Tb／Fe層が酸化劣化していないことはオ
ージエ電子分充分析装置により確認された。
持し、Tb／Fe層が酸化劣化していないことはオ
ージエ電子分充分析装置により確認された。
実施例 ３
（ポリアリル化合物）
米国特許第3465076（三菱レイヨン）記載の方法
によりガラス板上にジエチレングリコールビスア
リルカーボネートプレポノマーを塗布し熱硬化さ
せ注形板を作製した。この注形板を用いて表面が
ジエチレングリコールビスアリルカーボネート
（商品名CR−39）で覆われたPMMA板を製造し
た。この表面被覆された基板を70℃で約40時間真
空乾燥し、これを実施例１と同じ装置を用い同じ
方法でTb／Fe膜を1000Åの厚さにスパツタし、
保護膜としてSiO2膜を1000Å形成した。
によりガラス板上にジエチレングリコールビスア
リルカーボネートプレポノマーを塗布し熱硬化さ
せ注形板を作製した。この注形板を用いて表面が
ジエチレングリコールビスアリルカーボネート
（商品名CR−39）で覆われたPMMA板を製造し
た。この表面被覆された基板を70℃で約40時間真
空乾燥し、これを実施例１と同じ装置を用い同じ
方法でTb／Fe膜を1000Åの厚さにスパツタし、
保護膜としてSiO2膜を1000Å形成した。
得られた光磁気記録媒体のカー回転角Θkは
0.23゜であつた。また、６ケ月後に於てもTbFe層
の酸化劣化は認められなかつた。
0.23゜であつた。また、６ケ月後に於てもTbFe層
の酸化劣化は認められなかつた。
実施例 ４
（多官能性アクリル化合物）
日本化薬(株)製DPHA（ジペンタエリスリトー
ル・ヘキサアクリレート）25部、日本化薬(株)製
P2100（ポリエステルアクリレート）10部、及び
日本化薬(株)製HX220（ポリエステルアクリレー
ト）５部と、トルエン15部ｎ−ブタノール55部を
混合した。これに、紫外線硬化触媒として、
CIBA社製元開始剤イルガキユア651を1.5部添加
し混合して、コーテイング溶液を作成した。（部
とあるのは全て重量部） φ300mm、厚さ1.2mmのPMMA基板を十分に洗浄
し乾燥してからスピンコーターにセツトした。上
記コーテイング液を基板に適下し、500rpm〜
1000rpmで回転させて、均一にコーテイングした
後、該基板を超高圧水銀灯（ランプ強度80W／
cm）から10cmの距離に置き、約20秒紫外線を照射
して硬化させた。皮膜の厚さは0.2μ〜1μであつ
た。
ル・ヘキサアクリレート）25部、日本化薬(株)製
P2100（ポリエステルアクリレート）10部、及び
日本化薬(株)製HX220（ポリエステルアクリレー
ト）５部と、トルエン15部ｎ−ブタノール55部を
混合した。これに、紫外線硬化触媒として、
CIBA社製元開始剤イルガキユア651を1.5部添加
し混合して、コーテイング溶液を作成した。（部
とあるのは全て重量部） φ300mm、厚さ1.2mmのPMMA基板を十分に洗浄
し乾燥してからスピンコーターにセツトした。上
記コーテイング液を基板に適下し、500rpm〜
1000rpmで回転させて、均一にコーテイングした
後、該基板を超高圧水銀灯（ランプ強度80W／
cm）から10cmの距離に置き、約20秒紫外線を照射
して硬化させた。皮膜の厚さは0.2μ〜1μであつ
た。
以上の様にして得られた硬化皮膜上に５×
10-3Torrの真空下で日本真空(株)製マグネトロン
式スパツタリング装置を用いてTbFe（原子組成
比Tb：Fe＝22：78）を約1000Å形成し、保護膜
としてSiO2を約1000A同一装置で形成した。
10-3Torrの真空下で日本真空(株)製マグネトロン
式スパツタリング装置を用いてTbFe（原子組成
比Tb：Fe＝22：78）を約1000Å形成し、保護膜
としてSiO2を約1000A同一装置で形成した。
得られた光磁気記録デイスクの密着性を実施例
２と同じセロハンテープ方法で試してみたが、実
施例４及び実施例５のいずれも剥離しなかつた。
カー回転角Θkも0.26〜0.27゜でありガラス基板上
にTbFe層を形成した場合と同じであつた。
２と同じセロハンテープ方法で試してみたが、実
施例４及び実施例５のいずれも剥離しなかつた。
カー回転角Θkも0.26〜0.27゜でありガラス基板上
にTbFe層を形成した場合と同じであつた。
実施例４及び５のデイスクは、６ケ月経過して
も同じΘkを維持したTbFe層が酸化していない事
はオージエ電子分光分析装置で確認される。
も同じΘkを維持したTbFe層が酸化していない事
はオージエ電子分光分析装置で確認される。
実施例 ５
（保護膜）
実施例４で得られた元磁気記録デイスクの
SiO2保護層上に更に同じコーテイング液を用い、
実施例４と同一の方法で、硬化膜を0.2μ（2000Å）
形成した得られたデイスクの特性は実施例４とほ
ぼ同じであつた。
SiO2保護層上に更に同じコーテイング液を用い、
実施例４と同一の方法で、硬化膜を0.2μ（2000Å）
形成した得られたデイスクの特性は実施例４とほ
ぼ同じであつた。
以上、本発明を特殊な実施例によつて説明した
が、本発明はこれにのみ限定されるものではな
い。例えば、本発明によるポリマー層をプラスチ
ツク基盤に直接形成するのではなく適当なプライ
マー層を介して形成したり、エツチング等の表面
処理を施した後に形成することもできる。
が、本発明はこれにのみ限定されるものではな
い。例えば、本発明によるポリマー層をプラスチ
ツク基盤に直接形成するのではなく適当なプライ
マー層を介して形成したり、エツチング等の表面
処理を施した後に形成することもできる。
以上の説明から明らかなように、本発明による
ポリマー層をプラスチツク基盤と希土類−アモル
フアス基盤との間に介在させることによつて垂直
磁化特性を安定に形成することができ、従来安定
性および信頼性の点で使用が疑問視されていたプ
ラスチツク基盤を光磁気記録担体として使用でき
るようになつた。
ポリマー層をプラスチツク基盤と希土類−アモル
フアス基盤との間に介在させることによつて垂直
磁化特性を安定に形成することができ、従来安定
性および信頼性の点で使用が疑問視されていたプ
ラスチツク基盤を光磁気記録担体として使用でき
るようになつた。
添付図面は本発明によるポリマー層を有する光
磁気記録担体の層構成を示す概念的断面図。 （図中符号）、１：プラスチツク基盤、２：希
土類−遷移金属アモルフアス記録媒体層、３：ポ
リマー層、４：保護／増感層。
磁気記録担体の層構成を示す概念的断面図。 （図中符号）、１：プラスチツク基盤、２：希
土類−遷移金属アモルフアス記録媒体層、３：ポ
リマー層、４：保護／増感層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明プラスチツク基盤と、この透明プラスチ
ツク基盤上に成膜された希土類−遷移金属のアモ
ルフアス層とを有する光磁気記録用担体におい
て、 透明プラスチツク基盤１と希土類−遷移金属の
アモルフアス層２との間に透明プラスチツク基盤
との密着性が強いポリマー層３が設けられてお
り、 上記ポリマー層３は多官能性アクリル化合物、
熱硬化性樹脂、アルキルシリケート加水分解物お
よびオルガノポリシロキサンによつて構成される
群の中から選択される一つのポリマーであり、 上記ポリマー層３は透明プラスチツク基盤１上
に先ず最初に形成されたものであり、上記希土類
−遷移金属のアモルフアス層２はその後に上記ポ
リマー層３に形成されたものであることを特徴す
る光磁気記録用担体。 ２ 上記ポリマー層が架橋性ポリマーである特許
請求の範囲第１項に記載の光磁気記録用担体。 ３ 上記ポリマー層の厚さが0.01〜10μmである
特許請求の範囲第１〜２項のいずれか一項に記載
の光磁気記録用担体。 ４ 上記透明プラスチツク基盤がアクリル樹脂、
ポリカーボネート系樹脂、スチレン樹脂およびポ
リエステル樹脂で構成される群の中から選択され
る一つの樹脂で作られており、上記希土類−遷移
金属のアモルフアス層がTb−Fe系、Tb−Fe−
Co系、Dy−Fe系、Gd−Tb−Fe系、Gd−Tb−
Dy−Fe系およびGd−Co系合金で構成される群
の中から選択される材料で作られている特許請求
の範囲第１〜３項のいずれか一項に記載の光磁気
記録用担体。 ５ 上記ポリマー層とは反対側の希土類−遷移金
属のアモルフアス層の表面上に反射層および誘電
体層によつて構成される群の中から選択される少
なくとも一つの層が設けられている特許請求の範
囲１〜４項のいずれか一項に記載の光磁気記録用
担体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58185094A JPS6079543A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | プラスチツク基盤上に希土類−遷移金属アモルフアスの光磁気記録媒体層を形成した記録担体 |
| EP84111950A EP0136723B1 (en) | 1983-10-05 | 1984-10-05 | Recording carrier comprising an amorphous magnetooptic recording medium layer consisting of rare earth-transition armorphous metal formed on a plastic substrate |
| DE8484111950T DE3479358D1 (en) | 1983-10-05 | 1984-10-05 | Recording carrier comprising an amorphous magnetooptic recording medium layer consisting of rare earth-transition armorphous metal formed on a plastic substrate |
| US06/657,864 US4596740A (en) | 1983-10-05 | 1984-10-05 | Recording carrier comprising a magnetooptic recording medium layer consisting of rare earth-transition metal amorphous layer formed on a plastic substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58185094A JPS6079543A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | プラスチツク基盤上に希土類−遷移金属アモルフアスの光磁気記録媒体層を形成した記録担体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079543A JPS6079543A (ja) | 1985-05-07 |
| JPH0561688B2 true JPH0561688B2 (ja) | 1993-09-06 |
Family
ID=16164734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58185094A Granted JPS6079543A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | プラスチツク基盤上に希土類−遷移金属アモルフアスの光磁気記録媒体層を形成した記録担体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4596740A (ja) |
| EP (1) | EP0136723B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6079543A (ja) |
| DE (1) | DE3479358D1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6247847A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-02 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体 |
| US4782477A (en) * | 1985-09-30 | 1988-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium with fluorine resin adhesive |
| JP2525822B2 (ja) * | 1986-10-25 | 1996-08-21 | 株式会社東芝 | 光記録媒体及びその製造方法 |
| DE3788505T2 (de) * | 1986-10-25 | 1994-04-07 | Toshiba Kawasaki Kk | Optisches Aufzeichnungsmedium und sein Herstellungsverfahren. |
| KR890012281A (ko) * | 1987-01-14 | 1989-08-25 | 도날드 밀러 셀 | 안정한 자기 광학기록매체 |
| DE3702480A1 (de) * | 1987-01-28 | 1988-08-11 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung eines magneto-optischen speichers |
| EP0323167A3 (en) * | 1987-12-29 | 1990-12-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Helical scan tape record apparatus and method |
| US5573847A (en) * | 1990-09-14 | 1996-11-12 | Komag, Inc. | Magneto-optic disk exhibiting a phase shift between plus and minus twelve degrees and a reflectivity between fifteen and twenty-five percent |
| EP0598377B1 (en) * | 1992-11-17 | 1999-09-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magneto-optical recording medium and optical information recording and reading-out method |
| US5585201A (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation-curable composition comprising a polydimethylsiloxane |
| WO2000048172A2 (en) | 1999-02-12 | 2000-08-17 | General Electric Company | Data storage media |
| US7179551B2 (en) | 1999-02-12 | 2007-02-20 | General Electric Company | Poly(arylene ether) data storage media |
| RU2382063C2 (ru) * | 2005-04-05 | 2010-02-20 | Чугоку Марин Пейнтс, Лтд. | Связующее покрытие для необрастающей пленки на основе органополисилоксана, композитная покрывающая пленка и корабль, и подводная конструкция, покрытые этой пленкой |
| JP5408848B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2014-02-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置の製造方法 |
| US20130070327A1 (en) * | 2010-05-11 | 2013-03-21 | Panorama Synergy Ltd. | Multi-layer magneto-optic structure |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613534A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-09 | Toshiba Corp | Optical recording body and its manufacture |
| JPS5654711A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-14 | Tenroku Shokai Kk | Device for washing insulator |
| US4467383A (en) * | 1980-02-23 | 1984-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptic memory medium |
| JPS57113432A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-14 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Base plate for video or audio disk |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP58185094A patent/JPS6079543A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-05 DE DE8484111950T patent/DE3479358D1/de not_active Expired
- 1984-10-05 EP EP84111950A patent/EP0136723B1/en not_active Expired
- 1984-10-05 US US06/657,864 patent/US4596740A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4596740A (en) | 1986-06-24 |
| JPS6079543A (ja) | 1985-05-07 |
| DE3479358D1 (en) | 1989-09-14 |
| EP0136723A3 (en) | 1987-10-07 |
| EP0136723B1 (en) | 1989-08-09 |
| EP0136723A2 (en) | 1985-04-10 |
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