JPS63239632A - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造方法Info
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- JPS63239632A JPS63239632A JP62181437A JP18143787A JPS63239632A JP S63239632 A JPS63239632 A JP S63239632A JP 62181437 A JP62181437 A JP 62181437A JP 18143787 A JP18143787 A JP 18143787A JP S63239632 A JPS63239632 A JP S63239632A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/256—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers improving adhesion between layers
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は光ビームの照射により記録・再生を行なうこと
が可能な光記録媒体に係り、特に透明樹脂基板上に透明
密着層と、透明保護層及び記録層を順次積層した光記録
媒体及びその製造方法に関する。
が可能な光記録媒体に係り、特に透明樹脂基板上に透明
密着層と、透明保護層及び記録層を順次積層した光記録
媒体及びその製造方法に関する。
（従来の技術）
レーザビームを初めとする光ビームの照射により情報の
記録・再生を行なう光記録媒体は、（１）記録密度が極
めて高く大容量化が可能、（２）情報の記録・再生を非
接触で行なうので媒体の磨耗がない、（３）高速アクセ
スが可能といった利点を有し、光ディスクや光カードへ
の応用が考えられている。
記録・再生を行なう光記録媒体は、（１）記録密度が極
めて高く大容量化が可能、（２）情報の記録・再生を非
接触で行なうので媒体の磨耗がない、（３）高速アクセ
スが可能といった利点を有し、光ディスクや光カードへ
の応用が考えられている。
光記録媒体は記録層の材質によって種々のタイプに分け
られる。ユーザーが情報を記録できるタイプの光記録媒
体は、基板上に光ビームの照射によって光学的性質が変
化する記録層を設けた基本構造を有する。このタイプの
光記録媒体は、レーザビームを基板を介して記録層に照
射し、その反射光を検出して情報を再生するのが一般的
な使用法である。また、この光記録媒体では高速アクセ
スを可能とする目的で、基板に光学ヘッドの案内のため
の溝を設けるのが一般的である。
られる。ユーザーが情報を記録できるタイプの光記録媒
体は、基板上に光ビームの照射によって光学的性質が変
化する記録層を設けた基本構造を有する。このタイプの
光記録媒体は、レーザビームを基板を介して記録層に照
射し、その反射光を検出して情報を再生するのが一般的
な使用法である。また、この光記録媒体では高速アクセ
スを可能とする目的で、基板に光学ヘッドの案内のため
の溝を設けるのが一般的である。
このような理由から基板材料としては、光学的特性に優
れ、かつグループ成型性の良いポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネイ、ト、エポキシ。
れ、かつグループ成型性の良いポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネイ、ト、エポキシ。
ポリオレフィン等の透明樹脂材料が適している。
一方、記録層に関しては既にＤ ＲＡ Ｗ （Ｄｉｒｅ
ｃｔＲｅａｄ Ａｒｔｅｒ Ｗｒｉｔｅ）型、すなわち
追記型の光記録媒体では、Ｔｅ−Ｃ，Ｔｅａ）（、Ｔｅ
ＣＳ２等のピット形成型記録層が実用化されている。ま
た、第２世代のＥ −Ｄ ＲＡ Ｗ （Ｅｒａｓａｂｌ
ｅ−ＤＲＡｗ）型、即ち書換え可能型光記録媒体では、
希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜（ＲＥ−７
Ｍ膜）を記録層とする光磁気型、非晶質から結晶質への
相転移を利用するＩｎＳｅのようなカルコゲン化合物等
の薄膜を記録層とする相転移型、サーモプラスチック薄
膜を記録層とするもの等が知られている。
ｃｔＲｅａｄ Ａｒｔｅｒ Ｗｒｉｔｅ）型、すなわち
追記型の光記録媒体では、Ｔｅ−Ｃ，Ｔｅａ）（、Ｔｅ
ＣＳ２等のピット形成型記録層が実用化されている。ま
た、第２世代のＥ −Ｄ ＲＡ Ｗ （Ｅｒａｓａｂｌ
ｅ−ＤＲＡｗ）型、即ち書換え可能型光記録媒体では、
希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜（ＲＥ−７
Ｍ膜）を記録層とする光磁気型、非晶質から結晶質への
相転移を利用するＩｎＳｅのようなカルコゲン化合物等
の薄膜を記録層とする相転移型、サーモプラスチック薄
膜を記録層とするもの等が知られている。
しかし、これら記録層材料のうち、基板材料として好ま
しい透明樹脂材料との密着性が良いものは、Ｔｅ−Ｃ等
の半有機系材料や、有機色素等の有機材料に限られ、金
属、半導体、低級酸化物等は一般的に樹脂材料との密着
性に乏しく、粘着テープによって容易にピールオフする
。高温加湿テストによって剥離するといった信頼性上の
問題がある。
しい透明樹脂材料との密着性が良いものは、Ｔｅ−Ｃ等
の半有機系材料や、有機色素等の有機材料に限られ、金
属、半導体、低級酸化物等は一般的に樹脂材料との密着
性に乏しく、粘着テープによって容易にピールオフする
。高温加湿テストによって剥離するといった信頼性上の
問題がある。
一方、透明樹脂基板と記録層との間に有機薄膜からなる
透明密着層を設けた光ディスクが提案されている（特開
昭ＢＯ−７９５３４号公報）。このような有機薄膜から
なる透明密着層は樹脂基板との密着性は良いが、樹脂基
板側からの水分の浸入等に対して阻止作用を持たない。
透明密着層を設けた光ディスクが提案されている（特開
昭ＢＯ−７９５３４号公報）。このような有機薄膜から
なる透明密着層は樹脂基板との密着性は良いが、樹脂基
板側からの水分の浸入等に対して阻止作用を持たない。
このため、記録層がＲＥ−７Ｍ膜のような耐環境性に劣
る金属系材料の場合には、記録層の上ばかりでなく、透
明密着層と記録層との間にも透明保護層を介在させる必
要がある。この透明保護層は水分を透過させないように
緻密な材質でなければならないため、Ｓｉ３Ｎ４のよう
な透明無機材料の薄膜が用いられる。しかしながら、透
明無機材料からなる透明保護層は樹脂基板や、単なる有
機薄膜からなる透明密着層との密着性が極めて悪く、基
板や透明密着層から剥離したり、保護層自身にクラック
が生じたりする。
る金属系材料の場合には、記録層の上ばかりでなく、透
明密着層と記録層との間にも透明保護層を介在させる必
要がある。この透明保護層は水分を透過させないように
緻密な材質でなければならないため、Ｓｉ３Ｎ４のよう
な透明無機材料の薄膜が用いられる。しかしながら、透
明無機材料からなる透明保護層は樹脂基板や、単なる有
機薄膜からなる透明密着層との密着性が極めて悪く、基
板や透明密着層から剥離したり、保護層自身にクラック
が生じたりする。
（発明が解決しようとする問題点）
このように従来の光記録媒体では、透明樹脂基板を用い
た場合、記録層や透明保護層の密着性を高めることが難
しく、信頼性に劣るという問題があった。
た場合、記録層や透明保護層の密着性を高めることが難
しく、信頼性に劣るという問題があった。
本発明は透明樹脂基板と透明無機材料からなる透明保護
層との間に、これらのいずれとも密着性に優れた透明密
着層を設けることにより、耐剥離性を改善して信頼性に
優れた光記録媒体及びその製造方法を提供することを目
的とする。
層との間に、これらのいずれとも密着性に優れた透明密
着層を設けることにより、耐剥離性を改善して信頼性に
優れた光記録媒体及びその製造方法を提供することを目
的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は、透明樹脂基板上に、透明金属化
合物と有機化合物を含有する透明密着層、透明無機材料
からなる透明保護層及び記録層を順次積層したことを特
徴とする。
合物と有機化合物を含有する透明密着層、透明無機材料
からなる透明保護層及び記録層を順次積層したことを特
徴とする。
透明密着層に含まれる透明金属化合物は、Ｉｎ。
Ｔｅ、Ａ、＋７．Ｓｔ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂ。
Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｂｉの群より選択される少なくとも
一種の金属の化合物が好ましい。すなわち、透明金属化
合物をＭｅ−Ｘと置いたとき、ＸがＯの場合（酸化物の
場合）は金属元素ＭｅとしてＩｎ、Ｔｅ、Ａノ、Ｔｆ、
Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｎ等が用いられ、ＸがＮの場合（窒化物
の場合）はＭｅとしてＡノ、Ｓｔ、Ｇｅ、Ｂ等が用いら
れ、ＸがＦの場合（全弗化物の場合）はＭｅとしてＭｇ
。
一種の金属の化合物が好ましい。すなわち、透明金属化
合物をＭｅ−Ｘと置いたとき、ＸがＯの場合（酸化物の
場合）は金属元素ＭｅとしてＩｎ、Ｔｅ、Ａノ、Ｔｆ、
Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｎ等が用いられ、ＸがＮの場合（窒化物
の場合）はＭｅとしてＡノ、Ｓｔ、Ｇｅ、Ｂ等が用いら
れ、ＸがＦの場合（全弗化物の場合）はＭｅとしてＭｇ
。
Ｃａ等が用いられ、ＸがＳの場合（硫化物の場合）はＭ
ｅとしてＺｎ等が用いられる。これらの透明金属化合物
に加えて、炭化水素（パラフィン、オレフィン等）、炭
化弗素等に代表される有機化合物を含有することにより
、透明密着層が構成される。なお、透明密着層に含有さ
れる透明金属化合物は単一種類でもよいが、２種類ある
いはそれ以上の種類の透明金属化合物が含有されている
ことが密着性向上の観点からより望ましい。
ｅとしてＺｎ等が用いられる。これらの透明金属化合物
に加えて、炭化水素（パラフィン、オレフィン等）、炭
化弗素等に代表される有機化合物を含有することにより
、透明密着層が構成される。なお、透明密着層に含有さ
れる透明金属化合物は単一種類でもよいが、２種類ある
いはそれ以上の種類の透明金属化合物が含有されている
ことが密着性向上の観点からより望ましい。
透明密着層の膜厚は５００〜２０００人が適当であり、
より好ましくは７００〜１５００人の範囲が良い。透明
密着層の透明度は、可視光の分光透過率が８０％以上に
なる程度が望ましい。
より好ましくは７００〜１５００人の範囲が良い。透明
密着層の透明度は、可視光の分光透過率が８０％以上に
なる程度が望ましい。
また、本発明はこのような光記録媒体を製造するに際し
て、透明基板上に、金属ターゲットを用いて該ターゲッ
トの金属と反応する少なくとも一種のガスと有機化合物
ガスを含む混合ガス中で、反応性スパッタリング法によ
り透明金属化合物と有機化合物を含有する透明密着層を
形成するか、あるいは金属蒸着源を用いて該蒸着源の金
属と反応する少なくとも一種のガスと有機化合物ガスを
含む混合ガス中で、活性化蒸着法により透明金属化合物
と有機化合物を含有する透明密着層を形成する。そして
、この透明密着層上に透明無機材料からなる透明保護層
及び記録層を順次積層する。
て、透明基板上に、金属ターゲットを用いて該ターゲッ
トの金属と反応する少なくとも一種のガスと有機化合物
ガスを含む混合ガス中で、反応性スパッタリング法によ
り透明金属化合物と有機化合物を含有する透明密着層を
形成するか、あるいは金属蒸着源を用いて該蒸着源の金
属と反応する少なくとも一種のガスと有機化合物ガスを
含む混合ガス中で、活性化蒸着法により透明金属化合物
と有機化合物を含有する透明密着層を形成する。そして
、この透明密着層上に透明無機材料からなる透明保護層
及び記録層を順次積層する。
（作 用）
本発明における透明密着層は、樹脂に多く含まれる有機
化合物、例えば炭化水素を含有していることにより透明
樹脂基板との密着性が良く、しかも透明金属化合物を含
有していることで、熱膨張率が透明保護層を構成する無
機材料のそれと近くなるため、透明保：Ｊ層との密着性
も良好なものとなる。
化合物、例えば炭化水素を含有していることにより透明
樹脂基板との密着性が良く、しかも透明金属化合物を含
有していることで、熱膨張率が透明保護層を構成する無
機材料のそれと近くなるため、透明保：Ｊ層との密着性
も良好なものとなる。
（実施例）
以下、本発明の詳細な説明する。第１図は本発明の一実
施例に係る光ディスクの断面図であり、ディスク状の透
光性樹脂基板１上に透明密着層２及び第１の透明保護層
３を介して記録層４が順次形成され、記録層４の上にさ
らに第２の透明保護層５及び光反射層６が順次形成され
ている。
施例に係る光ディスクの断面図であり、ディスク状の透
光性樹脂基板１上に透明密着層２及び第１の透明保護層
３を介して記録層４が順次形成され、記録層４の上にさ
らに第２の透明保護層５及び光反射層６が順次形成され
ている。
透明樹脂基板１はポリメチルメタクリレート。
ポリカーボネイト、エポキシ等の透明樹脂材料によって
作られ、その表面に記録再生用光学ヘッドを案内するた
めの案内溝が予め形成されている。
作られ、その表面に記録再生用光学ヘッドを案内するた
めの案内溝が予め形成されている。
透明密着層２は従来の単純な有機薄膜ではなく、例えば
有機化合物である炭化水素（好ましくはパラフィン族等
の鎖式炭化水素）と、金属化合物を含有したものである
。また、透明密着層２の形成工程も、従来の透明密着層
がスピンコードにより塗布されるものであるのものと異
なり、例えば金属ターゲットをこれと反応する酸素、窒
素、硫化水素等のガスと、メタン、エチレン等の有機化
合物ガスとの混合ガス中で反応性スパッタリングを行な
うことにより成膜されるものである。
有機化合物である炭化水素（好ましくはパラフィン族等
の鎖式炭化水素）と、金属化合物を含有したものである
。また、透明密着層２の形成工程も、従来の透明密着層
がスピンコードにより塗布されるものであるのものと異
なり、例えば金属ターゲットをこれと反応する酸素、窒
素、硫化水素等のガスと、メタン、エチレン等の有機化
合物ガスとの混合ガス中で反応性スパッタリングを行な
うことにより成膜されるものである。
第１の透明保護層３は、記録層４を透明樹脂基板１側か
らの水分等の浸入に対して保護するためのものであり、
Ｓｉ３ Ｈ４，５ｉ０２．ＳｉＯ＋ＡｉＮ、ＺｎＳのよ
うな透明無機材料の薄膜によって形成される。
らの水分等の浸入に対して保護するためのものであり、
Ｓｉ３ Ｈ４，５ｉ０２．ＳｉＯ＋ＡｉＮ、ＺｎＳのよ
うな透明無機材料の薄膜によって形成される。
記録層４はレーザビームの照射により情報の記録および
／または再生ができる材料ならなんでもよいが、本発明
の場合は特にＲＥ−ＴＭ膜のようにそれ自体では耐蝕性
に劣る金属薄膜の場合に有効である。
／または再生ができる材料ならなんでもよいが、本発明
の場合は特にＲＥ−ＴＭ膜のようにそれ自体では耐蝕性
に劣る金属薄膜の場合に有効である。
第２の透明保護層５は第１の透明保護Ｎ２と同様に、透
明無機材料の薄膜により形成される。本実施例のように
光反射層６がある場合には、光反射層６が保護層の役割
を果たすので、この第２の透明保護層５は必ずしも必要
でない。しかし、特に記録層４がＲＥ−ＴＭ膜のように
磁気光学カー効果を利用して再生がなされる膜の場合に
は、この第２の透明保護層５はＲＥ−ＴＭ膜の見掛は上
のカー回転角を大きくするための干渉層として有効であ
る。
明無機材料の薄膜により形成される。本実施例のように
光反射層６がある場合には、光反射層６が保護層の役割
を果たすので、この第２の透明保護層５は必ずしも必要
でない。しかし、特に記録層４がＲＥ−ＴＭ膜のように
磁気光学カー効果を利用して再生がなされる膜の場合に
は、この第２の透明保護層５はＲＥ−ＴＭ膜の見掛は上
のカー回転角を大きくするための干渉層として有効であ
る。
光反射層６は透明樹脂基板１側から入射される光を反射
させるためのもので、例えばＡノ、Ｔｉ。
させるためのもので、例えばＡノ、Ｔｉ。
Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ等からなる薄膜が用いられる。
第２図はこの光記録媒体の製造に使用されるスパッタリ
ング装置の構成を概略的に示したものである。スパッタ
室１１内の上方に回転可能に基板ホルダ１２が設けられ
、この基板ホルダ１２の下面に透明樹脂基板１が保持さ
れそいる。基板ホルダ１２はスパッタ室１１の外部に設
けられた回転治具１３およびＲＦ電源１４に接続されて
いる。
ング装置の構成を概略的に示したものである。スパッタ
室１１内の上方に回転可能に基板ホルダ１２が設けられ
、この基板ホルダ１２の下面に透明樹脂基板１が保持さ
れそいる。基板ホルダ１２はスパッタ室１１の外部に設
けられた回転治具１３およびＲＦ電源１４に接続されて
いる。
スパッタ室１１内の底部に４つのスパッタ源１５（図で
は２つのスパッタ源のみが示されている）が設置°され
、また各スパッタ源１５の前面にシャッタ１６が設けら
れ、さらに各スパッタ源１５の間にシールド部材１７が
設けられている。
は２つのスパッタ源のみが示されている）が設置°され
、また各スパッタ源１５の前面にシャッタ１６が設けら
れ、さらに各スパッタ源１５の間にシールド部材１７が
設けられている。
スパッタ源１５はスパッタ室１１の外部に設けられたス
パッタ用電源１８にそれぞれ接続されている。スパッタ
用電源１８としては、ＲＦ電源およびＤＣ電源が選択的
に用いられる。スパッタ室１１にはガス供給系１９およ
び排気系２０が接続されている。また、スパッタ室１１
の天板は基板設置用治具２１に連結されている。
パッタ用電源１８にそれぞれ接続されている。スパッタ
用電源１８としては、ＲＦ電源およびＤＣ電源が選択的
に用いられる。スパッタ室１１にはガス供給系１９およ
び排気系２０が接続されている。また、スパッタ室１１
の天板は基板設置用治具２１に連結されている。
以下、本発明に係る光ディスクの製造工程の具体的な実
施例を述べる。
施例を述べる。
〈実施例１〉
第２図のスパッタリング装置を用いて、第１図の構造の
光ディスクを次の手順で作成した。まず、透明樹脂基板
１として１２０Ｈφ、 １．２ｍｔの案内溝付きポリ
カーボネイト基板を用意した。これはガラ′ス基板上に
設けられたフォトポリマ一層をＡｒイオンレーザにより
露光・現像して得た原盤からスタンバを製作し、このス
タンパを用いてポリカーボネイト樹脂を射出成形するこ
とにより得られたものである。このポリカーボネイト基
板を中性洗剤溶液中で５分間超音波洗浄に供し、さらに
純水により水洗した後、Ｎ２ブローによる乾燥、さらに
デシケータ乾燥を行なってから、スパッタ室１１内に入
れ、基板ホルダ１２にねじ止めした。
光ディスクを次の手順で作成した。まず、透明樹脂基板
１として１２０Ｈφ、 １．２ｍｔの案内溝付きポリ
カーボネイト基板を用意した。これはガラ′ス基板上に
設けられたフォトポリマ一層をＡｒイオンレーザにより
露光・現像して得た原盤からスタンバを製作し、このス
タンパを用いてポリカーボネイト樹脂を射出成形するこ
とにより得られたものである。このポリカーボネイト基
板を中性洗剤溶液中で５分間超音波洗浄に供し、さらに
純水により水洗した後、Ｎ２ブローによる乾燥、さらに
デシケータ乾燥を行なってから、スパッタ室１１内に入
れ、基板ホルダ１２にねじ止めした。
この状態で治具２１を下界してスパッタ室１１を密閉状
態にし、排気系２０を作動させてスパッタ室１１内の圧
力を５Ｘ１０−６Ｔｏｒｒまで排気し、ガス供給系１９
より９９．９９９％純度のＡｒガスを供給し、スパッタ
室１１内のガス圧力を ５ｘ １０−３Ｔｏｒｒに維持した。
態にし、排気系２０を作動させてスパッタ室１１内の圧
力を５Ｘ１０−６Ｔｏｒｒまで排気し、ガス供給系１９
より９９．９９９％純度のＡｒガスを供給し、スパッタ
室１１内のガス圧力を ５ｘ １０−３Ｔｏｒｒに維持した。
次に、回転治具１３によって基板ホルダ１２を８０ｒｐ
ｉで回転させ、シャッタ１６の一つを閉じた状態で、そ
のシャッタの下にあるスパッタ源１５（５インチφのＩ
ｎターゲットが収納しであるものとする）にスパッタ用
電源１８より ０．５ＡのＤＣパワーを印加し、１０分
間のブリスパッタ（シャッタ１６を閉じた状態でのスパ
ッタ）を行なうことによりスパッタ源１５内のＩｎター
ゲツト面を清浄化した。
ｉで回転させ、シャッタ１６の一つを閉じた状態で、そ
のシャッタの下にあるスパッタ源１５（５インチφのＩ
ｎターゲットが収納しであるものとする）にスパッタ用
電源１８より ０．５ＡのＤＣパワーを印加し、１０分
間のブリスパッタ（シャッタ１６を閉じた状態でのスパ
ッタ）を行なうことによりスパッタ源１５内のＩｎター
ゲツト面を清浄化した。
次に、電源１８をオフ状態にし、さらにガス供給系１９
からのＡｒガスの供給を停止した後、再びスパッタ室１
１内を排気系２ｏにより５×１０−６Ｔｏｒｒまで排気
してから、ガス供給系１９よりＣＨ４と０２およびＮ２
の混合ガスをスバッ夕月ガスとして導入し、スパッタ室
１１内のガス圧力を５Ｘ １０−３Ｔｏｒｒに維持した
。スパッタ用混合ガスの混合比は体積比にしてＣＨ４１
０゜−５０１５０、Ｎ２／ （ＣＨ４＋０２十Ｎ２）−
１００／ ０〜Ｏ／ １００とした。この状態でＩｎタ
ーゲットが収納されたスパッタ源１５の前面のシャッタ
１６を開き、該スパッタ源１５に０．８ＡのＲＦパワー
を印加し、４〜２０分間のマグネトロンスパッタを行な
い、１ｎ２０３マトリツクス中にＩｎＮと有機化合物が
分散した膜（以後、この膜をＩＣ０Ｎ膜という）を透明
密着層２として形成した。この場合、スパッタ用混合ガ
スの総流量は最大８０９ＣＣＭとし、放電時間の制御に
よりＩＣ０Ｎ膜の膜厚を１０００人にした。この後、ス
パッタ室１１内を大気に戻し、治具２１を上昇させてＩ
Ｃ０Ｎ膜からなる透明密着層２が形成された基板１を取
出した。
からのＡｒガスの供給を停止した後、再びスパッタ室１
１内を排気系２ｏにより５×１０−６Ｔｏｒｒまで排気
してから、ガス供給系１９よりＣＨ４と０２およびＮ２
の混合ガスをスバッ夕月ガスとして導入し、スパッタ室
１１内のガス圧力を５Ｘ １０−３Ｔｏｒｒに維持した
。スパッタ用混合ガスの混合比は体積比にしてＣＨ４１
０゜−５０１５０、Ｎ２／ （ＣＨ４＋０２十Ｎ２）−
１００／ ０〜Ｏ／ １００とした。この状態でＩｎタ
ーゲットが収納されたスパッタ源１５の前面のシャッタ
１６を開き、該スパッタ源１５に０．８ＡのＲＦパワー
を印加し、４〜２０分間のマグネトロンスパッタを行な
い、１ｎ２０３マトリツクス中にＩｎＮと有機化合物が
分散した膜（以後、この膜をＩＣ０Ｎ膜という）を透明
密着層２として形成した。この場合、スパッタ用混合ガ
スの総流量は最大８０９ＣＣＭとし、放電時間の制御に
よりＩＣ０Ｎ膜の膜厚を１０００人にした。この後、ス
パッタ室１１内を大気に戻し、治具２１を上昇させてＩ
Ｃ０Ｎ膜からなる透明密着層２が形成された基板１を取
出した。
また、基板ホルダ１２にポリカーボネイト基板と共に、
ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネイト、エポキ
シ、ガラスの各基板小片（１５ｍｚＸ２５Ｍ）を保持し
て、これらの基板小片上に上記と同じ方法で透明Ｉ Ｃ
ＯＮ膜を形成した。
ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネイト、エポキ
シ、ガラスの各基板小片（１５ｍｚＸ２５Ｍ）を保持し
て、これらの基板小片上に上記と同じ方法で透明Ｉ Ｃ
ＯＮ膜を形成した。
第３図（ａ）は、スパッタ用混合ガスの組成を種々変え
てポリメチルメタクリレート基板上に形成したＩ ＣＯ
Ｎ膜の、波長８３０ｎｍでの光透過率を測定した結果を
示したものである。同図よりスパッタ用混合ガスの組成
がＣＨ４／ ０２−５０／ ５０゜Ｎ２／ （ＣＨ４＋
ｏ２ ＋Ｎ２）−０，２〜０．８の範囲内で、光透過率
は８５％以上という実用上十分な値が得られている。
てポリメチルメタクリレート基板上に形成したＩ ＣＯ
Ｎ膜の、波長８３０ｎｍでの光透過率を測定した結果を
示したものである。同図よりスパッタ用混合ガスの組成
がＣＨ４／ ０２−５０／ ５０゜Ｎ２／ （ＣＨ４＋
ｏ２ ＋Ｎ２）−０，２〜０．８の範囲内で、光透過率
は８５％以上という実用上十分な値が得られている。
また、上記４種類の基板小片上に形成したＩＣ０Ｎ膜の
基板に対する密着性をビールオフテストによって評価し
たところ、Ｉ ＣＯＮ膜の剥離は見られなかった。さら
に、６５℃−９ｏ％Ｒ，Ｈ，の高温高湿雰囲気下２４Ｈ
ｒｓ、＝−常温雰囲気下ＩＨｒｓ、のサイクル加速劣化
試験を４サイクル継続した後も、上記した４種類の基板
小片のいずれからもＩＣ０Ｎ膜の剥離は見られず、また
膜の変質や透過率の変化も皆無であった。
基板に対する密着性をビールオフテストによって評価し
たところ、Ｉ ＣＯＮ膜の剥離は見られなかった。さら
に、６５℃−９ｏ％Ｒ，Ｈ，の高温高湿雰囲気下２４Ｈ
ｒｓ、＝−常温雰囲気下ＩＨｒｓ、のサイクル加速劣化
試験を４サイクル継続した後も、上記した４種類の基板
小片のいずれからもＩＣ０Ｎ膜の剥離は見られず、また
膜の変質や透過率の変化も皆無であった。
次に、第２図における４つのスパッタ源１５にＳｉ、Ｔ
ｂ、Ｃｏ、Ａｒの各ターゲットを設置して、Ｓｉ３Ｎ４
膜からなる第１の透明保護層３、ＴｂＣｏ膜からなる記
録層４．５Ｌ３Ｎ４膜からなる第２の透明保護層（干渉
層）５およびＡｒ膜からなる光反射層６の成膜を順次行
なった。
ｂ、Ｃｏ、Ａｒの各ターゲットを設置して、Ｓｉ３Ｎ４
膜からなる第１の透明保護層３、ＴｂＣｏ膜からなる記
録層４．５Ｌ３Ｎ４膜からなる第２の透明保護層（干渉
層）５およびＡｒ膜からなる光反射層６の成膜を順次行
なった。
まず、Ｉ ＣＯＮ膜からなる透明密着層２が形成されて
いるポリカーボネイト基板と、比較のための、透明密着
層２が形成されていないポリカーボネイト基板を基板ホ
ルダ１２にねじ止めし、治具２１を下降させてスパッタ
室１１中に排気系２０により５Ｘ１０−６Ｔｏｒｒまで
排気した後、３％分圧Ｎ２のＮ２−Ａｒ混合ガスを導入
し、スパッタ室１１中のガス圧力を５×１０″″３Ｔｏ
ｒｒに維持して、Ｓｉターゲットが設置されているスパ
ッタ源１５に電源１６より ３００ＷのＲＦパワーを投
入し、ブリスパッタを５分間行なってターゲツト面を清
浄化した後、シャッタ１６を開いて反応性スパッタリン
グを２０分間行なうことにより、透明密着層２及び密着
層が形成されていないポリカーボネイト基板１の上゛に
約１０００人厚のＳｉ３Ｎ４膜を第１の透明保護層３と
して形成した。
いるポリカーボネイト基板と、比較のための、透明密着
層２が形成されていないポリカーボネイト基板を基板ホ
ルダ１２にねじ止めし、治具２１を下降させてスパッタ
室１１中に排気系２０により５Ｘ１０−６Ｔｏｒｒまで
排気した後、３％分圧Ｎ２のＮ２−Ａｒ混合ガスを導入
し、スパッタ室１１中のガス圧力を５×１０″″３Ｔｏ
ｒｒに維持して、Ｓｉターゲットが設置されているスパ
ッタ源１５に電源１６より ３００ＷのＲＦパワーを投
入し、ブリスパッタを５分間行なってターゲツト面を清
浄化した後、シャッタ１６を開いて反応性スパッタリン
グを２０分間行なうことにより、透明密着層２及び密着
層が形成されていないポリカーボネイト基板１の上゛に
約１０００人厚のＳｉ３Ｎ４膜を第１の透明保護層３と
して形成した。
次に、再びスパッタ室１１中を排気系２０により５ Ｘ
１０−６Ｔｏｒｒまで排気して、ガス供給系１９より
９９．９９９％純度のＡｒガスを導入し、スパッタ室１
１内のガス圧力を５Ｘ１０−５Ｔｏｒｒに維持した後、
ＲＦ電源１４をオンにしてＳｉ３Ｎ４膜の表面を３００
ＷのＲＦパワーで５分間スパッタエツチング処理に供し
て清浄化した。
１０−６Ｔｏｒｒまで排気して、ガス供給系１９より
９９．９９９％純度のＡｒガスを導入し、スパッタ室１
１内のガス圧力を５Ｘ１０−５Ｔｏｒｒに維持した後、
ＲＦ電源１４をオンにしてＳｉ３Ｎ４膜の表面を３００
ＷのＲＦパワーで５分間スパッタエツチング処理に供し
て清浄化した。
次に、Ｔｂ、Ｃｏの各ターゲットが設置されたスパッタ
源１５上の対応するシャッタ１６を閉じた状態で、これ
らの両スパッタ源１５に電源１８よりＤＣ電力を供給し
てＴｂターゲットに０．５Ａ 。
源１５上の対応するシャッタ１６を閉じた状態で、これ
らの両スパッタ源１５に電源１８よりＤＣ電力を供給し
てＴｂターゲットに０．５Ａ 。
Ｃｏターゲットに１．５Ａの放電電流を通じて５分間の
ブリスパッタを行ない、各ターゲット表面を清浄化した
後、基板ホルダ１２を回転治具１３によって６Ｏｒｐｍ
で回転させ、上記両スパッタ源１５上のシャッタ１６を
同時に開いて３５秒間にわたりＴｂＣｏ膜の成膜を行な
い、約 ２５０人厚のＴｂＣｏ膜からなる記録層４を形
成した。その後、スパッタ用Ｎ源１８をオフにした。
ブリスパッタを行ない、各ターゲット表面を清浄化した
後、基板ホルダ１２を回転治具１３によって６Ｏｒｐｍ
で回転させ、上記両スパッタ源１５上のシャッタ１６を
同時に開いて３５秒間にわたりＴｂＣｏ膜の成膜を行な
い、約 ２５０人厚のＴｂＣｏ膜からなる記録層４を形
成した。その後、スパッタ用Ｎ源１８をオフにした。
次に、スパッタ用混合ガスを３％分圧Ｎ２のＮ ２
Ａ ｒ混合ガスに換え、Ｓｔツタ−ットが設置されたス
パッタ源１５にスパッタ用電源１８より ３００ＷのＲ
Ｆパワーを投入し、プリスパッタを５分間行なった後、
５Ｌ３Ｎ４膜のスパッタ成膜を５分間行ない、記録層４
の上に約２５０人厚のＳｉ３Ｎ４膜からなる第２の透明
保護層５を形成した。
Ａ ｒ混合ガスに換え、Ｓｔツタ−ットが設置されたス
パッタ源１５にスパッタ用電源１８より ３００ＷのＲ
Ｆパワーを投入し、プリスパッタを５分間行なった後、
５Ｌ３Ｎ４膜のスパッタ成膜を５分間行ない、記録層４
の上に約２５０人厚のＳｉ３Ｎ４膜からなる第２の透明
保護層５を形成した。
次に、ガスを純Ａｒガスに換え、Ａ、ｉｌｌターゲット
のスパッタ源１５にスパッタ用電源１８より３００Ｗの
ＲＦパワーを投入し、ブリスパッタ５分間の後、Ａ、ｆ
１’膜のスパッタ成膜を１０分間行ない、Ｓｉ３Ｎ４膜
からなる第２の透明保護層５の上にＡ、ｆｆ膜からなる
光反射層６を約１０００人の厚さ形成した。その後、ス
パッタ用電源１８をオフにするとともに基板１の回転を
停止し、スパッタ室１１を大気に戻して治具２１によっ
て基板ホルダ１２を上昇させて、第１図に示した光ディ
スクを取出した。
のスパッタ源１５にスパッタ用電源１８より３００Ｗの
ＲＦパワーを投入し、ブリスパッタ５分間の後、Ａ、ｆ
１’膜のスパッタ成膜を１０分間行ない、Ｓｉ３Ｎ４膜
からなる第２の透明保護層５の上にＡ、ｆｆ膜からなる
光反射層６を約１０００人の厚さ形成した。その後、ス
パッタ用電源１８をオフにするとともに基板１の回転を
停止し、スパッタ室１１を大気に戻して治具２１によっ
て基板ホルダ１２を上昇させて、第１図に示した光ディ
スクを取出した。
一方、同時に基板ホルダ１２に保持したポリメチルメタ
クリレート、ポリカーボネイト、エポキシ、ガラスの各
基板小片の上に透明ＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層２を
介して第１の透明保護層３、記録層４．第２の透明保護
層５および光反射層６を形成したサンプルと、透明密着
層を有しないサンプルについて成膜直後の性能を評価し
た。まず、基板の裏面側よりＨｅ−Ｎｅレーザからのレ
ーザビームを照射して光反射率Ｒおよびカー回転角θｋ
を、ポリメチルメタクリレート基板上に透明Ｉ ＣＯＮ
膜からなる透明密着層を形成したサンプルについて測定
したところ、Ｒ−２５％、θに−０，４５ｄｅｇであり
、実用上十分な再生性能指数（ＲＸθに積）が得られる
ことが確認された。
クリレート、ポリカーボネイト、エポキシ、ガラスの各
基板小片の上に透明ＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層２を
介して第１の透明保護層３、記録層４．第２の透明保護
層５および光反射層６を形成したサンプルと、透明密着
層を有しないサンプルについて成膜直後の性能を評価し
た。まず、基板の裏面側よりＨｅ−Ｎｅレーザからのレ
ーザビームを照射して光反射率Ｒおよびカー回転角θｋ
を、ポリメチルメタクリレート基板上に透明Ｉ ＣＯＮ
膜からなる透明密着層を形成したサンプルについて測定
したところ、Ｒ−２５％、θに−０，４５ｄｅｇであり
、実用上十分な再生性能指数（ＲＸθに積）が得られる
ことが確認された。
また、粘着テープによるビールオフテストを行なったと
ころ、ＣＨ４１０２−５０１５０，Ｎ２／（ＣＨ４＋０
２十Ｎ２）−〇、２〜０．８の組成のスパッタ用混合ガ
スを用いて透明ＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層を形成し
たサンプルでは、基板小片がポリメチルメタクリレート
、ポリカーボネイト。
ころ、ＣＨ４１０２−５０１５０，Ｎ２／（ＣＨ４＋０
２十Ｎ２）−〇、２〜０．８の組成のスパッタ用混合ガ
スを用いて透明ＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層を形成し
たサンプルでは、基板小片がポリメチルメタクリレート
、ポリカーボネイト。
エポキシ、ガラスのいずれのサンプルでも剥離は起こら
なかったのに対して、透明密着層のないサンプルと、Ｃ
Ｈ４１０２−５０１５０，Ｎ２／（ＣＨ４＋０２＋Ｎ２
）−０，２〜０．８以外の組成のスパッタ用混合ガス
を用いてＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層を成膜したサン
プルは、全て基板１上の層２〜６が剥離した。
なかったのに対して、透明密着層のないサンプルと、Ｃ
Ｈ４１０２−５０１５０，Ｎ２／（ＣＨ４＋０２＋Ｎ２
）−０，２〜０．８以外の組成のスパッタ用混合ガス
を用いてＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層を成膜したサン
プルは、全て基板１上の層２〜６が剥離した。
また、これらの各基板小片のサンプルと前記した２０Ｍ
φの案内溝付きポリカーボネイト基板を用いた光ディス
クとを６５℃−９０％Ｒ，Ｈ，２４Ｈｒｓ、←→常温１
）１ｒｓ、 −−＋ ８５℃−９０％Ｒ，Ｈ，４８ｆ
ｌｒｓ、の加速劣化試験に供し、剥離の有無を調べた結
果、ＣＨ４１０２−５０１５ｏ、Ｎ２／ （ＣＨ４＋０
２＋Ｎ２）−〇、２〜０．８のスパッタ用混合ガスによ
りＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層２を形成したサンプル
では、層２〜６の剥離が全く認められなかった。これに
対して、密着層をもたない従来の光ディスクでは同様の
加速劣化試験によって第１の透明保護層およびその上の
各層が剥離した。
φの案内溝付きポリカーボネイト基板を用いた光ディス
クとを６５℃−９０％Ｒ，Ｈ，２４Ｈｒｓ、←→常温１
）１ｒｓ、 −−＋ ８５℃−９０％Ｒ，Ｈ，４８ｆ
ｌｒｓ、の加速劣化試験に供し、剥離の有無を調べた結
果、ＣＨ４１０２−５０１５ｏ、Ｎ２／ （ＣＨ４＋０
２＋Ｎ２）−〇、２〜０．８のスパッタ用混合ガスによ
りＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層２を形成したサンプル
では、層２〜６の剥離が全く認められなかった。これに
対して、密着層をもたない従来の光ディスクでは同様の
加速劣化試験によって第１の透明保護層およびその上の
各層が剥離した。
このようにＩ ＣＯＮ膜からなる透明保護層２を備える
ことにより耐剥離性が向上する理由は、Ｉ ＣＯＮ膜が
透明樹脂基板１の主成分である炭化水素等の有機化合物
と、透明密着層３を構成する透明無機材料と同系の透明
金属化合物であるＩｎ２Ｏ３，ＩｎＮを含み、両者の中
間的な性質を有しているからである。
ことにより耐剥離性が向上する理由は、Ｉ ＣＯＮ膜が
透明樹脂基板１の主成分である炭化水素等の有機化合物
と、透明密着層３を構成する透明無機材料と同系の透明
金属化合物であるＩｎ２Ｏ３，ＩｎＮを含み、両者の中
間的な性質を有しているからである。
また、本発明者らの実験によれば、ＩＣ０Ｎ膜からなる
透明密着層２はＩＣＯ膜（Ｉｎ２０３とＣ−Ｈ結合の混
合膜）、すなわち透明金属化合物としてＩｎ２０３一種
のみが含まれた膜よりも耐剥離性が高いことが、前述の
サイクル加速試験によって確認された。この理由として
は、Ｉ ＣＯＮ膜はＩＣＯ膜と異なり、Ｉｎ−０，Ｉｎ
−Ｈの結合が網目状に入り組み、その網目構造にＣ−Ｈ
結合が入り込む構造をなすためであり、これによって透
明樹脂基板１に対しても第１の透明保護層３に対しても
高い耐剥離性を示すものと考えられる。
透明密着層２はＩＣＯ膜（Ｉｎ２０３とＣ−Ｈ結合の混
合膜）、すなわち透明金属化合物としてＩｎ２０３一種
のみが含まれた膜よりも耐剥離性が高いことが、前述の
サイクル加速試験によって確認された。この理由として
は、Ｉ ＣＯＮ膜はＩＣＯ膜と異なり、Ｉｎ−０，Ｉｎ
−Ｈの結合が網目状に入り組み、その網目構造にＣ−Ｈ
結合が入り込む構造をなすためであり、これによって透
明樹脂基板１に対しても第１の透明保護層３に対しても
高い耐剥離性を示すものと考えられる。
Ｉｎの化合物に限らず、２種以上の透明金属化合物を有
機化合物と共に透明密着層２に用いれば、透明密着層２
内の結合状態が３次元的な網目状となるので、金属化合
物が単一種類の場合より耐剥雌性が向上するものと考え
られる。その場合、２種類以上の金属化合物はＩ ＣＯ
Ｎ膜のような同種の金属元素の化合物でもよいし、異種
の金属元素の化合物でもよい。
機化合物と共に透明密着層２に用いれば、透明密着層２
内の結合状態が３次元的な網目状となるので、金属化合
物が単一種類の場合より耐剥雌性が向上するものと考え
られる。その場合、２種類以上の金属化合物はＩ ＣＯ
Ｎ膜のような同種の金属元素の化合物でもよいし、異種
の金属元素の化合物でもよい。
〈実施例２〉
実施例１と同様の工程を用い、スパッタ用混合ガス組成
を種々変化させてＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層２を形
成した光ディスクを作成した。スパッタ用混合ガスの組
成は、ＣＨ４１０２−２５／７５と一定にして、Ｎ ２
／ （ＣＨ４＋ ０２ ＋ Ｎ ２ ）を ＬＯＯ／
０〜Ｏ／１００に変化させた。また、スパッタ用混合
ガス総流量は最大６０８ＣＣＭとし、Ｉ ＣＯＮ膜の膜
厚は放電時間を変化させて１０００人に揃えた。
を種々変化させてＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層２を形
成した光ディスクを作成した。スパッタ用混合ガスの組
成は、ＣＨ４１０２−２５／７５と一定にして、Ｎ ２
／ （ＣＨ４＋ ０２ ＋ Ｎ ２ ）を ＬＯＯ／
０〜Ｏ／１００に変化させた。また、スパッタ用混合
ガス総流量は最大６０８ＣＣＭとし、Ｉ ＣＯＮ膜の膜
厚は放電時間を変化させて１０００人に揃えた。
このようにして作成したＩＣ０Ｎ膜を透明密着層２とし
た光ディスクについて、レーザビーム波長での光透過率
を評価した結果を第３図（ｂ）に示す。第３図（ｂ）か
らＣＨ４１０２−２５／７５一定で、Ｎ２ ／ （ＣＨ
４＋ ０２＋ Ｎ２ ） −０，２〜０．４の組成のス
パッタ用混合ガスを用いてＩ ＣＯＮ膜を形成したもの
は、層２〜６の剥離は全く認められなかった。なお、Ｃ
Ｈ４／ ０２−７５／ ２５一定で、Ｎ２ ／ （ＣＨ
４＋０２ ＋Ｎ２ ） −０〜１００の組成のスパッタ
用混合ガスを用いた場合は、第３図（ｅ）に示すように
十分に透明なＩ ＣＯＮ膜は得られなかった。
た光ディスクについて、レーザビーム波長での光透過率
を評価した結果を第３図（ｂ）に示す。第３図（ｂ）か
らＣＨ４１０２−２５／７５一定で、Ｎ２ ／ （ＣＨ
４＋ ０２＋ Ｎ２ ） −０，２〜０．４の組成のス
パッタ用混合ガスを用いてＩ ＣＯＮ膜を形成したもの
は、層２〜６の剥離は全く認められなかった。なお、Ｃ
Ｈ４／ ０２−７５／ ２５一定で、Ｎ２ ／ （ＣＨ
４＋０２ ＋Ｎ２ ） −０〜１００の組成のスパッタ
用混合ガスを用いた場合は、第３図（ｅ）に示すように
十分に透明なＩ ＣＯＮ膜は得られなかった。
〈実施例３〉
実施例１，２と同様の工程を用い、スパッタ用混合ガス
組成を種々変化させてＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層２
を形成した光ディスクを作成した。
組成を種々変化させてＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層２
を形成した光ディスクを作成した。
スパッタ用混合ガスの組成は、ＣＨ４１０２−２５７１
５、５０１５０，２５／７５と一定にして、Ｎ２／（Ｃ
Ｈ４＋ｏ２＋Ｎ２ ）を０〜ｉｏｏに変化させた。
５、５０１５０，２５／７５と一定にして、Ｎ２／（Ｃ
Ｈ４＋ｏ２＋Ｎ２ ）を０〜ｉｏｏに変化させた。
また、スパッタ用混合ガス総流量は最大ＢＯ８ＣＣＭと
し、ＩＣ０Ｎ膜の膜厚は放電時間を変化させて１０００
人（こ揃えた。
し、ＩＣ０Ｎ膜の膜厚は放電時間を変化させて１０００
人（こ揃えた。
このようにしてＩＣ０Ｎ膜を透明密着層として形成した
光ディスクについて、レーザビーム波長での光透過率を
評価した結果を第４図（ａ）〜（Ｃ）に示す。第４図か
ら、全く剥離を生じないＩ ＣＯＮ膜を成膜したときの
スパッタ用混合ガスの組成は、ＣＨ４／Ｎ２−２５／７
５のとき（ＣＨ４十Ｎ ２ ） ／ ０２ ＝ ９０／
１０〜４０／ ８０、ＣＨ４／Ｎ２−５０／ ５０の
とき（ＣＨ４／Ｎ２ ）１０２−８０／２０〜４０／
６０、ＣＨ４／Ｎ２−７５／２５のとき（ＣＨ４十Ｎ２
） １０２−５５／４５〜４０／ ６０であった。
光ディスクについて、レーザビーム波長での光透過率を
評価した結果を第４図（ａ）〜（Ｃ）に示す。第４図か
ら、全く剥離を生じないＩ ＣＯＮ膜を成膜したときの
スパッタ用混合ガスの組成は、ＣＨ４／Ｎ２−２５／７
５のとき（ＣＨ４十Ｎ ２ ） ／ ０２ ＝ ９０／
１０〜４０／ ８０、ＣＨ４／Ｎ２−５０／ ５０の
とき（ＣＨ４／Ｎ２ ）１０２−８０／２０〜４０／
６０、ＣＨ４／Ｎ２−７５／２５のとき（ＣＨ４十Ｎ２
） １０２−５５／４５〜４０／ ６０であった。
〈実施例４〉
実施例１〜３と同様の工程を用い、スパッタ用混合ガス
組成を種々変化させてＩ ＣＯＮ膜からなる透明密着層
２を形成した光ディスクを作成した。
組成を種々変化させてＩ ＣＯＮ膜からなる透明密着層
２を形成した光ディスクを作成した。
スパッタ用混合ガスの組成は、Ｎ２１０２を２５／７５
、５０１５０および２５／ ７５と一定にして、（Ｎ２
＋０２）／Ｎ２を１００／ ０〜０／ １００に変化さ
せた。
、５０１５０および２５／ ７５と一定にして、（Ｎ２
＋０２）／Ｎ２を１００／ ０〜０／ １００に変化さ
せた。
また、スパッタ用混合ガス総流量は最大６０８ＣＣＭと
し、Ｉ ＣＯＮ膜の膜厚は放電時間を変化させて１００
０人に揃えた。
し、Ｉ ＣＯＮ膜の膜厚は放電時間を変化させて１００
０人に揃えた。
このようにしてＩ ＣＯＮ膜を透明密着層２として形成
した光ディスクについて、レーザビーム波長での光透過
率を評価した結果を第５図（ａ）〜（Ｃ）に示す。第５
図から、全く剥離を生じないＩＣ０Ｎ膜を成膜したとき
のスパッタ用混合ガスの組成は、Ｎ２ ／ ０２−２５
／７５のとき（Ｎ２十ｏ２） ／ＣＨ４−６０／４０〜
８０／ ２０、Ｎ２１０２−５０／ ５０のとき（Ｎ２
＋０２ ） ／ ＣＨ４−６０／４０〜９０／ １０
、Ｎ２１０２−７５／２５のとき（Ｎ２＋０２）／ＣＨ
４−６０／４０〜９０／ １０であった。
した光ディスクについて、レーザビーム波長での光透過
率を評価した結果を第５図（ａ）〜（Ｃ）に示す。第５
図から、全く剥離を生じないＩＣ０Ｎ膜を成膜したとき
のスパッタ用混合ガスの組成は、Ｎ２ ／ ０２−２５
／７５のとき（Ｎ２十ｏ２） ／ＣＨ４−６０／４０〜
８０／ ２０、Ｎ２１０２−５０／ ５０のとき（Ｎ２
＋０２ ） ／ ＣＨ４−６０／４０〜９０／ １０
、Ｎ２１０２−７５／２５のとき（Ｎ２＋０２）／ＣＨ
４−６０／４０〜９０／ １０であった。
以上の実施例１〜４より、剥離の生じないＩ ＣＯＮ膜
からなる透明密着層２を形成するためには、スパッタ用
混合ガスとして、以下の第１表〜第３表に示す３条件を
満たす組成のガスを使用すればよい。
からなる透明密着層２を形成するためには、スパッタ用
混合ガスとして、以下の第１表〜第３表に示す３条件を
満たす組成のガスを使用すればよい。
第１表
第２表
第３表
以上の３つの条件を図示すると、第６図のようになる。
すなわち、スパッタ用混合ガスの総量に対するＣＨ４の
体積比が１０〜４０％、０２の体積比が１０〜６０％、
Ｎ２の体積比が１０〜８０％の組成領域の混合ガス中で
Ｉｎターゲットを用いて反応性スパッタリングを行なっ
て得られたＩ ＣＯＮ膜は十分に透明で、かつ透明樹脂
基板に対する密着性が良好であり、透明密着層として有
効であることが判明した。尚、基板材料がポリカーボネ
イトとポリオレフィンの場合は、特に上記した組成領域
の混合ガスがスパッタ用ガスとして有効であった。
体積比が１０〜４０％、０２の体積比が１０〜６０％、
Ｎ２の体積比が１０〜８０％の組成領域の混合ガス中で
Ｉｎターゲットを用いて反応性スパッタリングを行なっ
て得られたＩ ＣＯＮ膜は十分に透明で、かつ透明樹脂
基板に対する密着性が良好であり、透明密着層として有
効であることが判明した。尚、基板材料がポリカーボネ
イトとポリオレフィンの場合は、特に上記した組成領域
の混合ガスがスパッタ用ガスとして有効であった。
実施例１〜４ではＩＣ０Ｎ膜からなる透明密着層を反応
性スパッタリング法により形成したが、活性化蒸着法に
よっても形成できる。
性スパッタリング法により形成したが、活性化蒸着法に
よっても形成できる。
第７図は活性化蒸着装置の構成例を示す図であり、蒸着
室３１内の上方に基板ホルダ３２が設けられ、この基板
ホルダ３２の下面に透明樹脂基板１が保持されている。
室３１内の上方に基板ホルダ３２が設けられ、この基板
ホルダ３２の下面に透明樹脂基板１が保持されている。
蒸着室３１内の下方に基板ホルダ３２と対向して電気抵
抗材料からなるボート３３が設置され、このボート３３
上に蒸着源３４が乗せられている。基板ホルダ３２とボ
ート３３との間にコイル３５が配置されている。ボート
３３およびコイル３５は、蒸着室３１の外部に設けられ
た加熱用電源３６およびＲＦ電源３７にそれぞれ接続さ
れている。蒸着室３１にはガス供給系３８および排気系
３９が接続されている。
抗材料からなるボート３３が設置され、このボート３３
上に蒸着源３４が乗せられている。基板ホルダ３２とボ
ート３３との間にコイル３５が配置されている。ボート
３３およびコイル３５は、蒸着室３１の外部に設けられ
た加熱用電源３６およびＲＦ電源３７にそれぞれ接続さ
れている。蒸着室３１にはガス供給系３８および排気系
３９が接続されている。
〈実施例５〉
第７図に示した活性化蒸着装置を用いて、第１図の構造
の光ディスクを以下の手順で作成した。
の光ディスクを以下の手順で作成した。
まず、透明樹脂基板１として１２０ｕφ、 １．２１
！１ｔの案内溝付ポリメチルメタクリレ−、ト基板を用
意した。これを実施例１と同様にして洗浄、乾燥した後
、基板ホルダ３２にねじ止めした。この状態で排気系３
９を作動させて蒸着室３１内を５×１０−６Ｔｏｒｒま
で排気した後、ガス供給系３８よりＣＨ４ガスを１０Ｓ
ＣＣＭと、０２ガスを１０８００Ｍと、Ｎ２ガスを１０
８００Ｍ供給した。次いで、ＲＦ電源３７をオンにして
コイル３５に２００ＷのＲＦパワーを供給し、蒸着室３
１内のＣＨ４−０□−Ｎ２混合ガスプラズマを励起した
後、加熱用電源３６をオンにしてボート３３を加熱し、
蒸着源３４としてのＩｎボールを蒸発させて基板１上に
透明密着層２としてのＩ ＣＯＮ膜を形成した。
！１ｔの案内溝付ポリメチルメタクリレ−、ト基板を用
意した。これを実施例１と同様にして洗浄、乾燥した後
、基板ホルダ３２にねじ止めした。この状態で排気系３
９を作動させて蒸着室３１内を５×１０−６Ｔｏｒｒま
で排気した後、ガス供給系３８よりＣＨ４ガスを１０Ｓ
ＣＣＭと、０２ガスを１０８００Ｍと、Ｎ２ガスを１０
８００Ｍ供給した。次いで、ＲＦ電源３７をオンにして
コイル３５に２００ＷのＲＦパワーを供給し、蒸着室３
１内のＣＨ４−０□−Ｎ２混合ガスプラズマを励起した
後、加熱用電源３６をオンにしてボート３３を加熱し、
蒸着源３４としてのＩｎボールを蒸発させて基板１上に
透明密着層２としてのＩ ＣＯＮ膜を形成した。
次に、第２図に示したスパッタリング装置によって実施
例１と同様に、Ｓｉ３’Ｎ４膜からなる第１の透明保護
層３、ＴｂＣｏ膜からなる記録層４、Ｓｉ３Ｎ４膜から
なる第２の透明保護層５およびＡノ膜からなる光反射層
６を順次形成して光ディスクを作成した。この光ディス
クを実施例１で述べたと同様の加速劣化試験に供したと
ころ、層２〜６の剥離は認められず、案内溝の形状の劣
化も認められなかった。
例１と同様に、Ｓｉ３’Ｎ４膜からなる第１の透明保護
層３、ＴｂＣｏ膜からなる記録層４、Ｓｉ３Ｎ４膜から
なる第２の透明保護層５およびＡノ膜からなる光反射層
６を順次形成して光ディスクを作成した。この光ディス
クを実施例１で述べたと同様の加速劣化試験に供したと
ころ、層２〜６の剥離は認められず、案内溝の形状の劣
化も認められなかった。
〈実施例６〉
透明密着層２としてＴｅＯｘと有機物を含有する膜を第
２図のスパッタリング装置を用いて、以下の手順で形成
した。まず、スパッタ室１１内を排気系１９によって５
Ｘ１０″″６Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス供給系１５
によってＣＨ４ガスを６９ＣＣＭ、０２を２４ ？；Ｃ
ＣＭ混合してスパッタ室１１内に供給し、全ガス圧力を
５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒとした。
２図のスパッタリング装置を用いて、以下の手順で形成
した。まず、スパッタ室１１内を排気系１９によって５
Ｘ１０″″６Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス供給系１５
によってＣＨ４ガスを６９ＣＣＭ、０２を２４ ？；Ｃ
ＣＭ混合してスパッタ室１１内に供給し、全ガス圧力を
５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒとした。
次に、スパッタ用電源１８から３００ＷのＲＦパワーを
Ｔｅターゲットが収容されているスパッタ源１５に印加
し、５分間のプリスパッタの後、該スパッタ源１５の前
面にあるシャッタ１６を開き、基板ホルダ１２に保持さ
れている基板１上に１ｏ分間にわたり成膜を行なって透
明密着層２を形成した後、基板１を取出した。この工程
により炭化水素（鎖状炭化水素）とテルル酸化物（Ｔｅ
Ｏｘ）を含有した１０００人厚の透明密着層２が形成さ
れた。
Ｔｅターゲットが収容されているスパッタ源１５に印加
し、５分間のプリスパッタの後、該スパッタ源１５の前
面にあるシャッタ１６を開き、基板ホルダ１２に保持さ
れている基板１上に１ｏ分間にわたり成膜を行なって透
明密着層２を形成した後、基板１を取出した。この工程
により炭化水素（鎖状炭化水素）とテルル酸化物（Ｔｅ
Ｏｘ）を含有した１０００人厚の透明密着層２が形成さ
れた。
スパッタリング用混合ガスとしては、透明度が高く、か
つ透明樹脂基板１および第１の透明保護層３のいずれに
対しても密着性に優れた透明密着層２を形成する上で、
０２の混合比がスパッタ用混合ガスの総量に対する体積
比で７０％以上であることが望ましい。
つ透明樹脂基板１および第１の透明保護層３のいずれに
対しても密着性に優れた透明密着層２を形成する上で、
０２の混合比がスパッタ用混合ガスの総量に対する体積
比で７０％以上であることが望ましい。
次に、この透明密着層２の形成された基板１を第２図に
示した四元マグネトロンスパッタ装置に設置して、第１
の透明保護層３として５００人厚Ｏ３ｉＮ膜を透明密着
層２上に形成し、次いでスパッタエツチング処理を施し
て第１の透明保護層３の表面を清浄化した後に、記録層
４として２５０人のＴｂＣｏ膜を形成し、さらに第２の
透明保護層５として１０００人のＳｉＮ膜を、また光反
射層６として５００人のＡノ膜を順次形成して、第１図
に示した構造の光ディスクを得た。
示した四元マグネトロンスパッタ装置に設置して、第１
の透明保護層３として５００人厚Ｏ３ｉＮ膜を透明密着
層２上に形成し、次いでスパッタエツチング処理を施し
て第１の透明保護層３の表面を清浄化した後に、記録層
４として２５０人のＴｂＣｏ膜を形成し、さらに第２の
透明保護層５として１０００人のＳｉＮ膜を、また光反
射層６として５００人のＡノ膜を順次形成して、第１図
に示した構造の光ディスクを得た。
この光ディスクを光磁気記録再生装置に設置し、ディス
ク回転速度１２０Ｏｒｐｍ、記録周波数１．ｌＩＭＨｚ
（パルス幅４５０ｎｓｅｃ） 、記録パワー５ｍＷ、記
録磁界５０００ ｅの条件で記録ビットを形成し、再生
Ｃ／Ｎおよびジッタを測定した結果、再生Ｃ／Ｎ’＝ｉ
５２ｄＢ、２次高調波１５ｄＢ以下、ジッタ幅１０ ｎ
５ｅｃ以下の、ディスクメモリとして実用に供し得る値
を得た。
ク回転速度１２０Ｏｒｐｍ、記録周波数１．ｌＩＭＨｚ
（パルス幅４５０ｎｓｅｃ） 、記録パワー５ｍＷ、記
録磁界５０００ ｅの条件で記録ビットを形成し、再生
Ｃ／Ｎおよびジッタを測定した結果、再生Ｃ／Ｎ’＝ｉ
５２ｄＢ、２次高調波１５ｄＢ以下、ジッタ幅１０ ｎ
５ｅｃ以下の、ディスクメモリとして実用に供し得る値
を得た。
次に、この記録ビット形成後の光ディスクを６５”Ｃ−
９５％Ｒ，Ｉ１．３ Ｈｒｓ、＋ −＊ ２５℃−９５
％Ｒ，Ｈ，２Ｈｒｓ、の繰返し加速劣化環境下に１０サ
イクルにわたり放置した後、再び再生Ｃ／Ｎ、 ジッダ
を測定したところ、加速劣化試験前と有意差は認められ
なかった。また、ディスクの表面状態も加速劣化試験前
後で有意差はなく、肉眼では案内溝表面は虹状の鏡面を
維持しており、顕微鏡観察でもゴミの点在以外に異状は
全く認められなかった。
９５％Ｒ，Ｉ１．３ Ｈｒｓ、＋ −＊ ２５℃−９５
％Ｒ，Ｈ，２Ｈｒｓ、の繰返し加速劣化環境下に１０サ
イクルにわたり放置した後、再び再生Ｃ／Ｎ、 ジッダ
を測定したところ、加速劣化試験前と有意差は認められ
なかった。また、ディスクの表面状態も加速劣化試験前
後で有意差はなく、肉眼では案内溝表面は虹状の鏡面を
維持しており、顕微鏡観察でもゴミの点在以外に異状は
全く認められなかった。
一方、比較例■として第１図における透明密着層２のな
い光ディスクを同様の工程で作製しく但し、第１の透明
保護層３の厚さは１５００人とした）、同様の評価を行
なったところ、加速劣化試験前は上記した本発明に基づ
く光ディスクと同じ再生Ｃ／Ｎ、 ジッタが得られた
が、加速劣化試験を経ると透明保護層３が基板１から剥
離して、ノイズレベルが著しく上昇し、再生Ｃ／Ｎは測
定不可能となった。
い光ディスクを同様の工程で作製しく但し、第１の透明
保護層３の厚さは１５００人とした）、同様の評価を行
なったところ、加速劣化試験前は上記した本発明に基づ
く光ディスクと同じ再生Ｃ／Ｎ、 ジッタが得られた
が、加速劣化試験を経ると透明保護層３が基板１から剥
離して、ノイズレベルが著しく上昇し、再生Ｃ／Ｎは測
定不可能となった。
また、比較例■として第１図における透明保護層３のな
い光ディスクを作製しく但し、透明密着層２の膜厚は１
５００人とし、記録層４の形成に先立ちスパッタエツチ
ング処理を施した）、同様の評価を行なったところ、加
速劣化試験前の再生Ｃ／Ｎは４５ｄＢと低く、また加速
劣化試験後は膜の剥離は起こらなかったが、再生が不可
能となった。
い光ディスクを作製しく但し、透明密着層２の膜厚は１
５００人とし、記録層４の形成に先立ちスパッタエツチ
ング処理を施した）、同様の評価を行なったところ、加
速劣化試験前の再生Ｃ／Ｎは４５ｄＢと低く、また加速
劣化試験後は膜の剥離は起こらなかったが、再生が不可
能となった。
また、この光ディスクについて基板側からＨｅ−Ｎｅレ
ーザからのレーザビームを照射して加速劣化試験前後の
常温下におけるカーヒステリシス特性を静的に測定した
ところ、加速劣化試験前でもカーヒステリシスループの
角形形状の悪い垂直磁化膜であり、試験後にいたっては
面内磁化膜となっていることが確認された。これはＴｅ
Ｏｘと炭化水素を含む透明密着層２は、スパッタエツチ
ング処理を施しても未結合の溶存酸素が取除かれないた
めに記録層４の一部を酸化させてしまい、加速劣化試験
によりその酸化が進行してしまうためと考えられる。こ
の比較例■の評価結果から、透明密着層２は第１図に示
したように透明樹脂基板１上に、記録層４との間に透明
保護層３を介在させた形で設けられることが望ましいこ
とがわかる。
ーザからのレーザビームを照射して加速劣化試験前後の
常温下におけるカーヒステリシス特性を静的に測定した
ところ、加速劣化試験前でもカーヒステリシスループの
角形形状の悪い垂直磁化膜であり、試験後にいたっては
面内磁化膜となっていることが確認された。これはＴｅ
Ｏｘと炭化水素を含む透明密着層２は、スパッタエツチ
ング処理を施しても未結合の溶存酸素が取除かれないた
めに記録層４の一部を酸化させてしまい、加速劣化試験
によりその酸化が進行してしまうためと考えられる。こ
の比較例■の評価結果から、透明密着層２は第１図に示
したように透明樹脂基板１上に、記録層４との間に透明
保護層３を介在させた形で設けられることが望ましいこ
とがわかる。
さらに、比較例■として炭化水素のみを含む密着層を形
成して、第１図と同様の構造の光ディスクを作成した。
成して、第１図と同様の構造の光ディスクを作成した。
この炭化水素のみからなる密着層の形成は、Ｃ２Ｈ４ガ
スを用いたプラズマ重合法によって行なった。この比較
例■の光ディスクの作成直後のＣ／Ｎを実施例６で述べ
たと同様に評価したところ４６ｄＢであり、実施例６に
よる光ディスクのそれより低かった。これは炭化水素の
みからなる密着層の透明度が十分でなく、光ディスクの
光反射率Ｒが低いためである。
スを用いたプラズマ重合法によって行なった。この比較
例■の光ディスクの作成直後のＣ／Ｎを実施例６で述べ
たと同様に評価したところ４６ｄＢであり、実施例６に
よる光ディスクのそれより低かった。これは炭化水素の
みからなる密着層の透明度が十分でなく、光ディスクの
光反射率Ｒが低いためである。
また、比較例層の先ディスクについてサイクリックな加
速劣化テストを行なったところ、剥離が発生し″′Ｃ，
Ｃ／Ｎ評価が不可能となった。剥離個所をテープでピー
ルオフした結果、透明樹脂基板上に茶褐色のＣ−Ｈのみ
からなる密着層が残っていたので、剥離は密着層と第１
の透明保護層との間で発生していることが確認された。
速劣化テストを行なったところ、剥離が発生し″′Ｃ，
Ｃ／Ｎ評価が不可能となった。剥離個所をテープでピー
ルオフした結果、透明樹脂基板上に茶褐色のＣ−Ｈのみ
からなる密着層が残っていたので、剥離は密着層と第１
の透明保護層との間で発生していることが確認された。
これらの結果より、密着層としては十分な透明度を有し
、かつ透明保護層との密着性を得るために、本発明のよ
うに有機化合物のみならず透明金属化合物をも含んでい
ることが必要であることがわかる。
、かつ透明保護層との密着性を得るために、本発明のよ
うに有機化合物のみならず透明金属化合物をも含んでい
ることが必要であることがわかる。
本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、次
のように種々変形して実施することができる。例えば実
施例では記録層としてＴｂＣｏ膜を用いたが、記録層と
してはＴｂＣｏ膜以外のＧｄＣｏ膜、ＴｂＦｅ１ｌ、Ｔ
ｂＣｏＦｅ膜等の全てのＲＥ−７Ｍ膜を使用でき、また
ＲＥ−ＴＭ膜膜外外、例えばＴｅ、Ｓｅを中心とするカ
ルコゲン膜等の金属系記録層や、Ｉ ｎＳｂを主体とす
る半導体的膜、低級酸化物等の膜、あるいは結晶構造の
変化を利用するＡｇ−Ｚｎ膜、ＡノーＣｕ膜等の色調変
化膜等、樹脂基板との密着性に劣る記録層全てについて
有効であり、特にそれ自体では耐環境性に劣るＲＥ−７
Ｍ膜のような金属系の記録層の場合、より効果が大きい
。
のように種々変形して実施することができる。例えば実
施例では記録層としてＴｂＣｏ膜を用いたが、記録層と
してはＴｂＣｏ膜以外のＧｄＣｏ膜、ＴｂＦｅ１ｌ、Ｔ
ｂＣｏＦｅ膜等の全てのＲＥ−７Ｍ膜を使用でき、また
ＲＥ−ＴＭ膜膜外外、例えばＴｅ、Ｓｅを中心とするカ
ルコゲン膜等の金属系記録層や、Ｉ ｎＳｂを主体とす
る半導体的膜、低級酸化物等の膜、あるいは結晶構造の
変化を利用するＡｇ−Ｚｎ膜、ＡノーＣｕ膜等の色調変
化膜等、樹脂基板との密着性に劣る記録層全てについて
有効であり、特にそれ自体では耐環境性に劣るＲＥ−７
Ｍ膜のような金属系の記録層の場合、より効果が大きい
。
また、以上の実施例では透明密着層に含まれる透明金属
化合物として、Ｉｎ２Ｏ３とＩｎＮおよびＴｅＯｘを挙
げたが、前述したようにＩｎ。
化合物として、Ｉｎ２Ｏ３とＩｎＮおよびＴｅＯｘを挙
げたが、前述したようにＩｎ。
Ｔｅ、ＡＩ、Ｓｔ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｎ等の酸化物
、Ｉｎ、ＡＩ、Ｓｔ、Ｇｅ、Ｂ等の窒化物、Ｍｇ、Ｃａ
等の弗化物、Ｚｎ等の硫化物の少なくとも一種を、透明
密着層に含まれる透明金属化合物として用いることがで
きる。反応性スパッタリング法または活性化蒸着法によ
りＩｎ、Ｔｅ。
、Ｉｎ、ＡＩ、Ｓｔ、Ｇｅ、Ｂ等の窒化物、Ｍｇ、Ｃａ
等の弗化物、Ｚｎ等の硫化物の少なくとも一種を、透明
密着層に含まれる透明金属化合物として用いることがで
きる。反応性スパッタリング法または活性化蒸着法によ
りＩｎ、Ｔｅ。
ＡＩ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｎ等の酸化物を含む
透明密着層を形成するには０２を含む混合ガスを用い、
Ｉｎ、ＡＩ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ等の窒化物を含む透明密着
層を形成するにはＮ２を含む混合ガスを用い、またＺｎ
の硫化物を含む透明密着層を形成するにはＨ２Ｓを含む
混合ガスを用いればよい。また、Ｍｇ、Ｃａ等の弗化物
を形成するには、ＭｇＦ２．ＣａＦ２からなるスパッタ
源または蒸着源を用いればよい。
透明密着層を形成するには０２を含む混合ガスを用い、
Ｉｎ、ＡＩ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ等の窒化物を含む透明密着
層を形成するにはＮ２を含む混合ガスを用い、またＺｎ
の硫化物を含む透明密着層を形成するにはＨ２Ｓを含む
混合ガスを用いればよい。また、Ｍｇ、Ｃａ等の弗化物
を形成するには、ＭｇＦ２．ＣａＦ２からなるスパッタ
源または蒸着源を用いればよい。
さらに、本発明における透明密着層は膜厚方向に均一の
組成を有している必要はなく、例えば透明樹脂基板に近
い側では有機化合物、の含有比が相対的に大きく、透明
保護層に近い側では透明金属酸化物の含を比が相対的に
大きい組成を有するものであってもよい。このようにす
ると、透明密着層と透明樹脂基板および透明保護層との
密着性をより効果的に高めることができる。
組成を有している必要はなく、例えば透明樹脂基板に近
い側では有機化合物、の含有比が相対的に大きく、透明
保護層に近い側では透明金属酸化物の含を比が相対的に
大きい組成を有するものであってもよい。このようにす
ると、透明密着層と透明樹脂基板および透明保護層との
密着性をより効果的に高めることができる。
［発明の効果］
本発明による光記録媒体は、樹脂材料を構成する炭化水
素等の有機化合物と、熱膨張率が透明保護層を構成する
無機透明材料のそれと近い金属酸化物とを含有した透明
密着層を備えていることにより、経年変化によって剥離
が生じることがなく信頼性の高い光記録媒体を提供する
ことができる。
素等の有機化合物と、熱膨張率が透明保護層を構成する
無機透明材料のそれと近い金属酸化物とを含有した透明
密着層を備えていることにより、経年変化によって剥離
が生じることがなく信頼性の高い光記録媒体を提供する
ことができる。
また、本発明によれば透明保護層によって記録層の酸化
を防止できるので、記録層がＲＥ−７Ｍ膜のような耐酸
化性に劣る金属系材料によって構成されている場合でも
、媒体としての寿命を飛躍的に向上させることができる
。
を防止できるので、記録層がＲＥ−７Ｍ膜のような耐酸
化性に劣る金属系材料によって構成されている場合でも
、媒体としての寿命を飛躍的に向上させることができる
。
さらに、本発明によれば金属ターゲットまたは金属蒸着
源を用い、その金属と反応するガス及び有機化合物ガス
を含む混合ガス中で反応性スパッタリング法または活性
化蒸着法により上記した透明密着層を成膜することによ
り、耐剥離性の優れた光記録媒体を量産性よく製造する
ことができる。
源を用い、その金属と反応するガス及び有機化合物ガス
を含む混合ガス中で反応性スパッタリング法または活性
化蒸着法により上記した透明密着層を成膜することによ
り、耐剥離性の優れた光記録媒体を量産性よく製造する
ことができる。
第１図は本発明の一実施例に係る光ディスクの断面図、
第２図は本発明に係る光ディスクの製造に使用したスパ
ッタリング装置の概略構成図、第３図〜第５図は本発明
に係る光ディスクの製造方法におけるスパッタ用混合ガ
スの組成と透明密着層の光透過率との関係を評価した結
果を示す図、第６図は同スパッタ用混合ガスの好ましい
組成範囲を示す図、第７図は本発明に係る光ディスクの
製造に使用する活性化蒸着装置の概略構成図である。 １・・・透明樹脂基板、２・・・透明密着層、３・・・
第１の透明保護層、４・・・記録層、５・・・第２の透
明保護層（干渉層）、６・・・光反射層、１１・・・ス
パッタ室、１２・・・基板ホルダ、１３・・・回転治具
、１４・・・ＲＦ電源、１５・・・スパッタ源、１６・
・・シャッタ、１７・・・シールド部材、１８・・・ス
パッタ用電源、１９・・・ガス供給系、２０・・・排気
系、２１・・・基板設置用治具、３１・・・蒸着室、３
２・・・基板ホルダ、３３・・・ボート、３４・・・蒸
着源、３５・・・コイル、３６・・・加熱用電源、３７
・・・ＲＦ電源、３８・・・ガス供給系、３９・・・排
気系。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 Ｎ２／（Ｎ２φ（ＣＨ４＊０２）） Ｎ２／（Ｎ２＋（Ｃ８４＋０２）） ？ Ｎ２／（Ｎ２争（ＣＩ−１４＋０２）ｌ亀３ 図 ＣＨ’／（Ｃ８４争（Ｎ２◆０２）ｌ ＣＨ４／（Ｃ８４令（Ｎ２φ０２）） 筆６ 図 １１７図
第２図は本発明に係る光ディスクの製造に使用したスパ
ッタリング装置の概略構成図、第３図〜第５図は本発明
に係る光ディスクの製造方法におけるスパッタ用混合ガ
スの組成と透明密着層の光透過率との関係を評価した結
果を示す図、第６図は同スパッタ用混合ガスの好ましい
組成範囲を示す図、第７図は本発明に係る光ディスクの
製造に使用する活性化蒸着装置の概略構成図である。 １・・・透明樹脂基板、２・・・透明密着層、３・・・
第１の透明保護層、４・・・記録層、５・・・第２の透
明保護層（干渉層）、６・・・光反射層、１１・・・ス
パッタ室、１２・・・基板ホルダ、１３・・・回転治具
、１４・・・ＲＦ電源、１５・・・スパッタ源、１６・
・・シャッタ、１７・・・シールド部材、１８・・・ス
パッタ用電源、１９・・・ガス供給系、２０・・・排気
系、２１・・・基板設置用治具、３１・・・蒸着室、３
２・・・基板ホルダ、３３・・・ボート、３４・・・蒸
着源、３５・・・コイル、３６・・・加熱用電源、３７
・・・ＲＦ電源、３８・・・ガス供給系、３９・・・排
気系。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 Ｎ２／（Ｎ２φ（ＣＨ４＊０２）） Ｎ２／（Ｎ２＋（Ｃ８４＋０２）） ？ Ｎ２／（Ｎ２争（ＣＩ−１４＋０２）ｌ亀３ 図 ＣＨ’／（Ｃ８４争（Ｎ２◆０２）ｌ ＣＨ４／（Ｃ８４令（Ｎ２φ０２）） 筆６ 図 １１７図
Claims (10)
- （１）透明樹脂基板上に、透明金属化合物と有機化合物
を含有する透明密着層、透明無機材料からなる透明保護
層及び記録層を順次積層してなることを特徴とする光記
録媒体。 - （２）透明密着層は、複数種の透明金属化合物を含有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録
媒体。 - （３）透明金属化合物は、Ｉｎ、Ｔｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｂｉの
群より選択される少なくとも一種の金属の化合物である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の光記録媒体。 - （４）透明密着層は、Ｉｎ＿２Ｏ＿３マトリックス中に
ＩｎＮと有機化合物が分散した層であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - （５）透明密着層は、透明樹脂基板に近い側では有機化
合物の含有比が相対的に大きく、透明保護層に近い側で
は透明金属化合物の含有比が相対的に大きい組成を有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、第
３項または第４項記載の光記録媒体。 - （６）記録層は、希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合
金薄膜からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光記録媒体。 - （７）透明樹脂基板上に、金属ターゲットを用いて該タ
ーゲットの金属と反応する少なくとも一種のガスと有機
化合物ガスを含む混合ガス中で、反応性スパッタリング
法により透明金属化合物と有機化合物を含有する透明密
着層を形成し、この透明密着層上に透明無機材料からな
る透明保護層及び記録層を順次積層することを特徴とす
る光記録媒体の製造方法。 - （８）透明密着層を形成する際に、Ｉｎターゲットを用
い、ＣＨ＿４とＯ＿２及びＮ＿２を含有する混合ガスを
用いることにより、Ｉｎ＿２Ｏ＿３マトリックス中にＩ
ｎＮと有機化合物が分散した層を形成することを特徴と
する特許請求の範囲第７項記載の光記録媒体の製造方法
。 - （９）混合ガスの総量に対するＣＨ＿４の体積比が１０
〜４０％、Ｏ＿２の体積比が１０〜６０％、Ｎ＿２の体
積比が１０〜８０％であることを特徴とする特許請求の
範囲第８項記載の光記録媒体の製造方法。 - （１０）透明樹脂基板上に、金属蒸着源を用いて該蒸着
源の金属と反応する少なくとも一種のガスと有機化合物
ガスを含む混合ガス中で、活性化蒸着法により透明金属
化合物と有機化合物を含有する透明密着層を形成し、こ
の透明密着層上に透明無機材料からなる透明保護層及び
記録層を順次積層することを特徴とする光記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP87309393A EP0269252B1 (en) | 1986-10-25 | 1987-10-23 | Optical recording medium and method of manufacturing the same |
| DE87309393T DE3788505T2 (de) | 1986-10-25 | 1987-10-23 | Optisches Aufzeichnungsmedium und sein Herstellungsverfahren. |
| KR1019870011896A KR910003461B1 (ko) | 1986-10-25 | 1987-10-24 | 광학 기록 매체와 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-254276 | 1986-10-25 | ||
| JP25427686 | 1986-10-25 | ||
| JP61-265456 | 1986-11-10 | ||
| JP26545686 | 1986-11-10 | ||
| JP61-265457 | 1986-11-10 | ||
| JP26545786 | 1986-11-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239632A true JPS63239632A (ja) | 1988-10-05 |
| JP2525822B2 JP2525822B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=27334312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62181437A Expired - Fee Related JP2525822B2 (ja) | 1986-10-25 | 1987-07-21 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4954841A (ja) |
| JP (1) | JP2525822B2 (ja) |
| KR (1) | KR910003461B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02206587A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-16 | Toray Ind Inc | 光記録媒体 |
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1987
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