JPH06187681A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH06187681A JPH06187681A JP35458992A JP35458992A JPH06187681A JP H06187681 A JPH06187681 A JP H06187681A JP 35458992 A JP35458992 A JP 35458992A JP 35458992 A JP35458992 A JP 35458992A JP H06187681 A JPH06187681 A JP H06187681A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小さい外部磁界で良好な記録・消去が可能な
光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 プリグルーブ付き透明基板１上に干渉層２、
記録層３、保護層４、反射層５を順次形成した構成にお
いて、記録層３に下記一般式化１で表わされるＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ膜であり、かつ膜面に垂直方向に磁化容易軸を
有し室温での保磁力が２〜８（ＫＯｅ）である膜を用い
る。 【化１】 （但し、０＜ｘ≦０．５，０．８≦ｙ＜１．０及び０．
１９≦ｚ＜０．２１である）
光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 プリグルーブ付き透明基板１上に干渉層２、
記録層３、保護層４、反射層５を順次形成した構成にお
いて、記録層３に下記一般式化１で表わされるＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ膜であり、かつ膜面に垂直方向に磁化容易軸を
有し室温での保磁力が２〜８（ＫＯｅ）である膜を用い
る。 【化１】 （但し、０＜ｘ≦０．５，０．８≦ｙ＜１．０及び０．
１９≦ｚ＜０．２１である）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を用いて情報の
記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体に関するものであり、特に低磁界での高Ｃ／Ｎ化を
目的とした光磁気記録媒体に関する。
記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体に関するものであり、特に低磁界での高Ｃ／Ｎ化を
目的とした光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光磁気
ディスクはレーザ光を用いて情報の記録、再生及び消去
を行うため、従来からの光ディスクと同様に記憶容量が
大きく、しかも記録層に磁性体を用いているため書き換
えが可能である。又非接触で記録、再生が出来、塵埃の
影響も受けないことから信頼性にも優れている。よって
現在研究開発が活発に行われており、又数年前に商品化
されて以来、光ファイルシステムやパソコンの外部記憶
装置等への展開が急速に進んでいる。
ディスクはレーザ光を用いて情報の記録、再生及び消去
を行うため、従来からの光ディスクと同様に記憶容量が
大きく、しかも記録層に磁性体を用いているため書き換
えが可能である。又非接触で記録、再生が出来、塵埃の
影響も受けないことから信頼性にも優れている。よって
現在研究開発が活発に行われており、又数年前に商品化
されて以来、光ファイルシステムやパソコンの外部記憶
装置等への展開が急速に進んでいる。
【０００３】この光磁気記録層（以下記録層と記す）の
材料としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金が、粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いる
ことによって容易に垂直磁化膜が得られることから現在
最も多く用いられている。
材料としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金が、粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いる
ことによって容易に垂直磁化膜が得られることから現在
最も多く用いられている。
【０００４】また、ここで光磁気記録媒体の消去・記録
原理をまず現在一般に採用されている光変調方式につい
て説明する。データの消去は外部から磁界を与えた状態
でレーザ光を連続照射して熱し、外部磁界と同じ方向に
記録層の磁化をそろえる。データの記録は外部磁界を消
去時から反転させた状態にし、データマークを記録する
ところだけレーザ光の出力を大きくして、記録層を熱
し、記録層の磁化を反転させる。
原理をまず現在一般に採用されている光変調方式につい
て説明する。データの消去は外部から磁界を与えた状態
でレーザ光を連続照射して熱し、外部磁界と同じ方向に
記録層の磁化をそろえる。データの記録は外部磁界を消
去時から反転させた状態にし、データマークを記録する
ところだけレーザ光の出力を大きくして、記録層を熱
し、記録層の磁化を反転させる。
【０００５】一方、磁界変調方式は光変調方式とは逆
で、記録時にレーザ光を連続照射した状態にして、デー
タマークを記録するところに記録方向の磁界を印加する
方式で、光変調方式と違ってダイレクトオーバーライト
が可能であるため将来の記録方式として盛んに開発が進
められている。これら外部磁界は大きすぎると光磁気記
録再生装置内の磁界発生部（電磁石）が大きくなってし
まったり、又消費電力が多くなってしまったりする。特
に磁界変調方式の場合、この問題は重要である。よって
外部磁界はなるべく小さい方が良い。しかし現在の光磁
気記録媒体は少なくとも３００（Ｏｅ）以上の磁界を印
加しないと十分なＣ／Ｎが得られていない。
で、記録時にレーザ光を連続照射した状態にして、デー
タマークを記録するところに記録方向の磁界を印加する
方式で、光変調方式と違ってダイレクトオーバーライト
が可能であるため将来の記録方式として盛んに開発が進
められている。これら外部磁界は大きすぎると光磁気記
録再生装置内の磁界発生部（電磁石）が大きくなってし
まったり、又消費電力が多くなってしまったりする。特
に磁界変調方式の場合、この問題は重要である。よって
外部磁界はなるべく小さい方が良い。しかし現在の光磁
気記録媒体は少なくとも３００（Ｏｅ）以上の磁界を印
加しないと十分なＣ／Ｎが得られていない。
【０００６】本発明はこのような従来の光磁気記録媒体
の欠点を解消するためになされたもので、外部磁界が小
さくても良好な記録・消去が可能な光磁気記録媒体を提
供することを目的とする。
の欠点を解消するためになされたもので、外部磁界が小
さくても良好な記録・消去が可能な光磁気記録媒体を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】よって、本発明
者らは、上述の欠点を克服すべく鋭意検討した結果、光
磁気記録層に特定の組成を有するＴｂＤｙＦｅＣｏ膜で
あって、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し室温での保
磁力が２〜８ＫＯｅである膜を採用することによって、
特に低磁界で良好な記録及び消去が可能となることを見
出し、本発明を完成するに至った。
者らは、上述の欠点を克服すべく鋭意検討した結果、光
磁気記録層に特定の組成を有するＴｂＤｙＦｅＣｏ膜で
あって、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し室温での保
磁力が２〜８ＫＯｅである膜を採用することによって、
特に低磁界で良好な記録及び消去が可能となることを見
出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、本発明によれば、透明基板上に少な
くとも光磁気記録層が形成された構成を有する光磁気記
録媒体において、前記光磁気記録層が下記一般式化１で
表わされるＴｂＤｙＦｅＣｏ膜であり、かつ膜面に垂直
方向に磁化容易軸を有し室温での保磁力が２〜８（ＫＯ
ｅ）であることを特徴とする光磁気記録媒体が提供され
る。
くとも光磁気記録層が形成された構成を有する光磁気記
録媒体において、前記光磁気記録層が下記一般式化１で
表わされるＴｂＤｙＦｅＣｏ膜であり、かつ膜面に垂直
方向に磁化容易軸を有し室温での保磁力が２〜８（ＫＯ
ｅ）であることを特徴とする光磁気記録媒体が提供され
る。
【化１】 （但し、０＜ｘ≦０．５，０．８≦ｙ＜１．０及び０．
１９≦ｚ＜０．２１である） また、本発明によれば、上記構成において、前記光磁気
記録層にＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔの１種以
上が１〜５原子％含有されていることを特徴とする光磁
気記録媒体が提供される。また、本発明によれば、上記
構成において、透明基板上に少なくとも干渉層、前記光
磁気記録層、保護層及び反射層が順次形成されており、
前記光磁気記録層の膜厚が１５０〜３００Åであること
を特徴とする光磁気記録媒体が提供される。さらに、本
発明によれば、上記構成において、前記反射層がＳｉ、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔの１種以上
を１〜４原子％含有するＡｌ合金であることを特徴とす
る光磁気記録媒体が提供される。
１９≦ｚ＜０．２１である） また、本発明によれば、上記構成において、前記光磁気
記録層にＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔの１種以
上が１〜５原子％含有されていることを特徴とする光磁
気記録媒体が提供される。また、本発明によれば、上記
構成において、透明基板上に少なくとも干渉層、前記光
磁気記録層、保護層及び反射層が順次形成されており、
前記光磁気記録層の膜厚が１５０〜３００Åであること
を特徴とする光磁気記録媒体が提供される。さらに、本
発明によれば、上記構成において、前記反射層がＳｉ、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔの１種以上
を１〜４原子％含有するＡｌ合金であることを特徴とす
る光磁気記録媒体が提供される。
【０００９】本発明の光磁気記録媒体を具体的な構成例
に基づき図１に沿って説明する。図１の構成例は、プリ
グルーブ付き透明基板１上に干渉層２、記録層３、保護
層４及び反射層５を順次形成した構成を有する。以下各
要素について詳述する。
に基づき図１に沿って説明する。図１の構成例は、プリ
グルーブ付き透明基板１上に干渉層２、記録層３、保護
層４及び反射層５を順次形成した構成を有する。以下各
要素について詳述する。
【００１０】（基板）本発明に用いる透明基板１として
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。
【００１１】（干渉層）本発明においては、上記基板１
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用してみかけのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノ
イズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させる
ことを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のよ
うに酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録層３に
用いているため、この干渉層２は記録層３の腐食を防止
する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければなら
ない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、そ
れ自身の耐食性が高く、かつ記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 等の金属酸化物、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｇｅ等との金属窒化物、ＺｎＳ等の金
属硫化物が挙げられるが、特にＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち
少なくともＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、
ＳｉＢＮ、ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多
層膜であってもよく、膜厚は屈折率によっても異なる
が、通常トータルで５００〜２０００Åで好ましくは８
００〜１２００Åである。
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用してみかけのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノ
イズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させる
ことを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のよ
うに酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録層３に
用いているため、この干渉層２は記録層３の腐食を防止
する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければなら
ない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、そ
れ自身の耐食性が高く、かつ記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 等の金属酸化物、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｇｅ等との金属窒化物、ＺｎＳ等の金
属硫化物が挙げられるが、特にＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち
少なくともＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、
ＳｉＢＮ、ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多
層膜であってもよく、膜厚は屈折率によっても異なる
が、通常トータルで５００〜２０００Åで好ましくは８
００〜１２００Åである。
【００１２】（記録層）本構成例の特徴はこの記録層３
にある。この記録層３は下記の一般式化１で表わされる
ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜であり、かつ膜面に垂直方向に磁化
容易軸を有し、室温での保磁力が２〜８（ＫＯｅ）であ
る。
にある。この記録層３は下記の一般式化１で表わされる
ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜であり、かつ膜面に垂直方向に磁化
容易軸を有し、室温での保磁力が２〜８（ＫＯｅ）であ
る。
【化１】 （但し、０＜ｘ≦０．５，０．８≦ｙ＜１．０及び０．
１９≦ｚ＜０．２１である） ＴｂＤｙＦｅＣｏは一般にθｋ（カー回転角）が大きく
（０．２５〜０．３５deg）かつＴｃ（キュリー温度）
が低い（１４０〜１８０℃）ため、高Ｃ／Ｎで高感度な
媒体が実現出来る光磁気記録材料であると言える（特開
昭５９−６１０１１号公報）。しかし前述したような低
磁界で高Ｃ／Ｎを得るためにはＲＥ（ＴｂＤｙ）が補償
組成よりも少ないＴＭ（ＦｅＣｏ）リッチな組成でかつ
室温でのＨｃ（保磁力）が２〜８（ＫＯｅ）である必要
がある。
１９≦ｚ＜０．２１である） ＴｂＤｙＦｅＣｏは一般にθｋ（カー回転角）が大きく
（０．２５〜０．３５deg）かつＴｃ（キュリー温度）
が低い（１４０〜１８０℃）ため、高Ｃ／Ｎで高感度な
媒体が実現出来る光磁気記録材料であると言える（特開
昭５９−６１０１１号公報）。しかし前述したような低
磁界で高Ｃ／Ｎを得るためにはＲＥ（ＴｂＤｙ）が補償
組成よりも少ないＴＭ（ＦｅＣｏ）リッチな組成でかつ
室温でのＨｃ（保磁力）が２〜８（ＫＯｅ）である必要
がある。
【００１３】尚、記録層３には耐食性を向上させるため
にＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄが少量（１〜５原子
％）が含有されていても良い。膜厚は図１に示したよう
な反射層５を設けた媒体構成の場合は１５０〜３００Å
が適している。反射層５を設けた構成は、記録層３のカ
ー効果とファラデー効果の両方が利用出来るためＣ／Ｎ
（信号対雑音比）やジッター特性に優れている。
にＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄが少量（１〜５原子
％）が含有されていても良い。膜厚は図１に示したよう
な反射層５を設けた媒体構成の場合は１５０〜３００Å
が適している。反射層５を設けた構成は、記録層３のカ
ー効果とファラデー効果の両方が利用出来るためＣ／Ｎ
（信号対雑音比）やジッター特性に優れている。
【００１４】（保護層）通常、記録層３上には保護層４
を設ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれ
ない。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、又は
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素又はハロゲ
ン元素のように記録層３に有害な物質の侵入を防止し、
記録層３を保護する目的で設けられるため、干渉層２同
様それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料は干渉層２として挙
げたものと同様である。この保護層４の膜厚はＣ／Ｎや
記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常０〜６００Å
が好ましい。
を設ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれ
ない。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、又は
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素又はハロゲ
ン元素のように記録層３に有害な物質の侵入を防止し、
記録層３を保護する目的で設けられるため、干渉層２同
様それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料は干渉層２として挙
げたものと同様である。この保護層４の膜厚はＣ／Ｎや
記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常０〜６００Å
が好ましい。
【００１５】（反射層）記録層３上に直接もしくは保護
層４を介して反射層５を設けてもよい。記録媒体の高Ｃ
／Ｎ、高感度化のためにこの反射層５は再生光に対して
反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。また、当然
耐食性がなければならない。具体的な材料として、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａの１種
以上を１〜４原子％含有したＡｌ合金が好ましい。膜厚
は薄すぎるとＣ／Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪
くなるため３００〜６００Åが適当である。
層４を介して反射層５を設けてもよい。記録媒体の高Ｃ
／Ｎ、高感度化のためにこの反射層５は再生光に対して
反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。また、当然
耐食性がなければならない。具体的な材料として、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａの１種
以上を１〜４原子％含有したＡｌ合金が好ましい。膜厚
は薄すぎるとＣ／Ｎが低下し、厚すぎると記録感度が悪
くなるため３００〜６００Åが適当である。
【００１６】（作製法等）基板１上に干渉層２、記録層
３、保護層４及び反射層５を形成する手段としては、ス
パッタリング、イオンプレーティング等の物理蒸着法、
プラズマＣＶＤのような化学蒸着法等が用いられる。
３、保護層４及び反射層５を形成する手段としては、ス
パッタリング、イオンプレーティング等の物理蒸着法、
プラズマＣＶＤのような化学蒸着法等が用いられる。
【００１７】又、層構成は図１に示した以外に、保護層
４あるいは反射層５の上にさらに５〜１０μｍの有機保
護層（カバー層）等を設けたり、又それらの膜どうしを
接着剤によって貼り合わせた構成でも本発明の効果は損
なわれない。
４あるいは反射層５の上にさらに５〜１０μｍの有機保
護層（カバー層）等を設けたり、又それらの膜どうしを
接着剤によって貼り合わせた構成でも本発明の効果は損
なわれない。
【００１８】
【実施例】以下本発明の実施例を述べるが、本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。
れら実施例に限定されるものではない。
【００１９】実施例１〜３ 直径１３０ｍｍ、厚さ、１．２ｍｍのガラス上に紫外線
（ＵＶ）硬化樹脂からなるプリグルーブを形成した基板
をスパッタ装置の真空槽内にセットし、５×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下になるまで真空排気した。次いでＡｒとＮ2 の
混合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒ
ｒに調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２ＫＷ
（４Ｗ／ｃｍ2 ）で高周波マグネトロンスパッタリング
を行い、干渉層としてＳｉＮ膜を１０００Å堆積した。
続いてＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして直流マ
グネトロンスパッタリングによって記録層であるＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜を２００Å形成した（組成及び室温での保
磁力は表１を参照）。更に保護層として干渉層と同様な
方法によってＳｉＮ膜を３００Å、反射層としてＡｌＴ
ｉ膜を５００Å順次形成して本発明の実施例となる光磁
気記録媒体を得た。尚、表１のＨｃは基板（ガラス）面
より測定したθｋ−Ｈ曲線より求めた。
（ＵＶ）硬化樹脂からなるプリグルーブを形成した基板
をスパッタ装置の真空槽内にセットし、５×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下になるまで真空排気した。次いでＡｒとＮ2 の
混合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒ
ｒに調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２ＫＷ
（４Ｗ／ｃｍ2 ）で高周波マグネトロンスパッタリング
を行い、干渉層としてＳｉＮ膜を１０００Å堆積した。
続いてＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットとして直流マ
グネトロンスパッタリングによって記録層であるＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜を２００Å形成した（組成及び室温での保
磁力は表１を参照）。更に保護層として干渉層と同様な
方法によってＳｉＮ膜を３００Å、反射層としてＡｌＴ
ｉ膜を５００Å順次形成して本発明の実施例となる光磁
気記録媒体を得た。尚、表１のＨｃは基板（ガラス）面
より測定したθｋ−Ｈ曲線より求めた。
【００２０】
【表１】
【００２１】比較例１〜３ 実施例と同様な方法を用いて干渉層、記録層、保護層、
反射層を形成したが、記録層として、本発明で限定した
特性の範囲外のＴｂＤｙＦｅＣｏ膜（組成及び室温での
保磁力は表１参照）を用いたものを比較例として用意し
た。
反射層を形成したが、記録層として、本発明で限定した
特性の範囲外のＴｂＤｙＦｅＣｏ膜（組成及び室温での
保磁力は表１参照）を用いたものを比較例として用意し
た。
【００２２】実施例及び比較例の光磁気記録媒体の記録
／消去時の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を図
２、３に示す。尚、測定条件は以下の通りである。 ・記録半径 ３０ｍｍ ・レーザ波長 ７８０ｎｍ ・記録周波数 ４．９ＭＨｚ ・ディスクの回転数 ２４００ｒｐｍ（ＣＡ
Ｖ） ・記録レーザパワー ６ｍＷ ・再生レーザパワー １ｍＷ
／消去時の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を図
２、３に示す。尚、測定条件は以下の通りである。 ・記録半径 ３０ｍｍ ・レーザ波長 ７８０ｎｍ ・記録周波数 ４．９ＭＨｚ ・ディスクの回転数 ２４００ｒｐｍ（ＣＡ
Ｖ） ・記録レーザパワー ６ｍＷ ・再生レーザパワー １ｍＷ
【００２３】図２、３より、比較例と比べて本発明の実
施例の方がいずれも３００（Ｏｅ）以下の低磁界でＣ／
Ｎが高くなっている。
施例の方がいずれも３００（Ｏｅ）以下の低磁界でＣ／
Ｎが高くなっている。
【００２４】上記では具体的な実施例として光変調方式
用の媒体として説明を行ったが、磁界変調方式を用いた
ダイレクトオーバーライト用光磁気記録媒体としても充
分効果が発揮される。
用の媒体として説明を行ったが、磁界変調方式を用いた
ダイレクトオーバーライト用光磁気記録媒体としても充
分効果が発揮される。
【００２５】
【発明の効果】以上、本発明によれば、記録層に特定の
組成範囲でかつ特定の特性をもったＴｂＤｙＦｅＣｏ膜
を用いることによって低磁界においても高Ｃ／Ｎな光磁
気記録媒体が実現出来る。
組成範囲でかつ特定の特性をもったＴｂＤｙＦｅＣｏ膜
を用いることによって低磁界においても高Ｃ／Ｎな光磁
気記録媒体が実現出来る。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の具体的な構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】実施例１〜３の光磁気記録媒体の記録／消去時
の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を示す図であ
る。
の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を示す図であ
る。
【図３】比較例１〜３の光磁気記録媒体の記録／消去時
の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を示す図であ
る。
の外部磁界（Ｈｅｘ）とＣ／Ｎとの関係を示す図であ
る。
１ 透明基板 ２ 干渉層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 反射層
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくとも光磁気記録層が
形成された構成を有する光磁気記録媒体において、前記
光磁気記録層が下記一般式化１で表わされるＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜であり、かつ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有
し室温での保磁力が２〜８（ＫＯｅ）であることを特徴
とする光磁気記録媒体。 【化１】 （但し、０＜ｘ≦０．５，０．８≦ｙ＜１．０及び０．
１９≦ｚ＜０．２１である） - 【請求項２】 前記光磁気記録層にＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔの１種以上が１〜５原子％含有されて
いることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 透明基板上に少なくとも干渉層、光磁気
記録層、保護層及び反射層が順次形成されており、前記
光磁気記録層の膜厚が１５０〜３００Åであることを特
徴とする請求項１又は２に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記反射層がＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、
Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔの１種以上を１〜４原子％含有
したＡｌ合金であることを特徴とする請求項３に記載の
光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35458992A JPH06187681A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35458992A JPH06187681A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06187681A true JPH06187681A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18438578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35458992A Pending JPH06187681A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06187681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06318346A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-11-15 | Gold Star Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| EP0674310A1 (en) * | 1994-03-24 | 1995-09-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and method of producing the same |
-
1992
- 1992-12-16 JP JP35458992A patent/JPH06187681A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06318346A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-11-15 | Gold Star Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| EP0674310A1 (en) * | 1994-03-24 | 1995-09-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and method of producing the same |
| US5635309A (en) * | 1994-03-24 | 1997-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
| US5730846A (en) * | 1994-03-24 | 1998-03-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing a magneto-optical recording medium |
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