JPH0561772B2 - - Google Patents
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- JPH0561772B2 JPH0561772B2 JP63106016A JP10601688A JPH0561772B2 JP H0561772 B2 JPH0561772 B2 JP H0561772B2 JP 63106016 A JP63106016 A JP 63106016A JP 10601688 A JP10601688 A JP 10601688A JP H0561772 B2 JPH0561772 B2 JP H0561772B2
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- aluminum
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Description
産業上の利用分野
この発明は電解コンデンサ電極用アルミニウム
材料に関する。 従来の技術及び課題 アルミニウム電解コンデンサ用電極材として一
般に用いられるアルミニウム箔には、その実効面
積を拡大して単位面積当りの静電容量を増大する
ため、一般に電気化学的あるいは化学的エツチン
グ処理が施される。 ところで、アルミニウム箔は一般には溶解・鋳
造、熱間圧延、冷間圧延、最終焼鈍の各工程の順
次的実施により製作されるが、最終焼鈍したアル
ミニウム箔の再結晶集合組織において、｛100｝面
が箔の表面と平行となり＜001＞方向が圧延方向
と平行となつている、いわゆる立方体方位の結晶
が多く存在すれば、このアルミニウム箔をエツチ
ングした場合に静電容量が大きくなることは良く
知られた事実である。 そこで、最終焼鈍後の再結晶集合組織における
｛100｝面の占有率を向上し、エツチング特性の向
上ひいては静電容量の増大を図るべく従来より
種々検討されているが、いずれも十分なものでは
なく、また｛100｝面の占有率のバラツキも大き
いものであつた。 この発明はかかる事情に鑑み、最終焼鈍後の
｛100｝面の占有率を向上、安定化させ、静電容量
の大きな電解コンデンサ用アルミニウム箔を提供
することを目的とし、このための材料を提供せん
とするものである。 問題点を解決するための手段 上記目的において、発明者は鋭意研究の結果、
アルミニウム箔の製造工程における熱間圧延後の
組織と最終焼鈍後の｛100｝面の占有率との間に
密接な相関関係があることを見出すに至り、かか
る知見に基いてこの発明を完成しえたものであ
る。 即ちこの発明に係る電解コンデンサ電極用アル
ミニウム材料の製造方法は、不純物としてのFe、
Si、Cuを除く残部の純度が99.9％以上である高純
度アルミニウムからなるアルミニウム材料であつ
て、熱間圧延後の組織において、結晶粒の短軸の
長さが最大10mm以下であることを特徴とするもの
である。 本発明に係るアルミニウム材料において、不純
物としてのFe、Si、Cuを除く残部の純度が99.9
％以上り限定されるのは、99.9％未満では｛100｝
占有率のバラツキが大きくなり、占有率も低下す
るからである。またFeは立方体方位の成長を阻
害する元素であり、100ppmを超えて含有される
と最終焼鈍時の｛100｝占有率そのものが低下す
る傾向にあるため100ppm以下に規制するのが望
ましい。SiはFeの析出を促進する元素であるが、
100ppmを超えて含有されるとやはり立方体方位
の成長を阻害する傾向となるため、同じく
100ppm以下に規制するのが望ましい。Cuは
100ppmを超えて含有されるとエツチング処理に
おいて過溶解などの問題を生じ易いため、同じく
100ppm以下に規制するのが望ましい。 アルミニウム箔の製造工程における熱間圧延に
より、アルミニウム材料１は第１図に示すよう
に、その結晶粒２が圧延方向Ｘに延ばされた状態
となるが、この発明では熱間圧延後の組織におい
て、結晶粒２の長軸の長さ(a)、短軸弐長さ(b)、厚
み(C)のうち、特に短軸の長さ(b)が最大10mm以下で
あることを要件とする。短軸の長さ(b)が10mmを超
える結晶粒が存在すると、最終焼鈍後の｛100｝
面の占有率が低下し、またロツト内のバラツキも
大きくなるためである。これは、結晶粒２の短軸
の長さ(b)が10mmを超えると、再結晶時に圧延面が
｛100｝面となるような核の有効な発生場所である
結晶粒界の分布が不均一となるため、最終焼鈍時
に起こる再結晶で圧延面が｛100｝面を持つよう
な再結晶粒の十分な核生成、成長が進行しないた
めであると考えられる。このような現象は熱間圧
延工程における圧下率が特に97％程度以上である
場合に特に顕著となる。 熱間圧延後の組織において、短軸ｂの長さが10
mmを超える結晶粒を規制するための具体的方法と
しては、例えば、熱間圧延において、厚さ10〜80
mmの間での１パスの圧下率が40％以上である工程
を１回もしくは２回とるとか、更に圧延パス間の
保持時間を１分以上にし、再結晶を進行させるこ
となどが挙げられる。 上記アルミニウム材料は、これを冷間圧延、箔
圧延、最終焼鈍の各工程を順次的に実施して電解
コンデンサ電極用アルミニウム箔に製作する。か
かる熱間圧延以後の工程についてはこれを何ら限
定するものではなく、従来の同様の条件を採用し
うる。また冷間圧延後あるいは冷間圧延の途中に
１回あるいは２回以上の中間焼鈍を施しても良
い。 最終焼鈍を経たアルミニウム箔は、その後電気
化学的あるいは化学的エツチング処理したのち、
電解コンデンサ電極箔として使用する。 発明の効果 この発明に係る電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム材料は、上述の次第であるから、該材料を用
いることにより、最終焼鈍後の箔において｛100｝
面の占有率を向上させることができ、また場所に
よるバラツキを抑えることができる。その結果、
エツチング特性を向上させることができ、ひいて
は静電容量に優れかつその値にバラツキの少ない
電極箔を得ることができる。 実施例 ［試料１］ Fe：25ppm、Si：10ppm、Cu：50ppmを含み、
これら以外の不純物の含有量が10ppmであるアル
ミニウム鋳塊につき、熱間圧延開始温度520℃で
合計圧下率98％の熱間圧延を施した。ここに、熱
間圧延のパススケジユールは、下記第１表におけ
る(イ)を採用した。 上記熱間圧延により得られたアルミニウム材料
の組織を調べたところ、結晶粒の短軸の長さは最
大180μｍであり、平均値は120μｍであつた。 次に、上記アルミニウム材料を0.12mmの厚さま
で冷間圧延し、続いて250℃で10時間の中間焼鈍
を実施したのち、厚さ0.1mmに冷間圧延した。そ
してこのアルミニウム箔を550℃×１時間最終焼
鈍した。 ［試料２］ 熱間圧延開始温度を550℃とするとともに、熱
間圧延におけるパススケジユールとして、下記第
１表における(ロ)を採用した以外は上記試料１と同
様にして試験片を得た。この場合、熱間圧延後の
アルミニウム材料の組織において、結晶粒の短軸
の長さは最大20000μｍ（20mm）であり、平均値
は900μｍであつた。 ［試料３］ Fe：40ppm、Si：30ppm、Cu：30ppmを含み、
これら以外の不純物の含有量が30ppmであるアル
ミニウム鋳塊につき、熱間圧延開始温度580℃で
合計圧下率98％の熱間圧延を施した。ここに、熱
間圧延のパススケジユールは、下記第１表におけ
る(イ)を採用した。 上記熱間圧延により得られたアルミニウム材料
の製織を調べたところ、結晶粒の短軸の長さは最
大1800μｍであり、平均値は700μｍであつた。 次に、上記アルミニウム材料を0.15mmの厚さま
で冷間圧延し、続いて250℃で12時間の中間焼鈍
を実施したのち、厚さ0.1mmに冷間圧延した。そ
してこのアルミニウム箔を550℃×１時間最終焼
鈍した。 ［試料４］ 熱間圧延開始温度を590℃とするとともに、熱
間圧延におけるパススケジユールとして、下記第
１表における(ロ)を採用した以外は上記試料３と同
様にして試験片を得た。この場合、熱間圧延後の
アルミニウム材料の組織において、結晶粒の短軸
の長さは最大25000μｍ（25mm）であり、平均値
は500μｍであつた。 ［試料５］ 中間焼鈍を300℃×12時間の条件で行つた以外
は試料３と同様にして試験片を得た。 ［試料６］ Fe：60ppm、Si：40ppm、Cu：30ppmを含み、
これら以外の不純物の含有量が100ppmであるア
ルミニウム鋳塊につき、熱間圧延開始温度590℃
で合計圧下率98％の熱間圧延を施した。ここに、
熱間圧延のパススケジユールは、下記第１表にお
ける(イ)を採用した。 上記熱間圧延により得られたアルミニウム材料
の組織を調べたところ、結晶粒の短軸の長さは最
大1200μｍであり、平均値は600μｍであつた。 次に、上記アルミニウム材料を0.12mmの厚さま
で冷間圧延し、続いで300℃で12時間の中間焼鈍
を実施したのち、厚さ0.1mmに熱間圧延した。そ
してこのアルミニウム箔を550℃×１時間最終焼
鈍した。 ［試料７］ 熱間圧延におけるパススケジユールとして、下
記第１表における(ロ)を採用した以外は上記試料６
と同様にして試験片を得た。この場合、熱間圧延
後のアルミニウム材料の組織において、結晶粒の
短軸の長さは最大22000μｍ（22mm）であり、平
均値は1200μｍであつた。
材料に関する。 従来の技術及び課題 アルミニウム電解コンデンサ用電極材として一
般に用いられるアルミニウム箔には、その実効面
積を拡大して単位面積当りの静電容量を増大する
ため、一般に電気化学的あるいは化学的エツチン
グ処理が施される。 ところで、アルミニウム箔は一般には溶解・鋳
造、熱間圧延、冷間圧延、最終焼鈍の各工程の順
次的実施により製作されるが、最終焼鈍したアル
ミニウム箔の再結晶集合組織において、｛100｝面
が箔の表面と平行となり＜001＞方向が圧延方向
と平行となつている、いわゆる立方体方位の結晶
が多く存在すれば、このアルミニウム箔をエツチ
ングした場合に静電容量が大きくなることは良く
知られた事実である。 そこで、最終焼鈍後の再結晶集合組織における
｛100｝面の占有率を向上し、エツチング特性の向
上ひいては静電容量の増大を図るべく従来より
種々検討されているが、いずれも十分なものでは
なく、また｛100｝面の占有率のバラツキも大き
いものであつた。 この発明はかかる事情に鑑み、最終焼鈍後の
｛100｝面の占有率を向上、安定化させ、静電容量
の大きな電解コンデンサ用アルミニウム箔を提供
することを目的とし、このための材料を提供せん
とするものである。 問題点を解決するための手段 上記目的において、発明者は鋭意研究の結果、
アルミニウム箔の製造工程における熱間圧延後の
組織と最終焼鈍後の｛100｝面の占有率との間に
密接な相関関係があることを見出すに至り、かか
る知見に基いてこの発明を完成しえたものであ
る。 即ちこの発明に係る電解コンデンサ電極用アル
ミニウム材料の製造方法は、不純物としてのFe、
Si、Cuを除く残部の純度が99.9％以上である高純
度アルミニウムからなるアルミニウム材料であつ
て、熱間圧延後の組織において、結晶粒の短軸の
長さが最大10mm以下であることを特徴とするもの
である。 本発明に係るアルミニウム材料において、不純
物としてのFe、Si、Cuを除く残部の純度が99.9
％以上り限定されるのは、99.9％未満では｛100｝
占有率のバラツキが大きくなり、占有率も低下す
るからである。またFeは立方体方位の成長を阻
害する元素であり、100ppmを超えて含有される
と最終焼鈍時の｛100｝占有率そのものが低下す
る傾向にあるため100ppm以下に規制するのが望
ましい。SiはFeの析出を促進する元素であるが、
100ppmを超えて含有されるとやはり立方体方位
の成長を阻害する傾向となるため、同じく
100ppm以下に規制するのが望ましい。Cuは
100ppmを超えて含有されるとエツチング処理に
おいて過溶解などの問題を生じ易いため、同じく
100ppm以下に規制するのが望ましい。 アルミニウム箔の製造工程における熱間圧延に
より、アルミニウム材料１は第１図に示すよう
に、その結晶粒２が圧延方向Ｘに延ばされた状態
となるが、この発明では熱間圧延後の組織におい
て、結晶粒２の長軸の長さ(a)、短軸弐長さ(b)、厚
み(C)のうち、特に短軸の長さ(b)が最大10mm以下で
あることを要件とする。短軸の長さ(b)が10mmを超
える結晶粒が存在すると、最終焼鈍後の｛100｝
面の占有率が低下し、またロツト内のバラツキも
大きくなるためである。これは、結晶粒２の短軸
の長さ(b)が10mmを超えると、再結晶時に圧延面が
｛100｝面となるような核の有効な発生場所である
結晶粒界の分布が不均一となるため、最終焼鈍時
に起こる再結晶で圧延面が｛100｝面を持つよう
な再結晶粒の十分な核生成、成長が進行しないた
めであると考えられる。このような現象は熱間圧
延工程における圧下率が特に97％程度以上である
場合に特に顕著となる。 熱間圧延後の組織において、短軸ｂの長さが10
mmを超える結晶粒を規制するための具体的方法と
しては、例えば、熱間圧延において、厚さ10〜80
mmの間での１パスの圧下率が40％以上である工程
を１回もしくは２回とるとか、更に圧延パス間の
保持時間を１分以上にし、再結晶を進行させるこ
となどが挙げられる。 上記アルミニウム材料は、これを冷間圧延、箔
圧延、最終焼鈍の各工程を順次的に実施して電解
コンデンサ電極用アルミニウム箔に製作する。か
かる熱間圧延以後の工程についてはこれを何ら限
定するものではなく、従来の同様の条件を採用し
うる。また冷間圧延後あるいは冷間圧延の途中に
１回あるいは２回以上の中間焼鈍を施しても良
い。 最終焼鈍を経たアルミニウム箔は、その後電気
化学的あるいは化学的エツチング処理したのち、
電解コンデンサ電極箔として使用する。 発明の効果 この発明に係る電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム材料は、上述の次第であるから、該材料を用
いることにより、最終焼鈍後の箔において｛100｝
面の占有率を向上させることができ、また場所に
よるバラツキを抑えることができる。その結果、
エツチング特性を向上させることができ、ひいて
は静電容量に優れかつその値にバラツキの少ない
電極箔を得ることができる。 実施例 ［試料１］ Fe：25ppm、Si：10ppm、Cu：50ppmを含み、
これら以外の不純物の含有量が10ppmであるアル
ミニウム鋳塊につき、熱間圧延開始温度520℃で
合計圧下率98％の熱間圧延を施した。ここに、熱
間圧延のパススケジユールは、下記第１表におけ
る(イ)を採用した。 上記熱間圧延により得られたアルミニウム材料
の組織を調べたところ、結晶粒の短軸の長さは最
大180μｍであり、平均値は120μｍであつた。 次に、上記アルミニウム材料を0.12mmの厚さま
で冷間圧延し、続いて250℃で10時間の中間焼鈍
を実施したのち、厚さ0.1mmに冷間圧延した。そ
してこのアルミニウム箔を550℃×１時間最終焼
鈍した。 ［試料２］ 熱間圧延開始温度を550℃とするとともに、熱
間圧延におけるパススケジユールとして、下記第
１表における(ロ)を採用した以外は上記試料１と同
様にして試験片を得た。この場合、熱間圧延後の
アルミニウム材料の組織において、結晶粒の短軸
の長さは最大20000μｍ（20mm）であり、平均値
は900μｍであつた。 ［試料３］ Fe：40ppm、Si：30ppm、Cu：30ppmを含み、
これら以外の不純物の含有量が30ppmであるアル
ミニウム鋳塊につき、熱間圧延開始温度580℃で
合計圧下率98％の熱間圧延を施した。ここに、熱
間圧延のパススケジユールは、下記第１表におけ
る(イ)を採用した。 上記熱間圧延により得られたアルミニウム材料
の製織を調べたところ、結晶粒の短軸の長さは最
大1800μｍであり、平均値は700μｍであつた。 次に、上記アルミニウム材料を0.15mmの厚さま
で冷間圧延し、続いて250℃で12時間の中間焼鈍
を実施したのち、厚さ0.1mmに冷間圧延した。そ
してこのアルミニウム箔を550℃×１時間最終焼
鈍した。 ［試料４］ 熱間圧延開始温度を590℃とするとともに、熱
間圧延におけるパススケジユールとして、下記第
１表における(ロ)を採用した以外は上記試料３と同
様にして試験片を得た。この場合、熱間圧延後の
アルミニウム材料の組織において、結晶粒の短軸
の長さは最大25000μｍ（25mm）であり、平均値
は500μｍであつた。 ［試料５］ 中間焼鈍を300℃×12時間の条件で行つた以外
は試料３と同様にして試験片を得た。 ［試料６］ Fe：60ppm、Si：40ppm、Cu：30ppmを含み、
これら以外の不純物の含有量が100ppmであるア
ルミニウム鋳塊につき、熱間圧延開始温度590℃
で合計圧下率98％の熱間圧延を施した。ここに、
熱間圧延のパススケジユールは、下記第１表にお
ける(イ)を採用した。 上記熱間圧延により得られたアルミニウム材料
の組織を調べたところ、結晶粒の短軸の長さは最
大1200μｍであり、平均値は600μｍであつた。 次に、上記アルミニウム材料を0.12mmの厚さま
で冷間圧延し、続いで300℃で12時間の中間焼鈍
を実施したのち、厚さ0.1mmに熱間圧延した。そ
してこのアルミニウム箔を550℃×１時間最終焼
鈍した。 ［試料７］ 熱間圧延におけるパススケジユールとして、下
記第１表における(ロ)を採用した以外は上記試料６
と同様にして試験片を得た。この場合、熱間圧延
後のアルミニウム材料の組織において、結晶粒の
短軸の長さは最大22000μｍ（22mm）であり、平
均値は1200μｍであつた。
【表】
以上により得られた７種類の試料につき、幅方
向に３か所、長さ方向に10か所の合計30点につ
き、各｛100｝面の占有率を調査し、その最大値、
最小値、平均値を調べた。その結果を下記第２表
に示す。
向に３か所、長さ方向に10か所の合計30点につ
き、各｛100｝面の占有率を調査し、その最大値、
最小値、平均値を調べた。その結果を下記第２表
に示す。
【表】
【表】
上記結果からわかるように、この発明に係るア
ルミニウム材料を用いることにより、再結晶集合
組織における｛100｝面の占有率の大きなかつバ
ラツキの少ないアルミニウム箔を得ることができ
ることを確認しえ、従つてエツチング特性に優れ
静電容量の大きなかつバラツキの少ない電極箔と
なしうることを当然に予想しうるものであつた。
ルミニウム材料を用いることにより、再結晶集合
組織における｛100｝面の占有率の大きなかつバ
ラツキの少ないアルミニウム箔を得ることができ
ることを確認しえ、従つてエツチング特性に優れ
静電容量の大きなかつバラツキの少ない電極箔と
なしうることを当然に予想しうるものであつた。
第１図は熱間圧延後のアルミニウム材料の結晶
粒組織を示す模式図である。 １……アルミニウム材料、２……結晶粒。
粒組織を示す模式図である。 １……アルミニウム材料、２……結晶粒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 不純物としてのFe、Si、Cuを除く残部の純
度が99.9％以上である高純度アルミニウムからな
るアルミニウム材料であつて、熱間圧延後の組織
において、結晶粒の短軸の長さが最大10mm以下で
あることを特徴とする電解コンデンサ電極用アル
ミニウム材料。 ２ 不純物としてのFe、Si、Cuの含有量が、そ
れぞれ100ppm以下である請求項１記載の電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10601688A JPH01276612A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10601688A JPH01276612A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276612A JPH01276612A (ja) | 1989-11-07 |
| JPH0561772B2 true JPH0561772B2 (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=14422861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10601688A Granted JPH01276612A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01276612A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2572479B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-01-16 | 昭和アルミニウム株式会社内 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| JP2000269092A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Kobe Steel Ltd | エッチング性に優れた電解コンデンサー電極用アルミニウム箔地およびその製法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059982B2 (ja) * | 1980-12-09 | 1985-12-27 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 |
| JPS6063359A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-11 | Toyo Alum Kk | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 |
| JPS6063360A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-11 | Toyo Alum Kk | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP10601688A patent/JPH01276612A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01276612A (ja) | 1989-11-07 |
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