JPH0562374B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0562374B2 JPH0562374B2 JP26816284A JP26816284A JPH0562374B2 JP H0562374 B2 JPH0562374 B2 JP H0562374B2 JP 26816284 A JP26816284 A JP 26816284A JP 26816284 A JP26816284 A JP 26816284A JP H0562374 B2 JPH0562374 B2 JP H0562374B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- circuit
- constant current
- transistor
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、温度変化の影響を除いた定電流を
発生する定電流源回路に関する。
発生する定電流源回路に関する。
従来、半導体集積回路上において、定電流を得
る定電流源には、第３図に示す定電流源回路が用
いられる。
る定電流源には、第３図に示す定電流源回路が用
いられる。
この定電流源回路は定電流を発生する定電流回
路２に対して起動回路４を付加して構成されてい
る。定電流回路２は、トランジスタ６，８および
ダイオード１０からなる第１の電流ミラー回路１
２と、トランジスタ１４、ダイオード１６および
抵抗１８からなる第２の電流ミラー回路２０とで
構成され、起動回路４は、トランジスタ２２、ダ
イオード２４および抵抗２６からなる電流ミラー
回路に抵抗２８を付加したものである。
路２に対して起動回路４を付加して構成されてい
る。定電流回路２は、トランジスタ６，８および
ダイオード１０からなる第１の電流ミラー回路１
２と、トランジスタ１４、ダイオード１６および
抵抗１８からなる第２の電流ミラー回路２０とで
構成され、起動回路４は、トランジスタ２２、ダ
イオード２４および抵抗２６からなる電流ミラー
回路に抵抗２８を付加したものである。
このような定電流源回路において、電源端子３
０と接地点との間に駆動電源から電圧Vccが加え
られると、抵抗２８を介してダイオード２４に電
流が流れるため、ダイオード２４の順方向電圧降
下によつて、トランジスタ２２のベースにバイア
ス電圧が設定され、トランジスタ２２のベースに
電流が流れる。このバイアス入力に応じてトラン
ジスタ２２のコレクタにトランジスタ６，８およ
びダイオード１０から電流が引き込まれ、定電流
回路２が起動する。
０と接地点との間に駆動電源から電圧Vccが加え
られると、抵抗２８を介してダイオード２４に電
流が流れるため、ダイオード２４の順方向電圧降
下によつて、トランジスタ２２のベースにバイア
ス電圧が設定され、トランジスタ２２のベースに
電流が流れる。このバイアス入力に応じてトラン
ジスタ２２のコレクタにトランジスタ６，８およ
びダイオード１０から電流が引き込まれ、定電流
回路２が起動する。
ダイオード１０に流れる定電流I0は、電流ミラ
ー効果によつてトランジスタ６，８に流れ、トラ
ンジスタ６からダイオード１６に定電流I0が流れ
ると、電流ミラー効果によつてトランジスタ１４
のコレクタ側にも同様の定電流I0が流れ、第１お
よび第２の電流ミラー回路１２，２０の電流的な
平衡が取られる。
ー効果によつてトランジスタ６，８に流れ、トラ
ンジスタ６からダイオード１６に定電流I0が流れ
ると、電流ミラー効果によつてトランジスタ１４
のコレクタ側にも同様の定電流I0が流れ、第１お
よび第２の電流ミラー回路１２，２０の電流的な
平衡が取られる。
この結果、トランジスタ８のコレクタに形成さ
れた出力端子３２から定電流I0で与えられる出力
電流IOUTが取り出され、たとえば、図示していな
い負荷に供給することができる。
れた出力端子３２から定電流I0で与えられる出力
電流IOUTが取り出され、たとえば、図示していな
い負荷に供給することができる。
このような定電流源回路では、各ダイオード１
０，１６，２４は、トランジスタ６，８，１４，
２２と同様のトランジスタをダイオード接続して
構成されている。
０，１６，２４は、トランジスタ６，８，１４，
２２と同様のトランジスタをダイオード接続して
構成されている。
したがつて、ダイオード１６を構成するトラン
ジスタのエミツタ面積に対するトランジスタ１４
のエミツタの比率をＮ倍に取ることにより、出力
電流IOUTを加減することが可能である。
ジスタのエミツタ面積に対するトランジスタ１４
のエミツタの比率をＮ倍に取ることにより、出力
電流IOUTを加減することが可能である。
この定電流源回路において、出力電流IOUTは、
IOUT＝VT／R0ln Ｎ ……(1)
となり、ここで、R0は抵抗１８の抵抗値、VT＝
KT／ｑであり、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対
温度、ｑは電子の電荷量である。
KT／ｑであり、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対
温度、ｑは電子の電荷量である。
したがつて、この定電流源回路は、出力電流
IOUTが温度に依存して変化する欠点がある。
IOUTが温度に依存して変化する欠点がある。
そこで、この発明は、このような温度特性を除
いて温度変化に対して一定の出力電流を得られる
定電流源回路を提供しようとするものである。
いて温度変化に対して一定の出力電流を得られる
定電流源回路を提供しようとするものである。
すなわち、この発明の定電流源回路は、第１図
に例示するように、第１の電流ミラー回路の出力
電流を入力電流とする第２の電流ミラー回路を設
置し、この第２の電流ミラー回路の出力電流を前
記第１の電流ミラー回路の入力側から引き込むこ
とにより、前記第１の電流ミラー回路から温度特
性を持つ定電流を発生する定電流回路と、前記第
２の電流ミラー回路で発生した温度特性を持つ電
圧を増幅器で受けて電流に変換し、この電流をト
ランジスタによる容量比率によつて逓倍した後、
前記定電流回路の前記定電流に加算することよ
り、前記定電流の前記温度に依存する電流分を相
殺する温度特性相殺回路とを備えたことを特徴と
する。
に例示するように、第１の電流ミラー回路の出力
電流を入力電流とする第２の電流ミラー回路を設
置し、この第２の電流ミラー回路の出力電流を前
記第１の電流ミラー回路の入力側から引き込むこ
とにより、前記第１の電流ミラー回路から温度特
性を持つ定電流を発生する定電流回路と、前記第
２の電流ミラー回路で発生した温度特性を持つ電
圧を増幅器で受けて電流に変換し、この電流をト
ランジスタによる容量比率によつて逓倍した後、
前記定電流回路の前記定電流に加算することよ
り、前記定電流の前記温度に依存する電流分を相
殺する温度特性相殺回路とを備えたことを特徴と
する。
したがつて、定電流回路は、第１および第２の
電流ミラー回路を備えて、第１の電流ミラー回路
の出力電流を入力電流とし、第２の電流ミラー回
路の出力電流を第１の電流ミラー回路の入力側か
ら引き込むことにより、第１の電流ミラー回路か
ら温度特性を持つ定電流を発生する。そして、温
度特性相殺回路は、定電流回路の第２の電流ミラ
ー回路側から取り出した温度特性を持つ電圧を増
幅器で受けるとともに、この増幅器に得られた感
応電流をトランジスタによる容量比率で逓倍した
後、その温度特性を持つ変動電流分を定電流回路
の第１の電流ミラー回路から取り出される定電流
から相殺している。
電流ミラー回路を備えて、第１の電流ミラー回路
の出力電流を入力電流とし、第２の電流ミラー回
路の出力電流を第１の電流ミラー回路の入力側か
ら引き込むことにより、第１の電流ミラー回路か
ら温度特性を持つ定電流を発生する。そして、温
度特性相殺回路は、定電流回路の第２の電流ミラ
ー回路側から取り出した温度特性を持つ電圧を増
幅器で受けるとともに、この増幅器に得られた感
応電流をトランジスタによる容量比率で逓倍した
後、その温度特性を持つ変動電流分を定電流回路
の第１の電流ミラー回路から取り出される定電流
から相殺している。
以下、この発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図はこの発明の定電流源回路の実施例を示
し、第３図に示す定電流源回路と共通部分には同
一符号を付してある。
し、第３図に示す定電流源回路と共通部分には同
一符号を付してある。
第１図において、この定電流源回路は、第３図
に示す定電流源回路に対して温度特性相殺回路３
４を付加したものである。すなわち、定電流回路
２およびその起動回路４は第３図に示す定電流源
回路と全く同一に構成され、温度特性相殺回路３
４は、演算増幅器３６、トランジスタ３８，４０
および抵抗４２から構成されている。
に示す定電流源回路に対して温度特性相殺回路３
４を付加したものである。すなわち、定電流回路
２およびその起動回路４は第３図に示す定電流源
回路と全く同一に構成され、温度特性相殺回路３
４は、演算増幅器３６、トランジスタ３８，４０
および抵抗４２から構成されている。
定電流回路２には、トランジスタ６，８および
ダイオード１０からなる第１の電流ミラー回路１
２、トランジスタ１４、ダイオード１６および抵
抗１８からなる第２の電流ミラー回路２０が設置
されており、第２の電流ミラー回路の出力電流、
即ち、トランジスタ１４にトランジスタ６，８お
よびダイオード１０から引き込み、トランジスタ
８から温度特性を持つ定電流が得られる。
ダイオード１０からなる第１の電流ミラー回路１
２、トランジスタ１４、ダイオード１６および抵
抗１８からなる第２の電流ミラー回路２０が設置
されており、第２の電流ミラー回路の出力電流、
即ち、トランジスタ１４にトランジスタ６，８お
よびダイオード１０から引き込み、トランジスタ
８から温度特性を持つ定電流が得られる。
温度特性相殺回路３４において、演算増幅器３
６、トランジスタ３８および抵抗４２は、全帰還
増幅器を構成しており、トランジスタ４０はその
出力回路を構成するとともに、トランジスタ３８
に流れる感温電流を逓倍する電流逓倍回路を構成
している。すなわち、トランジスタ３８，４０の
ベース電流は共通に設定されているとともに、ト
ランジスタ４０のエミツタ面積はトランジスタ３
８のエミツタ面積に対してＭ倍に設定されてい
る。
６、トランジスタ３８および抵抗４２は、全帰還
増幅器を構成しており、トランジスタ４０はその
出力回路を構成するとともに、トランジスタ３８
に流れる感温電流を逓倍する電流逓倍回路を構成
している。すなわち、トランジスタ３８，４０の
ベース電流は共通に設定されているとともに、ト
ランジスタ４０のエミツタ面積はトランジスタ３
８のエミツタ面積に対してＭ倍に設定されてい
る。
そして、トランジスタ８，４０のコレクタには
両トランジスタ８，４０に流れる電流で得られた
出力電流IOUTを取り出す出力端子３２が設けられ
ている。
両トランジスタ８，４０に流れる電流で得られた
出力電流IOUTを取り出す出力端子３２が設けられ
ている。
以上の構成に基づき、その動作を説明する。
電源の供給によつて、抵抗２８を介してダイオ
ード２４に電流が流れると、ダイオード２４の順
方向電圧降によつてトランジスタ２２にバイアス
電圧が与えられ、ベース電流が流れ込む。この結
果、定電流回路２のトランジスタ６，８およびダ
イオード１０から電流が流れ、定電流回路２が起
動する。
ード２４に電流が流れると、ダイオード２４の順
方向電圧降によつてトランジスタ２２にバイアス
電圧が与えられ、ベース電流が流れ込む。この結
果、定電流回路２のトランジスタ６，８およびダ
イオード１０から電流が流れ、定電流回路２が起
動する。
この起動の結果、ダイオード１０，１６には、
定電流I0が流れ、この定電流I0はトランジスタ８
から出力端子３２側に流れる。
定電流I0が流れ、この定電流I0はトランジスタ８
から出力端子３２側に流れる。
また、この定電流I0によつてダイオード１６に
生じた順方向降下電圧VFは、演算増幅器３６の
反転入力端子（−）に加えられ、演算増幅器３６
の非反転入力端子（＋）には、演算増幅器３６の
出力でベース電流が与えられるトランジスタ３８
から流れる電流によつて抵抗４２に生じた電圧降
下が帰還されている。
生じた順方向降下電圧VFは、演算増幅器３６の
反転入力端子（−）に加えられ、演算増幅器３６
の非反転入力端子（＋）には、演算増幅器３６の
出力でベース電流が与えられるトランジスタ３８
から流れる電流によつて抵抗４２に生じた電圧降
下が帰還されている。
この場合、ダイオード１６に発生する順方向降
下電圧VFは、温度特性を有し、演算増幅器３６
の出力は、ダイオード１６の温度特性に応じたも
のとなるので、その出力でベース電流が与えられ
るトランジスタ３８には、ダイオード１６の温度
特性に依存した感温電流が流れる。したがつて、
抵抗４２には、その抵抗値とトランジスタ３８か
ら流れる感温電流との積で与えられる電圧が発生
するが、このような全帰還増幅器では、ダイオー
ド１６に発生した順方向降下電圧VFが抵抗４２
にそのまま現れる。
下電圧VFは、温度特性を有し、演算増幅器３６
の出力は、ダイオード１６の温度特性に応じたも
のとなるので、その出力でベース電流が与えられ
るトランジスタ３８には、ダイオード１６の温度
特性に依存した感温電流が流れる。したがつて、
抵抗４２には、その抵抗値とトランジスタ３８か
ら流れる感温電流との積で与えられる電圧が発生
するが、このような全帰還増幅器では、ダイオー
ド１６に発生した順方向降下電圧VFが抵抗４２
にそのまま現れる。
そして、トランジスタ３８のエミツタ面積に対
してトランジスタ４０のエミツタ面積は、Ｍ倍に
設定されていることから、トランジスタ４０には
トランジスタ３８に流れる感温電流のＭ倍に逓倍
された電流が流れ、この電流は定電流I0に加算さ
れて出力電流IOUTを形成する。
してトランジスタ４０のエミツタ面積は、Ｍ倍に
設定されていることから、トランジスタ４０には
トランジスタ３８に流れる感温電流のＭ倍に逓倍
された電流が流れ、この電流は定電流I0に加算さ
れて出力電流IOUTを形成する。
ここで、トランジスタ３８に流れる感温電流を
I1とすると、トランジスタ４０にはそのＭ倍の電
流MI1が流れ、出力電流IOUTは、 IOUT＝I0＋MI1 ……(2) となる。ここで、定電流I0は、式(1)で与えられる
から、この定電流I0を温度Ｔで偏微分すると ∂I0／∂T＝（VT／R0） ・｛（１／Ｔ）−γ｝loＮ ……(3) となる。この式(3)において、γは、 γ＝（１／R0）∂R0／∂T ＝（１／R1）∂R1／∂T ……(4) である。
I1とすると、トランジスタ４０にはそのＭ倍の電
流MI1が流れ、出力電流IOUTは、 IOUT＝I0＋MI1 ……(2) となる。ここで、定電流I0は、式(1)で与えられる
から、この定電流I0を温度Ｔで偏微分すると ∂I0／∂T＝（VT／R0） ・｛（１／Ｔ）−γ｝loＮ ……(3) となる。この式(3)において、γは、 γ＝（１／R0）∂R0／∂T ＝（１／R1）∂R1／∂T ……(4) である。
また、抵抗４２の抵抗値をR1、抵抗４２に発
生する電圧をVFとすると、感温電流I1は、 I1＝VF／R1 ……(5) となり、この感温電圧I1を温度Ｔで偏微分する
と、 ∂I1／∂T＝（１／R1） ・｛（∂VF／∂T）−γVF ……(6) となる。したがつて、式(2)の出力電流IOUTを温度
Ｔで偏微分すると、 ∂IOUT／∂T＝∂I0／∂T＋M∂I1／∂T ＝（VT／R0）・｛（１／Ｔ）−γ｝loＮ ＋Ｍ・（Ｍ／R1）・｛∂VF／∂T）−μVF｝
……(7) となり、式(7)において、 ∂I0／∂T＋M∂I1／∂T＝０ を満足させるように、抵抗１８の抵抗値R0、抵
抗４２の抵抗値R1、トランジスタ４０とトラン
ジスタ３８とのエミツタ面積比Ｍを設定すれば、
出力電流IOUTの温度変化による変動電流分が温度
特性相殺回路３４の出力電流MI1で相殺され、温
度特性を持たない出力電流IOUTが得られる。すな
わち、温度変化に無関係に一定となる定電流が得
られる。
生する電圧をVFとすると、感温電流I1は、 I1＝VF／R1 ……(5) となり、この感温電圧I1を温度Ｔで偏微分する
と、 ∂I1／∂T＝（１／R1） ・｛（∂VF／∂T）−γVF ……(6) となる。したがつて、式(2)の出力電流IOUTを温度
Ｔで偏微分すると、 ∂IOUT／∂T＝∂I0／∂T＋M∂I1／∂T ＝（VT／R0）・｛（１／Ｔ）−γ｝loＮ ＋Ｍ・（Ｍ／R1）・｛∂VF／∂T）−μVF｝
……(7) となり、式(7)において、 ∂I0／∂T＋M∂I1／∂T＝０ を満足させるように、抵抗１８の抵抗値R0、抵
抗４２の抵抗値R1、トランジスタ４０とトラン
ジスタ３８とのエミツタ面積比Ｍを設定すれば、
出力電流IOUTの温度変化による変動電流分が温度
特性相殺回路３４の出力電流MI1で相殺され、温
度特性を持たない出力電流IOUTが得られる。すな
わち、温度変化に無関係に一定となる定電流が得
られる。
なお、この実施例では感温電流I1を逓倍する電
流逓倍回路をトランジスタ４０で構成してるが、
このような増幅素子に代えて電流増幅器を用いて
その増幅利得によつて電流の逓倍をしてもよい。
流逓倍回路をトランジスタ４０で構成してるが、
このような増幅素子に代えて電流増幅器を用いて
その増幅利得によつて電流の逓倍をしてもよい。
第２図は演算増幅器３６の具体的な回路構成例
を示している。
を示している。
この演算増幅器３６は、エミツタを共通にした
一対のトランジスタ４４，４６と抵抗４８からな
る差動増幅器５０と、ダイオード５２およびトラ
ンジスタ５４からなる負荷としての電流ミラー回
路５６とから構成されている。トランジスタ４４
のベースには反転入力端子５８、トランジスタ４
６のベースには非反転入力端子６０が形成され、
トランジスタ４４，５４のコレクタには、出力端
子６２が形成されている。
一対のトランジスタ４４，４６と抵抗４８からな
る差動増幅器５０と、ダイオード５２およびトラ
ンジスタ５４からなる負荷としての電流ミラー回
路５６とから構成されている。トランジスタ４４
のベースには反転入力端子５８、トランジスタ４
６のベースには非反転入力端子６０が形成され、
トランジスタ４４，５４のコレクタには、出力端
子６２が形成されている。
このような演算増幅器３６を用いれば、最低動
作電源電圧が低いため、１(V)以下の低電圧での動
作が実現できるので、第１図に示す定電流源回路
に用いることにより、その出力電流を金属皮膜抵
抗に流し、たとえば、バンドギヤツプ電圧1.2(V)
以下の温度特性を持たない定電圧源を構成でき
る。
作電源電圧が低いため、１(V)以下の低電圧での動
作が実現できるので、第１図に示す定電流源回路
に用いることにより、その出力電流を金属皮膜抵
抗に流し、たとえば、バンドギヤツプ電圧1.2(V)
以下の温度特性を持たない定電圧源を構成でき
る。
以上説明したように、この発明によれば、第１
および第２の電流ミラー回路を以て得た定電流を
定電流回路から出力するとともに、温度特性相殺
回路では第２の電流ミラー回路から温度特性を持
つ電圧を取り出して増幅器で受け、この増幅器で
得られた温度特性を持つ電流をトランジスタの容
量比率で以て逓倍し、その変動電流分を定電流か
ら相殺させることにより、温度変化に無関係に一
定となる温度特性を持たない定電流を容易に発生
させることができる。
および第２の電流ミラー回路を以て得た定電流を
定電流回路から出力するとともに、温度特性相殺
回路では第２の電流ミラー回路から温度特性を持
つ電圧を取り出して増幅器で受け、この増幅器で
得られた温度特性を持つ電流をトランジスタの容
量比率で以て逓倍し、その変動電流分を定電流か
ら相殺させることにより、温度変化に無関係に一
定となる温度特性を持たない定電流を容易に発生
させることができる。
第１図はこの発明の定電流源回路の実施例を示
す回路図、第２図はその演算増幅器の具体的な回
路構成例を示す回路図、第３図は従来の定電流源
回路を示す回路図である。 ２……定電流回路、３４……温度特性相殺回
路。
す回路図、第２図はその演算増幅器の具体的な回
路構成例を示す回路図、第３図は従来の定電流源
回路を示す回路図である。 ２……定電流回路、３４……温度特性相殺回
路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の電流ミラー回路の出力電流を入力電流
とする第２の電流ミラー回路を設置し、この第２
の電流ミラー回路の出力電流を前記第１の電流ミ
ラー回路の入力側から引き込むことにより、前記
第１の電流ミラー回路から温度特性を持つ定電流
を発生する定電流回路と、 前記第２の電流ミラー回路で発生した温度特性
を持つ電圧を増幅器で受けて電流に変換し、この
電流をトランジスタによる容量比率によつて逓倍
した後、前記定電流回路の前記定電流に加算する
ことにより、前記定電流の前記温度に依存する電
流分を相殺する温度特性相殺回路と、 を備えたことを特徴とする定電流源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26816284A JPS61145616A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 定電流源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26816284A JPS61145616A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 定電流源回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145616A JPS61145616A (ja) | 1986-07-03 |
| JPH0562374B2 true JPH0562374B2 (ja) | 1993-09-08 |
Family
ID=17454763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26816284A Granted JPS61145616A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 定電流源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61145616A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2527226B2 (ja) * | 1989-01-17 | 1996-08-21 | 三菱電機株式会社 | バイアス回路 |
| JPH082738Y2 (ja) * | 1990-08-05 | 1996-01-29 | 新日本無線株式会社 | 定電流回路 |
| JP4779397B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-09-28 | パナソニック電工株式会社 | プリプラ式射出成形装置 |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP26816284A patent/JPS61145616A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61145616A (ja) | 1986-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6087820A (en) | Current source | |
| JP3487657B2 (ja) | 基準電流源 | |
| JPH0152783B2 (ja) | ||
| JP3408161B2 (ja) | 温度検出回路及び光電変換回路 | |
| US6011422A (en) | Integrated differential voltage amplifier with programmable gain and input offset voltage | |
| US6605987B2 (en) | Circuit for generating a reference voltage based on two partial currents with opposite temperature dependence | |
| JPH0770935B2 (ja) | 差動電流増幅回路 | |
| JPH0562374B2 (ja) | ||
| JPS604611B2 (ja) | バイアス電流供給回路 | |
| JP4314669B2 (ja) | バンドギャップリファレンス回路 | |
| US4804927A (en) | Current amplifier circuit | |
| JP2005265751A (ja) | 磁気検出回路 | |
| JPS6222282B2 (ja) | ||
| JPH05235661A (ja) | 定電流源回路 | |
| JPH0232644B2 (ja) | ||
| JPS6343923B2 (ja) | ||
| JP2807700B2 (ja) | 電流制限回路を有する出力回路 | |
| JPS6051126B2 (ja) | 定電圧回路 | |
| JP2565289B2 (ja) | 指数アンプ | |
| JP2609617B2 (ja) | 電流発生回路 | |
| JP3671519B2 (ja) | 電流供給回路 | |
| JPH06109677A (ja) | 湿度検出回路 | |
| JPH07111421A (ja) | ダイオード検波回路 | |
| JPH0535450B2 (ja) | ||
| JPS6130767B2 (ja) |