JPS604611B2 - バイアス電流供給回路 - Google Patents
バイアス電流供給回路Info
- Publication number
- JPS604611B2 JPS604611B2 JP50136652A JP13665275A JPS604611B2 JP S604611 B2 JPS604611 B2 JP S604611B2 JP 50136652 A JP50136652 A JP 50136652A JP 13665275 A JP13665275 A JP 13665275A JP S604611 B2 JPS604611 B2 JP S604611B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- current
- emitter
- temperature coefficient
- resistor
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- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、トランジスタ増幅回路におけるバイアス電流
供給回路に関するものである。
供給回路に関するものである。
従来、トランジスタ増幅回路、特に集積化演算増幅回路
において、この種のバイアス電流供孫台回路は回路電流
の節減や高インピーダンス素子の代用のために使用され
ており、電源電圧変動や温度変動等に対し、常に一定の
バイアス電流を供給するために、いろいろと工夫がなさ
れ、多数の回路が考案されている。
において、この種のバイアス電流供孫台回路は回路電流
の節減や高インピーダンス素子の代用のために使用され
ており、電源電圧変動や温度変動等に対し、常に一定の
バイアス電流を供給するために、いろいろと工夫がなさ
れ、多数の回路が考案されている。
第１図ａ〜ｃはこれらの主な回路例を示すものであり、
同図ａは同一製造プロセスで、同一チップ上に製造した
同一寸法のトランジスタ１１と１２は全く同じくベース
・ェミツタ電圧Ｖ８８対コレクタ電流ｌｃ特性を示すと
いう特質を利用したもので、ＶＢ８に比べて十分高い電
源電圧Ｖｏｃから抵抗１３を通じて、ダイオード接続さ
れたトランジスタ１１に電流を流してやれば、トランジ
スタ１１とトランジスタ１２のＶＢ８は全く等しいもの
となるので、トランジスタの電流増幅率８が大きく、ベ
ース電流が無視できれば、前記の特質によりトランジス
タ１１とトランジスタ１２のコレクタ電流は如何なる場
合も等しいものとなる。従ってトランジスタ１２のコレ
ク夕霞流ｌｏは電源電圧と低抗１３の値で決定される。
この定電流回路は集積回路における最も基本的なバイア
ス回路である。しかしながら電源電圧変動に対して比例
的に電流が変化することと、周囲温度変動に対して拡散
抵抗の正の温度係数（約１．２％／００）により、出力
電流は負の温度係数をもつことが欠点である。第１図ｂ
は同図ａの電源電圧変動による出力電流の変動を押える
ためにトランジスタ２２のェミッタと接地間に直列に抵
抗２４を接続したものであり、２３は抵抗、２１はダイ
オード接続されたトランジスタである。
同図ａは同一製造プロセスで、同一チップ上に製造した
同一寸法のトランジスタ１１と１２は全く同じくベース
・ェミツタ電圧Ｖ８８対コレクタ電流ｌｃ特性を示すと
いう特質を利用したもので、ＶＢ８に比べて十分高い電
源電圧Ｖｏｃから抵抗１３を通じて、ダイオード接続さ
れたトランジスタ１１に電流を流してやれば、トランジ
スタ１１とトランジスタ１２のＶＢ８は全く等しいもの
となるので、トランジスタの電流増幅率８が大きく、ベ
ース電流が無視できれば、前記の特質によりトランジス
タ１１とトランジスタ１２のコレクタ電流は如何なる場
合も等しいものとなる。従ってトランジスタ１２のコレ
ク夕霞流ｌｏは電源電圧と低抗１３の値で決定される。
この定電流回路は集積回路における最も基本的なバイア
ス回路である。しかしながら電源電圧変動に対して比例
的に電流が変化することと、周囲温度変動に対して拡散
抵抗の正の温度係数（約１．２％／００）により、出力
電流は負の温度係数をもつことが欠点である。第１図ｂ
は同図ａの電源電圧変動による出力電流の変動を押える
ためにトランジスタ２２のェミッタと接地間に直列に抵
抗２４を接続したものであり、２３は抵抗、２１はダイ
オード接続されたトランジスタである。
同図においてトランジスタ２１のコレクタ電流をトラン
ジスタ２２のコレクタ電流より十分大きく選んでやれば
、トランジスタ２１のＶＢＥとトランジスタ２２のＶＢ
耳に差を生じ、その差△ＶＢＥを抵抗２４で割ったがト
ランジスタ２２のコレクタに流れる。この回路において
は電源電圧の変動により生じる出力電流ｌｏの変動はト
ランジスタ２１のコレク夕霞流の対数項に比例するよう
になるので、その変動幅は可成り抑圧される。また周囲
温度変動に対しては前記△ＶＢ８が正の温度係数をもち
、抵抗２４も拡散抵抗の場合、正の温度係数をもつので
出力電流ｌｏの温度係数はほぼ正の小さな値に近づく。
しかし、この回路の特徴を発揮させるためには、出力電
流に比べて十分大きな電流（５〜１ぴ音）を流してやる
必要があり、低電力回路には不向きである。第１図ｃの
回路は定電流特性を向上させるために、トランジスタ３
１とトランジスタ３２とからなる強度の負帰還ループを
利用したもので、出力電流１。
ジスタ２２のコレクタ電流より十分大きく選んでやれば
、トランジスタ２１のＶＢＥとトランジスタ２２のＶＢ
耳に差を生じ、その差△ＶＢＥを抵抗２４で割ったがト
ランジスタ２２のコレクタに流れる。この回路において
は電源電圧の変動により生じる出力電流ｌｏの変動はト
ランジスタ２１のコレク夕霞流の対数項に比例するよう
になるので、その変動幅は可成り抑圧される。また周囲
温度変動に対しては前記△ＶＢ８が正の温度係数をもち
、抵抗２４も拡散抵抗の場合、正の温度係数をもつので
出力電流ｌｏの温度係数はほぼ正の小さな値に近づく。
しかし、この回路の特徴を発揮させるためには、出力電
流に比べて十分大きな電流（５〜１ぴ音）を流してやる
必要があり、低電力回路には不向きである。第１図ｃの
回路は定電流特性を向上させるために、トランジスタ３
１とトランジスタ３２とからなる強度の負帰還ループを
利用したもので、出力電流１。
はトランジスタ３１のＶＢ８と抵抗３４でさまり、電源
電圧変動には影響をうけない。また抵抗３３を介してト
ランジスタ３１を流れる電流は微少で且つ相当ばらつき
があってもよい。しかしながら周囲温度変動に対しては
、ＶＢＥが負の温度係数（一２のＶ／。０）をもち、拡
散抵抗は前記した如く正の温度係数をもつので、出力電
流いま非常に大きな負の温度係数をもっている。
電圧変動には影響をうけない。また抵抗３３を介してト
ランジスタ３１を流れる電流は微少で且つ相当ばらつき
があってもよい。しかしながら周囲温度変動に対しては
、ＶＢＥが負の温度係数（一２のＶ／。０）をもち、拡
散抵抗は前記した如く正の温度係数をもつので、出力電
流いま非常に大きな負の温度係数をもっている。
これらの例でも明らかな如く従来のバイアス電流供給回
路は、電源電圧変動や周囲温度変動に対して何がしかの
好ましからざる影響をうけ、かつその悪影響の一部を回
路的に工夫して補償しようとしても、その効果を発揮さ
せるためにはかなりの余分な電流を必要とするなどの欠
点があった。
路は、電源電圧変動や周囲温度変動に対して何がしかの
好ましからざる影響をうけ、かつその悪影響の一部を回
路的に工夫して補償しようとしても、その効果を発揮さ
せるためにはかなりの余分な電流を必要とするなどの欠
点があった。
またバイアス供Ｖ給電流の温度係数に着目すれば、バイ
アス回路が決まると、その回路特性とそれに用いている
デバイス素子の温度係数により自動的に供給される出力
電流の温度係数は決まってしまうことになる。バイアス
電流を供給される増幅回路の特性値を温度変化に対応し
て補償するためには、その特性値の温度補償に最適な温
度係数をもったバイアス電流を供給しなければならない
。
アス回路が決まると、その回路特性とそれに用いている
デバイス素子の温度係数により自動的に供給される出力
電流の温度係数は決まってしまうことになる。バイアス
電流を供給される増幅回路の特性値を温度変化に対応し
て補償するためには、その特性値の温度補償に最適な温
度係数をもったバイアス電流を供給しなければならない
。
例えばェミッタ接地のトランジスタ増幅回路において、
その４・信号利得Ａｖは相互コンダクタンスをｇｍ、バ
イアス電流をＬ、負荷抵抗をＲＬとすれば次式で表わさ
れる。ＡＶ；ｇｍ・ＲＬ＝辞ＲＬ，．．，．．，．．‘
，，但しｑは電子の電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶
対温度による周囲温度である。
その４・信号利得Ａｖは相互コンダクタンスをｇｍ、バ
イアス電流をＬ、負荷抵抗をＲＬとすれば次式で表わさ
れる。ＡＶ；ｇｍ・ＲＬ＝辞ＲＬ，．．，．．，．．‘
，，但しｑは電子の電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶
対温度による周囲温度である。
‘１｝式において、小信号利得Ａｖを一定にするように
温度補償するためには、ｑ，ｋが温度に依存しないから
、結局ｌｏ×（ＲＬ／Ｔ）の温度係数を零にしなければ
ならない。また、回路特性上相互コンダクタンスｇｍが
一定になるように温度補償する必要がある場合には、バ
イアス電流ｌｏと温度Ｔが比例する必要のあることがわ
かる。即ちバイアス供給回路は回路特性に応じた最適の
温度係数をもった電流を供給できねばならない。本発明
はかかる要求から任意の温度係数をもち、且つ電源変動
に対してこの補償効果も十分持ち、しかも、消費電流を
出力バイアス電流よりも小さく設定できる特徴をもつバ
イアス電流供給回路を提供することを目的とするもので
ある。
温度補償するためには、ｑ，ｋが温度に依存しないから
、結局ｌｏ×（ＲＬ／Ｔ）の温度係数を零にしなければ
ならない。また、回路特性上相互コンダクタンスｇｍが
一定になるように温度補償する必要がある場合には、バ
イアス電流ｌｏと温度Ｔが比例する必要のあることがわ
かる。即ちバイアス供給回路は回路特性に応じた最適の
温度係数をもった電流を供給できねばならない。本発明
はかかる要求から任意の温度係数をもち、且つ電源変動
に対してこの補償効果も十分持ち、しかも、消費電流を
出力バイアス電流よりも小さく設定できる特徴をもつバ
イアス電流供給回路を提供することを目的とするもので
ある。
以下実施例について詳細に説明する。第２図は本発明の
実施例のバイアス電流供給回路を示すもので第１のトラ
ンジスタ４、第２のトランジスタ７、第３のトランジス
タ２、第４のトランジスタ６及び電流制限素子１と第１
及び第２の抵抗５，３から構成されている。
実施例のバイアス電流供給回路を示すもので第１のトラ
ンジスタ４、第２のトランジスタ７、第３のトランジス
タ２、第４のトランジスタ６及び電流制限素子１と第１
及び第２の抵抗５，３から構成されている。
以下この回路の動作原理について説明する。なお説明を
簡単にする為に、トランジスタ４，６のェミツタ面積は
等しいものとする。電流制限素子１は第３のＰＮＰトラ
ンジスタ２の電流１，を決めるためのもので、消費電流
を可能な限り低減するためには高抵抗、ジャンクション
型ＦＥＴ等を採用する。
簡単にする為に、トランジスタ４，６のェミツタ面積は
等しいものとする。電流制限素子１は第３のＰＮＰトラ
ンジスタ２の電流１，を決めるためのもので、消費電流
を可能な限り低減するためには高抵抗、ジャンクション
型ＦＥＴ等を採用する。
第３のトランジスタ２を流れる電流１，によりこのトラ
ンジスタ２のベース・ヱミッ夕間に電圧ＶＢ８２が発生
し、第２の抵抗３（Ｒ３）には次式で表わされる電流１
２が流れる。１２＝ＶＢ８２／Ｒ３ ・
・・・・…・｛２１電源電圧変動等による電流１，の変
動はＶＢ８２の微小変化に抑圧され、殆んど電源電圧の
影響をうけない。
ンジスタ２のベース・ヱミッ夕間に電圧ＶＢ８２が発生
し、第２の抵抗３（Ｒ３）には次式で表わされる電流１
２が流れる。１２＝ＶＢ８２／Ｒ３ ・
・・・・…・｛２１電源電圧変動等による電流１，の変
動はＶＢ８２の微小変化に抑圧され、殆んど電源電圧の
影響をうけない。
そして抵抗３を流れる電流１２の変化はＶＢＥ２とＲ３
との温度変化により決まる。温度に対してＶＢＥ２ は
負、Ｒ３は正の温度係数をもつので、電流１２は負の温
度係数をもつことがわかる。電流１２により第１のＮＰ
Ｎトランジスタ４のべ−ス・ェミッタ間に電圧ＶＢ８４
が発生するが、第１の抵抗５（Ｒ５）による電位降下を
考慮すると、第４のＮＰＰＮトランジスタ６のベース・
工ミツタ間には次式で表わされる電圧ＶＢ６６が印加さ
れる。Ｖ８８６ ＝ＶＢ８４ −Ｒ５・１２ …
……【３’このトランジスタ６のコレクタ電流ｌｏは次
の様になる。１。
との温度変化により決まる。温度に対してＶＢＥ２ は
負、Ｒ３は正の温度係数をもつので、電流１２は負の温
度係数をもつことがわかる。電流１２により第１のＮＰ
Ｎトランジスタ４のべ−ス・ェミッタ間に電圧ＶＢ８４
が発生するが、第１の抵抗５（Ｒ５）による電位降下を
考慮すると、第４のＮＰＰＮトランジスタ６のベース・
工ミツタ間には次式で表わされる電圧ＶＢ６６が印加さ
れる。Ｖ８８６ ＝ＶＢ８４ −Ｒ５・１２ …
……【３’このトランジスタ６のコレクタ電流ｌｏは次
の様になる。１。
＝ＩＳ６・ｅｘｐ（ｑ・ＶＢ８６／ｋ・Ｔ）．・・…．
・・‘４）但し、ｌｓ６ はトランジスタ６の逆方向飽
和電流とする。
・・‘４）但し、ｌｓ６ はトランジスタ６の逆方向飽
和電流とする。
‘２）式ないし‘４’式及び、１２とＶ８８４ に関す
る‘４１式と同様の関係式から、トランジスタ６のコレ
クタ電流ｌｏをＶＢ８２で表現すると、次式のごとくな
る。ｌｎｌ。
る‘４１式と同様の関係式から、トランジスタ６のコレ
クタ電流ｌｏをＶＢ８２で表現すると、次式のごとくな
る。ｌｎｌ。
＝ｌｎ（ＩＳ６／ＩＳ４）十ｌｎＶＢ８２一ｌｎＲ３−
（ｑ・Ｖ８８２／ｋ．Ｔ）・（Ｒ５／Ｒ３）．．．．．
．‘５）但し、ｌｓ４はトランジスタ４の逆方向飽和電
流である。【５）式をＴに関して微分するとｌｏの温度
係数が求まり■式となる。ｌｒｄｌｏ ，。
（ｑ・Ｖ８８２／ｋ．Ｔ）・（Ｒ５／Ｒ３）．．．．．
．‘５）但し、ｌｓ４はトランジスタ４の逆方向飽和電
流である。【５）式をＴに関して微分するとｌｏの温度
係数が求まり■式となる。ｌｒｄｌｏ ，。
虹−ｖ；８砦寧−鯖葦長講（芸２事）・‐‐・‐・（６
’■式の第１項と第２項はＶＢＥと抵抗の温度係数に起
因し、１２の温度係数を示し、一般に負となり、又第３
項はＲ５による効果を示し、常に正になり、前者を打ち
消す働きをすることがわかる。従ってＲ５／Ｒ３を適当
に選ぶことによりバイアス供給電流ｌｏに対して任意の
温度係数をもたせることができる。以上説明したことを
例証的に図示したものを第３図に示す。
’■式の第１項と第２項はＶＢＥと抵抗の温度係数に起
因し、１２の温度係数を示し、一般に負となり、又第３
項はＲ５による効果を示し、常に正になり、前者を打ち
消す働きをすることがわかる。従ってＲ５／Ｒ３を適当
に選ぶことによりバイアス供給電流ｌｏに対して任意の
温度係数をもたせることができる。以上説明したことを
例証的に図示したものを第３図に示す。
図ではＲ５／Ｒ３をパラメータとして出力電流ｌｏと周
囲温度Ｔａの関係が示されている。図より明らかな如く
、使用温度範囲において正、零、負の任意の温度係数を
取ることが可能である。また或る温度係数を選べば出力
電流Ｌも決まってしまう。一般に必要とされるバイアス
出力電流と或る温度係数をもつために補償された出力電
流ｌｏとは異なる。かかる場合には第１のトランジスタ
４と第４のトランジスタ６のェミッタ面積を相違させる
ことにより電流レベルを調節できる。即ち、両トランジ
スタ４，６のェミッタ面積が等しければ必ず１２＞ｌｏ
である。そこで、トランジスタ６のェミッタ面積をｎ倍
にすればｌｏもｎ倍となり、且つ温度補償効果はそのま
ま維持される。第２図の第４のトランジスタ６のマルチ
ェミツタはこのことを例示している。かかるェミツタ面
積比による電流ｎ倍回路を用いることにより、温度補償
に要する電流１，，１２を可能な限り低減でき、低消費
電流で温度補償を行ない、且つ大きなバイアス供給電流
を得ることができる。即ち抵抗３，５の値の選定により
所望のバイアス供給電流ｌｏの温度係数を与えることが
でき、更に第１のトランジスタ４と第４のトランジスタ
６とのェミッタ面積比により所望の大きさのバイアス供
給電流１。
囲温度Ｔａの関係が示されている。図より明らかな如く
、使用温度範囲において正、零、負の任意の温度係数を
取ることが可能である。また或る温度係数を選べば出力
電流Ｌも決まってしまう。一般に必要とされるバイアス
出力電流と或る温度係数をもつために補償された出力電
流ｌｏとは異なる。かかる場合には第１のトランジスタ
４と第４のトランジスタ６のェミッタ面積を相違させる
ことにより電流レベルを調節できる。即ち、両トランジ
スタ４，６のェミッタ面積が等しければ必ず１２＞ｌｏ
である。そこで、トランジスタ６のェミッタ面積をｎ倍
にすればｌｏもｎ倍となり、且つ温度補償効果はそのま
ま維持される。第２図の第４のトランジスタ６のマルチ
ェミツタはこのことを例示している。かかるェミツタ面
積比による電流ｎ倍回路を用いることにより、温度補償
に要する電流１，，１２を可能な限り低減でき、低消費
電流で温度補償を行ない、且つ大きなバイアス供給電流
を得ることができる。即ち抵抗３，５の値の選定により
所望のバイアス供給電流ｌｏの温度係数を与えることが
でき、更に第１のトランジスタ４と第４のトランジスタ
６とのェミッタ面積比により所望の大きさのバイアス供
給電流１。
を得ることができるもので、低消費電流で任意の温度係
数を有する大きなバイアス供給電流が得られるから集積
回路化が容易である。以上説明した如く本発明のバイア
ス電流供給回路は、低消費電流で動作し、第１のトラン
ジスタ４と第４のトランジスタ６のェミッタ面積比又は
第１及び第２の抵抗の選定により例えば第３図に示す所
望の温度係数のバイアス電流を供給することができると
共に、設定されたバイアス電流は電源電圧変動の影響を
受けない利点がある。従って、その応用面での効果は大
きい。また上記の説明でＮＰＮトランジスタとＰＮＰト
ランジスタの極性を反転しても全く同機の回路を得るこ
とができることは明白である。
数を有する大きなバイアス供給電流が得られるから集積
回路化が容易である。以上説明した如く本発明のバイア
ス電流供給回路は、低消費電流で動作し、第１のトラン
ジスタ４と第４のトランジスタ６のェミッタ面積比又は
第１及び第２の抵抗の選定により例えば第３図に示す所
望の温度係数のバイアス電流を供給することができると
共に、設定されたバイアス電流は電源電圧変動の影響を
受けない利点がある。従って、その応用面での効果は大
きい。また上記の説明でＮＰＮトランジスタとＰＮＰト
ランジスタの極性を反転しても全く同機の回路を得るこ
とができることは明白である。
第１図ａ〜ｃは従来のバイアス電流供給回路、第２図は
本発明の実施例のバイアス電流供給回路、第３図は本発
明による出力電流と周囲温度の関係を示す曲線図である
。 １は電流制限素子、２，４，６，７はトランジスタ、３
，５は抵抗である。 矛１図 オ２図 オ３図
本発明の実施例のバイアス電流供給回路、第３図は本発
明による出力電流と周囲温度の関係を示す曲線図である
。 １は電流制限素子、２，４，６，７はトランジスタ、３
，５は抵抗である。 矛１図 オ２図 オ３図
Claims (1)
- １ 第１のＮＰＮ又はＰＮＰトランジスタのコレクタと
第１の抵抗の一端とを接続し、該第１の抵抗の他端と第
２のＰＮＰ又はＮＰＮトランジスタのコレクタと前記第
１のトランジスタのベースとを接続し、前記第２のトラ
ンジスタのエミツタと第２の抵抗の十端とを接続し、該
第２の抵抗の他端と前記第１のトランジスタのエミツタ
とを電源端子にそれぞれ接続し、第３のＰＮＰ又はＮＰ
Ｎトランジスタのコレクタと電流制限素子の一端とを接
続し、該電流制限素子の他端を前記第１のトランジスタ
のエミツタに接続し、前記第３のトランジスタのエミツ
タを前記第２の抵抗の他端に、ベースを前記第２のトラ
ンジスタのエミツタに、且つコレクタを前記第２のトラ
ンジスタのベースにそれぞれ接続し、バイアス電流を出
力する第４のＮＰＮ又はＰＮＰトランジスタのベースを
前記第１のトランジスタのコレクタに接続し、前記第４
のトランジスタのエミツタを前記第１のトランジスタの
エミツタに接続し、前記第１及び第２の抵抗の選定によ
り前記バイアス電流の温度係数を設定したことを特徴と
するバイアス電流供給回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50136652A JPS604611B2 (ja) | 1975-11-12 | 1975-11-12 | バイアス電流供給回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50136652A JPS604611B2 (ja) | 1975-11-12 | 1975-11-12 | バイアス電流供給回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5260047A JPS5260047A (en) | 1977-05-18 |
| JPS604611B2 true JPS604611B2 (ja) | 1985-02-05 |
Family
ID=15180325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50136652A Expired JPS604611B2 (ja) | 1975-11-12 | 1975-11-12 | バイアス電流供給回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604611B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545364A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-16 | Toshiba Corp | Temperature compensating amplifier |
| JPS55107716U (ja) * | 1979-01-19 | 1980-07-28 | ||
| DE3329665A1 (de) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Schaltungsanordnung zur verstaerkung elektrischer signale |
| JPS6051306A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Toshiba Corp | 定電流源回路 |
| JP2545374B2 (ja) * | 1986-11-29 | 1996-10-16 | 富士通株式会社 | 定電流源回路を有する差動増幅回路 |
| JP2799535B2 (ja) * | 1992-10-16 | 1998-09-17 | 三菱電機株式会社 | 基準電流発生回路 |
| DE19732437C1 (de) * | 1997-07-28 | 1998-12-24 | Siemens Ag | Transistor-Verstärkerstufe |
| DE19738940C1 (de) * | 1997-09-05 | 1999-02-11 | Siemens Ag | Verstärkerschaltung |
| JPWO2013001577A1 (ja) * | 2011-06-29 | 2015-02-23 | 富士電機株式会社 | フィールドバス給電機器のインタフェース回路 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314187B2 (ja) * | 1972-04-20 | 1978-05-16 | ||
| JPS535029B2 (ja) * | 1972-06-01 | 1978-02-23 | ||
| JPS5312348B2 (ja) * | 1972-06-05 | 1978-04-28 | ||
| US3852679A (en) * | 1972-12-26 | 1974-12-03 | Rca Corp | Current mirror amplifiers |
-
1975
- 1975-11-12 JP JP50136652A patent/JPS604611B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5260047A (en) | 1977-05-18 |
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