JPH0562471B2 - - Google Patents
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- JPH0562471B2 JPH0562471B2 JP59128924A JP12892484A JPH0562471B2 JP H0562471 B2 JPH0562471 B2 JP H0562471B2 JP 59128924 A JP59128924 A JP 59128924A JP 12892484 A JP12892484 A JP 12892484A JP H0562471 B2 JPH0562471 B2 JP H0562471B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- lead
- image sensor
- film
- electrode
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
- H10F71/107—Continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes or multi-chamber deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、密着型イメージセンサに係り、特に
大面積型のイメージセンサに関する。
大面積型のイメージセンサに関する。
〔従来技術〕
フアクシミリ等の情報入力部あるいは複写機等
における原稿読み取り装置においては、装置自体
の小型化への要望に応えるものとして、原稿と同
一幅のセンサ部を有する長尺読み取り素子を用い
た密着型イメージセンサを用いたものがある。密
着型イメージセンサは縮小光学系を必要とせず、
周辺機構が単純化されることから、幅広い利用が
注目されている。
における原稿読み取り装置においては、装置自体
の小型化への要望に応えるものとして、原稿と同
一幅のセンサ部を有する長尺読み取り素子を用い
た密着型イメージセンサを用いたものがある。密
着型イメージセンサは縮小光学系を必要とせず、
周辺機構が単純化されることから、幅広い利用が
注目されている。
この密着型イメージセンサとしては、通常、第
１３図に示す如く、ガラス基板１上に所望の形状
に分割形成されたクロム等の金属薄膜からなる下
部電極２と、この下部電極上に順次積層せしめら
れたアモルフアス水素化シリコン薄膜等からなる
光導電体層３と酸化インジウム錫薄膜等からなる
透光性の上部電極４とから形成されるサンドイツ
チ型の光電変換素子部Ｌと該光電変換素子部を駆
動するための駆動回路部Ｄとから構成されたもの
が用いられている。
１３図に示す如く、ガラス基板１上に所望の形状
に分割形成されたクロム等の金属薄膜からなる下
部電極２と、この下部電極上に順次積層せしめら
れたアモルフアス水素化シリコン薄膜等からなる
光導電体層３と酸化インジウム錫薄膜等からなる
透光性の上部電極４とから形成されるサンドイツ
チ型の光電変換素子部Ｌと該光電変換素子部を駆
動するための駆動回路部Ｄとから構成されたもの
が用いられている。
密着型イメージセンサでは、縮小光学系を用い
ないため、この光電変換部の幅は、該イメージセ
ンサが読み取るべき原稿と同一幅かあるいはそれ
以上でなければならない。従つて、例えば、日本
工業規格Ｂ列５番のサイズの原稿の読み取りに際
しては210mm、同規格Ａ列５番のサイズの原稿の
読み取りに際しては256mm程度の長尺読み取り素
子が必要とされる。そして、これらの素子には、
夫々、1728ビツト、2048ビツトのサンドイツチ型
光電変換素子が一列に作り込まれておりこれらの
素子内における各ビツトは、正確な読みとりを可
能にするためには同一の特性をもつように形成さ
れなければならない。
ないため、この光電変換部の幅は、該イメージセ
ンサが読み取るべき原稿と同一幅かあるいはそれ
以上でなければならない。従つて、例えば、日本
工業規格Ｂ列５番のサイズの原稿の読み取りに際
しては210mm、同規格Ａ列５番のサイズの原稿の
読み取りに際しては256mm程度の長尺読み取り素
子が必要とされる。そして、これらの素子には、
夫々、1728ビツト、2048ビツトのサンドイツチ型
光電変換素子が一列に作り込まれておりこれらの
素子内における各ビツトは、正確な読みとりを可
能にするためには同一の特性をもつように形成さ
れなければならない。
通常、長尺読み取り素子は、セラミツク、ガラ
ス、プラチツク等の非可撓性の絶縁基板１上に、
蒸着法等によつてクロム（Cr）、ニツケル（Ni）、
白金（Pt）等の金属薄膜を形成した後、フオト
リソエツチング法により、所望の形状にパターニ
ングする下部電極形成工程と、次いで、グロー放
電法により、アモルフアス水素化シリコン層（ａ
−Si：Ｈ）等の光導電体層を堆積する光導電体層
形成工程と、更に、スパツタリング法等により酸
化インジウム錫膜（ITO）等の透光性電極を形成
する透光性電極形成工程等を経て完成するわけで
あるが、ビツト毎に均一な特性をもつ素子を形成
するためには、前記各工程において形成される
夫々の膜は、基板全体にわたつて均一でなければ
ならない。また、完成されたイメージセンサにつ
いては、１ビツトの欠陥に対しても、基板一枚全
てが不良ということになり、製造時の歩留りが低
下するため、各膜の形成については十分な配慮が
払われなければならない。
ス、プラチツク等の非可撓性の絶縁基板１上に、
蒸着法等によつてクロム（Cr）、ニツケル（Ni）、
白金（Pt）等の金属薄膜を形成した後、フオト
リソエツチング法により、所望の形状にパターニ
ングする下部電極形成工程と、次いで、グロー放
電法により、アモルフアス水素化シリコン層（ａ
−Si：Ｈ）等の光導電体層を堆積する光導電体層
形成工程と、更に、スパツタリング法等により酸
化インジウム錫膜（ITO）等の透光性電極を形成
する透光性電極形成工程等を経て完成するわけで
あるが、ビツト毎に均一な特性をもつ素子を形成
するためには、前記各工程において形成される
夫々の膜は、基板全体にわたつて均一でなければ
ならない。また、完成されたイメージセンサにつ
いては、１ビツトの欠陥に対しても、基板一枚全
てが不良ということになり、製造時の歩留りが低
下するため、各膜の形成については十分な配慮が
払われなければならない。
しかしながら、このような密着型イメージセン
サの製造にあたつては基板のサイズが大きくなる
につれ、均一な膜の形成を行うには、製造装置が
大型化してしまい、特に、光導電体層としてのア
モルフアス半導体層の着膜に際しては、グロー放
電において用いられる平行平板型電極の端部等で
は、発生するガスプラズマの流れが不均一とな
り、均一な膜の形成は不可能であるため、さらに
大型の装置が必要となる。従つて、日本工業規格
Ｂ列４番サイズの原稿の読み取りを可能とするよ
うな幅280mm以上の長尺読み取り素子を用いた密
着型イメージセンサの形成は製造装置の許容限界
を越えるものであ、不可能であつた。
サの製造にあたつては基板のサイズが大きくなる
につれ、均一な膜の形成を行うには、製造装置が
大型化してしまい、特に、光導電体層としてのア
モルフアス半導体層の着膜に際しては、グロー放
電において用いられる平行平板型電極の端部等で
は、発生するガスプラズマの流れが不均一とな
り、均一な膜の形成は不可能であるため、さらに
大型の装置が必要となる。従つて、日本工業規格
Ｂ列４番サイズの原稿の読み取りを可能とするよ
うな幅280mm以上の長尺読み取り素子を用いた密
着型イメージセンサの形成は製造装置の許容限界
を越えるものであ、不可能であつた。
本発明は、これらの問題を解決すべくなされた
もので、信頼性の高い大面積型の密着型イメージ
センサを提供することを目的とする。
もので、信頼性の高い大面積型の密着型イメージ
センサを提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで、本発明の密着型イメージセンサでは、
下部電極と上部電極との間に挟まれたアモルフア
ス半導体層からなる複数の受光部とこの下部電極
と上部電極のうち少なくとも一方の電極から引き
出された第１の引き出し配線とを形成した可撓性
の第１基板と、前記受光部を駆動する駆動回路部
とこの駆動回路部に接続された第２の引き出し配
線とを形成した第２基板とを有し、前記第１基板
の受光部を形成した面を前記第２基板の駆動回路
を形成した面と対向し配置し前記第１基板の第１
の引き出し配線と前記第２基板の第２の引き出し
配線とを電気的に接続している。
下部電極と上部電極との間に挟まれたアモルフア
ス半導体層からなる複数の受光部とこの下部電極
と上部電極のうち少なくとも一方の電極から引き
出された第１の引き出し配線とを形成した可撓性
の第１基板と、前記受光部を駆動する駆動回路部
とこの駆動回路部に接続された第２の引き出し配
線とを形成した第２基板とを有し、前記第１基板
の受光部を形成した面を前記第２基板の駆動回路
を形成した面と対向し配置し前記第１基板の第１
の引き出し配線と前記第２基板の第２の引き出し
配線とを電気的に接続している。
望ましくは前記第１の引き出し配線と前記第２
の引き出し配線とはこれらの間に介在せしめられ
た異方性導電膜によつて電気的接続がなされるよ
うにしている。
の引き出し配線とはこれらの間に介在せしめられ
た異方性導電膜によつて電気的接続がなされるよ
うにしている。
さらに、このアモルフアス半導体層等の成膜に
際しては、基板として可撓性フイルムを使用し、
該フイルムを移動させながらアモルフアス半導体
層を連続的に着膜するようにしている。
際しては、基板として可撓性フイルムを使用し、
該フイルムを移動させながらアモルフアス半導体
層を連続的に着膜するようにしている。
すなわち、本発明では、アモルフアス半導体層
は、非晶質であるため、比較的弾力性に富みクラ
ツクを生じさせることなく基板をロール化できる
点に着目し、アモルフアス半導体層形成装置の膜
形成空間を、基板としての可撓性フイルムを通過
させることにより、広面積の領域に連続的に作業
性良く均一なアモルフアス半導体層を着膜するこ
とができる。そしてこの均一に形成されたアモル
フアス半導体層を受光部としたことにより欠陥ビ
ツトの発生を大幅に抑制することができる。
は、非晶質であるため、比較的弾力性に富みクラ
ツクを生じさせることなく基板をロール化できる
点に着目し、アモルフアス半導体層形成装置の膜
形成空間を、基板としての可撓性フイルムを通過
させることにより、広面積の領域に連続的に作業
性良く均一なアモルフアス半導体層を着膜するこ
とができる。そしてこの均一に形成されたアモル
フアス半導体層を受光部としたことにより欠陥ビ
ツトの発生を大幅に抑制することができる。
そしてまた、駆動回路部と受光部とが別に形成
されているため、駆動回路部を構成する第２基板
への実装に先立ち受光部の欠陥ビツトを検査し、
不良ビツトを除いた基板を実装することができ、
製造歩留りが向上する。
されているため、駆動回路部を構成する第２基板
への実装に先立ち受光部の欠陥ビツトを検査し、
不良ビツトを除いた基板を実装することができ、
製造歩留りが向上する。
そして、本発明の構成をとることで、受光部の
長尺化をはかることができより長尺の密着型イメ
ージセンサの形成が可能となる。
長尺化をはかることができより長尺の密着型イメ
ージセンサの形成が可能となる。
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
この密着型イメージセンサは、第１図および第
２図に示す如く、支持台としての非可撓性かつ透
光性のガラス基板１１上に、ポリイミドフイルム
からなる可撓性の絶縁フイルム１２が被着され、
この絶縁フイルム上に、所望の形状が分割形成さ
れたクロム薄膜からなる下部電極１３と、アモル
フアス水素化シリコン層からなる光導電体層１４
と、酸化インジウム錫薄膜からなる透光性の上部
電極１５とが順次積層せしめられてなるサンドイ
ツチ型の光電変換部L′が構成されている。そして
この光電変換部L′は、該下部電極１３の引き出し
線１６に接続するように、前記ガラス基板１１上
に異方性導電膜１７を介して、同ガラス基板１１
上に集積回路部として形成された駆動回路部
D′に電気的に接続されている（なお、第２図は
第１図のａ−ａ断面図である。） 次に、第１図に示した密着型イメージセンサの
製造方法について説明する。
２図に示す如く、支持台としての非可撓性かつ透
光性のガラス基板１１上に、ポリイミドフイルム
からなる可撓性の絶縁フイルム１２が被着され、
この絶縁フイルム上に、所望の形状が分割形成さ
れたクロム薄膜からなる下部電極１３と、アモル
フアス水素化シリコン層からなる光導電体層１４
と、酸化インジウム錫薄膜からなる透光性の上部
電極１５とが順次積層せしめられてなるサンドイ
ツチ型の光電変換部L′が構成されている。そして
この光電変換部L′は、該下部電極１３の引き出し
線１６に接続するように、前記ガラス基板１１上
に異方性導電膜１７を介して、同ガラス基板１１
上に集積回路部として形成された駆動回路部
D′に電気的に接続されている（なお、第２図は
第１図のａ−ａ断面図である。） 次に、第１図に示した密着型イメージセンサの
製造方法について説明する。
なお、本実施例では、光電変換素子部L′の製造
工程においては、光導電体層１４としてのアモル
フアス水素化シリコン層を形成するためのプラズ
マCVD装置をはじめとし、下部電極１３を形成
するための蒸着装置およびパターン形成用の装
置、上部電極１５を形成するためのスパツタリン
グ装置等が必要とされるが、これらの装置におい
ては、第３図に示すように該絶縁フイルム１２を
連続的に走行させるための供給ローラR1および
巻き取りローラR2が、各装置のチヤンバーＣの
内あるいは外に適宜配設されており、該絶縁フイ
ルムの移送により着膜あるいはパターン形成等の
動作が連続的に行われるようになつている。
工程においては、光導電体層１４としてのアモル
フアス水素化シリコン層を形成するためのプラズ
マCVD装置をはじめとし、下部電極１３を形成
するための蒸着装置およびパターン形成用の装
置、上部電極１５を形成するためのスパツタリン
グ装置等が必要とされるが、これらの装置におい
ては、第３図に示すように該絶縁フイルム１２を
連続的に走行させるための供給ローラR1および
巻き取りローラR2が、各装置のチヤンバーＣの
内あるいは外に適宜配設されており、該絶縁フイ
ルムの移送により着膜あるいはパターン形成等の
動作が連続的に行われるようになつている。
まず、可撓性の絶縁フイルム１２として厚さ10
乃至100μｍのポリイミドフイルムを真空チヤン
バー内に配設された該ローラにセツトし、真空チ
ヤンバー内を走行させつつ、真空蒸着を行うこと
により、該ポリイミドフイルム上に1000乃至5000
Åのクロム薄膜を形成した後、フオトリソエツチ
ング法により該クロム薄膜を所望のパターン形状
に分割し、第４図に示す如く下部電極１３を形成
する。
乃至100μｍのポリイミドフイルムを真空チヤン
バー内に配設された該ローラにセツトし、真空チ
ヤンバー内を走行させつつ、真空蒸着を行うこと
により、該ポリイミドフイルム上に1000乃至5000
Åのクロム薄膜を形成した後、フオトリソエツチ
ング法により該クロム薄膜を所望のパターン形状
に分割し、第４図に示す如く下部電極１３を形成
する。
次いで、該ポリイミドフイルムを第５図に示す
如く、平行平板型のプラズマCVD装置の電極T1，
T2間を矢印Ａ方向に走行するよに、ローラR1，
R2にセツトし、引き出し線１６となる部分に金
属マスク（図示せず）を載置し、反応ガスとして
シランガスをポリイミドの走行方向とは逆の方向
Ｂに流しながら、両電極間でグロー放電を行い、
該引き出し線１６を除く領域に膜厚0.1〜2μｍの
アモルフアス水素化シリコン層を連続的に形成し
ていく。（第６図）このときローラの巻き取り速
度は１cm／時間から100cm／時間とし、着膜条件
は、基板温度150〜300℃、シラン（SiH4）のガ
ス流量10〜100SCCM、放電パワー５〜50Wとす
る。
如く、平行平板型のプラズマCVD装置の電極T1，
T2間を矢印Ａ方向に走行するよに、ローラR1，
R2にセツトし、引き出し線１６となる部分に金
属マスク（図示せず）を載置し、反応ガスとして
シランガスをポリイミドの走行方向とは逆の方向
Ｂに流しながら、両電極間でグロー放電を行い、
該引き出し線１６を除く領域に膜厚0.1〜2μｍの
アモルフアス水素化シリコン層を連続的に形成し
ていく。（第６図）このときローラの巻き取り速
度は１cm／時間から100cm／時間とし、着膜条件
は、基板温度150〜300℃、シラン（SiH4）のガ
ス流量10〜100SCCM、放電パワー５〜50Wとす
る。
そして、このようにして形成された光導電体層
としてのアモルフアス水素化シリコン層上に、ス
パツタリング法により、厚さ500〜3000Åの酸化
インジウム錫薄膜からなる透光性の上部電極１５
を形成する。（第７図）このときも、クロム薄膜
の形成時と同様にローラ間で該ポリイミドフイル
ムを走行させながら連続的に着膜する。
としてのアモルフアス水素化シリコン層上に、ス
パツタリング法により、厚さ500〜3000Åの酸化
インジウム錫薄膜からなる透光性の上部電極１５
を形成する。（第７図）このときも、クロム薄膜
の形成時と同様にローラ間で該ポリイミドフイル
ムを走行させながら連続的に着膜する。
このようにして、サンドイツチ型の光電変換素
子部が形成されると、プローブ装置（図示せず）
を用いて、該ポリイミドフイルム上に形成された
各ビツトの動作チエツクを行い、不良ビツトを検
出する。そして、不良ビツトが切りしろ部にくる
ようにして、所望の長さに、切断する。（第８図） 一方、蒸着フオトリソエツチング工程等により
支持台としての非可撓性かつ透光性のガラス基板
１１上に集積回路パターンを形成し、第９図に示
す如く、駆動回路部D′を形成する。
子部が形成されると、プローブ装置（図示せず）
を用いて、該ポリイミドフイルム上に形成された
各ビツトの動作チエツクを行い、不良ビツトを検
出する。そして、不良ビツトが切りしろ部にくる
ようにして、所望の長さに、切断する。（第８図） 一方、蒸着フオトリソエツチング工程等により
支持台としての非可撓性かつ透光性のガラス基板
１１上に集積回路パターンを形成し、第９図に示
す如く、駆動回路部D′を形成する。
そして、このガラス基板上に、所望の長さに切
断され、光電変換素子部としての素子形成のなさ
れたポリイミドフイルムを素子形成面が下にくる
ようにして異方性導電膜１７を介して熱圧着法に
より被着することにより、下部電極の引き出し線
は異方性導電膜を介して駆動回路部への電気的接
続を達成し第１図に示したような密着型イメージ
センサが完成する。ここで、上部電極と駆動回路
部との電気的接続は、異方性導電膜を使用するか
又はワイヤボンデイング法等によつて行われる。
断され、光電変換素子部としての素子形成のなさ
れたポリイミドフイルムを素子形成面が下にくる
ようにして異方性導電膜１７を介して熱圧着法に
より被着することにより、下部電極の引き出し線
は異方性導電膜を介して駆動回路部への電気的接
続を達成し第１図に示したような密着型イメージ
センサが完成する。ここで、上部電極と駆動回路
部との電気的接続は、異方性導電膜を使用するか
又はワイヤボンデイング法等によつて行われる。
このようにして形成された密着型イメージセン
サは、従来不可能であつた極めて長い領域への均
一なアモルフアスシリコン層の連続的形成が可能
となることにより、欠陥ビツトが低減され、信頼
性が大幅に向上する。また、今まで不可能であつ
た280mm以上の長尺読み取り素子の形成も可能と
なる。更に、製造装置の小型可が可能となる上、
製造の作業性が向上する。
サは、従来不可能であつた極めて長い領域への均
一なアモルフアスシリコン層の連続的形成が可能
となることにより、欠陥ビツトが低減され、信頼
性が大幅に向上する。また、今まで不可能であつ
た280mm以上の長尺読み取り素子の形成も可能と
なる。更に、製造装置の小型可が可能となる上、
製造の作業性が向上する。
加えて、欠陥ビツトの発生を支持台への実装に
先立ち、チエツクし、不良ビツトを除いた部分を
使用することができるため、製造歩留りも向上す
る。
先立ち、チエツクし、不良ビツトを除いた部分を
使用することができるため、製造歩留りも向上す
る。
なお、実施例に示したような実装方法の他、通
常の如く、駆動回路部の形成された非可撓性の基
板上に、素子形成面を上にして、前記ポリイミド
フイルムを被着せしめ、通常のワイヤボンデイン
グ法によつて電気的接続を行つてもよい。
常の如く、駆動回路部の形成された非可撓性の基
板上に、素子形成面を上にして、前記ポリイミド
フイルムを被着せしめ、通常のワイヤボンデイン
グ法によつて電気的接続を行つてもよい。
また可撓性の絶縁フイルムの素子形成面側を支
持台としての基板上に被着する方法も有効であ
る。すなわち、第１０図に示す如く、第２図に示
した実施例における透光性の上部電極１５と下部
電極との構成材料を入れ代え、透明なポリイミド
フイルムからなる可撓性の絶縁フイルム２２上
に、透光性電極２３として所望の形状に分割形成
された酸化インジウム錫電極と、光導電体層２４
としてのアモルフアス水素化シリコン層と、金属
電極２５としてのクロム電極とが順次積層せしめ
られてなる光電変換部L″を、実施例の場合と同
様に、駆動回路D′の形成されたセラミツク基板
１１上に金属電極２５側の面がくるようにして異
方性導電膜１７′を介して熱圧着せしめ、第１１
図に示す如く実装する方法も有効である。
持台としての基板上に被着する方法も有効であ
る。すなわち、第１０図に示す如く、第２図に示
した実施例における透光性の上部電極１５と下部
電極との構成材料を入れ代え、透明なポリイミド
フイルムからなる可撓性の絶縁フイルム２２上
に、透光性電極２３として所望の形状に分割形成
された酸化インジウム錫電極と、光導電体層２４
としてのアモルフアス水素化シリコン層と、金属
電極２５としてのクロム電極とが順次積層せしめ
られてなる光電変換部L″を、実施例の場合と同
様に、駆動回路D′の形成されたセラミツク基板
１１上に金属電極２５側の面がくるようにして異
方性導電膜１７′を介して熱圧着せしめ、第１１
図に示す如く実装する方法も有効である。
更に、光電変換素子部を構成する各層の材質お
よびその形成方法については実施例に限定される
ものではない。
よびその形成方法については実施例に限定される
ものではない。
すなわち、絶縁フイルムとしてはポリイミドフ
イルムを使用したが、可撓性の絶縁フイルムであ
れば他の材料を使用することも可能である。
イルムを使用したが、可撓性の絶縁フイルムであ
れば他の材料を使用することも可能である。
また、下部電極として金属電極は、クロムの
他、ニツケル（Ni）、白金（Pt）、アルミニウム
（Al）、パラジウム（Pd）、チタン（Ti）、モリブ
デン（Mo）、タンタル（Ta）等を使用してもよ
く、透光性の上部電極としても酸化インジウム錫
の他、酸化錫等でもよい。
他、ニツケル（Ni）、白金（Pt）、アルミニウム
（Al）、パラジウム（Pd）、チタン（Ti）、モリブ
デン（Mo）、タンタル（Ta）等を使用してもよ
く、透光性の上部電極としても酸化インジウム錫
の他、酸化錫等でもよい。
更に、光導電体層としても、アモルフアス水素
化シリコン層の他アモルフアス水素化シリコンゲ
ルマニウム層等、他のアモルフアス半導体層を使
用しても良いことは言うまでもない。
化シリコン層の他アモルフアス水素化シリコンゲ
ルマニウム層等、他のアモルフアス半導体層を使
用しても良いことは言うまでもない。
そして、支持台としての基板も、ガラス、セラ
ミツクの他、ステンレス等を用いてもよく、光電
変換素子部の配列についても引き出し線を交互に
逆方向にとり出すようなくし形の配列にする等の
方法も可能であり、実装方法についても適宜選択
可能である。
ミツクの他、ステンレス等を用いてもよく、光電
変換素子部の配列についても引き出し線を交互に
逆方向にとり出すようなくし形の配列にする等の
方法も可能であり、実装方法についても適宜選択
可能である。
加えて、実施例においては、ポリイミドフイル
ム上に光電変換素子部L′を形成するにあたり、一
列に連続的に形成し、切断するようにしたが、第
１２図に示す如く、複数列にわたり連続的に光電
変換素子部L′を形成し、点線に示す如く切断して
使用してもよい。この場合、製造の作業性が大幅
に向上する。
ム上に光電変換素子部L′を形成するにあたり、一
列に連続的に形成し、切断するようにしたが、第
１２図に示す如く、複数列にわたり連続的に光電
変換素子部L′を形成し、点線に示す如く切断して
使用してもよい。この場合、製造の作業性が大幅
に向上する。
以上説明したように、本発明によれば信頼性の
高い長尺の密着型イメージセンサを得ることがで
き、また製造歩留まりも極めて高い。また、今ま
で不可能であつた280mm以上（500mm〜1000mm）の
センサ幅をもつ密着型イメージセンサの形成が可
能となる。従つて、Ｂ列４番以上の原稿の読み取
りが縮小光学系を使用することなく行えるように
なるため、極めて小型で大きな原稿サイズを読み
取ることのできる原稿読み取り装置の提供が可能
となる。
高い長尺の密着型イメージセンサを得ることがで
き、また製造歩留まりも極めて高い。また、今ま
で不可能であつた280mm以上（500mm〜1000mm）の
センサ幅をもつ密着型イメージセンサの形成が可
能となる。従つて、Ｂ列４番以上の原稿の読み取
りが縮小光学系を使用することなく行えるように
なるため、極めて小型で大きな原稿サイズを読み
取ることのできる原稿読み取り装置の提供が可能
となる。
第１図は、本発明実施例の密着型イメージセン
サを示す図、第２図は第１図のａ−ａ断面図、第
３図乃至第９図は、第１図に示された密着型イメ
ージセンサの製造工程を示す図、第１０図および
第１１図は本発明の他の実施例の密着型イメージ
センサの実施例を示す図、第１２図は本発明の他
の実施例の密着型イメージセンサの製造工程の１
部を示す図、第１３図は従来例の密着型イメージ
センサを示す図である。 １……ガラス基板、２……下部電極、３……光
導電体層、４……上部電極、１１……非可撓性の
セラミツク基板、１２……可撓性の絶縁フイル
ム、１３……下部電極、１４……光導電体層、１
５……透光性の上部電極、１６……引き出し線、
１７，１７′……異方性導電膜、R1，R2……ロー
ラ、Ｃ……チヤンバー、２２……可撓性の絶縁フ
イルム、２３……透光性電極、２４……光導電体
層、２５……金属電極、Ｌ，L′，L″……光電変
換部、Ｄ，D′……駆動回路部。
サを示す図、第２図は第１図のａ−ａ断面図、第
３図乃至第９図は、第１図に示された密着型イメ
ージセンサの製造工程を示す図、第１０図および
第１１図は本発明の他の実施例の密着型イメージ
センサの実施例を示す図、第１２図は本発明の他
の実施例の密着型イメージセンサの製造工程の１
部を示す図、第１３図は従来例の密着型イメージ
センサを示す図である。 １……ガラス基板、２……下部電極、３……光
導電体層、４……上部電極、１１……非可撓性の
セラミツク基板、１２……可撓性の絶縁フイル
ム、１３……下部電極、１４……光導電体層、１
５……透光性の上部電極、１６……引き出し線、
１７，１７′……異方性導電膜、R1，R2……ロー
ラ、Ｃ……チヤンバー、２２……可撓性の絶縁フ
イルム、２３……透光性電極、２４……光導電体
層、２５……金属電極、Ｌ，L′，L″……光電変
換部、Ｄ，D′……駆動回路部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下部電極と上部電極との間に挟まれたアモル
フアス半導体層からなる複数の受光部とこの下部
電極と上部電極のうち少なくとも一方の電極から
引き出された第１の引き出し配線とを形成した可
撓性の第１基板と、 前記受光部を駆動する駆動回路部とこの駆動回
路部に接続された第２の引き出し配線とを形成し
た第２基板とを有し、 前記第１基板の受光部を形成した面を前記第２
基板の駆動回路を形成した面と対向し配置し前記
第１基板の第１の引き出し配線と前記第２基板の
第２の引き出し配線とを電気的に接続したことを
特徴とする密着型イメージセンサ。 ２ 前記第１の引き出し配線と前記第２の引き出
し配線とはこれらの間に介在せしめられた異方性
導電膜によつて電気的接続がなされるようにした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の密
着型イメージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128924A JPS617624A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 密着型イメージセンサ |
| US06/745,879 US4660277A (en) | 1984-06-22 | 1985-06-18 | Method for forming large area amorphous semiconductor layer and contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128924A JPS617624A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 密着型イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617624A JPS617624A (ja) | 1986-01-14 |
| JPH0562471B2 true JPH0562471B2 (ja) | 1993-09-08 |
Family
ID=14996745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59128924A Granted JPS617624A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4660277A (ja) |
| JP (1) | JPS617624A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084399A (en) * | 1984-10-01 | 1992-01-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semi conductor device and process for fabrication of same |
| DE3626504C2 (de) * | 1985-08-07 | 1996-06-27 | Sharp Kk | Verfahren zur Herstellung eines linearen Bildsensors |
| EP0228712B1 (en) * | 1986-01-06 | 1995-08-09 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with a high response speed and method for manufacturing the same |
| JP2666299B2 (ja) * | 1987-10-08 | 1997-10-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5021888A (en) * | 1987-12-18 | 1991-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Miniaturized solid state imaging device |
| DE69214548T2 (de) * | 1991-08-01 | 1997-03-13 | Canon Kk | Aufzeichnungskopfherstellungsverfahren |
| US6818500B2 (en) * | 2002-05-03 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Method of making a memory cell capacitor with Ta2O5 dielectric |
| CN100568541C (zh) * | 2007-01-23 | 2009-12-09 | 李毅 | 一种柔性太阳能电池及制造方法 |
| CN107621857A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-23 | 联想(北京)有限公司 | 一种显示屏、电子设备及光强检测方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56133884A (en) * | 1980-03-24 | 1981-10-20 | Hitachi Ltd | Manufacture of photoelectric transducer |
| JPS56135979A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photosensing element |
| US4377723A (en) * | 1980-05-02 | 1983-03-22 | The University Of Delaware | High efficiency thin-film multiple-gap photovoltaic device |
| US4517733A (en) * | 1981-01-06 | 1985-05-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for fabricating thin film image pick-up element |
| US4369730A (en) * | 1981-03-16 | 1983-01-25 | Energy Conversion Devices, Inc. | Cathode for generating a plasma |
| US4492181A (en) * | 1982-03-19 | 1985-01-08 | Sovonics Solar Systems | Apparatus for continuously producing tandem amorphous photovoltaic cells |
| US4479455A (en) * | 1983-03-14 | 1984-10-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Process gas introduction and channeling system to produce a profiled semiconductor layer |
| JPS59229862A (ja) * | 1983-06-07 | 1984-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサの製造方法 |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP59128924A patent/JPS617624A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-18 US US06/745,879 patent/US4660277A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4660277A (en) | 1987-04-28 |
| JPS617624A (ja) | 1986-01-14 |
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